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1、班級：奈米三甲姓名：伍翠瑩 49914006 王彗珊 49914037薄膜太陽能電池前言太陽能電池亦稱太陽能晶片，是一種利用太陽光直接發電的光電半導體。近年來BIPV（Building Integrated Photo Voltaic）即建築物集成太陽能電池的技術，其將薄膜電池應用到建築物的圍護結構，更可結合在帷幕牆的材料中，被認為是太陽能電池工業中增長最大的技術之一。基本晶體結構以單位晶胞（unit cell）為單元，週期性且重複出現相同結構金屬晶體結構；體心立方bcc；面心立方fcc；六方最密堆積hcp7大晶體系統/14種晶格 太陽能電池的基本結構 一類是基材為P型半導體，N型材料為受光面

2、；另一類基材為N型半導體，P型材料為受光面。常見矽晶太陽能電池結構採用前者，上層鍍抗反射層，下層則鍍歐姆接觸層。薄膜生長法製備PN接面在N型（或P型）半導體表面，通過氣相、液相等磊晶技術，生長一層具相反導電類型的P型（或N型）半導體薄膜，而形成PN接面薄膜太陽能電池 比較 薄膜電池電池厚度 耐高溫 抗輻射生產成本矽晶太陽能電池150m以上不佳不佳低GaAs太陽能電池510m佳佳高CIGS薄膜電池CISCIGSCZTSCIS材料的基本性質CuInSe2材料具有兩種同素異形的結構：閃鋅礦（相）、黃銅礦（ 相）CIS材料的基本性質CIS材料的光吸收係數大，光子能量大於1.4eV的區域為4105cm-

3、1。300K時CuInSe2的物理性質如下表：CIGS材料的基本性質CuInxGa1-xSe2（CIGS）材料，屬於黃銅礦結構。調整Ga濃度，使能隙大小在1.021.68eV，以吸收更多太陽光譜。CZTS材料的基本性質Kesterite 晶體與Stannite 晶體之間的位能差距小於3 eV/atom，意指在結晶與長晶過程中容易共存或互相轉換的。 晶體型態 薄膜材料吸收層CIGSChalcopyrite 晶體CZTSKesterite 晶體非晶矽薄膜電池在PN層間加入本質層I，當入射光在本質吸收層中產生電子-電洞對，形成光生電流與光生電壓。能隙約1.75eV，吸收光譜0.050.7m。製備技術簡單、成本低。多晶矽薄膜電池基板便宜、矽材料少、無光衰減問題。利用化學氣相沉積法製備摻硼的P層通過擴散磷形成N層結論對於目前能源的大量消耗，必須找尋替代的能源，各國對太陽能這項領域積極發展，但實際的轉換效率仍然有限，製造的成本亦偏高，而電池的薄膜化可降低成本，對於未來薄膜太陽能電池的發展，更以提高轉換效率及成本考量為目標。參考文獻http:/

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