辅助绕组绕法与FB反馈电阻总结

1、辅助绕组VCC总结一、辅助绕组的绕法对供电的影响1.摘自电源网站的基本总结 图一 图二 变压器按：1/2初级-次级-1/2初级-辅助绕组与1/2初级-次级-辅助绕组-1/2初级，是距离决定还是每圈的围敝面积决定辅助电源稳定一点？ 两个都决定。距离近了；耦合的好。耦合截面积大了；也会耦合的好类似用大截面积磁芯做变压器一样）。第一个图：aux winding和primary winding耦合好，和secondary winding耦合差，轻载与重载时，Vcc电压差异会很大。重载时，Vcc会很高，漏感造成的。但aux winding有充当初级绕组和铁芯之间的磁屏蔽。所以EMI部分会好一些。第二个图

2、：aux winding和primary winding耦合差，和secondary winding耦合好，轻载与重载时，Vcc电压差异比较小。此时，若EMI比较差，建议在初次级之间增加屏蔽。2.实测总结和分析理解按照变压器顺绕的原则，辅助绕组由三种绕法，所产生的影响和不同实测如下：（1） 绕制顺序从里到外为Np->Ns->NAA: all,VNp,VBJTce,VNs,VNA在输入电压为200Vac的情况下从上到下一次为VNp（初级绕组两端电压）,VBJTce（内置三极管集电极和发射极）,VNs（次级绕组两端电压）,VNA （辅助绕组两端电压）。B: VNp在MOS管导通时，VN

3、p就等于Vin*2,恰好与VBJTce电压的波形相反，但是大小不同。C: VBJTceVBJTce=VNp+Vr+Vk（漏感），尖峰振荡是漏感和开关管结电容产生的振荡，“死区”里的振荡是初级电感（励磁电感）和开关管结电容产生的振荡.D: VNs 变压器次级两端的电压波形，漏感引起的振荡会传递到次级E: VNA 辅助端电压波形完全和次级端波形是一样的。所以辅助绕组的电压需要参考次级端即可。F:VCC大小 该种绕线方式的VCC大小为13.439Vrms.（2） 绕制顺序从里到外为Np->NA->NsA: all,VNp,VBJTce,VNs,VNA在输入电压为200Vac的情况下从上到

4、下一次为VNp（初级绕组两端电压）,VBJTce（内置三极管集电极和发射极）,VNs（次级绕组两端电压）,VNA （辅助绕组两端电压）。B: VNp在MOS管导通时，VNp就等于Vin*2,恰好与VBJTce电压的波形相反，但是大小不同。C: VBJTceVBJTce=VNp+Vr+Vk（漏感），尖峰振荡是漏感和开关管结电容产生的振荡，“死区”里的振荡是初级电感（励磁电感）和开关管结电容产生的振荡.D: VNs 变压器次级两端的电压波形，漏感引起的振荡会传递到次级E: VNA 辅助端电压波形完全和次级端波形是一样的。所以辅助绕组的电压需要参考次级端即可。F:VCC大小 该种绕线方式的VCC大小

5、为20.060Vrms.（3） 绕制顺序从里到外为NA->Np->NsA: all,VNp,VBJTce,VNs,VNA在输入电压为200Vac的情况下从上到下一次为VNp（初级绕组两端电压）,VBJTce（内置三极管集电极和发射极）,VNs（次级绕组两端电压）,VNA （辅助绕组两端电压）。B: VNp在MOS管导通时，VNp就等于Vin*2,恰好与VBJTce电压的波形相反，但是大小不同。C: VBJTceVBJTce=VNp+Vr+Vk（漏感），尖峰振荡是漏感和开关管结电容产生的振荡，“死区”里的振荡是初级电感（励磁电感）和开关管结电容产生的振荡.D: VNs 变压器次级两端

6、的电压波形，漏感引起的振荡会传递到次级E: VNA 辅助端电压波形完全和次级端波形是一样的。所以辅助绕组的电压需要参考次级端即可。F:VCC大小 该种绕线方式的VCC大小为20.0100Vrms.总结：这三种方式耦合的情况是一样的，但是相邻的绕组不相同时，耦合的效果也是不一样的，当辅助绕组靠近初级绕组的时候，辅助绕组的电压普遍要偏高，为了让辅助绕组更好地按照次级来耦合应该按照第一种Np->Ns->NA的方法绕制才能确保VCC电压的可靠性，但是必要时也可以改变绕组顺序。3、初级耦合到辅助的电压和副边反馈到辅助的电压相等根据公式VNp/VNA=Np/NA和公式VNp/VNs=Np/Ns

7、,VNs/VNA=Ns/NA无论次级耦合到辅助还是初级耦合到辅助，其电压大小都是一样的，但是两个电压是不能叠加的，因为作用是同时的，可以理解为类似于两个电压并联（但是实际是同时耦合，和并联不一样），查看以上E:NA图。4、VCC交接方式和过程 当母线电压通过高压电阻个VCC的电容充电时，VCC电压慢慢升高到芯片开始工作，开关管开始工作，初级电感开始向次级传递能量，同时，同时在开关管截止的时候次级开始向辅助传递芯片所需的能量，为VCC电容充电提供工作的能量，因为电流比高压启动端来的电流大很多，所以辅助端提供能量在VCC快速充满，不需要高压启动长时间大能量的提供能量来满足芯片工作的功耗，当然高压端

8、也会在VCC电容未充满时为其充电，从而消耗一部分能量，高压启动的电阻消耗的能量取决于电阻的大小，电阻越小，在母线电压一定的情况下，电流越大，所以为VCC电容充电越快，消耗的能量越大，功耗越大，可以想象一下，如果高压端下来的能量大于辅助端次级耦合过来的电压产生的电流，那么甚至不需要辅助端提供电流芯片就可以工作，但是此时高压电阻消耗的功率将非常大，而且电流相对辅助端比较大时候，相比较不能忽略的时候，反馈电阻感知的电压将不仅仅是次级端过来的电压，从造成反馈信号不准确，造成反馈错误，影响反馈系统，乃至整个电源系统的工作不稳定，所以小功率不会切断高压启动的情况下，高压启动电阻的选取是要经过参考的，而且辅助绕组升压和降压的情况都是不一样的，3W电源是升压的，会很明显出现这个情况，详细查阅项目笔记5、反馈分压电阻的大小选择限制以及阻值大小选取后的现象分析 R5和R6的数值太小时，辅助绕组过来的本来提供给VCC的能量都会讲过R5，R6到地，相当于被短路，造成芯片工作异常，甚至不工作，现象表现为芯片打嗝，反复启动，因为辅助端过来的电流都被“短路“到地了，此时R5,R6的等效阻抗是要小雨芯片VCC端的输入等效阻抗的。 而且R5，R6太小的时候，当开关管导通的时候，辅助端是反向电压，在一段时间内形成一个回路，所以还要考虑电阻承受的功率，374*NA/Np/3（kohm），表现为流过R5，R