模拟电子技术题库答案

1、模拟电子技术试题汇编成都理工大学工程技术学院电子技术基础教研室2010-9第一章半导体器件、填空题1、 本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是电子 ，少数载流子应是 空穴。2、 在N型半导体中，电子浓度大于空穴浓度，而在P型半导体中，电 子浓度_小于_空穴浓度。3、PN结反向偏置时，空间电荷区将变 宽 _。4、 双极型三极管输出特性的三个区域分别是饱和区、放大区、截止区。5、 场效应管分为两大类：一类称为_结型场效应管 另一类称为_ 绝缘栅场效应管。6 PN结外加反向电压，即电源的正极接 N区，电源的负极接P区,这种接法称 为反向接法或反向偏置。7、 半导体二极管的基本特性是单向导电性

2、，在电路中可以起_整流和检波等作用。8、 双极型半导体三极管按结构可分为NPN型和 PNP 型两种，它们的符号分别为和。9、 PN结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的 扩散运动和少数载流子的 漂移运动。10、 硅二极管的死区电压约为 一0.5_V,锗二极管的死区电压约为 0.1乂11、 晶体管穿透电流Ice。是反向饱 和电流Icbo的1 + 3倍，在选用晶体管的时候，一般希望Icbo尽量 丿、_。gm12、 场效应管实现放大作用的重要参数是一跨导 。13、 PN结具有单向导电_特性。14、双极型三极管有两个PN结，分别是 集电结 和 发射结o15、 为了保证三极管工作在放大区，应使发射结正

3、向_偏置，集电路 反向偏置。16、 场效应管是电压_ _控制型元件，而双极型三极管是，电流控制型元件。17、 本征硅中若掺入3价元素的原子，则多数载流子应是空穴 ，少数载 流子应是电子。18、 P型半导体的多数载流子是空穴，少数载流子是_电子 _。19、PN结外加正向电压，即电源的正极接 P区，电源的负极接N区,这种接法称为正向接法 或正向偏置。20、 从双极型三极管内部三个区引出三个电极，分别是_集电极> 发射极和基极。21、 双极型三极管起放大作用的外部条件是：（1）发射结外加正向电压；（2）集电结外加 _反向电压。22、N型半导体可用正离子和等量的负电子来简化表示。23、PN结正向

4、偏置时，空间电荷区将变窄。24、二极管的两个电极分别称为阳极和阴极，二极管的符号是O25、 当温度升高时，三极管的输入特性曲线会 _左 移，输出特性曲线会_上 ，而且输出特性曲线之间的间隔将_大。26、 影响双极型三极管参数变化的主要因素是 温度。27、 P型半导体可用_负离子和等量的 _空穴 简化表示。28、 主要半导体材料是_硅和 锗 ；两种载流子是空穴和电子;两种杂质半导体是_P型和 N型。29、二极管外加正向电压导通，外加_反 向电压截止。30、当温度升高时，三极管的参数 B会 变大，Icb。会 增加，导通电压会变小。31、双极型三极管有两种载流子导电， 即 多数载流子和 少数载流子_

5、导电，而单极型三极管只有一种载流子导电，即 多数载流子 电。32、 N型半导体的多数载流子是电子，少数载流子是一空穴一。33、某晶体管的极限参数FCm =150mW，I cm - 100mA，U（br）ce。=30V。若它的工作电压Uce -10V，则工作电流不得超过 _15mA ；若工作电压Uce -1V ,则工作电流不得超过 _ _100_ mA;若工作电流lC =1mA，则工作电压不得超 过 _30_ V。34、放大电路中，已知三极管三个电极的对地电位为 Va= 9V，Vb = 6.2V，乂=6V，则该三极管是PNP型三极管，A为 电 ，B为基 ，C为发射。35、双极型三极管实现放大作用

6、的重要参数是 _P _o36、 场效应管输出特性的三个区域分别是 恒流区、 变电阻、_夹断区。37、 纯净的、不含其他杂质的半导体称为 征半导体o38、 场效应管与晶体管比较，场效应 管的热稳定好，输入电阻高，晶体管的放大能力强。39、 双极型三极管内部有三个掺杂区域，分别是 发射区、基区和_集电区o、选择题1、从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（B ）时处于正偏导通状态。A. 0B 死区电压C.反向击穿电压D 正向压降2、杂质半导体中（ A ）的浓度对温度敏感。A 少子B 多子C 杂质离子D 空穴3、晶体管的集电结反向偏置、发射结正向偏置，它的工作状态是（ B ）,若集电结和发

7、射结都反向偏置，它的工作状态是（A ）,若集电结和发射结均正向偏置，则它的工作状态是（C ）。A. 截止B .放大C.饱和D .损毁4、 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（B ）。A .前者反偏、后者也反偏C.前者正偏、后者也正偏5、双极型晶体管工作时有（ A 而场效应管所导电过程仅仅取决于（A .多子B.少子6当NPN型晶体管工作在放大区时,B. 前者正偏、后者反偏D.前者反偏、后者也正偏）和（ B ）两种载流子参与导电A）的流动。C .自由电子D.空穴各极电位关系为Uc （A ） Ub （A ） UeA.>B.<C.=D.W7、 对二极管正向电阻rZ和反向电阻

8、rF的要求是（C ）A. rz、g都大B. rz、*都小C. rz很小，rF很大D. rz大，e小8、稳压二极管动态电阻rz （ B ），稳压性能愈好。A .愈大B.愈小C.为任意值9、三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（ C ）状态。A.放大 B.截止C.饱和 D.无法确定10、 结型场效应管放大电路的偏置方式是（A、D ）A .自给偏压电路B.外加偏压电路C.无须偏置电路D .栅极分压与源极自偏结合11、 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（A ），而少数载流子 的浓度与（B ）有很大关系。A.温度B .掺杂工艺C.杂质浓度 D .晶体管缺陷12、 场效应管属于（B ）控制型器件

9、，而晶体管若用简化 h参数来分析, 则可认为是（C ）控制型器件。A.电荷B.电压C .电流13、当PN节外加反向电压时，扩散电流（ B ）漂移电流，耗尽层（D ）A 大于 B 小于 C 等于 D 变宽 E 变窄 F 不变14、当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（ D ）A.左移，下移 B .右移，上移 C.左移，上移D .右移，下移15、PN结加正向电压时导通，此时空间电荷区将（ A ）。A .变窄B.基本不变C.变宽D. 先变窄，后变宽16、在25cC时，某二极管的死区电压 Uth0.5V，反向饱和电流lsO.lpA, 则在35cC时，下列哪组数据可能正确：（D ）。A Uth

10、" 0.575V，ls0.05pAB Uth " 0.575V，Is"0.2pAC Uth" 0.475V，Is"0.05pAD Uth " 0.475V， Is"0.2pA17、用万用表判断放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型（NPN或PNP） 与三个电极时，最为方便的测试方法为（B ）。A. 测试各极间电阻B. 测试各极间、对地电压C. 测试各极电流三、判断题1、三极管在工作频率大于最咼工作频率 fM时会损坏。（X ）2、稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。（ X ）3、与三极管放大电路相比，场效应管放大电路具有输

11、入电阻很高、噪声低、温度稳定性好等优点。（V ）4、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。（X ）5、有人测得晶体管在Ube=0.6V时，Ib=5A，因此认为在此工作点上的 证大约26mv=5.2 2。6、通常结型场效应管JFET在漏极和源极互换使用时，仍有正常的放 大作用。（V ）7、通常的双极型晶体管BJT在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放 大作用。（X ）8、 在N型半导体中，掺入高浓度的三阶杂质可以改型为P型半导体。（V ）9、 P型半导体带正电，N型半导体带负电。（X ）10、 PN结内扩散电流是载流子在电场作用下形成的。（X ）11、 漂移电流是少数载流子在

12、电场作用下形成的。（V ）12、由于PN结交界面两边存在电位差，所以当把 PN结两端短路时，就有电流 流过。（X ）13、PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向 击穿特性。（X ）14、场效应管的突出优点是具有特别高的输出电阻（ X ）15、有人测试晶体管的rbe，方法是通过测得晶体管的U be =0.7, I 20mA，推算出 rbe 二Ube/lB =0.7V/20mA = 35K0（ X ）四、综合题1、放大电路中测得晶体管各电极电位如下表所示，试将表格填写完整。（10 分）管脚（各电极）电位晶体管1晶体管23V3.7V6V-4V-1.2V-1.4V电极（e

13、或b或c）ebccbeNPN 或 PNPNPNPNP材料（Si或Ge）SiGe2、判断下列管子的工作状态（a.饱和；b.放大；c.截止；d.损坏）（共8 分）管子类型NPNPNPNPNPNP各电极电位（V）UeUbUcUeUbUcUeUbUcUeUbUc21.76-0.1-0.3-30461.31.11.2状态cbda3、如下图，试确定二极管D是正偏还是反偏？设二极管正偏时的正向压降为 0.7V, 试计算Ux和Uy的值（共9分）+10VR+10V2RUy3ED Ux1 2R:匚DoUxI! R（a） 答案：（a） D正偏导通(b),10 -0.7I=3R=2RI=10-0.73=6.2VUyU

14、y =6.20.7 =6.9V(b)D仅偏截止I=0Ux=0Uy =10V 4、如下图，设硅稳压管VDZ1、VDZ2的稳压值分别为6V和9V，求Uo为多少?(共 3 分)1K20VVD21KUoO答：U0 =9-6=3V5、（ 3分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出U03V3k+Uo9VD 导通，Uo 一3V&判断下列电路能否放大电压信号。（设图中所有电容对交流信号视为短路）（9分）都不能放大电压信号输入交流短路无直流基极偏压7、如下图，设硅稳压管Vdzi、Vdz2的稳压值分别为6V和9V，稳压管的正向压降为0.7V，试写出输出电压Uo为多少?(共 8 分)RR1

15、K25V VDZIf SVDZ2(a) Uo=15VUo =0.7V (b)Uo=？6V +3KRVo15V3KRVO12V二二12V 土(a) D 导通 Uo - -6V(b) D 截止 U。二-12VD1D2*VO壬12Vo(c) Di导通D2截止(d) D2先导通Di截止(c) Uo 二 6.7V(d) Uo®8、设二极管理想化，试判断下列各图二极管是否导通还是截止？并求出Uo=OVU o =-3V第二章放大电路原理、填空题1、BJT放大电路的三种基本组态中，共集_组态带负载能力强，共基态频率响应好，_共射态有倒相作用，_共集 态向信号源索取的电流小。2、多级放大电路的 对数增

16、益等于其各级对数增益的_之和<3、BJT放大电路的三种组态是共射、共集。4、 影响放大电路工作点稳定的主要原因是温度变化。5、 三极管_共集 态的放大电路具有输入电阻高、输出电阻低的特 点。6放大电路最常用的基本分析方法，就是 图解法和 微变等效电路法07、 共集电极放大电路又称为_射极输出器或射随器 。8、 多级放大电路常用的耦合方式有三种：即阻容耦合一、_直接耦合、 压器耦合。9、 放大电路的三种基本组态中，_共射 态既具有电压放大能力又具有电流放大能力， 共集 具有电流放大能力，共基态只具有电压放大能力。10、 放大的本质首先是实现_能量的控制；所谓放大作用，其放大的对象是变化量。

17、11、 产生零点漂移的主要原因是放大器件的参数受温度的影响而发生波动，导致放大电路的静态工作点 稳定。12、 输出电压离开零点，缓慢地发生不规则的变化，这种现象称为零点漂移二、选择题1、 关于BJT放大电路中的静态工作点（简称 Q点），下列说法中不正确的是 （D ）。A. Q点过高会产生饱和失真B. Q点过低会产生截止失真C导致Q点不稳定的主要原因是温度变化D. Q点可采用微变等效电路法求得2、 双极型三极管放大电路中，输入电阻最大的是B电路。A.共发射极B.共集电极C.共基极D.不能确定3、晶体管放大电路中，高频特性最好的电路是（ D ）0A.共射电路 B.共集电路C.共源电路D.共基电路4

18、、有两个放大倍数（电路相同，采用同一晶体管）相同，输入和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大，在负载开路的条件下测得A的输出电压小，这说明A的（B ）oA.输入电阻大B .输入电阻小 C .输出电阻大 D .输出电阻小5、多极放大电路的增益Au是（B ）、输入电阻R是（A ）、输出电阻Ro是（C ）oA.由第一级确定B.由各级共同确定C. 由末级电路确定6某放大电路在负载开路时的输出电压为 4V,接入3K1的负载电阻的输出电压 降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（C ）A. 10K B . 2K C 1K D 0.5K7、 放大电路产生零点漂移的主要原因是（A

19、）oA.环境温度变化引起参数变化B .放大倍数太大C晶体管的噪声太大D.外界存在干扰源8、在多级放大电路常见的三种耦合方式中选择合适者：（本题可多选）（1）要求各级静态工作点互不影响，可选用（A,C ）o（2）要求能放大直流信号，可选用（B ）o(3) 要求能放大高频交流信号，可选用 (A,B )。(4) 要求电路的温漂小，可选用(A,C )。(5) 为了实现阻抗交换，使信号与负载间有较好的耦合，应采用(C)A.阻容耦合 B直接耦合9、用微变等效电路法分析放大电路( BA.只能分析静态工作点B.C. 既可分析静态，也能分析动态10、在下列电路中输入电阻最大的电路是( 大电压的电路是(C )。A

20、.共基放大电路B .共集放大电路C .变压器耦合)只能分析动态参数B );既能放大电流，又能放C .共射放大电路(1) Rb减小时，输入电阻Ri _ B11、对于基本共射放大电路，如下图，试判断某一参数变化时放大电路动态性能 的变化情况，选择正确答案填入空格(2) Rc增大时，输出电阻RoA_(3) 信号源内阻Rs增大时，输入电阻R _C_<(4)信号源远内阻Rs减小时，电压放大倍数IU01屮。电压放大倍数luil AAu(5)负载电阻Rl增大时,(6) 负载电阻Rl减小时，输出电阻Ro _C_ :(7) 若Rb减小，则静态的Ib将 A , Uceq将_B_电压放大倍数 釦惴将亠_。(8

21、) 若换一个B值较小的晶体管，则静态的Ib将 C 。(9)Rb增大时，U CEQ 将A。(10)Rc增大时，U CEQ 将B。(11)Rs增大时,Uceq 将C。(12)Rl增大时，Uceq 将C。A.增大B.减小C.不变12、由NPN晶体管组成的基本放大电路，如图:输出电压波形出现了顶部削平的失真，贝U：(1) 这种失真是 BA.饱和失真 B. 截止失真 C.交越失真 D.频率失真。(2) 为了消除这种失真，应 DA.减小集电极电阻Rc B.改换'小的管子 C.增大基极偏置电阻RbD. 减小基极偏置电阻Rb, E.减小电源电压VCC13、由PNP晶体管组成的基本放大电路，如图：(1)

22、 这种失真是 AA.饱和失真B. 截止失真 C交越失真D 频率失真。(2) 为了消除这种失真，应A, B, CA.减小集电极电阻Rc B.改换'小的管子C增大基极偏置电阻RbD.减小基极偏置电阻Rb E.减小电源电压VCC o14、如下图，选择正确答案填空(1) 要使静态工作电流Ic减小，则Rb2应_A_o(2) Rb2在适当范围内增大，则| Aul _ B, R _A, Ro _Co(3) Re在适当范围内增大，则| AJ _C，Ri _C，Ro _Co(4) 从输出端开路，到接上 Rl ,静态工作点将_C_ _，Uo _B_ ，(设 静态工作点偏低)(5) Vcc减小时，直流负载线

23、斜率 _C_ o(6) Rc减小时，直流负载线斜率 A 。A. 增大 B. 减小C.不变(7) 若 VCC=10V,嘉=4心，Rb2 =6K1，Re=3.3K，RC=2K1，C、C2 足够大，设Ube =0.7V则： Vi=0，管压降uCE大约是 B(A. 4V B . 4.7V C 7V D 5V) 使管子©由50改为100,则Au|是_A(A.约为原来的2倍B.约为原来的2 C.基本不变D约为原来的4倍) 保持P =50不变，将Re由3.3 K0改为6.6 KC，则|代| _C。丄(A约为原来的2倍 B 约为原来的2C基本不变丄D约为原来的4倍 E约为原来的4)15、两级放大电路

24、 Au! =-40，Au2=-50，若输入电压5=5mV,则输出电压u。为CA . -200mVB.-250mV C.10VD.100V三、判断题1、试判断图示各电路能否放大交流电压信号(能放大的 *不能正常放大的画X)。tb)2、测得某些电路中几个三极管各极的电位如下图所示，试判断各三极管 晶体管分别工作在截止区、放大区还是饱和区。+3V+ 12V+ 10.3V+ 10V(b)(d)0V-5.3V 丿O /-6V(c)放大截止饱和放大3、判断三极管的工作状态（放大、截止、饱和）。（6分）0.7VC 5V（b） 截止.（a）放大4、判断图示电路是否有信号放大作用（用“V”，“X”表示。每图3分

25、，共12分）1 +VccI 禅Vcc+VccF(a) x(b)+Vcczs(d)(d)xT(0 x+VccL(f)(f) v（设图中所有电容对交流信号视为短路）(b)5、判断下列电路能否放大电压信号。-o+Vcc(a)(a) V(b)(C)(c)6如下图，判断是否正确:(1) R = Rb!Rb2 ( Ge + Re )(X )(2) R = Rb1Rb2rbe+(1+B)Re( x )(3)R =:Rb1 Rb2 /rbe(V )(4)R°=RcR.(X )(5)Ro = Rc( V)(6)Au:_p Rc RLbe + Re(X )(7)*Au:_: Rc RLrbe(X)(8)

26、Au:_ p Rc / Rlrbe(V )7、判断下列说法是否正确，对的画 错误的画X(1) 晶体管的输入电阻rbe是一个动态电阻，故它与静态工作点无关。(X(2) 在基本共射放大电路中，为得到较高的输入电阻，在固定不变的条件下，晶体管的电流放大系数应该尽可能大些。(X(3) 在基本共射放大电路中，若晶体管的1增大一倍，则电压放大倍数也相应 增大一倍。(V)(4) 对于基极分压式工作点稳定电路来说，其电压放大倍数也随'的增大成正比的增大。(X )(5) 共集放大电路的电压放大倍数是小于1，故不能用来实现功率放大。(X )(6) 共射放大电路既能放大电压，也能放大电流。(话(7) 共集放

27、大电路可放大电压，但不能放大电流。(X )(8) 共基放大电路只能放大电流，但不能放大电压。(X)四分析题1、试指出下图中电路的错误，并画出正确的电路(图中晶体管类型不允许改变)+Vcc有三个错误：(1) ：电源极性错(2) : G.C2极性错(3) : Rc位置接错2、分析下图有何错误，应如何改正才能使电压正常放大，画出更改后的电路, 要求所用的晶体管不变以及其他元件不增减。有三个错(1) Rb位置接错(2) C2位置接错(3) C3位置接错3、分析下图能否对1KHz的正弦电压进行线性放大，如不能指出错在哪里，并进 行改正，要求不增减元件，且电压放大倍数绝对值要大于1，Uo无直流成分。答：不

28、能正常放大。错误有：(1)Ci位置接错。(2)C2位置接错。(3)Ci、C2极性接反。(4)若要 A 1，则不能从射极输出1 RcRlbe1： Re,且Vo无直流成分4、有两个放大电路如下图所示，向各是什么组态？(共射，共基，共集)若晶 体管都工作在放大区，输入端均加上正弦小信号电压，请问图中所示的输出波形 是否正确？若有错误，应如何改正？设电容都很大。(a)均为共基组态。U。波形有错。(a)图Uo波形应与Ui波形相同(b)图Uo波形应无直流分量五、计算题1、在下图的放大电路中，设三极管的1=30, UBEq=0.7V，rbe =1k0,嘉=10kO,Rb2 =5OK0, Re=1.3k0 ,

29、Rc = RL=5k0,Vcc=12V。+VccRb2RcC1UiRb1C2CeReR L Uo（1）试估算静态时的Ibq、丨cq、Uceq ；（ 5分）（2） 设电容C、G和Ce均足够大，试估算放大电路的中频电压放大倍数Aum ；（5分）（3）估算放大电路的输入电阻 R和输出电阻Ro ；（ 5分）（4）如果去掉旁路电容Ce，写出此时放大电路的中频电压放大倍数 Aum和输入电阻R和输出电阻Ro的表达式（可不计算出具体数值）。（5分）(1)U BQRb1Vcc10*12Rb1Rb210 50 一27I CQ I eqVbQ _UbEQ 2 叱 1mA1.3ReVceq 二Vcc - Icq -I

30、cq(Rc Re) =12-1*(5 1.3)= 5.7V(2)Aum迴些二-305他75Ri - Rb1 / &2 rbe : rbe = 1k，R0 = Rc = 5k1（4）Ce断开，Re有电流串联负反馈，（Aum下降），R增加，Ro不变;A"RcRl）Au rbe （1）ReRi =Rb1Rb2rbe （1 JReRo = Rc = 5k12、( 20分)图示电路中，已知 Ubeq=0.7V, B =100,砧=374, Rbi=5 kQ,Rb2=15 kQ , Re=2.3 kQ , Rc=Rl=3 kQ , Vcc=12V。RB2C1十UirB1(1) 估算电路的

31、静态工作点 UBQ、ICQ、UCEQ(2) 画出微变等效电路，计算电压放大倍数 A、输入电阻Ri、输出电阻Ro (3) 若信号源内阻为Rs=1kQ时，求代sdo.Us的数值。(1)U BQRB1 VCC5 12Rb1Rb25 15U BQ _U BEQ 30.7I cq I eq1 mACQ EQRe2.3Uceq 二Vcc -Icq(RcRe) =12-1 (3 2.3) =6.7V(2)图略 仁374(1100)=3k'.11-(Rc/Rl)100 (3/3)3-50R =5/15/3S =1.66kQ& = RC 二 3k1(3)RRs R1.661 1.66(-50)

32、= -31.23、如下图，GC4足够大,(4 分)II（3） 求 R、Ro、代，设 B =30, rbb=19 4Q （6 分）Ui（4） Ice。、Uces忽略不计，估算最大不失真输出电压峰值UOm （4分）（总共20分）解：（1）图略（2）U BQR2Ri R22020 8020 = 4V , I cqU BQ _ u beq 40.71mAR53.3Uceq 二Vcc -Icq(R3 R4 R5) =20 -1 (1 10 3.3) = 5.7V(3)Ri 二 R / R3 / rbe :be 二bb，(1 J 些二 194 (1 30)竽 1211 EQR0AuUou1(R4Rl) _

33、 30(10/10) _ 150rbe(4)不饱和失真Uom =Uce5.7V不截止失真 Uom = IcQ(R4Rl) =1 (1010)=5V最大不是真输出电压峰值 Uom =5V4、如图所示电路中，已知三极管T为硅管rbb'=337Q,UBEQ=0.7V, (3 =50;Rbi=51KQ , R b2=15KQ , R e=1KQ , Rc=2K Q ,FR_=2KQ ,Vcc=12Vd (共 18 分)试求：(1)静态工作点Q (I bqI cqUceQ)?(2)电压放大倍数Au=?输入电阻R = ?输出电阻Ro = ?解:Rb2 VCC15 12BQ51 15= 2.7VBQ

34、-UBEQ2.7 - 0.7CQEQRe=2mACQBQ=0.04mA50CEQ二Vcc -Icq(RcRe) =12-2 (2 1) =6V(2)Ri=Rb1 Rb2/Rbe:rbe= 1K，1rbe fb，(1)厂=337 (1 50)26 =12Ieq1R0 =Rc =2KaUUirbe15、电路如下图（a）所示，图（b）是晶体管的输出特性，静态时 Ubeq = 0.7V 利用图解法分别求出R_ = 和R_= 3kQ时的静态工作点和最大不失真输出电压 Uom。（共 15 分）UiI BQ+ Ill h 12 V2 /T1卿BEQ020 p A1 - 0.215 103lb?解：RL：，做

35、直流负载线Uce°,UCE二 12V=12- ic 36.根据图示放大电路及晶体管的输出特性曲线。(共.UC分)R)圜解法静这时点J 鳥(耳Ql、CQRjQ'i2(3/I3)=403V=50)二 0, ic12 4mA3（6分）(2)画出微变等效电路，估算放大器的动态参数 A、R、Ro (设r bb'=340“，- =60）（9 分） +24VRc +Vcc590Kui解:Rb5KTRl5KUo80uA60uA40uA,f20uA广241i11 1510152025idmA4.83.62.41.20UCE /V(1)作直流负载线Uce =Vcc -icRcr.iCu0

36、,UceCE - 0, iC= 12V=4.8mA> I b40uA相交 Q点，得 Icq =2.4mA,Uceq =12V（2） li 二 Rb rbe : rbe 二 1K，?Au50(5 5)1-125(4 分)(总共12分)% 十(1'-)- "21 EQ7、如下图，GC3足够大，(1) 画出直流通路和微变等效电路(4分)(2) 求静态工作点lBQ、UCEQ。( 4分)(3) 求输入、输出电阻R、Ro及电压放大倍数Au各自的表达式。(1) 略(2) I BQ (1B) RcI (R1R2 ) Vbeq = VccI BQVcc -Vbeq(1 B)RcR1R2,Vceq二Vcc -(1 B)IbqRc(3) R = R /beR°=R2R3._ 土亠"R2/R/RL)u=-u 1bebe=bb+(1+ : )-2-I EQ2-mvI BQ8 电路如下图所示，晶体管的100, r bb' =100Q , Ubeq =0.7V 。（共20分）（1）画直流通路和微变等效电路。（6分）（2）求电路的Q点、Au Ri和Ro；（ 9分）（3）若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？ （5分）5 12UbQ=E