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文档简介

1、 学习要点：学习要点：结型场效应管导电特性绝缘栅型场效应管（MOS管）的参数 单极型晶体管单极型晶体管单极型晶体管单极型晶体管单极型晶体管单极型晶体管2-4-1 结型场效应管结型场效应管双、单极型晶体管区别 1)双极型：属电流控制型 2)单极型：属电压控制型 场效应管分类(FET) 1)结型（JFET）: “P沟道”，空穴导电 “N沟道”，电子导电 2)绝缘栅型（MOS）：“增强型PMOS、NMOS” “耗尽型PMOS、NMOS”1.结构与符号N沟道耗尽层P+P+漏极D栅极G源极SDGS图3-1 JFET的结构示意图及其电路符号P沟道耗尽层NN漏极D栅极G源极SDGS(a)(b)(a) N沟道

2、 (b) P沟道 导通条件N沟道：uGS0、uDS 0 P沟道：uGS0、uDS UGS(th) 0 PMOSuGSUGS(th) 0 UGS(th)“开启电压”，即沟道形成的最小电压 增强型MOS管所特有 2）耗尽型MOS管制造时内部已存在一个导电沟道 当uGS=0、uGS0时电流为常量IDSS称“漏极 饱和电流” 当uGS= UGS(off)时原有导电沟道夹断不导电 UGS(off) “夹断电压”，耗尽型MOS管所特有 3）其它类型场效应管工作特性见书P63BCII2-4-3 场效应管特性参数场效应管特性参数1. 开启电压UGS(th)和夹断电压UGS(off) 当uDS一定时，使iD为某

3、一最小值（刚导通）时所外加 的G-S电压 增强型存在UGS(th) 耗尽型存在UGS(off)2.饱和漏电流IDSS 耗尽型管特有参数，且为当uGS=0时的漏电流3.低频跨导gm反映了栅源电压uGS对漏极电流iD的控制能力4.极限参数 IDM：最大漏极电流。工作时允许的最大漏极电流。 PDM：最大耗散功率。PDMuDSiD U(BR)DS：漏源击穿电压 U(BR)GS：栅源击穿电压2-4-4 场效应管与三极管性能比较场效应管与三极管性能比较半导体三极管场效应管导电结构既利用多数载流子，又利用少数载流子，故称为双极型器件 只利用多数载流子工作称为单极型器件 导电方式多子浓度扩散与少子漂移多子漂移控制方式电流控制（IBIC）电压控制（UGSID）放大系数（=20200）gm（15mA/V）类型PNP、NPNP沟道、N沟道受温度影响大小噪声较大较小抗辐射能力差强制造工艺较复杂简单，特别是MOS管，易于集成器件名称性能课前复习及提问课前复习及提问： 1）NPN管在放大状态下各极电位的关系？ 2）三极管在共射、共集组态下的电流关系？ 3）三极管的三个工作区是什么？ 4）NPN、 PNP管的区别？思考题思考题：P67 1、2作业题作

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