电泳沉积制备铜基上耐腐蚀石墨烯强化复合涂层

1、通过电泳沉积在铜上制备耐腐蚀的石墨烯强化复合涂层摘要我们报告了通过水性阴极电泳沉积（EPD）制备的具有优异的耐腐蚀性的坚固的石墨烯增强复合涂层。在最佳EPD条件下，在10V电压和30秒的沉积时间下获得约40nm厚度的涂层。通过扫描电子显微镜进行表面形态学表征，可以清楚地观察到尺寸范围为1至2m被还原的氧化石墨烯（rGO）均匀涂覆在铜片上。复合涂层显示出金属对电化学降解的抵抗力显著增强。Tafel（塔菲尔）分析证实复合涂层所显示的腐蚀速率比裸铜的腐蚀速率低一个数量级。预期用于生产石墨烯增强复合材料涂层的这种简单的EPD技术可以开辟新的天地，特别是对于对盐水具有抗性最重要的海洋工程材料。1.引言铜

2、是最广泛使用的材料之一，由于它们具有优异的热导率和电导率，除了机械加工性1。然而，铜的应用由于其化学反应性而受到限制。铜的氧化被认为是微电子、纳米电子、结构和其他相关应用中的严重可靠性问题。当铜与氯离子环境接触时，问题进一步恶化。氯离子对铜有很强的腐蚀性；甚至痕迹都会引起严重腐蚀2。开发简单、持久和有效的防腐蚀保护涂层技术，为表面防止氧化和腐蚀提供必要的保护，在其用于上述应用中是最有必要的。传统上，化学反应性金属表面通过不同的技术例如形成氧化物层，用油漆/清漆涂覆，聚合物，有机层和金属或合金来改变它们的物理性质来防止腐蚀/氧化2-8。然而，这些技术中的许多具有一些固有的问题，例如更高的涂层厚度

3、，光学性质的变化，铜的热和电导率的劣化，差的粘附性等。预计通过开发具有最小金属表面物理性质变化的非常薄的保护涂层，可以减少上述问题8。石墨烯的独特特性，如化学惰性、优异的热稳定性和化学稳定性、显着的柔韧性、可见光范围内的光学透明度，以及即使像氦这样小的分子也是不可渗透的9,10，使得它们最有利于形成钝化层以保护金属免受氧化和腐蚀，特别是在严格的海洋环境中。事实上石墨烯形成天然的扩散阻挡层，为被保护的金属和反应物之间提供物理分离8。在全球范围内，科学界越来越感兴趣开发用于在不同金属表面上生长石墨烯的新型和先进技术，同时考虑到其特有的性能，以防止其在恶劣的环境条件下劣化。几个研究者8,11-14试

4、图在金属基底上开发基于石墨烯的环境屏障涂层。 但是他们中的大多数8,11,12使用昂贵的化学气相沉积（CVD）用于在金属上沉积石墨烯。在最近的一项研究中，Raman等人11报道了通过CVD技术在铜上的石墨烯涂层，并且显示金属对电化学降解的阻抗显着增加，而有石墨烯涂覆的铜的阳极和阴极电流密度降低。Prasai等人12通过CVD方法在铜上涂覆石墨烯，并报道涂覆的铜的耐腐蚀性显着增加。Chen等人8报道了通过CVD制备石墨烯涂层作为钝化层，以防止铜和铜/镍合金在空气中氧化，并且在过氧化氢中表现出约30的耐化学性。 Kirkland等人13报道了使用市售的石墨烯涂覆的铜作为耐腐蚀屏障并报道了氯离子溶液

5、中阴极反应速率的降低。Zhang等人14通过将无机纳米粒子结合到聚合物基质中来保护纤维增强复合材料风力涡轮机叶片免受紫外线降解和腐蚀，开发了新的石墨烯基复合材料。Krishnamurthy等人 15报道使用石墨烯作为钝化层，以提供抗微生物诱导的金属电偶腐蚀约2700小时。他们在微生物燃料电池中测试基线Ni泡沫和石墨烯涂覆的Ni泡沫作为阳极。在石墨烯涂覆的Ni阳极中Ni溶解的速率比基线未涂覆Ni电极低一个数量级。EIS（电化学阻抗谱）结果显示石墨烯涂覆的样品阻碍40倍。在化学气相沉积技术中，通过在催化剂的存在下在高真空下使用烃作为碳源在铜基底上原位合成石墨烯。 低成本，非真空CVD技术的发展为开

6、发、扩大面积或大规模生产提供了潜力16。CVD是高温工艺；生长温度通常从650变化到1000，这取决于碳源和物质的性质，需要高真空并且对样品尺寸有限制8,17,18。EPD是胶体形成过程，其中通过施加直流电场将稳定悬浮液中的带静电电荷的胶体颗粒沉积（作为松散的均匀压实体或薄膜）到带相反电荷的电极上。为了进一步致密化沉积物以消除孔隙率，通常需要EPD后处理（热处理）。该方法通常可以应用于具有小颗粒（<30m）的颗粒形式的任何固体和胶体悬浮液19。 除了对化学计量、尺寸、沉积速率、厚度、良好的均匀性和易于放大的简单性的良好控制外19，在宽范围的基底上产生受控微结构的涂层是非常通用的、快速的和

7、节约成本的。EPD提供了非常适合替代其他技术，包括浆料浸渍、热等离子喷涂、溅射和CVD 19,20。我们在这里报告了通过EPD在水悬浮液中制备被还原氧化石墨烯强化复合涂层在严格的海洋环境中保护铜基结构免受氧化和进一步腐蚀的实验结果以及潜在应用。该工作的动机是基于石墨烯纳米片涂层能够防止氧化气体和腐蚀性液体溶液扩散的能力，预期阻止氧化并显着增加使用寿命，而不影响活性金属铜的物理性能，铜作为石墨烯纳米片形成原子级薄的保护涂层。我们证明所产生的纳米结构复合材料超薄保护涂层是高度氧化和耐腐蚀的，在氯化物离子环境中显示出微安培范围内非常低的腐蚀电流。因此，通过定制石墨烯涂层，可以显着地抑制铜金属的电化学

8、降解。与裸铜相比，腐蚀速率降低了10倍。2.实验2.1 原材料使用纯度为99.999（基于痕量金属）和密度为8.94g / cc的不具有任何3D网孔特性的扁平铜板（产品编号266744，Sigma-Aldrich）。在EPD之前，将其用粗砂碳化硅纸（220-300粒度）抛光并在蒸馏水和丙酮中超声清洁1小时。 使用来自Sigma-Aldrich的纯度为95的石墨粉末制备GO。使用羟基官能丙烯酸粘合剂交联的聚合异氰酸酯（PIHA）作为聚合物基质。此后，将聚合物基质称为PIHA。2.2 比表面电荷和最佳PIHA浓度的测量使用颗粒电荷检测器（PCD-04-pH，Muteck，Herrsching，Ge

9、rmany）进行比表面电荷测量。 它利用了由于在液体的相对流动期间由于带电粒子对双电层的抗衡离子的部分剪切而产生的泳动电位（通常写为PCD电位）的测量。早期报道了PCD的详细测量技术21,22和纳米颗粒系统的分散剂剂量的优化23,24。2.3 氧化石墨烯的合成GO通过改性悍马法将石墨粉氧化制备而成25。将2g石墨加入46ml浓盐酸中。H2SO4和1g NaNO3溶液。在保持剧烈搅拌的同时，将6g（37.967mol）KMnO4缓慢加入烧瓶中，并将温度保持在15以下。将混合物在35下搅拌直至变成糊状棕色，然后用去离子水稀释，同时继续搅拌15分钟。最后，将10ml H2O2（30wt.）溶液缓慢加

10、入到混合物中，之后混合物的颜色变为亮黄色。将混合物离心并用水和HCl（体积比为10:1）洗涤数次，以除去残留的离子。使用前在室温下在真空干燥器中用五氧化二磷干燥粉末干燥。2.4 制备GO和PIHA的悬浮液制备没有团聚物的良好分散的悬浮液是通过EPD获得均匀且无裂纹的沉积物的先决条件。将1mg GO分散在20ml水中并超声（型号：CVX-130PB，功率输出130V和频率20kHz，SonicsMaterials Inc，Newtown CT，USA）30分钟，然后加入0.8ml PIHA（PIHA：水比=1:3.5）加入悬浮液中，再搅拌10分钟。2.5 EPD实验和GO-PIHA复合涂层的制备

11、EPD装置由间隔10mm的两个平行铜板组成。电极阴极之一用作沉积电极，而另一电极阳极用作反电极。来自GO-PIHA悬浮液的EPD使用数字源表（型号：2410，Keithley Instruments，Inc，USA）以恒定的DC模式进行。在完成沉积后，从EPD电池小心地取出涂覆的样品（绿色GO复合涂层），以最小化新鲜湿涂层和悬浮液之间的任何阻力。在最佳EPD条件下，在DC电压（10V）和沉积时间30s下获得约40nm的涂层厚度。将涂覆的样品（称为绿色沉积物）在空气中在室温下干燥并称重以确定沉积产率并储存在干燥器中。GO和还原的GO（石墨烯）复合涂层的制备，分散和EPD涂覆在图1中示意性描述。2

12、.6 氧化石墨烯复合涂层的还原将绿色GO复合材料涂覆的铜片（绿色沉积物）在新鲜制备的NaBH4（0.1M）中浸泡约5分钟化学还原。涂层的颜色从浅棕色完全变成深黑色。将所制备的还原的GO复合物涂覆的铜板用大量的水洗涤并干燥。在进一步表征和电化学研究之前将其储存在干燥器内。2.7 电化学腐蚀试验使用具有三电极电化学电池的恒电势仪（型号：Versastat-3，Prinston Applied Research，USA）进行电化学研究以评价涂层的耐腐蚀性。常规的三电极电池用于电化学测量，其中铜电极嵌入用作工作电极的环氧树脂中，Pt作为对电极并且标准Ag/AgCl作为参比电极。在室温（25）下，具有1

13、cm2暴露面积的工作电极在3.5氯化钠溶液中稳定。连续监测开路电位（OCP），直到达到稳定状态。在将样品的OCP在3.5wt.氯化钠溶液中记录2小时后立即测量极化曲线。阴极和阳极全动力学极化测量在1mV/s的扫描速率下在+1至1V的扫描范围内进行。通过Tafel外推法测定腐蚀电位（Ecorr）和腐蚀电流密度（Icorr）技术从极化曲线。图1. 在铜上制备和EPD涂层的GO纳米片的示意图（a）石墨粉末以更高的层间距氧化成GO，（b）通过超声波剥离高度带负电荷的GO，（c）剥离的高负电荷的GO，具有低阳离子特性的PIHA在高表面积GO纳米片上发现许多锚定点，这是由于电荷的更好的分散和逆转，（d）铜

14、上带正电荷的GO的阴极EPD，（e） 减少绿色GO复合材料沉积到坚固耐用降低铜上的GO复合涂层。2.8 理化特性使用扫描电子显微镜（SEM）（型号：Hitachi，S-3400N，Tokyo，Japan）进行石墨、GO和还原的GO复合涂层的微结构和形态学表征。在SEM期间进行还原的GO纳米片涂覆的复合材料的SEM分析而没有进一步涂覆，因为样品是非常导电的。对铜基板上的石墨烯纳米片复合涂层的均匀性的观察基于三个样品的平均值（p=0.01）。使用配备有空气冷却的CCD检测器的Renishaw成像显微镜WiRE（型号：Invia Reflex-H33197，Incoterm，UK）进行拉曼散射实验。

15、石墨、GO和还原的GO复合涂层的粉末样品的光谱在0-3250cm-1的扫描范围内，用514nm的入射氩激光激发波长测量。还使用场发射扫描电子显微镜（FESEM）（FEB Tecnai G220，在200Kv下操作，Netherland）表征复合涂层材料。通过扫描探针显微镜（SPM，NANO TEC，Madrid，Spain）表征表面粗糙度和形貌。傅立叶变换红外光谱（FTIR）（型号：Varian 800，Japan）用于表征聚合物基质和GO纳米片之间的相互作用。用来自Herrsching，Muteck，Germany的粒子电荷检测器（PCD），型号：PCD-04-pH测量具有和不具有PIHA悬

16、浮液的GO的比表面电荷密度。3. 实验结果与讨论3.1 原材料的表征图2a示出了显示片状性质的天然石墨粉末的SEM图像。石墨的拉曼光谱分别在1344,1577和2717cm-1处显示D带，G带和2D带（图2b）。图2c示出了通过其水性悬浮液的滴涂制备的氧化石墨烯（GO）的FESEM图像。图2a. 天然石墨粉的SEM和数字图像（插图）图2b. 原始石墨的拉曼光谱图2c. 通过水性悬浮液滴涂的GO场发射扫描电子显微镜图像3.2 最佳聚合物浓度和EPD条件的测定图3显示了GO纳米片的PIHA浓度的优化。绘制作为PIHA浓度的函数的PCD电位的变化，并且图中的拐点给出了GO纳米片的单层表面覆盖及其稳定

17、分散体所需的最佳剂量。随着PIHA浓度的增加，初始PCD电位的快速增加（图3）是由于大面积的GO的可用性，使得PIHA分子吸附在GO的表面上，从而增加了GO纳米片的表面电荷。表面完全覆盖的浓度（单层覆盖）给出对应于优化剂量的稳定性最大值。未吸附的过量保留在溶液中，并增加溶液的粘度，而不影响PCD电位。实验确定的最佳浓度为0.4mg/g，其由图3中的拐点指示。图3. GO的PIHA的浓度的优化图4显示在不同pH的水性悬浮液中存在和不存在PIHA的情况下测量GO纳米片的表面电荷密度的结果。发现GO纳米片在从3.5至11开始的所有pH下具有高度带负电荷。表面电荷密度从pH为3.5下的-33.7C/g

18、变化至pH为11下的-242.6C/g。众所周知，GO纳米片能形成良好分散的水性悬浮液26,27。此外，据报道，GO纳米片的水分散体是高度负电荷28，显然是由于羧酸和酚羟基的电离29,30。从上述结果得出结论，静电排斥力仅负责水性GO纳米片的稳定性。 当用PIHA（最佳剂量，0.4mg/g）处理时，随着电荷的逆转，表面电荷密度显著增加。将高阳离子PIHA加入到GO纳米片悬浮液中首先中和在水性介质中形成的GO纳米片的负表面电荷，随后将表面电荷反转为高度阳性。这种高的正表面电荷的PIHA吸附的GO纳米片引起空间排斥并有助于石墨烯纳米片的分离，因此导致更好的分散31-33。最值得注意的结果是在将PI

19、HA与GO纳米片混合后，悬浮液的pH为4.0，表面电荷密度高达+2037.2C/g，但没有沉积。当pH从4.0增加到5.3时，悬浮液变得轻微混浊，表面电荷急剧下降到+504.3C/g；在这种条件下也没有沉积。当pH进一步增加到8.2时，悬浮液变得非常混浊，表面电荷略微负（-16.2C/g），并且悬浮液附聚。系统的等电点（iep）在pH8附近; 因此悬浮液将在等电点附近团聚。另一方面，当pH从4.0降低到2.0时，表面电荷进一步增加到+3169.43C/g，悬浮液很好地分散，并且存在非常均匀的沉积。静电稳定的分散体的胶体稳定性主要取决于pH，电解质含量和其它外来元素的存在。 在制备GO时，除了P

20、IHA之外，剩余有GO的残留金属盐和酸对其稳定性是决定性的。随着pH的增加，所有这些物质解离并产生充当电解质的离子物质，并可导致双层压缩，减小表面电荷的大小，从而使分散不稳定并促进团聚。这也由Li等人报道28。因此，所有EPD实验在较低pH（2.0）条件下进行。图4. 在不同pH下具有和不具有PIHA的GO纳米片的表面电荷密度。3.3 EPD结构在不同条件下的微观表征图5显示在10V的最佳施加电位下，沉积时间30秒的铜上的（a）绿色GO复合涂层，（b）还原的GO复合涂层（低放大率），（c）还原的GO复合涂层（更高的放大率）的FESEM图像。图5a显示了在铜上的GO复合涂层的生坯的显微组织。表面

21、形态显示在整个聚合物基质中的GO纳米片的非常均匀和平滑的涂层，没有任何微裂纹。沉积膜的相对生坯密度为约75。高的相对密度可能是由于带正电荷的GO和导电的铜衬底的聚合物树脂之间的非常强的相互作用。图5b和c显示在低和高放大倍数下还原的GO纳米片复合涂层的SEM。它在整个铜基底上非常均匀和均匀，并且没有任何微裂纹。图5.（a）绿色GO复合涂层（b）在低放大倍数下还原的GO复合涂层，（c）在更高放大倍率下还原GO复合涂层的扫描电子显微照片。3.4 拉曼分析图6示出了原始石墨粉末，绿色GO复合涂层和沉积的还原GO复合涂层的拉曼光谱。所有三个光谱的比较清楚地显示在从石墨到绿色GO复合物和还原的GO复合涂

22、层的加工期间的显着的结构变化。原始石墨的拉曼光谱（图6a）显示对应于sp2碳结构域和2D带（2717cm-1）的E2g模式的一阶散射的主G带（1576cm-1）（图6a）。D带（1350cm-1）显示结构无序的存在，并且其相对于G带（D/G强度比0.058）的小强度34意味着石墨中非常高的结构质量。 石墨（2D）的强和尖锐的二阶光谱表明高度结晶性质35。绿色GO复合涂层（图6b）的拉曼光谱显示与石墨相比较宽的和稍微偏移（至1591cm-1）的G带。石墨中的较高无序导致宽G带和具有相对较高强度的较宽D带，并且在1353cm-1处的D带变得突出，表明面内sp2碳结构域的尺寸减小，可能是由于大范围的

23、氧化36。D/G比计算为0.783，其比石墨高得多，表明在石墨氧化期间引入较高程度的缺陷。Avery宽和弱2D带（2715cm-1）显示显著的结构紊乱。在2937cm-1附加带的出现表明石墨材料中的晶格无序37。经还原的GO复合涂层（图6c）的拉曼光谱分别显示在1353和1584cm-1处的D和G谱带，与绿色G0相比大大增加（D/G强度比0.937）。与绿色GO复合材料相比，增加的D/G强度比率可以主要归功于在剥离的GO减少时sp2碳结构域的平均尺寸减小（相对小的薄片尺寸）34。似乎合理的解释是形成新的石墨域，其尺寸比还原前存在于绿色GO复合材料中的尺寸小，但是数量更多36。 随后从石墨到绿色

24、GO复合物和还原的GO复合涂层的D/G强度比的增加清楚地显示由于石墨的还原和GO的剥落而在sp2碳网络内存在局部sp3缺陷。关于石墨烯片的堆叠和层数，二阶2D带是非常有用的。 据报道，单层石墨烯薄膜显示清晰的G和2D带，具有非常低的G/2D强度比（通常小于0.5）8,38。另一方面，多层石墨烯显示出非常高的G/2D比（大于且接近1），并且随着石墨烯层的数量增加，2D带形状非常弱且变宽39-41。在我们的情况下，发现G/2D比率对于GO为5.4，并且对于减少的GO复合涂层为2.3，从而指示多层石墨烯片。3.5 FT-IR光谱分析图7显示（a）石墨，（b）绿色GO复合涂层和（c）还原的GO复合涂层

25、的FTIR光谱。如预期，石墨没有任何显着的拉伸振动（图7a）。 绿色GO复合涂层（图7b）的FTIR光谱显示在3530cm-1处的宽带，归因于氧化石墨表面（GO）上的-OH官能团的拉伸。1670 cm-1和1820cm-1（精确地在1776cm-1）之间的强带（在1700和1725cm-1之间的带）归因于来自羧基的C=O键。在1400和1650cm-1（精确地在1419和1645cm-1）之间的吸收峰可归因于未氧化的石墨碳的芳香族C=C骨架的振动。在1070和1250cm-1处的吸收峰显示烷氧基（C-O）和环氧（C-O）伸缩振动。还原的GO复合涂层（图7c）的FT-IR光谱显示在3300和35

26、00cm-1之间的两个介质带（精确地为3346和3450cm-1）可以归因于由PIHA官能团的伯胺伸长的N-H。它还显示C=O（1728cm-1），芳香族C=C（1620和1455cm-1）和在1149cm-1处的C-N伸缩振动介质弱带。1455cm-1附近的透射带归因于石墨烯纳米片的石墨结构。与氧官能团相关的吸收峰的强度降低，可能是由于石墨烯纳米片的强吸收的重叠42。图6（a）原始石墨，（b）绿色GO复合涂层，（c）还原的GO复合涂层的拉曼光谱。图7.（a）石墨（b）绿色GO复合涂层（c）还原的GO复合涂层的FT-IR光谱。3.6 电化学测量和腐蚀行为3.6.1 OCP图8显示在室温下在3.

27、5wt.氯化钠溶液中的裸铜和还原的GO复合材料涂覆的铜的OCP。与裸铜（-164.0mV）相比，还原的GO复合涂层铜显示出相对较高的正OCP（-154.0mV）。还原的GO涂覆的铜的OCP值显着小于裸铜的OCP值。 OCP在约2h时间内稳定，并且在实验期间电位处于稳定状态。它进一步证实，还原的GO复合材料涂覆的材料提供优异的保护层和对氧化和腐蚀的更高的耐腐蚀性。图8.（a）裸铜和（b）还原的GO复合涂层的铜的OCP3.6.2 塔菲尔极化曲线TPC图9显示了裸铜和还原的GO复合涂层铜的Tafel极化曲线。还原的GO复合材料涂覆的铜的极化曲线与裸铜（-691.4mV）相比，显示出腐蚀电势显著偏移到

28、更高德正值（-211.0mV），由此确认还原的GO复合涂层铜具有比裸铜更好的耐腐蚀性。换句话说，还原的GO复合材料涂覆的样品具有小得多的腐蚀电流密度，表明石墨烯涂层形成非常强的保护层，并且即使在非常严重的氯化钠环境中也提高了铜的耐腐蚀性。从塔菲尔图的总体结果，我们可以总结出沉积的还原的GO复合材料涂覆的薄膜起着非常强的钝化层抵抗离子扩散和腐蚀的作用。表1总结了还原的GO复合涂层和未涂层铜的OCP，Ecorr和Icorr。涂覆的样品的OCP在正/高方向上显著偏移并且稳定得快得多（图9），显示更高的热力学稳定性。与裸铜相比，由还原的GO复合材料涂覆的铜所展示的贵金属OCP是由于存在强的钝化层的还原

29、的GO复合纳米片涂层。与裸铜（-691.4mV）相比，还原的GO复合涂层铜的Ecorr降低到非常小的负值（-211.0mV），表明腐蚀的可忽略的倾向。类似地，还原的GO复合纳米片涂覆样品（4.0lA/cm2）的Icorr也显着低于裸铜（38.25lA/cm2）。OCP，Ecorr和Icorr数据清楚地表明，在含有3.5氯化钠溶液的环境中，还原的GO复合材料涂覆的铜的耐腐蚀性比裸铜的耐腐蚀性提高一个数量级。 这是由于形成了还原GO复合涂层的原子级薄保护层，其作为电子和离子在基底和氯化钠溶液之间传输的屏障。从表1所示的结果，使用等式（1）估计还原的GO复合材料涂覆的超薄膜的腐蚀抑制效率（）。33,

30、42。=I bare copper substrate - I coated copper substrate/ I bare copper substrate×100 （1）其中，I为电铜电流密度。还原的GO复合涂层铜的抑制效率估计为89.54。基于ASTM标准G102的腐蚀率（CR）是通过使用下式计算43：CR=Kicorr/A ×（EW） （2）其中，K是CR常数并且等于3272mm/年，EW是铜的当量重量，并且对于铜等于31.7g，q是铜的密度（8.97/cm3），A是 样品的表面积（0.8cm2）。裸铜和还原的GO复合涂层铜的CR的计算值分别为0.55和0.05m

31、m/年。这清楚地表明超薄不可渗透的还原的GO复合纳米片涂层将CR从0.55降低至0.05mm/年。还原的GO复合材料涂覆的铜的CR的降低是裸铜的10倍。图9 （a）裸铜和（b）还原GO复合涂层的铜的塔菲尔极化曲线图10.（a）腐蚀试验后（a）裸铜（b）铜，（c）腐蚀试验后还原的GO复合涂层铜的扫描电子显微照片。图10显示了（a）腐蚀前的铜（原文有错误）（b）腐蚀后的铜和（c）腐蚀试验后的还原的GO复合涂层的铜（参见图5c的腐蚀前的复合涂层）的SEM图像。 清楚地表明，铜基底是相当均匀的，在测试区域中没有任何缺陷（图10a），其在暴露于氯化钠溶液中的腐蚀电流之后完全损坏，这通过在腐蚀测试期间产生

32、的裂纹得以验证（图10b）。图10c显示腐蚀试验后还原的GO复合涂层铜。它清楚地表明，在3.5氯化钠溶液中的腐蚀试验期间，涂覆的样品几乎不受腐蚀现象的损害。这表明粘附的涂层不仅具有强的耐腐蚀性，而且显示出了用于保护活性金属如铜在严苛环境条件下破坏的开发的EPD技术的功效。3.6.3 与已发布结果的比较已有报告的结果与我们的结果的关键分析和比较清楚地示出了EPD技术的优点。Prasai等人12报道了通过CVD在铜基底上生长的石墨烯，并测试其在0.1M Na2SO4溶液中的电化学腐蚀行为，并且报道了比石墨烯涂覆的铜对腐蚀有七倍以上的稳定性。但在我们的情况下，所有的腐蚀实验都在最严重的腐蚀性环境，即3.5NaCl溶液中进行，我们的还原的GO复合材料涂覆的铜衬底表现出比