数电第七章：半导体存储器

1、！单元数庞大！输入/输出引脚数目有限EPROMROMROM可可擦擦除除的的可可编编程程可可编编程程掩掩模模RAMRAM动动态态静静态态A0An-1W0W(2n-1)D0Dm写是一次性编程，不能改！编程时将不用的熔断有出厂时，每个结点上都熔丝由易熔合金制成浮置栅浮置栅控制栅控制栅:fcGG通处正常逻辑高电平下导上未充负电荷，则若导通处正常逻辑高电平下不上充以负电荷，则若工作原理：cfcfGGGG用SIMOS管构成的存储单元的电子回到衬底中。的电子回到衬底中。上上形成导电通道，从而使形成导电通道，从而使少量的空穴和电子对，少量的空穴和电子对，产生产生周围的二氧化硅绝缘层周围的二氧化硅绝缘层照射到叠

2、栅上，使照射到叠栅上，使芯片上的石英窗口芯片上的石英窗口“擦除”：紫外线穿过“擦除”：紫外线穿过形成注入电荷形成注入电荷到达到达部分电子穿过部分电子穿过引下，引下，上所加正电压的电场吸上所加正电压的电场吸在受到在受到沟道内电子获得动能，沟道内电子获得动能，漏源间形成导电沟道，漏源间形成导电沟道，），），上同时加上较高电压（上同时加上较高电压（“写入”：在叠栅管的“写入”：在叠栅管的fff2cGGEPROM,GSiOG25SDV )MOSFLOTOX(EPROM管管浮浮栅栅隧隧道道氧氧化化层层采采用用点点擦擦除除慢慢，操操作作复复杂杂的的缺缺为为克克服服紫紫外外线线擦擦除除的的。这种现象称为隧道

3、效应这种现象称为隧道效应流，流，子可以双向通过形成电子可以双向通过形成电之间出现导电隧道，电之间出现导电隧道，电在漏区和在漏区和度时，度时，区，当场强大到一定程区，当场强大到一定程与漏区之间有小的隧道与漏区之间有小的隧道ffGG01010001010101110101012201010133),(),(),(),(AAAAFDAAAAAAAAFDAAAAAAFDAAAAAAFD 结论：用具有n位输入地址和m位数据输出的ROM可以获得一组（最多m个）任何形式的n变量组合逻辑函数。出出受控于地址译码器的输受控于地址译码器的输和和65TT存储单元存储单元组成基本的锁存器，作组成基本的锁存器，作41

4、TT的作用的作用是门控管，起模拟开关是门控管，起模拟开关85 TT码器码器相连，受控于列地址译相连，受控于列地址译电路电路入输出入输出决定存储单元是否与输决定存储单元是否与输和和I/O87TT6只N沟道增强型MOS管组成的静态存储单元作作才才有有效效。电电路路相相连连，此此时时读读写写操操的的锁锁存存器器才才与与输输入入输输出出同同时时导导通通，存存储储单单元元都都被被选选中中时时，只只有有相相应应的的行行、列列地地址址87TTSCWRAAOIOI片选信号：写信号：读地址线：数据线：/70701024 x 8RAM70OIOI.9870AAAA,.WRWRAAAAOIOI写信号：读地址线：数据线：/987070,个个个个地地址址中中的的占占用用每每片片2561024RAM10237687675125112562550,RAM(4)RAM(1)11100100RAM489、址址范范围