核辐射探测器与核电子学免费

1、核辐射探测器与核电子学期末考试复习题一、 填空题（ 20 分，每小题 2 分）1粒子与物质相互作用的形式主要有以下两种 ：激发、电离2射线与物质相互作用的主要形式有以下三种 ：康普顿散射、光电效应、形成电子对3射线与物质相互作用的主要形式有以下四种 ：激发、电离、形成离子对、形成电子 - 空穴对、轫致辐射4由 NaI(Tl) 组成的闪烁计数器，分辨时间约为：几 s； - 计数管的分辨时间大约为： 一百 s。5电离室、正比计数管、 G-M 计数管输出的脉冲信号幅度与入射射线的能量成正比。6半导体探测器比气体探测器的能量分辨率高，是因为：其体积更小、其密度更大、其电离能更低、其在低温下工作使其性能

2、稳定、气体探测器有放大作用而使其输出的脉冲幅度离散性增大7由 ZnS(Ag) 组成的闪烁计数器，一般用来探测 射线的 强度8由 NaI(Tl)组成的闪烁计数器，一般用来探测 、X 射线的能量、强度、能量和强度9电离室一般用来探测 、 、 、X、重带电粒子射线的能量、强度、能量和强度。10正比计数管一般用来探测 、 、 X 射线的能量11- 计数管一般用来探测 、 、 、X 射线的强度12金硅面垒型半导体探测器一般用来探测 射线的能量、强度、能量和强度13Si(Li)半导体探测器一般用来探测 、 、X 射线的能量、强度、能量和强度14HPGe半导体探测器一般用来探测 、 、 、 X、带电粒子、重

3、带电粒子射线的能量15对高能 射线的探测效率则主要取决于探测器的有效体积16对低能 射线的探测效率则主要取决于“窗”的吸收17- 计数管的输出信号幅度与工作电压 无关。18前置放大器的类型主要分为以下三种 ： 电压型、 电流型、 电荷灵敏型19前置放大器的 两个 主要作用是： 提高信 - 噪比、阻抗匹配。20谱仪放大器的 两个 主要作用是： 信号放大、脉冲成形21滤波成效电路主要作用是：抑制噪声、改造脉冲波形以满足后续测量电路的要求22微分电路主要作用是：使输入信号的宽度变窄和隔离低频信号23积分电路主要作用是：使输入信号的上升沿变缓和过滤高频噪声24单道脉冲幅度分析器作用是：选择幅度在上下甄

4、别阈之间的信号25多道脉冲幅度分析器的道数（M）指的是： 多道道脉冲幅度分析器的分辨率26谱仪放大器的线性指标包括：积分非线性INL 、微分非线性DNL二、名词解释及计算题（10 分，每小题5 分）1. 能量分辨率 : 表征 射线谱仪对能量相近的 射线分辨本领的参数， 可用全能峰的半高宽度 FWHM或相对半高宽度表示2. 探测效率：定义为探测器输出信号数量 ( 脉冲数 ) 与入射到探测器 ( 表面 ) 的粒子数之比3. 仪器谱：由仪器 ( 探测器 ) 探测 ( 响应 ) 入射射线而输出的脉冲幅度分布图，是一连续谱4. 能谱：脉冲幅度经能量刻度后就可以得到计数率5. 全能峰：入射粒子以各种作用方

5、式 ( 一次或多次 ) 将全部能量消耗在探测器内而形成的仪器谱峰6.逃逸峰： 若光电效应在靠近晶体表面处发生，则 X 射线可能逸出晶体， 相应的脉冲幅度所对应的能量将比入射光子能量小，这种脉冲所形成的峰称为全能峰7.特征峰： 许多放射源本身具有特征X 射线它们在能谱上形成的峰为特征X射线峰8.分辨时间：第一个脉冲开始到第二个脉冲幅度恢复到Vd 的时间，该时间内探测器无法记录下进入计数管的粒子9.死时间： 入射粒子进入计数管引起放电后，形成了正离子鞘， 使阳极周围的电场削弱，终止了放电。这时，若再有粒子进入就不能引起放电，直到正离子鞘移出强场区， 场强恢复到足以维持放电的强度为止。这段时间称为死

6、时间。10. 试粗略计算 6.0MeV 的 粒子在电离室和金硅面垒探测器中产生的初始电离 ( 离子对数目 ) ，并以此说明金硅面垒半导体探测器能量分辨率比正比计数管高的原因。电离室是气体探测器， 金硅面垒探测器是半导体探测器， 它们的平均电离能(W)大约分别为30eV 和 3eV。所以：电离室产生的初始电离(N1)=6000000/30=200000 （对）金硅面垒探测器产生的初始电离(N2)=6000000/3=2000000（对）可见，N2 比N1 大10 倍，即N2 因统计涨落产生的相对标准差比N1 小，金硅面垒探测器的能量分辨率(FWHM)比电离室好。三、论述题（30 分，每小题10

7、分）1简述闪烁计数器探测射线的工作过程。答题要点：发光过程、光电转换过程、电子倍增过程、信号形成过程1. 发光过程：入射粒子使闪烁体的原子核激发电离产生荧光光子2. 光电转换过程：荧光光子在光电倍增管的光阴极（ K 极）上由于光电效应而转化为光电子3. 电子倍增过程： K 极发出的电子在第一打拿极上打出的N 倍电子第一极在第二极上打出N 倍电子，最后在阳极上收集到一大群电子4. 脉冲信号形成过程： 阳极上的电子在前置放大器上通过放大形成脉冲信号2简述核辐射探测器探测效率曲线的一般特征。（曲线自己画哈）1.E 较低时， 随入射能量E 增加而增加；取决于窗口吸收2.E 增大到一定数值，到达最大值，

8、在一定时间保持稳定3.E 继续增大， 随 E 的增大而减小，此时取决于探测器厚度3简述正比计数器的工作原理。正比计数器工作于正比区，在离子收集的过程中出现气体放大现象，即被加速的原电离离子在电离碰撞中逐次倍增而形成电子雪崩。于是，在收集电板上感生的脉冲幅度V将是原电离感生的脉冲幅度的M倍，即VMN，M为C气体放大系数，No 为原电离离子对数，Co 为 K,C 两电极间电容，负号表示负极产生脉冲。并且在确定的工作条件下，气体放大倍数与原初电离无关。4简述多道脉冲幅度分析器的一般构成及其工作特征。答题要点：三个组成部分脉冲峰值保持器、ADC、MCB。四个过程脉冲峰值保持过程、ADC过程、数据处理过

9、程、复位过程。1 基本构成：脉冲峰值保持器ADC 多道数据缓存器外设 PC2 工作过程：峰值保持过程：信号进入脉冲峰值保持器，跟信号并保持峰值到复位信号，同时在峰位过去后给ADC发出启动变换的信号 A/D 变换过程（数字化过程） ： ADC 被启动进行一次变换，当变换结束时，输出变换结果 m（ m代表道址，脉冲幅度，能量），同时输出一个变换信号给MCB计数过程（寄存器计数方式）：首先是MCB从 RAM的第 m个寄存器读出原有的读数 Nm，再加上 1（ Nm=Nm+1），接下来将 Nm再写回第 m个寄存器5 简述前置放大器的作用、分类及主要特点。 ， 1. 主要作用： 提高系统的信噪比减小信号经

10、电缆传送时外界干扰的影响阻抗匹配（由于D 的 Rin 很大，屏蔽能力弱。所以需进行幅度放大或功率放大）2. 分类及特点：积分放大器：包括电压灵敏型电荷灵敏型：特点是输出信号幅度正比与输出电流对时间的积分即输出信号的幅度与探测器输出的总电荷量成正比 电流型放大器：包括电流灵敏前置放大器；特点输出信号波形与探测器输出电流信号的波形保持一致6简述谱仪放大器中微分电路、积分电路、基线恢复器的主要作用。1. 微分电路作用： a、使长尾变短，减小信号的堆积（高通滤波相当于隔直电容（注：对噪声信号无用） ） b、高通滤波2. 积分电路的作用： a、使前沿变缓，后沿不变 b、低频通过，高频滤去，低频滤波3.

11、基线恢复器作用： 将信号产生的 “基线”（输出端的直流电压， 恢复到 “先前”的水平）7简述稳谱电路的工作原理。1. 首先说稳谱电路分类：硬件稳谱软件稳谱2. 硬件稳谱工作原理： 由上下道输出脉冲选入可逆计数器， 进行差值计数（上道作减法，下道作加法） ，其结果经数模变换器转换成控制电压，去调整闪烁计数器的高压。当峰位右移输出脉冲幅度增大时，则n 上>n 下 ，可逆计数器输出数减小，经转换后得到电压值降低，使高压降低，闪烁体输出幅度变小。反之，当输出脉冲幅度变小时，n 上>n 下，可逆计数器输出数增大，经转换后得到电压值增高，使电压上升，闪烁体输出幅度变大，通过以上反馈，使脉冲幅度

12、得以保持。软件手选谱工作原理：通过重新进行能量刻度的方法来稳谱8简述开关电源 (DC/DC 变换器 ) 的工作原理及其特点。能量分探测效用途使用环价格注意事辨率率境项气探较好较高 、 、 高压、便宜电压积 、 常温分性。中子。外界电重带电磁场干粒子扰闪烁较高高 常温有的较工作环复、大境 温部分贵度、湿度、电压稳定性半导探高低 、 、 有的可大部分工作环 、 在 常 贵境温度中子。温、有重带电的需高粒子温四、综合题 （ 40 分，每小题20 分）1以表格方式比较气体探测器、闪烁计数器、 半导体探测器的主要特性、特点 ( 着重比较探测器效率、能量分辨率、价格、用途及使用中的注意事项等)。能量分辨率

13、探测效率中低气体探测器低高闪烁计数器半导体探测器高中使用环境价格低中高主要用途其它2 画出单道脉冲幅度分析器的工作原理图、工作波形，简述其工作过程及主要特点。（1）工作原理图其中反符合电路逻辑功能如下表：符合主场1001反符合主 0011场输出1000（ 2）工作波形（ 3）工作过程：a、 Vi <VL: 上下甄别器均无输出，反符合电路无输出b、 VL<Vi <Vu: 上无输出，下有输出，反符合电路有输出c、 Vi >Vu：上下甄别器均有输出，反符合电路无输出（4）主要特点： a、单道脉冲幅度分析器由上下甄别器及反符合电路组成b.只有输入脉冲落入给定电压（阈电单） 范围

14、（VuVL）内时才有逻辑脉冲输出，只有得到信号输入端单独有信号的才有输入， 若都有或都无信号输入则无输出，测量误差较大 c针测一个能谱仍需逐点改变阈值，易受仪器不积定影响 d、结构简单，价格便宜，可以选择幅度范围或能量范围作为校正信号3 画出一般的线性脉冲放大器的原理框图、指出各部分的主要作用、主要节点的波形变化。答题要点：五个组成部分微分电路或极零相消电路、可调放大电路、积分电路、输出级、基线恢复器、 ( 限幅器 )4画出无源 CDD基线恢复器的电路简图， 简述其工作原理。（简图自己画）D1， D2 为孪生二极管，特性完全一致。工作过程：为 D2接地a. 充电过程：当脉冲来时，电容充电（左正

15、右负） ，u0 UD-U0 UD，所以 D1 截止， I1 经 D2 接地，充电电流为增加，因I2 ，冲到脉冲结束为止b. 放电过程：脉冲过后，由于 Uc作用，U0为负，D1导通，D2截止（ U0=U0+UD1），流过 D1 电流 I1=2I2 ，所以电容 C 以电流 I2 放电5画出一般线性放电法多道脉冲幅度分析器的原理框图、简述其工作过程、指出各主要节点的波形变化、给出变换时间的计算公式。O脉冲峰值保持器ADC多到数据缓存器外设PC/uP OMCAMCB工作过程：a. 峰值保持过程： 信号进入脉冲峰值保持电路，跟踪信号并保持峰值到复位信号，同时要峰值过去后给ADC发出启动变换的信号b. A

16、/d 转换过程 （数字化过程） ：ADC被启动进行一次变换， 当变换结束时输出变换结果 m（ m代表道址，脉冲幅度，能量） ，同时输出一个变换结束信号给 MCBc. 数据处理过程（寄存器计数） ：首先是 MCB从 RAM的第 m个寄存器中读出原有数据 Nm，再加 I （ Nm=Nm+I），接下来将 Nm在写回第 m个寄存器d. 复位过程：读写结束，电路复位，允许输入信号进入峰值保持器。6NaI 闪烁伽玛探头的基本构成及其工作过程。（基本构成自己画）工作过程：a. 发光过程：受激原子退激时发射紫外光过程b. 光电转换过程：闪烁体发出的光子到达PMT的光阴极（ K 极），发生光电效应c. 光电倍增

17、过程 ; 光电子进入 PMT，逐级倍增过程， A 106 倍（ 3 6） n d. 信号形成过程： PMT产生的大量电子在 A 极（阳极）上被收集，形成脉冲信号核技术探测复习材料一、简答题 ：（共35分）1带电粒子与物质发生相互作用有哪几种方式？（5 分）与原子核弹性碰撞； （核阻止）（1 分）与原子核的非弹性碰撞； （轫致辐射）（ 1 分）与核外电子弹性碰撞；（1 分）与核外电子的非弹性碰撞；（电离和激发） （ 1 分）正电子湮灭；（1 分）2气体探测器两端收集到的离子对数和两端外加电压存在一定的关系。具体如下图所示。 （ 5 分）填空 : 复合区 （1 分） 饱和区（电离室区） （1 分）

18、 正比（计数）区 （1 分）有限正比区（1 分）G-M 区（1 分）注： 1）有限区的0.5分3通用闪烁体探头的组成部件有那些？为什么要进行避光处理？（5 分）答案要点1）闪烁体 （1 分）、光学收集系统（ 1 分）（硅油和反射层） 、光电倍增管 （ 1 分）、2）光电倍增管的光阴极（ 1 分） 具有可见光光敏性（ 1 分），保护光电倍增管。4 PN结型半导体探测器为什么要接电荷灵敏前置放大器？（5 分）Cd1 / V0答：由于输出电压脉冲幅度h 与结电容Cd 有关 （ 1 分），而结电容随偏压 （2 分）而变化，因此当所加偏压不稳定时，将会使h 发生附加的涨落，不利于能谱的测量；为解决该矛盾

19、，PN 结半导体探测器通常不用电压型或电流型前置放大器，而是采用电荷灵敏前置放大器。电荷灵敏放大器的输入电容极大，可以保证C 入 >> Cd ，（ 2 分） 而 C 入是十分稳定的，从而大大减小了Cd变化的影响。 可以保证输出脉冲幅度不受偏压变化的影响。注） 1 所有讲述半导体探测器原理得1 分5衡量脉冲型核辐射探测器性能有两个很重要的指标，这两个指标是指什么？为什么半导体探测器其中一个指标要比脉冲型气体电离室探测器好，试用公式解释？（5 分）答案要点：第 1 问：能量分辨率（ 1.5 分）和探测效率（1.5 分）注： 1）答成计数率得1 分第 2问：Fw02.36E（1 分）w0

20、半导 体w0气 体 电离 室 （1 分）6中子按能量可分为哪几类？常用的中子探测方法有哪些？（5 分）答案要点：第1 问：快中子、热中子、超热中子、慢中子答对 3 个以上得 1分第 2 问：核反冲法（ 1 分）核反应法 （1 分）、活化法 （ 1 分）、核裂变法 （ 1 分）7. 试定性分析，分别配以塑料闪烁体及NaI(T1) 闪烁晶体的两套闪烁谱仪所测得 0.662MeV射线谱的形状有何不同？（5 分）答案：由于塑料闪烁体有效原子序数Z 、密度及发光效率 （ 3 点得 1 分）均低于 NaI(T1) 闪烁晶体，对测得的0.662MeV射线谱的形状，其总谱面积相应的计数（得1 分）、峰总比（得

21、1 分）、全能峰的能量分辨率（得 1 分）均比 NaI(T1) 闪烁晶体差，甚至可能没有明显的全能峰（得 1 分）。注：抓住要点给分，1个要点 1分二、证明题：（共10分）1试证明光子的光电效应是光子与原子整体相互作用，而不是与自由电子发生相互作用。（5 分）证明：假设光电效应只与自由电子发生相互作用，那么应该满足动量和能量守恒定理。假如何光子能量E=h （得 1 分） , 动量 P=h /c （得 1 分）；根据相互作用满足能量守恒定理，则电子能量2分），E=h =mc（得 1电子动量 P =（ h /c 2）× v（得 1 分）；由于电子速度小于光子速度，所以P P（得 1 分）

22、，动量不守恒所以得证 光子的光电效应是光子与原子整体相互作用。y22222y2y2yx1x1x2xn2（ 5 分）利用误差传递公式x2xn若对某放射性样品重复测量K次，每次测量时间t 相同，测得的计数为N1 、nN / tn / KtN2，Nk, 试证明计数率平均值的统计误差为：证明：nN1N2Nk得 分)kt( 1因为 N1, N2Nk 具有统计误差性 ,根据误差传递公式 ,21)2222得 分n(NN2Nk(1)kt1N 12N1,2N2 ,2得 分N2N KNK,(1)n 2( 1 )2N1N 2Nk kt1 2() Nk (得1分 )所以得证nn / kt (得 分1 )三、计算题。（

23、共55分）1. （ 5 分）画出下图输出电路的等效电路，并标明极性。答：评分标准： 1）等效电路图3 分 具体分配，电流源、电容、电阻位置正确各得 1 分2）极性2 分，只要正确标出和说明极性均得2 分注： 1)只有极性没有等效电路图不得分2. （ 5 分）试计算充 Ar脉冲电离室和正比计数器对5MeV 粒子的最佳能量分辨率 .( 取 法诺因子 F0.3 , Ar 的平均电离能为 26.3eV)解：对充 Ar 脉冲电离室：E2.36Fw02.360.326.3得分EE51061.50.296%得 分1或者E2.36Fw0 E2.36 0.3 26.3 56得 分101.514.823kev 得

24、1分没有 kev单位或者单位 kev不对扣 1分对充 Ar 正比计数器：E2.36F 0.682.36(0.30.68)26.3得1.5分EN 05 1060.536%得1分或者E 2.36(F0.68)w0 E2.36( 0.30.68)26.35 106 得1.5分26.791 kev得1分没有 kev单位或者单位kev不对扣 1分3（ 5 分）能量为1.50MeV 的 放射源放在铅容器里，为了安全，必须使容器外的强度减小为原来的1/1000, 试求容器壁至少需多厚。解：当时查表-2得 分E1. 5Mevm0.0517cm/g, (,1 )根据II 0 euxI 0 eum x m(得 分

25、1 )u u m0.0517cm- 2/g11 .34 g / cm30 .5862 cm1(得 分1 )ln I 0ln 1000得 分xI(0 .58621 )11 .78 cm(得 分)1或者 :lnI 0ln 1000得 分xmI()1m 0.0517133 .61 g / cm2(得 分1 )结果没有单位或者单位不对的扣1分计算结果有不对的, 每步扣掉一半的分4. （ 6 分）当单能粒子被准直得垂直于硅P-N 结探测器的表面时，单能射线峰的中心位于多道分析器的480 道。然后，改变几何条件使粒子偏离法线 45°角入射，此时看到峰漂移至 460 道。试求死层厚度（以多道道址表

26、示）。解： 当能量为损失 E0 的 粒子垂直入射时 0设 粒子在探测器死层内的能量为 E1 则探测器灵敏体积得到的能量为（ E0-E1） 谱峰位在 460 道E 0- E1=480G ( G代表能量刻度系数，没写不扣分)（得 1分）当 450 时 死层内能量损失为E2 E1COS452 E1（得 2分）探测器灵敏体得到的能量为（ E0-E2） E0 2 E1= 460G （得 1 分）(480-460)G= ( 2 1) E1得： E148.3G（得 1分）注：评分按步骤逐步进行。5（ 6 分）本底计数率 25 计数 /min, 测量样品计数率100 计数 /min, 试求对给定总的测量时间来

27、说净计数率精确度最高时的最优比值样品测量时间和本地测量时间之比; 若净计数率的相对统计误差为1，测量总时间的最小值是多少？解：t sns1002( 得2 分)t bn b25n sn b10025t stb2 t bt b0 .01( 得2 分 )n sn b10025t b133mint s267min( 得1 分)Tt bt s400min( 得1 分)没有单位或者单位不对的扣掉1 分；计算结果不对的， 按步骤扣掉一半的分。6. （ 6 分）绝对峰效率为 30的 NaI（ T1）闪烁探测器， 对 57Co 点源的 122kev射线测量15min光电峰计数180000个。然后同样的源置于离表

28、面积为314平方毫米的Si(Li)探测器的表面为10 记录60min得到一个谱。如果在7.1kev的 K X 射线峰下面的计数为1200个，那么在这个能量时Si(Li)探测器的效率是多少？（对于57Co 的特征 X 射线和 射线的强度比X/ 分别为：对 6.40kev 的 K线为 0.5727 ，对 7.1kev 的 K 线为 0.7861 。）解：依题意可得 57Co 源 122kev 的 射线强度I源峰 tN180000IN180000667 Bq (得 2分 )源峰 t30%1560则 7.1kev的 KX 射线强度为I xI0.7861524Bq (得1分 )几何41(1hh 2)2r

29、 2110cm)(1223.14cm102 cm 20.00248(得1分 )NI x源峰几何 t(得1分)1200源峰0.0024852460 60源峰25 .4%计算结果有不对的, 每步扣掉一半的分7. （ 6分）已知一 放射源的活度 A为 1010贝克，假设该源各向同性地放出 光子，假设射到一个 G-M计数管的 光子数为 106/s ，该 G-M计数管输出的脉冲数为 104 /s ，还已知该 G-M计数管的分辨时间为20us, 求该 G-M计数管的本征效率和总效率。解：n 0n10 4n110 42010611 .25 10 4 / s ( 得 2分 )n 01.25% (得 2分 )本

30、征106总效率n 01 .2510 -6(得2分)10 10没有经过计数率修正:n1%(得 2分 )本征106n10 -6(得2分)总效率10 10计算结果不对的，按步骤扣掉这一步一半的分。8. （ 8 分） 1. 详细分析 2MeV射线在闪烁体中可产生哪些次级过程?2. 并计算该 射线在 NaI(T1) 单晶谱仪的输出脉冲幅度谱上，康普顿边缘与单逃逸峰之间的相对位置。3. 并画出下列两种情况下该射线在 NaI(T1) 单晶谱仪的输出脉冲幅度谱图1)NaI(T1)晶体为中等晶体时2)NaI(T1)晶体为无限大晶体时解： 1）光电效应，康普顿效应，电子对效应。（全对得2 分，不全者得1 分）2

31、）单逸峰 E=2-0.511=1.249Mev (得 1分)散射光子最小能量 Er'ErEr=20.227Mev121 cos12* 2mec0.511反冲电子最大能量即康普顿边缘EeEE '2 0.227 1.773Mev （得 1分）3) 中等晶体注：每标对 1 个得 0.5 分4）无限大晶体，画对给全分9. （ 8 分）设在平行板电离室中粒子的径迹如图所示 , 径迹长度为 L, 假设沿径迹各处的单位路程上产生的离子对数N 相等 , 且电子的漂移速度W , 试求电子的电流脉冲。D L解：分三种情况讨论：1）当 tD时，即电子全部到达正极板，电子的电流脉冲I e 0 ；（得

32、2W分）2）当 tDL c os时，即没有电子到达正极板，此时电子的电流脉冲：WI eLNeW；（得 2 分）D3）当 DL costD ，即有部分电子到达负极板，此时电子的电流脉冲：WW电子可以看作时做匀速直线运动逐渐到达正极板的，根据运动规律得下面方程L cosD L cost（得 2分）WWLNN 'N (W t L cosD )解得已到达正极板得电子数: N ', 还剩下cos电子数： L NN'LNN ' ，此时电子的电流脉冲：( LW tL cosDNcosN )I e(t )WD（得 2分）注：最后一题属于拔高题，根据答的情况酌情给学生分数。核辐射

33、探测器与核电子学期末考试复习题五、填空题（ 20 分，每小题2 分）27粒子与物质相互作用的形式主要有以下两种 ：康普顿散射、 散射、光电效应、激发、形成电子对、电离、发射电子、发射光子、形成离子对、形成电子 - 空穴对、轫致辐射。28射线与物质相互作用的主要形式有以下三种 ：康普顿散射、 散射、光电效应、激发、形成电子对、电离、发射电子、发射光子、形成离子对、形成电子 - 空穴对、轫致辐射。29射线与物质相互作用的主要形式有以下四种 ：康普顿散射、 散射、光电效应、激发、形成电子对、电离、发射电子、发射光子、形成离子对、形成电子 - 空穴对、轫致辐射。30由 NaI(Tl)组成的闪烁计数器，

34、分辨时间约为：零点几、几、十几、几十、几百 s； - 计数管的分辨时间大约为：零点几、几、十几、几十、一百、几百 s。31电离室、正比计数管、G-M 计数管输出的脉冲信号幅度与入射射线的能量、初始电离产生的离子对数、初始电离产生的电荷总数成正比。32半导体探测器比气体探测器的能量分辨率高，是因为：其体积更小、其密度更大、其电离能更低、其在低温下工作使其性能稳定、气体探测器有放大作用而使其输出的脉冲幅度离散性增大。33由 ZnS(Ag) 组成的闪烁计数器，一般用来探测 、 、 、X、带电粒子、重带电粒子射线的能量、强度、能量和强度。34由 NaI(Tl)组成的闪烁计数器，一般用来探测 、 、 、

35、X、带电粒子、重带电粒子射线的能量、强度、能量和强度。35电离室一般用来探测 、 、 、 X、带电粒子、重带电粒子射线的能量、强度、能量和强度。36正比计数管一般用来探测、 、 、X、带电粒子、重带电粒子射线的能量、强度、能量和强度。37- 计数管一般用来探测 、 、 、X、带电粒子、 重带电粒子射线的能量、强度、能量和强度。38金硅面垒型半导体探测器一般用来探测 、 、 、 X、带电粒子、重带电粒子射线的能量、强度、能量和强度。39Si(Li)半导体探测器一般用来探测 、 、X、带电粒子、重带电粒子射线的能量、强度、能量和强度。40HPGe半导体探测器一般用来探测 、 、 、 X、带电粒子、重带电粒子射线的能量、强度、能量和强度。41对高能 射线的探测效率则主要取决于