2011半导体(LED)照明产业发展趋势预测(精)

1、2011 半导体（LED ）照明产业发展趋势预测2010 年半导体照明产业在 LED 背光液晶市场爆发的强力推动下走出了一波令人兴奋的上涨行 情，与此同时通用照明市场的全面启动也日益临近。2011 年半导体照明行业能否延续2010 年的辉煌？将会形成哪些新的趋势与看点？为把握行业发展热点与脉络，我们发起了 “展望2011 ”中国半导体照明产业预测调查活动。网上调查问卷发布短短一周时间，就收到了2000 多份回复，我们同时结合产业链不同环节不同方面的人士定向进行问卷调查，广泛征求业界专家的看法和意见，希望通过与业内人士 线上线下交流，触摸 2011 年的产业脉搏，为业界提供参考。1、半导体照明产

2、业增速超30%结构性过热致芯片价格回落在本次调查中，2011 年半导体照明产业的整体增长状况是最受关注的问题之一。而且多 数受访者均乐观看待2011 年我国半导体照明产业的发展势头，其中有超过30%勺受访者认为2011 年的产业增长率与 2010 年持平，即产业增长率在30%403 之间，还有近 20%的受访者预测 2011 年的增长率将超过 50%乐看后市的主因之一在于，近十年来LED 市场一直处于高速增长阶段，年均增长率超过20%，再加上示范应用项目等国家利好政策的助推，使我国半导体照明产业的发展在市场与政 策的双轮驱动下获得了持续的动力。根据国家半导体照明工程研发及产业联盟统计，2010

3、 年产业规模将达到 1200 亿元，与 2009 年 827 亿元相比，增长 45% 2011 年有望维持这一高增 长推动 2011 年我国半导体照明产业持续高速增长的另一个重要原因是，近年来针对我国LED 产业的投资一直呈现快速增长的态势。在本次针对2011 年投资热度的调查中，只有11%勺受访者认为 2011 年的投资量与需求匹配，却有近40%勺受访者认为存在结构性投资过热，33%的受访者认为存在整体过热现象。值得注意的是本刊在2010 年初进行的调查中认为存在整体过热投资风险的受访者比例为24%这显示担忧的情绪又有所增加，而根据统计， 2010 年国内投入半导体照明产业的总投资额超过30

4、0 亿元，2011 年的投资额有可能超过这一数字。大量资金涌入半导体照明产业，推高了行业发展的速度，同时引发了人们对投资过热的担忧。3Q11聲毎血字鋼产业峭氐覃獰达到一501以上I雅以下A2010 年，以 LED 上游芯片领域为代表的“结构性投资过热”尤其突出。由于2010 年芯片一度出现供不应求的局面以及以潍坊、扬州、芜湖、苏州等市为代表的一系列政府补贴政策的 强力刺激，国内 LED 企业三安光电、德豪润达及台湾晶元纷纷以前所未有的大手笔融资扩产， 国际巨头 Cree 于广东惠州投建外延芯片厂、旭明于南海组建外延芯片厂，上游芯片随之呈现 出一片火热发展态势。规模的急剧扩张必定导致行业洗牌。从

5、发展趋势来看，目前LED 显示屏的涨幅在逐渐减小，LED 大尺寸背光应用和照明市场将是增长的重心，可以预测未来芯片行业企业可能会有一 部分通过技术升级后专注于照明领域，另一部分则专注于背光源领域。如果中国的电视大厂能 够抓住机会，未来也只有能够保证产品质量尤其是能规模化生产的芯片企业才能进入背光领 域，相比来说，能进入门槛更高的照明领域的芯片企业更在少数，只有拥有高端技术尤其是大 功率高亮度的芯片企业才能从市场中脱颖而出，而对其他仅仅扩张了产能却在技术和工艺上不 具备优势，且在下游渠道上缺乏支撑的企业来说，无疑会面临更为严峻的市场风险。通过调查可以发现，这些涌入的资金来源可以包括多个方面。首先

6、海外投资是重要来源之 一。中国是传统照明产品生产和消费大国，随着城镇化进程加快，新兴照明市场潜力巨大，新 产品的应用具有巨大商机。此外，我国已积累了一定的制造技术和生产基础，也对国外企业有 很强的吸引力。因此，我国现已成为国际照明巨头投资建厂的主要目的地。2010 年 Cree、旭明、三星、晶元、友达等国际及台湾地区龙头企业纷纷加大了对中国的投资。相信2011 年这种趋势仍会保持。另一个重要的资金来源是股市融资。2010 年有多家上市公司通过收购或募集资金进入半导体照明领域，也有多家半导体照明企业已经上市或积极准备上市，比如2010 年成功登陆 A股中小板、创业板市场的国星光电和乾照光电，雷曼

7、光电也于2011 年初成功上市融资。预计未来一两年中还将有 510 家 LED 企业有望上市，其中可能多为LED 封装、应用型企业，使股市成为重要的资金来源之一。第三个主要投资来源是大型企业的进入。近年来有越来越多大型企业集团跨入半导体照明 行业，如彩虹集团、中电集团、中材集团、比亚迪、TCL、雷士照明、中芯国际、康佳、亚明等。这些企业集团在跨入半导体照明行业的同时也带来了巨额的投资。硒鼻犬画車洞人年UD产业面締;半导体照明企业的上市和国际、国内大型企业的介入，在给我国半导体照明产业带来充沛 资金的同时，也逐渐改变着原有的产业结构。2008 年以前，我国的投资一直以民营企业的小资本投入和技术骨

8、干人员与业外资本合作为主，投资主体多但投资规模小，形成了我国LED 企业数量多、规模小的企业构成格局。但随着2010 年以来大企业、大资本的投入明显增加，预计未来中国半导体照明企业将出现大型化趋势，并有望诞生部分超大规模的民族龙头品牌企 业。2009 年以前，我国形成的珠三角、长三角、环渤海地区、闽三角地区四大产业集聚区 域，聚集了 85%上的 LED 企业。2010 年也出现了区域分布分散化的趋向，众多城市将LED 作为重点扶持产业，致力于招商引资来打造本地区LED 产业化基地，尤以中西部地区的表现最为明显。但从近期国家政策走向来看，有可能会对当前这种重复投资，盲目上马、低水平建设的 情况，

9、加强规划和引导。未来，这一趋势值得关注。本次调查中，有 41%勺受访者认为 2011 年 LED 上游可能出现产能过剩，更有 73%勺受访者 认为会出现外延芯片价格下跌，部分业者认为跌幅将超过2010 年价格高点的 30%之所以会出现此种预期，与 2010 年出现的 MOCV 大规模投资热密不可分。统计显示，中国MOCV 设备台数从 2008 年底的 100 台左右猛增到 2010 年的 300 台左右，一年多的时间内增加了近两倍。在调查中多数受访者基本认同2011 年 LED 芯片价格将会下跌，争论点更多在于下跌的幅度。预计 2011 年下半年可能存在降价隐忧，但因目前一些扩张企业都是根据市

10、场情况分批投 产，2011 年LED 芯片的下降幅度将由市场产能的真实释放程度而定。2011 年 LED 背光电视与LED 照明市场仍是 LED 需求的主要驱动力，预估市场需求仍有很大的成长空间，而当前LED 厂商的扩产速度也非常迅猛，随着产能的不断释放，2011 年将是供给与需求同步爆发的一年。对上游芯片企业来说，纷纷扩张后的新增产能是否能让市场如期消化或将引发“杀价”还是个 问题，如何在未来的“产能过剩”风暴来袭前未雨绸缪，扩大相应的下游渠道且保持芯片批量 生产时稳定的出货量和保证产品的一致性是提高竞争力的必要手段。同时，对于投资者来说，由于目前LED 产业整体投资尤其是在外延和芯片的投资

11、过热，且中国大陆外延、芯片厂商在专利、经验积累尤其专业人才方面都处于弱势，所以目前在此环节 投资已不太合适，但一些市场运作较为成熟的企业仍值得关注，尤其是近两年内有上市计划的 企业。在整体发展策略上，针对欧美企业的纷纷垂直整合以及品牌和渠道优势，以及台湾企业的 抱团横向联合与大幅扩张，建议国内大陆企业应迅速做好细分市场定位，找准企业的发展空间 和行业位置，在趁机迅速扩大市场的同时，注重提升品牌，提高经营管理和技术研发，相对来 说，兼顾品质与成本竞争力的LED 厂商才更有致胜把握。尤其是一些在细分领域具有先进技术，拥有一定规模，以及获得下游客户认可并提早做出产业布局的企业未来可赢得先机。陽囲由M

12、QCVI1的“加抻“ *L由上帯尸耘即経出氓:可以预计，2011 年中国半导体照明产业的进入门槛将进一步提高，一些没有资金、技术 实力，或定位不准，经营不善的企业将被淘汰。有专家预测，尽管2011 年中国出现大规模行业洗牌、企业并购事件的可能性不大，但有可能隐现此种苗头和迹象，而未来35 年内 LED 产业格局必将进行调整，使产业集中度提升、产业布局进一步合理，产业发展的主动权向少数龙 头企业集中。产链过劇2、示范工程推动产业走向健康理性2010 年中国半导体照明产业取得高速发展，国家政策的支持必不可少。不仅国务院2010年 10 月发布了关于加快培育和发展战略性新兴产业的决定，将半导体照明列

13、入战略性新 兴产业，明确了半导体照明产业国家层面的政策导向。国家发展改革委联合住房城乡建设部、 交通运输部发布的关于组织申报半导体照明产品应用示范工程项目的通知，更为中国半导 体照明产业增加了发展的动力。在本次调查中，多数受访者均认为2011 年政府仍是产业顺利发展的重要保障和主要推手，半导体照明产业仍需一段过渡时期才能逐步从政府推动型转变为市场推动型，因而有38%的受访者认为未来需要在技术研发上予以支持，亦有31%的受访者认为需要政府通过采购补贴等方式加大应用端扶持力度。2011 年中国半导体照明产业的发展策略将以应用促发展。政府将通过集中力量在我国具 有较强竞争力的高端应用环节，统筹技术开

14、发、工程化、标准制定、市场应用等环节，推动要 素整合和技术集成，完善相应的产品市场推广模式，努力在半导体照明高端应用环节实现产业 的重点跨跃。一方面重点发展路灯、隧道灯等我国率先进入全球市场的户外高端照明产品；另 一方面重点发展商业、工业、地铁照明等我国城镇化过程中具有较大发展空间和节能潜力的室 内高端照明产品。同时在示范开展的同时不断改进技术，降低生产成本，扩大产业规模。3、价格降低撬动功能性照明市场接口标准将有大进展目前 LED 最大的应用领域是景观照明与背光，但随着技术的发展和价格的降低，功能性照明市场已经开始出现。资料显示，以目前的技术水平，LED 球泡灯达到色温 26003000K,

15、光效60lm/W，寿命 3 万小时，完全可以达到替代白炽灯的技术要求，目前LED 道路照明可节电 30%以上，隧道照明可节电40%特别是 LED 室内筒灯、射灯等替代传统卤素灯、荧光灯可节能30% 50%。这有力推动了市场的发展，在2010 年 8 月进行的“十城万盏”调研过程中，根据21 个试点城市的初步统计，已有50 万盏以上路灯、隧道灯、太阳能 LED 路灯、LED 日光灯、Miljft2011年鴨帶京肉赴垂财観林的片畫:筒灯、射灯、舞台灯等产品得到示范应用。然而市场大规模的启动还有赖价格的下降，LED 的性价比提高，开发低成本高可靠灯具。比如在本次调查中有高达68%的受访者认为 201

16、1 年半导体照明市场推广最主要的瓶颈仍是价格成本问题。以替代60W 白炽灯为例，预计 2011 年在芯片价格下跌的推动下，整灯价格可达7080 元。另外，随着 LED 逐渐进入功能性照明市场，照明品质与产品的易替换性也受到越来越高的关注。因为目前各厂家的 LED 照明产品规格间缺乏一致性，不同厂家产品间很难通用，用户往往使用一家企业的产品后，以后只能继续使用其产品，使人们在选用LED 产品时有所顾虑。好在这种现象已引起相关部门的重视，“中国版扎嘎”2011 年有可能出现。此外，由于 LED 逐渐进入室内照明市场，LED 产品与用户的接触更加紧密，对照明质量的要求也越来越高。提高光源显色性与减少

17、色彩偏差，提高一致性的关注度也不断提高。目前， 高显色性的LED 技术相继出现，比如 RGB 芯片混合、新型荧光粉的研制、红光补偿技术，市场 上已经出现 CRI 大于90 以上的 LED 光源产品。未来开发高性价比、可替换、高显色性、低色 彩偏差的产品将是企业攻关的重点。2011年甲与停圖閉布壻!广芟軽酌题:4、商业照明成关注热点路灯市场理性扩张如果说 2010 年 LED 的热门应用是 LCD 背光，那么 2011 年最热门的应用将是商业照明。在 本次调查中，有 48%勺受访者认为 2011 年 LED 发展最快的应用领域将是商业照明，可以看出 目前业内的焦点正由路灯转向室内商照。同时也有少

18、量业者开始关注到医疗照明和生物照明。2010 年 LED 背光液晶电视热卖，并渐成未来发展趋势，连带也刺激背光模组的出货量持 续升高。根据 DisplaySearch 的统计数据，2010 年液晶电视用 LED 背光模组的出货量达到 4230 万块，占全年电视背光模块总量1.95 亿块的 22%预计 2011 年仍有可能大幅提升渗透率至 39%达到 8540 万块。再加上笔记本电脑背光和液晶显示器背光市场，背光仍将是2011 年LED 应用的主要市场。但是，LED 毕竟是一个快速发展的行业。2010 年的热点，2011 有可能就被新的热点所替代。虽然 2011 年背光仍保持巨大的市场需求，但2

19、011 年室内商业照明应用将成为重点和热点。具体来看，目前 LED 商业照明和家居照明市场分为两种商业模式，一个是替换市场，也就 是 LED 替换传统照明的光源，包括失效的或者还没有失效的光源；另一个是新装市场，就是新 装修项目直接采用 LED灯具。替换市场主要考虑光源的替换，即用与传统光源相似的LED 光源取代传统光源，这些 LED 光源的接口与传统光源相同，也是LED 光源最容易直接进入的市场。新装市场与替换市场的主要区别在于客户可以直接选择LED 灯具，而不是简单的替换光源。由于 LED 灯具具有寿命长的优点，它的寿命几乎与装修建材的寿命相当，因此在新装市场直接使 用 LED 灯具具有更

20、大的优势。随着行业的发展，未来照明灯具的安装将和室内装饰的安装越来越多地融合在一起，照明 将成为装修设计的一部分，灯具的安装更是从装修完成后提前到装修中安装，既起到照明的效 果还起到装饰的作用，室内装饰的设计将把LED 照明作为其非常重要的一个部分。在此情况下，LED 照明与建材市场的结合将会越来越紧密，LED 灯具的销售也会更多地在装饰和建材市场进行。照明企业将从卖产品过渡到卖服务，从提供单一的照明产品过渡到提供系统化的照明 解决方案。2010 年 LED 路灯是争议最多的一个部分，一边是人们大肆批判其产品的不成熟与市场的混乱，一边却有越来越多的厂商挤入这一领域。尽管2011 年路灯市场开始

21、降温，但部分厂商开始深耕。包括路灯在内的室外照明市场依然是LED 照明发展的重要空间。在本次调查中，有38%的受访者认为 2011 年中国 LED 路灯应用规模将达 40 万盏以上即反映了这一趋势。其实，就在国人为LED 路灯争得面红耳赤之际，国外厂商已开始默默布局这一市场。在2008 年的法兰克福照明展上，欧美厂商仅展示出一些概念性的LED 路灯，所占比例为所有路灯的 10%左右，而 2010 年展出的 LED 路灯在数量、技术、设计理念、应用领域等各方面与上 届相比都有了实质性的飞跃。目前飞利浦、LG 三星、东芝、松下等电子公司纷纷推出自家产品。老牌的传统照 明企业如 欧司朗、GE 索恩、

22、施 莱德、西特科 （Siteco ）、库 朴、Zumtobel、BEGA 等在短短两年时间，其LED 路灯已全面铺开。目前大部分欧美产商的产品集中在小型道路、次干路、商业街区、庭院等应用范围，目标在于替代250W 以下的高压钠灯或金卤灯。不可否认，2011 年中国 LED 路灯仍会存在部分产品质量不过关，部分面子工程等现象，但是随着技术的提高，初始的过热情况渐趋冷静，回归理性，LED 路灯仍具发展空间。特别是随着 LED 照明技术的快速发展，LED 路灯的节能、环保特性也日渐显现。除室内商照和路灯市场之外，伴随着LED 技术的快速突破，新产品的开发也在迅速展开,预计 2011 年 LED 在农

23、业、医疗、智能交通、信息智能网络、航空、航天等领域也将不断出现 新的应用。特别是微投影仪和医疗应用成为最被看好的新市场空间。2011年LED掛灯旺用啟債将谨*2S万万取上)0万2A5、室内照明热门灯具类型：筒灯、射灯、球泡灯、管灯2011 年热门的灯具类型也是业者关注的重点。综合本次调查可以发现，管灯、球泡灯、筒灯、射灯都可能入选。其中管灯、球泡灯、筒灯、射灯入选为前四名2011 年最可能大规模推广的室内照明产品类型。以LED 目前的性能成本，已经可以替换传统白炽灯和卤素灯。而且LED 照明更具有方向性强的特点，所以在筒灯、射灯等灯具中的利用效率要比传统光源高。再 加上这类产品功率小，技术难度

24、低，接口标准和现有光源容易兼容，容易实现标准化和规模化 生产，将会是 LED产品的主要发展方向。就球泡灯和管灯的灯具类型来说，目前市场尚存争 议，一方面有观点认为 LED 球泡灯和管灯是一种过渡产品，不论从光学、电学、热学设计上都 无法展现 LED 的优势。同时办公室照明领域三基色荧光灯因光效能高，显色性好，寿命长等仍 具备相对优势，然而在替换市场中，由于市场需求大，尽管存在较大争议，LED 球泡灯和管灯市场仍被看好。ion年可磋丸規Hi權广的室內帕明产品类型；6、销售模式以工程招标为主 EMC 在探索中前进LED 照明灯具的兴起，有赖于对现行商业模式的超越和突破。2010 年的产业商业模式一

25、般都是政府出资，采取公开招投标方式确定灯具供应商，同时市场也出现了新的发展形态，可以 采用国际上通行的 EMC BOT IGF 等多种商业模式。在本次对“ 2011 年半导体室内照明最需 发展的销售模式”调查中，充分体现了这一现象，有34%勺受访者认为主要销售模式仍将是工程招标，但也有 27%和 25%勺人认为应发展超市、商场和专卖店直销等渠道。7011的城拼为:KJKlffVIA IjkMM曾先曲示m M*a至于 EMC 等商业模式，由于涉及融资、担保、运营、认证等多个复杂的环节，而且许多细 节很难确定，如前期节能量的核定、回收周期的确定、企业利润平衡点的确定、节能服务公司 如何建立、路灯维

26、护成本的衡量等，实际操作中，实施难度较大，仍需在实践中摸索。因此 2011 年 LED 照明由于其节能的优越性，将有更广阔的应用，而采用EMC BOT IGF 等商业模式，可以有效解决价格成本问题，但由于实施难度较大，因此工程招标仍将是主要商业模式。M1豐的Mi7、国产芯片光效向 120lm/W 迈进专利之争渐趋严峻LED 的光效及价格是决定LED 产品市场应用的两个主要指标。光效的提高将极大的刺激价格的下降，而价格的下降将使LED 逐步走入各种照明领域。目前LED 的性价比已使其在景观照明、显示等领域获得主导地位，但在通用照明领域，市场大规模的启动还有赖价格的下降与光 效的提高。因此，光效的

27、提高仍是业界广受关注的话题。在本次关于LED 技术发展的调查中，有一半以上的受访者乐观预估2011 年国产 LED 大功率芯片白光光效的产业化水平将达到100120lm/W。对 2011 年 LED 照明产品开发关注点的调查中，也有近40%的受访者认为应着力于降低成本的研究。半导体照明技术正处于快速发展时期，从2000 年开始 LED 的发光效率平均每年以1020lm/W 的速度大幅提高。至 2010 年国际上大功率白光LED 产业化的光效水平已经达到130lm/W；韩国首尔半导体在 2010 年第一季度开始量产光效为100lm/W 的 AC LED 产品。台湾工研院和晶元光电在开发出AC L

28、ED 芯片后，又于近期开发了HV LED 技术。中国大陆白光LED芯片光效的产业化水平也在2010 年基本达到 100lm/W 左右，具有自主知识产权的功率型 Si 衬底白光 LED 芯片光效超过 90lm/W。相信未来中国 LED 芯片发光效率有望获得进一步的提高。 同时在深紫外技术、GaN 衬底、GaN 外延层激光剥离、Si 衬底外延等方面有可能取得关键技术 突破，形成自主知识产权。2tl隼严L曰氏功单臼光忧效的产*佬木早轉达屛:100l W子Hit】74*帝厲址37%除了提高光效以外，LED 封装和应用方面的问题也日渐凸显。从产品上看，无论是半导体 照明灯具还是 LED 显示模组，都不是

29、简简单单地将LED 器件组合在一起形成的。封装和应用环节包含了驱动电路、散热和光学设计等一系列重大的科学技术问题。随着道路照明、室内照明 等通用照明应用成为技术研发的热点，研究的内容包括光学设计、散热设计、驱动电源、灯具 设计、智能化控制系统等。研究的方向朝着更高光效、更低成本、更高可靠性、更多种类和更 广范应用发展。u丹MHtif关注如Itx29%伴随技术竞争的加剧，2011 年企业通过专利手段进行的竞争也将愈演愈烈。目前全球LED主要厂商采取横向和纵向扩展方式，利用核心专利在世界范围内布置专利网，并通过专利授 权，抢占市场。随着 2011 年有越来越多的国外企业到国内建厂，也有越来越多的国

30、内LED 企业把产品销往国际，市场竞争将更加激烈，专利诉讼做为一种手段，有可能更多的被使用。在本次调查中，有专家认为要想避免和国际大公司的专利纠纷就必须拥有自己的独特技术 和专利，这才是和他们进行谈判的最根本的资本，并通过这个资本来达到合作共赢的目的。此 外，还有近 50%勺受访者认为企业应对国际专利壁垒的有效方法是建立专利池。仝业专月.：；-5利童聲的押效方他* ；国际 LED 关键技术主要集中在衬底材料、外延材料生长、大功率芯片制作、白光LED 制造等方面，产业链上游部分关键环节专利垄断严重。在应用领域现有的专利数量相对较少而可挖 掘的专利数量非常多，国外大公司在中、下游领域的专利壁垒尚未

31、构建得像上游领域那样森 严。不过近年来国际巨头也在积极进入应用领域，目前应用领域正成为专利申请的热点，包括 散热、驱动、光学设计、智能控制、创新应用等多个方面。中国大陆在LED 产业的中、下游技术方面具备比上游技术更大的优势，没有无法逾越的技术瓶颈，在应用环节仍然有很大的机会 取得突破，从而打破被动的专利格局，应当重点加以关注。8、标准体系不断完善检测体系走向系统随着 LED 照明产品进入功能性照明市场步伐的加快，完善标准制订，强化检测、认证工 作，把好质量关，树立消费者的信心，正变得越来越重要和关键。在本次调查中，有近一半的 受访者认为应加快完善标准体系建设，有30%勺受访者认为应加强已制定

32、标准的贯彻执行。检测方法和设备的研究、权威检测机构建设、检测结果的互认和比对、规范检测市场都受到业者 的重视。为了规范整个产业，针对半导体照明我国已制定12 项国标和 10 项行标。但大部分是术语、定义、测试方法、安全要求等。对于光源及灯具产品性能要求，已有的国标指标偏低，与 现有应用设计标准不配套，或者未有国标。同时许多地方政府发布地方标准，其内容的专业性 和合理性有待考核，且容易造成地方保护。表 1 预防接种制品名称接种对象 初种剂量与方法免疫期与复种保存与效期麻疹疫苗8 个月以上的 易感儿童为主三角肌附着处皮下注射 0.2ml。注射丙种球蛋白后，至 13 个 月后才能注射免疫期46 年,

33、7 岁加强 1 次210 C暗处保存冻干疫 苗效期 1 年，液体疫苗 效期 2个月，开封后在1h 内用完脊髓灰质炎2 个月4 岁三型混合疫苗口-20 C保存，效期 2 年，糖丸疫苗儿童服,2 月龄开始免疫期 35 年，4 岁加强 1210C 保存 5 个月，连服 3 次，春季次2022C保存 12 天，冷开水送服3032C保存 2 天。乙肝疫苗新生儿及易全程免疫:10感者30 卩 g 按 0、1、6 个月各在 三角肌肉注射 1免疫期 5 年，全程免疫效果28C暗处保次，新生儿首次应在 24h 内注不好者可加注一次30 卩 g,以后每 5 年加强注射30 卩 g存，效期 2 年，严防冻结射.同时

34、注HBIG500 U 效果更好甲型肝炎减1 岁以上的易上臂皮下注射 128C 暗处保存，效期 3毒活疫苗感者（儿童及次，1ml个月,-20 C以下保存，成人效期 1 年流行性乙型6 个月10皮下注射 2 次，脑炎疫苗岁儿童间隔 710 天，612 月龄每次0.25ml,7 15 岁每次1.0ml,16 岁以免疫期 1 年,以后每年加强注 射 1次210C暗处保存，效期 1年,25 C以下效期 1 个月上每次 2.0ml人用狂犬病被狂犬或其于咬伤当日和疫苗 （地鼠 肾组织培养人用疫苗他 患 狂 犬 病动物咬、抓 伤及被患者 唾液污染伤口者3、 7、 14、 30日各注射 2ml, 5 岁以下 1

35、ml,2 岁以下0.5ml, 严重咬伤者可在 注射疫苗前先注 射抗狂犬病血清免疫期 2 个月，全程免疫后36 个月再次咬伤需加强注 射 2次，间隔 1 周，剂量同左：超过6 个月再被咬伤则需全 程免疫210 C暗处保存，效期液体疫苗 6 个月，冻干疫苗 1 年卡介苗初生儿及结 核菌素阴性 的儿童初种：于出生后2448h 内皮内注射 0.1 ml免疫期 510 年,城市 7 岁，农村7 岁，12 岁加强注射霍乱菌苗根据疫情，皮下注射 2 次，重点为水陆间隔 710 天，口岸人员环6 岁以下境卫生、饮 食业、医 务、防疫人0.2ml,7 14 岁0.3ml,15 岁以上 0.5ml。第 2免疫期

36、36 个月，以后每年 加强注射 1 次,剂量同第 2 针210C 暗处保存，效期 3 年员及水上居针分别为初次的民倍量，应在流仃前 1 个月完成伤寒、副伤重点用于水皮下注射 3 次，寒甲、乙菌陆口岸沿线间隔 710 天，苗人员及部16 岁 0.2、队、环卫、0.3、0.3ml,7 免疫期 1 年,以后每年加强注210C暗处保存，效期 1饮食服务人14 岁 0.3、射 1 次,剂量同第 3 针年员0.5、0.5ml,15岁以上 0.5、1.0、 1.0ml霍乱、伤寒副伤寒甲、乙四联疫苗同上同上同上同上流脑 A群多5 岁以下儿童皮下注射 1 次糖菌苗及少年，流行2550 卩 g免疫期 0.51 年

37、210C保存，效期 1 年区成人钩端螺旋体流行区 7 60皮下注射 2 次，菌苗岁的人群间隔 7 10 天，剂量 26 岁0.25、0.5ml,7 14 岁 0.5、1.0ml,15 岁以 上1.0、2.0ml免疫期 1 年，以后每年注射 2 次,剂量与方法同初种2 10C暗处保存，效期 1 年半吸附精制白6 个月12皮下注射 2 次，免疫期 510 年,第 2 年加强25 C暗处保存，效期 3 年，不可冻结喉类毒素岁儿童每次 0.5 ml,间隔 4 8 周注射 1 次 0.5ml,以后每 3 5 年注射 1 次 0.5ml吸附精制破发生创伤机全程免疫：第 1伤风类毒素会较多的人 群 年间隔

38、4 8 周，肌肉注射 2 次第2 年 1 次，剂量免疫期 510 年,每 10 年加强注射 1 次 0.5ml25 C暗处保存，效期 1 年 半,不可冻结均为 0.5ml百日咳菌3 个月7 岁全程免疫：第 1苗、白喉、儿童年 0.25、0.5、免疫期同单价制品全程免疫破伤风类毒0.5ml,皮下注射不再用百白破混合制剂，加210C保存，效期 1.5素（百.白.3 次，间隔 46强免疫用百破或百白二联制年破混合制剂周，第 2 年丨次剂0.5ml精制白喉抗毒素白喉患者， 未注射过白 喉类毒素的接触者治疗：按病情轻 重,肌内或静脉（滴注 3 万-10 万 U免疫期 3 周2 10 C 保存液状制品，

39、效期 23 年，冻干制品3 5 年精制破伤风破伤风患者治疗：新生儿抗毒素或创伤后有24h 内 1 次或分患破伤风危次肌注 2 万10险者万 U,其余不分 年龄均为5万 20万U,肌肉或静脉注射，以后 视病情决定追加剂量及间隔时 间。预防：不分年龄为1500 3000U,l次皮下 或肌肉注射，伤势严重者剂量加免疫期3 周倍精制抗狂犬被患狂犬病成人病血清的动物咬伤0.5 1.0ml/kg,者儿童 0.51.5ml/kg, 半量免疫期3 周肌注,半量伤口 局部注射，愈早应用愈好乙型肝炎免HBsAg(尤其新生儿岀生 24疫球蛋白HBeAg 阳性小时内和 2 月龄(HBIG母亲所产新生儿，医源性各肌注

40、1 次,每 次1ml(100U;医免疫期3 周HBV 意外感染源性事故立即肌者注 5ml210 C暗处保存，液状制剂，效期 34 年,冻干制品 5 年210C暗处保存，液状制剂，效期 34 年,冻干制品 5 年210C效期 2 年人丙种球蛋丙种球蛋白治疗：丙种球蛋白缺之症患者白缺乏症，每次麻疹或甲型肌注 0.15ml/kg肝炎密切接预防麻触者疹:0.051.5ml/kg, 一次 肌注(不超过 6ml.预防甲型肝炎:儿童 0.05免疫期 3 周210C效期 2 年0.1ml/kg, 一次肌注成人为 3ml（江福生）第七节传染病常用诊疗技术肝脏穿刺活体组织检查术【适应证】原因不明的肝功能异常，原因

41、不明的黄疸，且已排除肝外胆道梗阻者；慢性肝炎随访病情或判断疗 效；疑有肝癌、肝结核或肝肉芽肿性病变；不明原因的肝脾肿大。【禁忌证】重度黄疸，大量腹水和有凝血机能障碍者，充血性肝肿大；一般情况较差，或右侧胸腔及膈下炎 症；疑有肝包虫病或肝血管瘤者。【用品】同肝脏穿刺术，外加肝活检针及穿刺锥各1 只，也可应用自动肝活检枪操作。另备10%畐尔马林液一小瓶（约 5ml），或依特种检查要求另备固定液。【方法】1.术前测定岀血时间、凝血时间、凝血酶原时间，如不正常则应肌注维生素K34mg/d，共 3 天，并内服钙剂及维生素C,待各项检查正常时方可穿刺。2.患者取仰卧位，稍向左倾，背部可垫一枕，并预先铺好腹

42、带，右臂上举置于头后。一般取腋前线第八肋间或腋中线第九肋间为穿刺点，肝肿大超岀肋缘下5cm 以上者，亦可自肋缘下穿刺。3.皮肤常规消毒，铺无菌巾，局部麻醉应达肝包膜。4.用穿刺锥于穿刺点皮肤上刺一小孔。助手持注射器，术者将穿刺针通过皮肤小孔沿肋骨上缘刺 入 0.51cm。将注射器内盐水推岀少许，以排岀可能存留于针腔内的皮肤及皮下组织。5.抽吸注射器造成负压，嘱患者在深吸气后呼气末屏息片刻（宜预先练习23 次）。于开始屏息时，迅速将针直线刺入肝脏，并立即拔岀。将针头内的肝组织注入福尔马林液瓶内或其他特定的固定液瓶内。穿刺部位盖无菌纱布，扎以腹带，压上小砂袋。【注意点】1.术前应送验血型及交叉配合

43、，必要时备血。2.必须预先训练患者屏息动作，以配合操作。穿刺针进入肝脏后绝对不得搅动，穿刺深度一般不 超过 6cm。3.术后应卧床 24h。穿刺后初 2h 内，每 1/2h 测脉搏、血压一次；如无变化，改为 1 次/h，共 6 次。肝脏穿刺抽脓术【适应证】抽脓以治疗肝脓肿。【禁忌证】有岀血倾向和凝血异常者，疑为肝包虫病者。【用品】清洁盘，肝穿刺包，腹带一条，小砂袋一只，无菌手套，玻片，试管，培养瓶等按需要准备。1.术前应详细了解有无岀血倾向，并测定岀血时间、血凝时间、血小板计数、凝血酶原时间，如有异常应暂缓施行，待纠正后再行穿刺。送检血型及必要时交叉配血并备血。2.应向患者解释穿刺目的，训练屏

44、息方法（深吸气后呼气末，屏气片刻）。有咳嗽或不安者，术前 1h 给可待因及苯巴比妥 0.03g 。3.准确叩岀肝浊音界，穿刺部位在腋前线第八，九肋间为宜；肝脓肿抽脓以压痛最明显处为妥， 最好于术前进行超声探查，明确脓肿位置，大小，范围，以协助确定穿刺部位，方向及进针深度。4.患者平卧，肩外展，屈肘，手置枕后以张大肋间，腰下铺放腹带。常规皮肤消毒，铺无菌巾，局部麻醉。5.穿刺针栓连接短胶管，用血管钳夹闭，或关闭三通开关通路。先将穿刺针刺至皮下，令患者屏息，然后将穿刺针按超声定位方向及深度刺入肝脏脓腔，连接50ML 注射器，去夹或开放三通管通路，助手持钳以固定穿刺针头进行抽吸，若未抽得液体，可将针

45、退至皮下，嘱患者呼吸片刻，再按上法于屏息时更换方向进行穿刺抽吸，一般以3 次为限。刺到脓腔后，嘱患者维持浅表呼吸，并尽量抽尽脓液。诊断性肝穿刺可用不带短胶管的穿刺针，接以10ml 注射器，参照上法进行穿刺。6.穿刺完毕，拔出针头，穿刺处应紧按数分种以防出血，再裹紧腹带，局部可压以小砂袋。【注意点】1.一定要在患者屏息情况下进行穿刺或拔针，切忌针头在肝内转换方向，以免撕裂肝组织导致大岀血，穿刺深度一般以不超过68cm 为妥。2.当注射器抽满脓液须卸下时，应先夹闭胶管，以防注射器卸下后空气窜入。如用带三通开关的穿刺针，则可将通路转向排液处，推动注射器活塞，脓液即可外流，毋须卸下注射器。3.术后应密

46、切观察有无腹痛或内岀血征象，必要时紧急输血，并请外科会诊。4.穿刺所得液体，可根据需要送检5.为治疗需要，可向脓腔注射抗阿米巴药物及抗生素等。胸腔穿刺术【适应证】诊断性穿刺：大量胸液压迫，导致呼吸循环障碍者；结核性胸膜炎化学疗法中毒症状减轻仍有较多积液者；肺炎后胸膜炎胸腔积液较多者；外伤性血气胸。【禁忌证】病情垂危，有严重岀血倾向。【用品】清洁盘一套，胸腔穿刺包一只，500ml 量筒一只，无菌手套 4 只，留送常规、生化、细菌、病理标本的容器，必要时酌加抗凝剂，背靠椅或靠背架一只，冷天应备绒毯。【方法】1.患者反向坐椅上，健侧臂置椅背，头枕臂上，病侧臂伸过头顶；或取斜坡卧位，病侧手上举， 枕于头下，或伸过头顶，以张大肋间。2.穿刺部位宜取实音处，一般在肩胛角下第78 肋间，或腋中线第 56 肋间穿刺。包裹性积液，宜根据 X 线透视或超声检查所见决定穿刺部位。3.手术者须戴口罩及无菌手套，穿刺部位依常规消毒，局部麻醉应达胸膜。4.进针应沿下位肋骨之上缘缓慢刺入，与针栓相连的乳胶管应先用钳子夹闭。当穿过壁层胸膜时，针尖抵抗感突然消失，然后接上注射器，放开钳子即可抽液。助手用止血钳协助固定穿刺针，并随时夹闭乳胶管，以防空气进入。5.抽液完毕，拔岀穿刺针，盖以无菌纱布，胶布固定。嘱患者卧床休息。【注意点】1.抽液量：以诊断