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文档简介

1、5.4 同步测试习题及解答5.4.1 同步测试习题一、填空题1.在多级存储体系中,Cache的主要功能是_,虚拟存储器的主要功能是_。2.SRAM靠_存储信息,DRAM靠_存储信息。_存储器需要定时刷新。3.动态半导体存储器的刷新一般有_、_和_。4.一个512KB的存储器,其地址和数据线的总和是_。5.若RAM芯片内有1024个单元,用单译码方式,地址译码器有_条输出线;用双译码方式,地址译码器有_条输出线。6.高速缓冲存储器中保存的信息是主存信息的_。二、选择题1.在磁盘和磁带这两种磁介质存储器中,存取时间与存储单元的物理位置有关,按存储方式分_。A二者都是顺序存取 B. 二者都是直接存取

2、C. 磁盘是直接存取,磁带是顺序存取 D. 磁带是直接存取,磁盘的顺序存取2.存储器进行一次完整的读写操作所需的全部时间称为()A.存取时间 B.存取周期 C.CPU周期 D.机器周期3.以下哪种类型的存储器速度最快()A.DRAM B.ROM C.EPROM D.SRAM4.下述说法中正确的是()A半导体RAM信息可读可写,且断电后仍能保持记忆B动态RAM的易失性RAM,而静态RAM中的存储信息是不易失的C半导体RAM是易失RAM,但只要电源不断电,所存信息是不丢失的D半导体RAM是非易失性的RAM5动态RAM的刷新是以()A存储单位 B行 C列 D存储位6.SRAM芯片,其容量为1024&

3、#215;8,除电源和接地端外,该芯片最少引出线数位()A16 B17 C20 D217.存储器容量为32K×16,则()A地址线为16根,数据线为32根B地址线为32根,数据线为16根C地址线为15根,数据线为16根D地址线为16根,数据线为15根8.某计算机字长为32位,存储器容量为4MB,若按字编址,其寻址范围是0到()A220-1 B221-1 C223-1 D224-19.下述说法正确的是()AEPROM是可改写的,因而也是随机存储器的一种BEPROM是可改写的,但它不能用作为随机存储器用CEPROM只能改写一次,故不能作为随机存储器用DEPROM是只能改写一次的只读存储器

4、10.通常计算机的主存储器可采用()ARAM和ROM BROM CRAM DRAM或ROM11.存储器采用部分译码法片选时()A不需要地址译码器 B不能充分利用存储器空间 C会产生地址重叠DCPU的地址线全参与译码12.在主存和CPU之间增加高速缓冲存储器的目的是()A解决CPU和主存之间的速度匹配问题 B扩大主存容量 C扩大CPU通用寄存器的数目 D即扩大主存容量又扩大CPU中通过寄存器的数量13.在程序的执行过程中,Cache与主存的地址映射是由()A操作系统来管理的 B程序员调度的 C由硬件自动完成的 D由软、硬件共同完成的14.采用虚拟存储器的目的()A提高主存的速度 B扩大辅存的存取

5、空间 C扩大主存的存取空间 D扩大存储器的寻址空间15.常用的虚拟存储器寻址系统由()两级A主存辅存 BCache主存 CCache辅存 D控件主存三、判断题1.存取周期是指启动一次存储器操作到完成该操作所需的时间。2.CPU访问存储器的时间是由存储体的容量决定的,存储容量越大,访问存储器所需时间就越长。访问存储器所需时间就越长。3随机存储器需要定时地进行刷新。4因为动态存储器是破坏性读出,所以必须不断地刷新。5断电后,RAM中的数据不会丢失。6动态RAM的异步刷新方式没有读写死区。7断电后,EEPROM中的数据不会丢失。8一般情况下,ROM和RAM在存储体中是统一编址的。9用户编程的地址称为

6、虚地址,通常虚地址的范围要比实地址大得多。四、简答题1说明SRAM的组成结构,与SRAM相比,DRAM在电路组成上有什么不同之处?2DRAM存储器为什么要刷新?采用何种方式刷新?3存储器系统的层次结构可以解决什么问题?实现存储器层次结构的先决条是什么?用什么来度量?五、分析题1某计算机系统字长32位,主存以字节编址,试画了存储器字地址和字节地址的分配情况示意图。2有一个16K×16的存储器,由1K×4的DRAM芯片(内部结构为64×64)构成,问:(1)采用异步刷新方式,如最大刷新间隔为2ms,则相邻两行之间的刷新间隔是多少?(2)如采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少个刷新周期为0.5us,死区占多少时间?死时间率为多少?3某存储器容量为4KB,其中:ROM 2KB,选用EPROM 2K×8;RAM 2K×8;RAM 2KM,选用RAM 1K×8;地址线A15 A0。写出全部片选信号的逻辑式。4.要求用128K×16的SRAM芯片组成512K×16的随机存储器,用64K×16的EPROM芯片组成128K×16的只读存储器。试问:(1)数据寄存器多少位?(2)地址

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