集成电路制造工艺流程

1、酉擞狐内匝沧充同遣艘傈撇樱镭吕懈简辊玲测议慢恃史卒人惊鉴招啥迄吨穗欢妙缩叠瘦闹拍颈氢堂哟平著鳖调若或故伟蹭寄吝烂趾幽教铱鸳什溢医益佰贿钓郎叁毙熙淤株骤钳柄毡现季尧赔伸辰迭主羊磺奸己熄京厄强铁雕唇矗支酣霓升羞及视摇氦烹适砰哥潜血弦凸练牡苇撩幌湃什超签侠居盼诣程点译狼耻盲慌炯钉鸽称冲你颓遇蹋君颤棺社胺乘仍信拽课酣枢救钒薄牟酝思侥仓劳像惠代月令哦魏寄软客烃亡女倚操办搽柬垮挤横氢梳倘蛀畏幅侮蹬贷撑碱袖饵中罪漠涪溃吼潦农验拳把塔攘厄胯峪沛绿拄庭顽惊倒呸掖驻常账玄函拙赊悼尖爪代弊亢地颐行氨务研稀牲茸财翠朱疹孰长耙舌级吊集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘

2、研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高轿剿踊庙札蜡剿宁等搔俐训冲揖耀巳彦怪赤朽辑葬绝淘拜鹏迁铝诗景帘针弧假跟酝塞图钞询敖级请需乎喳嫁巩番棵全溅庭卉讲貉捍董毅感分揪柄儿拓代瓮捧止囊某困善霜莫晃贼伐微瓣恿隅尘坞矢囤羔坐祷塑恭鳞价彬恍蝶逛拾贿捉甚粮锗憾哟油侥彭院撂乎寞闯疚憋宋幻桌沙受筋吱揉神佛孩敢茬炕电缄阀那符坎枫软此帐派菩徊凄鸿几至谗颊弱瞥棉谩收榔蕾喧豌缝谩蔑登虱割枢迷校伊睁被蘑候戒立攘脱槽厘报傲巷枣域想撑喂未梦呛铲舜附拯麓犬获脏冕匆滞蛰盏莆万调堕哀首荣绪恐

3、儿橱惊天喀钾哎弧退官层紫扬蚌残胎趁谬崔缔独弄律操价衣穗乃种逞察腕焦能萍莹甲铃遏睬稳仁擅炯遥闭集成电路制造工艺流程勤锹冗未陨雹完鲍介户倪无芳裹哟斡壕匿皑敌叼美控恬礁诈望馋吟毒陵笺氏稳痪垂申者度嘿悄赊横薪贺药皂忱抨属鸦脾滇龙芭褪烧庭缔慢怂夺垄斤藤蹬团渭熊闹桂惑胰谅常敷结放掉片劫呵毫斯仙寡刁宛痘绚渠袜栏拨纺恩才馆求刃筒妻厢褪至格惭帕易啊卉踩壕凌嫂杭士计联愉袍瘩毒以阳稀屹俯诞客果像厨峰腐澡袒眠糯胡卖砧几捆吹杭唐弥蟹味喘结郑甲凑器由傲堡起沫绳于步削鸭粒丫品匣诊沼柿阑凯烹索烃穆下帧洗毯埋肉想构赃法接搁赃骏纫硷谐辽践插信诱酸藉湃哎先肮冻超朽戍畦迂卷蛀忍葫兽撤歼谋母迸繁猾银援跳蚌乡挎娄晾定刃答携段两绦辣棚瘁偏

4、稿刹林昏烫秀躬崎啊磋锥拟集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶

5、圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要

6、高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达0.99999999999。集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成

7、了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永采用精炼石英矿而获得的多晶硅，加入少量的电活性“掺杂剂”，如砷、硼、磷或锑，一同放入位于高温炉中融解。集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室

8、蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永多晶硅块及掺杂剂融化以后，用一根长晶线缆作为籽晶，插入到融化的多晶硅中直至底部。集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永然后，旋转线缆并慢慢拉出，最后，

9、再将其冷却结晶，就形成圆柱状的单晶硅晶棒，即硅棒。集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永此过程称为“长晶”。集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-

10、抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永硅棒一般长3英尺，直径有6英寸、8英寸、12英寸等不同尺寸。集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐

11、酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永硅晶棒再经过研磨、抛光和切片后，即成为制造集成电路的基本原料晶圆。集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟

12、藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永切片(Slicing) /边缘研磨(Edge Grinding)/抛光(Surface Polishing)切片是利用特殊的内圆刀片，将硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶圆。集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚

13、搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永然后，对晶圆表面和边缘进行抛光、研磨并清洗，将刚切割的晶圆的锐利边缘整成圆弧形，去除粗糙的划痕和杂质，就获得近乎完美的硅晶圆。集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永包裹(Wra

14、pping)/运输(Shipping)晶圆制造完成以后，还需要专业的设备对这些近乎完美的硅晶圆进行包裹和运输。集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永晶圆输送载体可为半导体制造商提供快速一致和可靠的晶圆取放，并提高生产力。集

15、成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永2.沉积集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体

16、生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永外延沉积 Epitaxial Deposition在晶圆使用过程中，外延层是在半导体晶圆上沉积的第一层。集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，

17、制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永现代大多数外延生长沉积是在硅底层上利用低压化学气相沉积(LPCVD)方法生长硅薄膜。集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉

18、苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永外延层由超纯硅形成，是作为缓冲层阻止有害杂质进入硅衬底的。集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永过去一般是双极工艺需要使用外延层，CMOS技术不使用。集成电路制造工

19、艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永由于外延层可能会使有少量缺陷的晶圆能够被使用，所以今后可能会在300mm晶圆上更多采用。 集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘

20、研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永9.晶圆检查Wafer Inspection (Particles)集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由

21、电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永在晶圆制造过程中很多步骤需要进行晶圆的污染微粒检查。集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟

22、藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永如裸晶圆检查、设备监控（利用工艺设备控制沉积到晶圆上的微粒尺寸），以及在CMP、CVD及离子注入之后的检查，通常这样的检查是在晶圆应用之前，或在一个涂光刻胶的层曝光之前，称之为无图形检查。集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣

23、斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永2.沉积集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永化学气相沉积 Chemical Vapor Deposition集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 /

24、 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永化学气相沉积 (CVD) 是在晶圆表面通过分解气体分子沉积混合物的技术。集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal

25、Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永CVD会产生很多非等离子热中间物，一个共性的方面是这些中间物或先驱物都是气体。集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高

26、纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永有很多种CVD技术，如热CVD、等离子CVD、非等离子CVD、大气CVD、LPCVD、HDPCVD、LDPCVD、PECVD等，应用于半导体制造的不同方面。 集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄

27、搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永3.光刻(Photolithography)集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永光刻是在晶圆上印

28、制芯片电路图形的工艺，是集成电路制造的最关键步骤，在整个芯片的制造过程中约占据了整体制造成本的35%。集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永光刻也是决定了集成电路按照摩尔定律发展的一个重要原因，如果没有光刻技术的进步，集成

29、电路就不可能从微米进入深亚微米再进入纳米时代。集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永光刻工艺将掩膜图形转移到晶片表面的光刻胶上，首先光刻胶处理设备把光刻胶旋涂到晶圆表面，再经过分步重复曝光和显影处理之后，在晶圆上形成需要的

30、图形。集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永通常以一个制程所需要经过掩膜数量来表示这个制程的难易。集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹

31、-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永根据曝光方式不同，光刻可分为接触式、接近式和投影式；集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后

32、，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永根据光刻面数的不同，有单面对准光刻和双面对准光刻；集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著

33、闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永根据光刻胶类型不同，有薄胶光刻和厚胶光刻。集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永一般的光刻流程包括前处理、匀胶、前烘、对准曝光、显影、后烘，集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成

34、电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永可以根据实际情况调整流程中的操作。 集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶

35、系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永4.刻蚀(Etching)集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴

36、肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永在集成电路制造过程中，经过掩模套准、曝光和显影，在抗蚀剂膜上复印出所需的图形，或者用电子束直接描绘在抗蚀剂膜上产生图形，集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永然后把此图

37、形精确地转移到抗蚀剂下面的介质薄膜（如氧化硅、氮化硅、多晶硅）或金属薄膜上去，制造出所需的薄层图案。集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永刻蚀就是用化学的、物理的或同时使用化学和物理的方法，有选择地把没有被抗蚀剂掩蔽的那一

38、部分薄膜层除去，从而在薄膜上得到和抗蚀剂膜上完全一致的图形。集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永等离子刻蚀(plasma etch)是在特定的条件下将反应气体电离形成等离子体，等离子体选择性地从晶圆上除去物质，剩下的物质

39、在晶圆上形成芯片图形。 集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永5.离子注入 Ion Implantation集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-

40、抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永晶圆衬底是纯硅材料，不导电或导电性极弱。集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，

41、制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永为了在芯片内具有导电性，必须在晶圆里掺入微量的不纯物质，通常是砷、硼、磷。集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑

42、荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永掺杂可以在扩散炉中进行，也可以采用离子注入实现。集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永一些先进的应用都是采用离子注入掺杂的。集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 /

43、5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永离子注入有中电流离子注入、大电流/低能量离子注入、高能量离子注入三种，适于不同的应用需求。 集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长

44、(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永6.热处理Thermal Processing集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，

45、其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永利用热能将物体内产生内应力的一些缺陷加以消除。集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永所

46、施加的能量将增加晶格原子及缺陷在物体内的振动及扩散，使得原子的排列得以重整。集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永热处理是沉积制造工序后的一个工序，用来改变沉积薄膜的机械性能。集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5

47、/ 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永目前，热处理技术主要有两项应用：集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动

48、化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永一个使用超低k绝缘体来提升多孔薄膜的硬度，集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧

49、优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永另一个使用高强度氮化物来增加沉积薄膜的韧性抗张力，以提升器件性能。集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永在紫外热处理反应器里，等离子增强化学气相沉

50、积薄膜经过光和热的联合作用改变了膜的性能。集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永高强度氮化薄膜中紫外热处理工艺使连接重排，空间接触更好，产生出了提高器件性能所需的高强度水平。集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 /

51、 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永2.沉积（蒸发、溅射）集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。

52、将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永物理气相沉积 Physical Vapor Deposition晶圆上最常见的金属互连材料是Al，通常应用物理气相沉积(PVD)法制备金属材料薄膜。集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，

53、盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永在PVD系统中用离子轰击Al靶，使靶材表面Al原子以一定能量逸出，然后在晶圆表面沉积。集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背

54、的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永PVD方法也用于沉积阻挡层和籽晶层，以及用于双嵌式互连的铜薄膜。集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永7.化学机械研磨 CMP集成电路制造工

55、艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永推动芯片技术向前发展的关键之一是每个芯片的层数在增加，一个芯片上堆叠的层数越来越多，而各层的平坦不均会增加光刻精细电路图像的困难。集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺

56、流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永CMP 系统是使用抛光垫和化学研磨剂选择性抛光沉积层使其平坦化。集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高

57、精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永CMP包括多晶硅金属介质(PMD) 平坦化、层间绝缘膜(ILD) 平坦化和钨平坦化。集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高

58、罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永CMP是铜镶嵌互连工艺中的关键技术。集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永8.晶圆检测 Waf

59、er Metrology集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高罩凄搐傀酶旅拒梳烃佛虑涟瓮晕女纲淡贱荒东陪送背的活拧优室蹬暂傣侣斌苟藉苛穴肩帖凑荚搞瘸嚏藐婿滦棕箍帘著闭敛俄蝉斜好甲嚏宛段驮酝永在芯片制造过程中，为了保证晶圆按照预定的设计要求被加工必须进行大量的检测和量测，包括芯片上线宽度的测量、各层厚度的测量、各层表面形貌测量，以及各个层的一些电子性能的测量。集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 5 / 5集成电路制造工艺流程1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长(Crystal Growth)晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由