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文档简介

1、吸附原子台阶边缘扭转位置下平台上平台ACBAwaferSiO2SiO2waferSiO2SiO2外延硅外延硅waferSiO2SiO2外延硅外延硅Poly-SiPoly-SiwaferSiO2SiO2缺点缺点:在窗口边缘进行选择外延时在窗口边缘进行选择外延时,在窗口在窗口边缘不但具有较高的生长速率边缘不但具有较高的生长速率,而且而且生长速率也不规则生长速率也不规则.原因原因:到达窗口内的反应剂到达窗口内的反应剂,如果不能成核如果不能成核,会在衬底表面做迁移运动会在衬底表面做迁移运动,直到到达直到到达窗口边缘并淀积窗口边缘并淀积,窗口边缘的生长速窗口边缘的生长速率比中心的生长速率高率比中心的生长

2、速率高改善改善:降低生长速率降低生长速率waferSiO2SiO2waferSiO2SiO2waferSiO2SiO2waferwaferwaferiii垂直选择外延垂直选择外延横向超速外延横向超速外延原子面原子面外延层外延层 棒状棒状 V型型 型型 沿沿方向生长的外方向生长的外延层层错与表面交线延层层错与表面交线(沿沿方向方向)测量原理测量原理:层错界面处的原子排列不规则层错界面处的原子排列不规则,界面两边的界面两边的原子相互结合较弱原子相互结合较弱,具有较快的化学腐蚀速率具有较快的化学腐蚀速率,经过适经过适当的化学腐蚀后当的化学腐蚀后,会在层错与表面交界处出现腐蚀沟会在层错与表面交界处出现

3、腐蚀沟,形成一个层错四面体形成一个层错四面体,通过显微镜测量出三角形的边长通过显微镜测量出三角形的边长,可以测出厚度可以测出厚度.abcd外延层外延层衬底衬底(a)水平漂移水平漂移abcd外延层外延层衬底衬底(b)畸变畸变外延层外延层衬底衬底(c)图形消失图形消失图形漂移图形漂移,畸变畸变,消失依赖于衬底消失依赖于衬底取向取向,淀积率淀积率,反应室的工作压强反应室的工作压强,反应系统的类型反应系统的类型,外延温度和硅源外延温度和硅源的选择等的选择等.漂移随温度升高而减小漂移随温度升高而减小,随淀积率随淀积率的增大而增大的增大而增大.不同衬底晶向对图形漂移的影响不同衬底晶向对图形漂移的影响:发生漂移和畸变的根本原因发生漂移和畸变的根本原因:硅的硅的生长和腐蚀速率各向异性生长和

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