非晶硅太阳能复习

1、工作知识一、填空题 1、磨边后，导电玻璃的倒边宽度标准尺寸范围为1.21.4 mm，倒角宽度的标准尺寸范围为24mm； 2、激光一负极边标准为13±0.3mm3、激光一刻划时导电玻璃电压边两端预留5±3 毫米不刻划； 4、将ROFIN 激光器开机打到2档后，超过 20 分钟才能开始刻划电池芯片； 5、激光一校准标准板后，需要将刻划的 前2片 导电玻璃拿到激光二查看刻划线是否正常；6、 白玻清洗时清洗液的PH 值： 10-11 7、磨边机上下两传送带间距设定值为 33.5MM，设定标准是导电玻璃可以顺利通过传送带，且不打滑、移位。 8、在一、二次清洗过程中，传送频率为 30

2、±1HZ，滚刷频率为35±1HZ。 9、磨边后透明导电玻璃的最小尺寸为短边*长边= 633*1243mm； 10、在清洗过程中，腐蚀再生的导电玻璃与新的导电玻璃应分开清洗：先清洗新的导电玻璃后清洗腐蚀再生的导电玻璃， 清洗完后需更换所有水槽内的水。11、pecvd开机后需要经多长时间加热6h方可进行沉积，预热一炉15.5mm导电玻璃需要多长时间200min。12、pecvd的压缩空气进气表的压力值规定范围为：75psi85psi。13、简要描述pecvd泵组的作用：机械泵：抽大气，罗茨泵：加速抽气，维持泵：维持分子泵前几真空，干泵：工艺中抽特气，分子泵：抽本底真空14、 双

3、结芯片预热时间最短不少于 200 min，最长不超过 240 min；15、从预热结束关闭预热炉到工件架拉到沉积炉启动工艺，操作总时间要求为：10min ；16、PECVD 卸片时， 使用风扇或空调加速冷却，须在工件架自然冷却 40 min 后；17、PECVD 卸片时使用风扇或空调加速冷却，工件架位置需距离风扇或空调 2 米 以外进行冷却。18、导电玻璃装完片后，边缘需距铝板边缘2mm。19、工件架每沉积1炉，清洁1次。20、当PECVD打开炉门之前，一定要确认腔体是否已经至少 3次的Ar清洗处理，在操作人员更换的时候，无论前一操作者做了什么处理，新接手人必须重新进行至少 2次的Ar清洗处理

4、。21、 退火是为了改善非晶硅太阳芯片电性参数,提高其 转化效率 。22、 芯片测试主要是指测试非晶硅太阳电池组件的 电性参数23、 芯片测试光强分布误差 100±5 mw/cm².24、 测试环境温度要求25±5 25、 每测试 2小时或测试机重启后，需重新进行标准板校准。26、 反压设备，测试工装，测试机参数的点检频度为 1次/6小时27、测试几的闪光次数为每班每天点检 1次28、铝背电极退火曲线：从室温加热到150为90分钟，后在150保温40分钟。29、在退火过程中，需留意退火情况，并在报警器出现报警时，及时停止加热，以防温度过高，导致电池芯片功率下降。3

5、0、 对于在车间放置超过 72 小时的芯片，需要重新进行退火，并重新进行测试31、阴极板与阳极板之间的电阻大于一欧 3M。32、氩气阀门检漏应用皂液微细气泡法检漏。33、在PVD换靶后在次工作时，要对箭射出来的薄膜按要求自检至少 10 pcs34、激光机使用10对孪生片Pm平均相差大于1W的机台停止作业。35、激光二线宽50-80um，伤导电膜直径小于10um。36、掩膜宽度在10-12mm，且掩膜后无残胶遗留。37、ROFIN激光器开机后需暖机20min以上才开始刻线。38、若直线连接调整到甩尾小于10um，则导入直线连接进行刻划。39、作业员更改X1轴相对移动时，只能小范围内0.1mm以下

6、更改，以免更改后刻线错位。40、三条激光线总线距不大于400um，不平行度不产过50um。41、白玻清洗时清洗液的PH 值： 89 ;42、组件段清洗机传送频率： 2025 HZ.43、层压机的真空系统中的前级真空泵是 机械泵44、第一个焊点离电池芯片边缘2030mm； 45、目前点焊共17 个点，相邻焊点间6080mm； 46、在点焊前，员工必须佩戴口罩和手套； 47、点焊标准作业指导书的5.2 规定：铝带要拉平，并紧贴膜面，操作过程中切勿刮伤膜面； 48、目前我司使用的铝带宽度2.5mm； 49、清洗白玻璃的水槽温度控制在4055 度； 50、PH 试纸测试后由黄色娈成浅绿色； 51、检查

7、碱液槽内碱液液位，其液位应不低于整槽的 1/4 高度； 52、白玻璃清洗时每两块玻璃的间隙要达到20cm； 53、每辆白玻小推车用蘸酒精的纱布定期清洁，清洁频度： 5 天/次； 54、敷设工序在敷设工序工作工序3 个月，可以不用小刀； 55、敷设作业指导书中规定背板玻璃和电池荡片相对位置偏差小于1mm； 56、A 系列非晶硅太阳能电池组件的的错位标准 为背板白玻璃与电池芯片边缘错位不超过 3mm57、如果发现芯片背电极有手指印，则用酒精洒在手印处，使酒精完全覆盖住手指印，浸泡、2 分钟后，将芯片拉至芯片清洗机处清洗58、 装接线盒时，硅胶使用量大约4.9G/个接线盒或80个接线盒/支硅胶。59

8、、 装接线盒时，接线盒应该摆正，正负极焊接牢固，无虚焊、漏焊。60、 灌封胶配比时重量比为10：1，使用量大约为15G/个，表干时间大约是90±10分钟。三、选择题：1、激光一、二、三的线宽要求分别是（ C ） A：激光一：4050um，激光二：5070 um，激光三：5070 um； B：激光一：3050um，激光二：6080 um，激光三：6080 um； C：激光一：3050um，激光二：5080 um，激光三：5080 um； D：激光一：3060um，激光二：5090 um，激光三：5090 um； 2、激光二与激光一刻线线距，激光三与激光二刻线线距分别为（ D ） A：小

9、于180um，小于180 um； B：小于150 um，小于150 um； C：小于120 um，小于120 um； D ：小于100 um，小于100 um；3、二次清洗中，超声波的频率应设置在，TCO在超声波清洗后，紧接着进行（ D ） A、40K 滚刷洗 B、30K 喷淋洗 C、40K DI水洗 D、30K BJ 喷淋 4、为预防激光一未刻划断，出现批量不良，需要在距离短边边缘为5± 3mm刻划掩膜线，并用万用表测刻线是否刻断， 用于点检是否刻划断的导电玻璃需要如何处理；（D） A、直接投入生产； B、未刻划断的导电玻璃在本车间正负极对调再刻一次掩膜线，然后投入生产； C、不投

10、入生产；D、无论是否刻划断，在本车间正负极对调再刻一次掩膜线，然后投入生产； 5、一次清洗机清洗液水槽滤袋的清洁频度为： （B） A、1 次/班 B、1 次/周 C、1 次/4 小时 D、1 次/天 6、双结芯片激光一刻线的线宽标准为： 微米 （C） A、3060 B、5080 C、3050 D、50100 7、标准板校正时重合度为： （B） A、偏差40微米 B、偏差50微米 C、偏差60微米 D、偏差70微米 8、标准板更换频度为： 更换一片 （B） A、1 个月 B、2 个月 C、3 个月 D、4 个月 9、生产部校正用标准板为： 级标准板 （C） A、1 B、2 C、3 D、4 10、

11、前工序激光一标准板校正频度为： （C） A、1 次/ （2 小时） B、1 次/ （4 小时） C、1 次/班 D、1 次/天 11、磨边机上料时要注意哪些因素： （ABCDE ） A、检查水电气是否正常。B、测量来料尺寸，查看屏幕上的设定值是否相符合，若直接上料，容易卡片或者光边现象发生。C、检查膜面是否朝上，上料人员上料时片要紧贴右边的定位挡轮，否则导致片斜进入，容易卡片。D、检查中转台和感应器是否正常工作,B机是否有片，安全角是否开启。E、试投一片，检查短边，长边，倒角是否到位，检查皮带，中转台感应器，B机感应器是否能正常工作。12、激光一主要异常有哪些 （ABCD ） A.标准片校准是

12、否到位，激光线是否能刻断，负极边，光斑是否符合要求。B.L1上料和支架边的两个感应器是否能正常工作，感应器失灵容易导致片没有完全进入刻画台就开始刻画，造成刻画不良或者撞片的可能。C.片是否能被气缸夹紧，夹不到位造成少刻线或者刻线不良。D.图纸发送是否正确，电流，频率，速度，切割加速度是否正确。13、激光刻划机均由： （ABC） A.激光光路部分；B.工件运动平台；C.控制系统；D.质量系统。 14、磨边机开机前要检查哪些部位，以下说话正确的有：（A、B、C、D） A、总电源是否开启。 B、高压空气是否开启， C、检查水槽水位是否达到四分之三的高度，A.B机喷淋系统是否有开。 D、A.B机进料感

13、应器是否能正常夹紧。15、保证磨边机-一次清洗机-激光一-二次清机生产线顺畅，应做到以下哪几点： (ABCDE) A. 磨边机上料人员要控制上料频率，要考虑激光一的速度，磨边上料太快容易导致一次清洗机内堵片，B机卡片等事故。B.磨边检测人员要查看水槽是否有水，水不够的话会导致片磨焦，水泵烧坏的可能。C.检测人员要查看B机进入一次清洗时，片若歪斜太多，清洗机内会卡片，叠片。D.激光一检测人员要查看各参数是否正确外，L1上料处观察磨边效果，是否来料有问题，激光一上料等待时间是否过长。E.磨边上料人员与激光一检测人员发现异常要及时沟通，设备故障第一时间通知助工，设备人员。16、罗茨泵的前级真空是(

14、A )时，才能开启罗茨泵：A、 500-600Pa B 、300-400Pa C、600-700Pa D、800-900Pa17、非晶硅工艺用气中未使用到的气体（A）A、 NH3 B、 CH4 C、 PH3 D、 SiH4 E、GeH418、PECVD 气路柜中的流量计需定期 检测 （C）A、1 个月 B、2 个月 C、3 个月 D、6 个月19、PECVD装片时，导电玻璃正极边统一朝哪个方向：（A）A、上 B、下 C、左 D、右20、下列真空泵属于无油类泵的是？（ BD ）A、机械泵 B、分子泵 C、扩散泵 D、吸附泵21、钢化玻璃门使用次数不得超过 次，超过后需进行腐蚀操作 （B）A、3

15、B、5 C、10 D、1222、 PECVD 预抽结束时本底真空值要求为： （A）A、10-3 Pa B、10-4 Pa C、10-5 Pa D、10-6 Pa23、PECVD 卸片时，芯片需冷却到 以下，方可卸片 （B）A、45 B、55 C、60 D、6524、1torr 压力接近 （B）A、70Pa B、130Pa C、240 Pa D、1300 Pa25、真空泵有前级泵和次级泵之分，下面哪些真空泵属于次级泵？（BCD）A、机械泵 B、扩散泵 C、分子泵 D、罗茨泵 E、吸附泵26、按照真空规的不同原理与结构可以分为： (ABCD)A.热偶真空规；B.电离真空规；C.薄膜真空规；D.电阻

16、真空规。27、以下哪些表格属于PECVD日常点检表：(ABCD)A、工件架清洗记录表B、预热炉操作记录表 C、PECVD品质追踪单 D、工件架电极检查操作记录表28、以下哪些不良现象属于PECVD芯片沉积不良：(ABC)A、色差 B、条纹 C、针孔 D、指印29、以下哪些设备属于PECVD段设备：(BCD)A、老化炉 B、沉积炉 C、预热炉 D、工件架30、目前我司在PECVD工序，正常工艺需要用到下面哪些气体？（ABCDE）A、PH3 B、SiH4 C、CH4 D、H2 E、N2 F、O231、同一标准测试环境下，退火后芯片最大输出功率（C）退火前测试值。A低于 B等于 C不低于 D不一定3

17、2、在退火处于加热，冷却等工作状态时，风机要保持在（B）A停止状态 B 工作状态 C间断性的处于工作状态 D以上均可33、退火炉的点检频度为（A）A 1次/12小时 B 1次/6小时 C 1次/4小时 D 1次/2小时34、测试机氙灯的使用次数为（C）A 1万次 B 5万次 C 10万次 D 15万次35、测试工装点检，铝带测试与探针测试误差不超过（）A 0.3W B 0.5W C 1W D 1.5W36、标准板测试功率偏差与其标定值偏差在（C）A PM（±0.15W） ISC（±0.04A） VOC（±0.15V） FF（±0.02）B PM（

18、7;0.15W） ISC（±0.02A） VOC（±0.15V） FF（±0.02）C PM（±0.15W） ISC（±0.015A） VOC（±0.15V） FF（±0.015）D PM（±0.15W） ISC（±0.015A） VOC（±0.015V） FF（±0.015）37、退火炉腔室要保持清洁，每班_要对每一退火炉腔室进行_保养（用吸尘器清洁），保证退火腔室的干净，倒班时需要用沾上酒精的纱布擦拭整个腔室；（B） A、每天、两次 B、每天、一次 C、两天、一次 D、一周、一次3

19、8、测试机里的光源光谱模拟的是（D） A、紫外线光谱 B、可见光光谱 C、红外线光谱 D、太阳光光谱39、生产场校正用标准板为：级标准板（C） A、1 B、2 C、3 D、440、双结电池芯片A系列有感受光面刮伤一块电池不允许超过处（B） A、1 B、2 C、3 D、441、 双结电池芯片A系列点状透空要求 5*5cm2区域内直径小于mm不计（B）A、0.2mm B、0.5mm C、1mm D、2mm42、 双结电池芯片 A系列，边缘破损允许向玻璃内侧延伸 mm（A） A、2mm B、3mm C、4mm D、5mm43、测试显示“测试错误”时的原因是什么？（ABCDE）A检查电池芯片正负级是否

20、放反B正，负级引线接触是否良好或者短路C氙灯电源是否打开并处于工作状态D负载开关是否打开E接线盒铝带断裂44、测试人员校准标准板是允许调整的参数有（ABCE）A、电流测量校准因子 B、 电压测量校准因子 C、 修正电阻 D、 工作电压 E、开关时间45、PVD安全主要事项_（ABCD）A、换靶前必须将靶电源关闭，以防触电。B、PVD工作时人员不得接触靶室上盖，靶室上盖的靶座带直流高压电，以防触电。C、PVD工作前必须打开冷却循环水，以防温度过高发生意外。D、用尺车吊起来靶座前，须确定环形扣已锁紧。46、打开PVD腔室内门阀前，要求门阀两侧腔室的真空压力值小于_ pa。（C）A、200 pa B

21、、300 pa C、500 pa D、800 pa47、换靶作业时，要求两块靶材之间的缝隙为_ mm。（ A ）A、0.5-1mm B、1-2mm C、1.5-3mm D、3-4mm48、当芯片累计数在_ 片范围内，进行靶座清洁处理。（A ）A、5000-6000 B、4000-5000 C、6000-7000 D、7000-800049、每_个月定期清洁PVD所有腔室。（C ） A、1 B、2 C、3 D、450、扫边要求交叉部位错位不大于_mm。（C ） A、0.1mm B、0.2mm C、0.3mm D、0.4mm51、扫边距离，负极边边缘扫去_mm，正极边边缘扫去_mm，且不平行度不能

22、超过_mm，电压边边缘扫去_mm，且不平行度不能超过_mm。（A ） A、9.5-10mm 9-10mm 0.5mm 9.5-10.5mm 1mm B、9-10mm 9.5-10mm 0.5mm 9.5-10mm 1mm C、9.5-10mm 9-10mm 0.5mm 9.5-10mm 1mm D、9-10mm 9.5-10mm 0.5mm 9-10mm 1mm 52、扫边要求边缘完全绝缘，使用万用表测量电阻应大于_M. （D ） A、50 B、100 C、150 D、20053、扫边Ao段错位，_应调整。（A ） A、Ao段振镜Y偏移量 B、Ao段振镜X偏移量 C、Ao旋转角度54、背电极为

23、银白色薄膜层，外观不良判定标准：_。（ ABC ） A、点状透空，5*5mm区域内直径小于0.5mm不计，小于1mm不超过10点，1-2mm不超过5点。 B、烧黑，10*10mm区域内黑点允许直径小于3mm不超过5个，3-5mm不超过2个。 C、不允许有花纹不良现象。55、激光刻划效果，正确的有_。（ ABC ） A、激光二伤导电膜直径不大于10mm，激光三伤导电膜直径不大于20mm。 B、刻划干净彻底，光斑均匀、圆滑。 C、光斑不能为异行或椭圆形，不能有毛刺。56、若产品满足产品一致性则采用正常刻片方式刻划，产品一致性定义：_。（ ABC ） A、前工序同一条生产线生产。 B、整炉导电玻璃激

24、光一是连续刻划。 C、整炉导电玻璃刻划过程中未校标准版。57、再生片在拿去腐蚀之前，必须将芯片编号扫干净，扫边编号区域大小为_。（ B ）A、3.5*60mm B、4.5*60mm C、5.5*60mm D、6.5*60mm58、罗茨泵的前级真空是( A )时，才能开启罗茨泵： A 500-600Pa B 300-400Pa C600-700Pa D800-900Pa 59、白玻清洗机滚刷频率（ C ） A、2530HZ B、3035HZ C、3540HZ D、4045HZ 60、敷设工艺参数要求铝带拐角处离电压边玻璃边缘距离（ B ） A、101.5±1mm B、102.5

25、7;1mm C、103.5±1mm D、104.5±1mm 61、芯片清洗机总共有（C）个水箱。 A、5 B、6 C、7 D、8 62、点焊工序单边要求几个焊点（ C ） A、10 个 B、13 个 C、17 个 D、20 个 63、焊点之间间距（ C ） A、50±10mm B、60±10mm C、70±10mm D、80±10mm 64、层压后电池芯片与背板白玻偏差不超过（ B ） A、2mm B、3mm C、4mm D、5mm 65、双结电池芯片A 系列，边缘破损允许向玻璃内侧延伸 mm （ A ） A、2mm B、3mm C、

26、4mm D、5mm 66、双结电池芯片A 系列，边缘破损允许延玻璃边缘延伸 mm （ D ） A、2mm B、3mm C、5mm D、10mm 67、生产沙淋产品要求清洁打孔平台的清洁频率 （ A ） A .1 次/3 小时 B.1 次/4 小时 C.1 次/2 小时 B.1 次/天 68、组件层压前需检查哪些（ABCD）A .芯片和白玻有无破损，刮伤等不良现象 B.有无异物 C.电压边铝带是否褶皱 D.芯片与白玻有无明显错位，错位小于1mm69、 现阶段我们公司非晶硅组件的功率分段规格为（BC）A GS-36 B GS-42 C GS-50 D GS-5370、对于A系列组件气泡的标准为（ABCD）A 扫边10mm区域直径1-2mm的气泡不超过5个B 非扫边区域直径5-10mm气泡不超过3个C 非扫边区域直径3-5mm气泡不超过3个D 边缘内嵌气泡直径小于1mm不计 71、对于A系列组件异物的标准为（ABC） A 无毛发、血迹等异物 B 非扫边区域纤维异物直径小于0.2mm，长度小于10mm C 非扫边区域点状异物直径小于2mm的不超过5点 D 扫边区1-2mm异物不超过5个 72、 以下说法正确的是（ABC） A 非晶硅组件GS-46对