半导体基础知识习题ppt课件

1、工作状态截止状态放大状态饱和状态条件发射结反偏集电结反偏发射结正偏集电结反偏发射结正偏集电结正偏参数关系IB0UCEVCCIC0IC=IBUCEVCC-ICRCIBUCE0应用开关电路放大电路开关电路三极管的三种工作状态及特性三极管的三种工作状态及特性1；.练习：图1、2两三极管都工作在放大状态，分别根据两个电极电流方向和大小，确定第三个电极的电流方向和大小。标出b、c、e极和管型（NPN或PNP）估算值。cbe3mA 1 2 350A4.2mA 1 2 34.3mA图1 图2解：解：图图1 1： I IE E=3+0.5=3.5 mA=3+0.5=3.5 mAIIC C/I/IB B=3/0

2、.05=60=3/0.05=60图图2 2：I IB B=4.3-4.2=0.1mA=4.3-4.2=0.1mAbecIIC C/I/IB B=4.2/0.1=42=4.2/0.1=422；.练习：1、判断下列各管的工作状态：放大状态放大状态饱和饱和状态状态截止截止状态状态0.7V5V0V10.75V10.3V10V0.7V-5V0V3；.答案：锗管，NPN管，3脚为基极，2脚为发射极，1脚为集电极。n练习：n2、放大电路中某三极管各极对地电位为V2=4.7V, V1=10V，V3=5V。判断该管的材料、管型、管脚的极性。4；.练习练习3 3 用直流电压表测某电路中三只晶体管的三个用直流电压表

3、测某电路中三只晶体管的三个电极对地的电压，其数值如图所示。试指出每只晶体电极对地的电压，其数值如图所示。试指出每只晶体管的管的E E、B B、C C三个极，并说明该管是硅管还是锗管。三个极，并说明该管是硅管还是锗管。1231231236V6V0V-2.3V-3V-0.7V5V5.7V-6V1V2V3V)a)b)c5；.1231231236V6V0V-2.3V-3V-0.7V5V5.7V-6V1V2V3V)a)b)c 解 在正常工作的情况下NPN型硅管发射结的直流压降Ube =0.6到0.8伏；PNP型锗管 Ube =-0.2到-0.3伏。V1管的.7 . 0) 3(3 . 2VVVUUUEBB

4、E可见V1 是NPN硅管。三个极： 2为B； 3为E；1为C6；.V2管的VVVUUUEBBE7 . 0) 7 . 0(0V2管是NPN型硅管三个极： 1为B； 2为E； 3为CV3管的VVVUUUEBBE3 . 067 . 5V3管是PNP型锗管三个极： 2为B； 1为E； 3为C7；.1-1 本征半导体掺入五价元素成为( )a)本征半导体 b) N型半导体 c) P型半导体1-2 N型半导体的多数载流子是( )a)电子 b)空穴 c)正离子 d)负离子 b ba a1-3 P型半导体中的多数载流子是（ ），N型半导体的多数载流子是（ ）a) 自由电子 b）空穴b ba a选择题选择题8；.

5、1-4 用万用表的R*10和R*100档测量同一个二极管的正向电阻,两次测量的值分别是R1和R2, 则二者相比,( )。a)R1R2 b)R1=R2 c)R10 b)uD死区电压 c)uD击穿电压 d)uD死区电压1-7锗二极管的导通电压（ ），死区电压（ ）。硅二极管的导通电压（ ），死区电压（ ）。a)0.7V b)0.2V c)0.3V d)0.5Vbcbad9；.1-8 图1-8给出了锗二极管和硅二极管的伏安特性。硅管的特性曲线（ ）a)由a和c组成 b)由a和d组成 c)由b和c组成 d) 由b和d组成1-9 由锗二极管VD，电源E和电阻R（R=3k）组成电路1-9所示，该电路中电流

6、比较准确的值是（ ）a) 0 b) 0.27mA c) 0.4mA d) 0.5mA图1-8IDUDabcdE1.5VVDR图1-9bC10；.1-11 稳压管稳压电路如图1-11所示, 其中UZ1=7V, UZ2=3V , 该电路的输出电压为( )a)0.7V b)1.4V c)3V d)7V1-10 稳压管电路如图1-10所示, 稳压管的稳压值Uz=6.3V,正向导通压降UD=0.7V,其输出电压为( ).a)6.3V b)0.7V c)7V d)14VCCRU0+-24VVSZ2 VSZ1 图1-10U0-+12VRVSZ1 VSZ2 图1-1111；.1-12 稳压管电路如图1-12所

7、示, UZ1=UZ2=7V, 正向导通时UD=0.7V, 其输出电压( )V.a)1.4V b)7V c) 10V d)14V+-R10VVSZ1 VSZ2 U0C图1-1212；.1、对放大电路中的三极管测量，各级对地的电压为UB=2.7V , UE=2V, UC=6V , 则该管为( ) ( ) ( ) a)Si材料 b) NPN材料 c) Ge 材料 d)PNP管 e)工作在放大区2、三极管的ICEO大, 说明其( ).a)工作电流大 b)击穿电压高 c)寿命长 d)热稳定性差d3、工作在放大区的某三极管, 当IB从20uA增大到40uA时, Ic从1mA变为2mA, 则它的值约为( )

8、a)10 b)50 c)100babe13；.4、 电路如图1-24所示, 该管工作在( )区.a)放大 b)截止 c)饱和+UCC12V4k20k =100UBE=0.7VUCES=0.3V图1-24 5、 测得三极管IB=30uA时IC=2.4mA, IB=40uA时IC=3mA,则该管 的交流 电流放大系数为( )a)80 b)60 c)75 d)100c b14；.6、用直流电压表测得放大电路中某晶体管电级1, 2, 3的电位各为V1=2V, V2=6V, V3=2.7V,则( )a) 1为e, 2 为b, 3为c b) 1为e 2 为c 3为b c) 1为b 2 为e 3为c d) 1为b 2 为c 3为e7、晶体管共发射级输出特性常用一族曲线表示 , 其中每一族曲线对应一个特定的（ ）a) iC b)uCE c)iB d)iE8、某晶体管的发射极电流等于1mA,基极电流等于20 , 则它的集电极电流等于( )mA.a)0.98 b)