太阳能电池材料发展现状及展望

1、太阳能电池材料发展现状及展望毕业论文（ 2012 届） 题 目: 太阳能电池材料发展现状及展望 学 号: 0903010031 姓 名: 黄传辉 所 属 系：太阳能科学与工程学院 专 业：新能源科学与工程 班 级: 材料工程技术 指导教师：阮子龙新余学院教务处20目 录目 录2太阳能材料发展现状及展望3摘 要3abstract4第1章 太阳电池简介51.1 晶体硅太阳电池51.1.1 单晶硅太阳电池51.1.2 多晶硅太阳电池51.2 薄膜太阳电池61.2.1 非晶硅薄膜电池61.2.2 多晶硅薄膜电池61.3 gaas太阳电池71.3.1 gaas 基单结太阳电池71.3.2 gaas 基多

2、结太阳电池71.4 染料敏化电池7第2章 国内外硅材料的发展现状92.1 半导体硅材料的现状92.2 现代微电子工业对半导体硅材料的新要求102.21 对硅片表面附着粒子及微量杂质的要求102.22 对硅片表面平整度、应力和机械强度的要求10第3章 太阳能硅材料的提纯和制备新技术123.1 改良西门子法123.2 硅烷热分解法123.3 由冶金级硅直接提纯制备太阳能级硅123.4 利用高纯试剂还原二氧化硅133.5 流化床法143.6 其他太阳能级硅制备新技术15第4章 太阳能硅材料的发展趋势164.1 发展多晶硅项目应在国家指导和控制下进行164.2 应多方融资规避市场风险164.3 需要重

3、点研究几项多晶硅技术164.4 必须走自主开发的道路16第5章 结论17参考文献:18致 谢19太阳能材料发展现状及展望 摘 要随着现代工业的发展，全球能源危机和大气污染问题日益突出，太阳能作为理想的可再生能源受到了许多国家的重视。由于不可再生能源的减少和环境污染的双重压力，使得光伏产业迅猛发展；太阳电池的发展也日新月异。本文介绍太阳能硅材料的国内外发展现状,提出太阳能硅材料的先进提纯和制备新技术,指出太阳能硅材料的发展趋势,为太阳能硅材料进一步研究提供依据。最后，介绍了太阳能硅材料的发展趋势。关键词：太阳能，硅材料，新技术。solar materials development presen

4、t situation and prospectabstractwith the development of modern industry,global energy crisis and atmospheric pollution problem increasingly,solar energy as the ideal of the renewable energy by many national attention.with the inevitable renewable energy reduction and environmental pollution double p

5、ressure, making the photovoltaic industry rapid development; solar cell industry also changing.in this paper, the silicon solar energy development present situation at home and abroad, this paper puts forward the advanced silicon solar energy materials preparation and purification of new technology,

6、 and points out the development trend of silicon solar energy, to solar energy silicon further research provides the basis.finally, this paper introduces the development trend of silicon solar energykeywords: solar； silicone materials；new technology.第1章 太阳电池简介1.1 晶体硅太阳电池晶体硅太阳电池是pv(photovoltaic)市场上的主

7、导产品，优点是技术、工艺最成熟，电池转换效率高，性能稳定，是过去20多年太阳电池研究、开发和生产主体材料.缺点是生产成本高.在硅电池研究中人们探索各种各样的电池结构和技术来改进电池性能，进一步提高效率.如发射极钝化、背面局部扩散、激光刻槽埋栅和双层减反射膜等，高效电池在这些实验和理论基础上发展起来的。本节主要介绍单晶硅太阳电池与多晶硅太阳电池。1.1.1 单晶硅太阳电池单晶硅太阳电池制备和加工工艺：一般以高纯度单晶硅棒为原料，有些也用半导体碎片或半导体单晶硅的头尾料，经过复拉制成太阳电池专用单晶硅棒。在电弧中用炭还原石英砂制成纯度约为99%冶金及半导体硅，然后将它在流化床反应器中进行化学反应，

8、达到电子及半导体硅要求。将硅棒切成厚度约 300um 硅片做为太阳电池原料片，通过在硅片上掺和扩散，硅片上形成了pn结，然后采用丝网印刷法，将银浆印在硅片上做成删线，经过烧结，同时制成背电极，并在有删线的面上涂减反射膜，这样，单晶硅电池片就制成了。经检验后的单体片按需要规格组装成太阳电池组件（太阳电池板），用串联和并联方法构成一定输出开路电压和短路电流1。1.1.2 多晶硅太阳电池目前，太阳能电池使用的多晶硅材料，多半是含有大量单晶颗粒的集合体，或用废次单晶硅料和冶金级硅材料熔化浇铸而成。其工艺过程是：选择电阻率为100300q ·cm的多晶块料或单晶硅头尾料，经破碎，再用1：5的氢

9、氟酸和硝酸混合液进行适当的腐蚀，然后用去离子水冲洗呈中性，并烘干。用石英坩埚装好多晶硅料，加人适量硼硅，放人浇铸炉，在真空状态中加热熔化。熔化后再保温约20min，然后注入石墨铸模中，待慢慢凝固冷却后，即得多晶硅锭。这种硅锭可铸成立方体，以便切片加工成方形太阳电池片，可提高材制利用率和方便组装。多晶硅太阳能电池的制作工艺与单晶硅太阳电池差不多，其光电转换效率约12 左右，稍低于单晶硅太阳能电池，但是材料制造简便，节约电耗，总的生产成本较低，因此得到快速的发展。1.2 薄膜太阳电池目前薄膜太阳能电池按材料可分为硅薄膜型、化合物半导体薄膜型和有机薄膜型。本节主要介绍了非晶硅薄膜电池与多晶硅薄膜电池

10、。1.2.1 非晶硅薄膜电池非晶硅有较高的光吸收系数。特别是在0.30.75m 的可见光波段，它的吸收系数比单晶硅高出一个数量级，对太阳辐射的吸收效率要高40 倍左右，用很薄的非晶硅膜（约1m厚）就能吸收90%有用的太阳能。与单晶硅与多晶硅材料相比，非晶态硅的原子在空间排列上失去了长程有序性，但其组成原子也不是完全杂乱无章地分布。由于受到化学键，特别是共价键的束缚，在几个原子的微小范围内，非晶态与晶体的硅具有非常相似的结构特征。由于非晶硅没有晶体所要求的周期性原子排列，可以不考虑制备中晶体与衬底间的晶格失配问题。因而非晶硅薄膜几乎可以淀积在任何衬底上，包括玻璃衬底，易于实现大面积化。1.2.2

11、 多晶硅薄膜电池多晶硅材料是许多单晶颗粒（颗粒直径为数微米至数毫米）的集合体，各单晶颗粒的大小、晶体取向彼此各不相同。尽管多晶硅存在晶粒间界，不利于太阳能电池转换效率的提高。但因制备多晶硅材料比制备单晶硅材料要便宜得多，研究人员正致力于减少晶粒间界的影响以期得到低成本多晶硅太阳能电池。多晶si薄膜电池是兼具单晶si和多晶si电池的高转换效率和长寿命以及非晶si薄膜电池的材料制备工艺相对简化等优点的新一代电池。在不太遥远的将来，多晶si薄膜电池技术可望使太阳电池组件的成本降低至1美元左右，从而使得光伏发电的成本能够与常规能源相竞争。因此，近些年来，多晶si薄膜材料和相关的电池工艺方面的工作引起了

12、人们极大的关注。1.3 gaas太阳电池1.3.1 gaas 基单结太阳电池由于太阳光谱的能量分布较宽，而半导体材料的带隙eg都是确定的，因此只能吸收其中能量比其禁带宽度值高的光子，太阳光中能量小的光子则透过电池被背面电极金属吸收转化成热能，而高能光子超出禁带宽度的多余能量，通过光生载流子的能量热释作用传递给电池材料本身使其发热。这些能量最终都没有变成有效电能，因此对于单结太阳能电池，即使是晶体材料制成的，理论最高转换效率也只有25左右。单结gaas电池只能吸收特定光谱的太阳光，实验室实现的转换效率最高258，高于晶体硅的23 2。1.3.2 gaas 基多结太阳电池采用不同禁带宽度的iiiv

13、族材料制备的多结叠层gaas太阳能电池，通过禁带宽度由大到小组合，使得这些iiiv族材料可以分别吸收和转换太阳光谱中不同波长的光，能大幅提高太阳能电池的转换效率，更多地将太阳能转变成电能。叠层太阳能电池可以外延生长技术制备，在具有一定结晶取向的衬底上延伸并按一定晶体学方向生长薄膜，每层薄膜都称为外延层。在衬底上逐层生长各级子电池，最终得到多结叠层结构电池。目前主要采用的有金属气相外延(mocvd)和分子束外延(mbe)等外延生长技术3。1.4 染料敏化电池1991 年, 瑞士洛桑高等工业学院的michael gr¾ tzel教授领导的研究小组将纳晶多孔薄膜引入染料敏化太阳能电池(ds

14、cs) 中,使得这种电池的光电转换效率有了大幅度的提高, 逐渐成为最有希望得到应用的新型太阳能电池之一。相比于硅基太阳电池, dsc电池以其低廉的成本、简单的工艺和相对较高的光电转换效率而引起了全世界的广泛关注, 并迅速掀起了研究热潮。染料敏化电池主要包括三个部分：附了染料的多孔光阳极、电解质和对电极。染料吸收光子后发生电子跃迁, 光生电子快速注入到半导体的导带并经过集流体进入外电路而流向对电极。失去电子的染料分子成为正离子, 被还原态的电解质还原再生。还原态的电解质本身被氧化, 扩散到对电极, 与外电路流入的电子复合, 这样就完成了一个循环。在dsc电池中,光能被直接转换成了电能, 而电池内

15、部并没有发生净的化学变化。第2章 国内外硅材料的发展现状2.1 半导体硅材料的现状2005年以来,全球太阳能电池产业迅猛发展,使世界硅材料的市场发生了根本的变化,全世界每年的半导体级多晶硅与太阳能电池消耗的多晶硅从2005年以前21的比例变为11,甚至太阳能电池消耗的多晶硅有超过半导体级多晶硅材料的趋势。由于传统应用领域半导体需求正在稳步增长,同时太阳能电池的需求在急剧增长,多晶硅材料出现了巨大的缺口。面对太阳电池对多晶硅和单晶硅材料的巨大需求,各多晶硅厂家计划通过专用生产线和新工艺增加产量,以满足不断增长的需求。世界多晶硅材料的主要生产厂家的生产规模都在千吨到数千吨级规模以上,采用的技术大部

16、分是先进的改良西门子法,多晶硅生产的主要工序都采用计算机控制,设备装备的水平高,采用综合利用技术,不仅提高了经济效益,而且对环境不产生污染,具有明显的竞争优势。在当今全球超过2000(l美元的半导体市场中， 95以上的半导体器件和99以上的集成电路 (lsi)都是用高纯优质的硅抛光片和外延片制做的。在未来3o5o年内，它仍将是lsi 5-业最基本和 最重要的功能材料。半导体硅材料丰富的资源、 优质的特性、日臻完善的工艺以及广泛的用途等综 合优势而成为了当代电子工业中应用最多的半导体 材料，它还是目前可获得的纯度最高的材料之一， 其实验室纯度可达12个 9的本征级，工业化大 生产也能达到711个

17、“9”的高纯度。由于它的优 良性能，使其在射线探测器、整流器、集成电路 (ic)、硅光电池、传感器等各类电子元件中占有极 为重要的地位。同时，由于它具有识别、存储、放 大、开关和处理电讯号及能量转换的功能，而使 “半导体硅”实际上成了“微电子”和 “现代化电 子”的代名词。 半导体硅材料分为多晶硅、单晶硅、硅外延片 以及非晶硅、浇注多晶硅、淀积和溅射非晶硅等。 自从60年代被广泛应用于各类电子元器件以来，其 用量平均大约以每年1216的速度增长。目前全 世界每年消耗约18，000-25，00o吨半导体级多晶硅， 消耗6000-70001单晶硅。1999年，全世界硅片产 量45亿平方英寸，200

18、0年其产量更高。目前全世界 硅片销售金额约60-80(z美元。 现行多晶硅生产工艺主要有改良西门子法和硅烷热分解法。主要产品有棒状和粒状两种，主要用途是用作制备单晶硅以及太阳能电池等。生长单晶硅的工艺可分为区熔(fz)和直拉(cz)两种生长工艺。区熔单晶硅(fzsi)主要用于制作电力电子器件 (sr、scr、gto等)、射线探测器、高压大功率晶体管等；直拉单晶硅(czsi)主要用于制作lsi、晶体管、传感器及硅光电池等。硅外延片(epi)是在单晶衬底片上，沿单晶的结晶方向生长层导电类型、电阻率、厚度和晶格结构都符合特定器件要求的新单晶层。硅外延片主要用于制作cmos电路、各类晶体管以及绝缘栅、

19、双极晶体管(igbt)等。非晶硅、浇注多晶硅、淀积和溅射非晶硅主要用作各种硅光电池等。2.2 现代微电子工业对半导体硅材料的新要求随着微电子工业飞速发展，除了本身对加工技术和加工设备的要求之外，同时对硅材料也提出了更新更高的要求。2.21 对硅片表面附着粒子及微量杂质的要求随着集成电路的集成度不断提高，其加工线也逐步缩j、，因此，对硅片的加工、清洗、包装、储运等工作提出了更高的新要求。对于兆位级器件，0。10 u m的微粒都可能造成器件失效。亚微米级器件要求0。1 u m的微粒降到1o个片以下，同时要求各种金属杂质如fe、cu、cr、ni、a1、na等，都要求控制在目前分析技术的检测极限以下(

20、约为1×1o 原子cm )。2.22 对硅片表面平整度、应力和机械强度的要求硅片表面的局部平整度(sfqd)一般要求为设计线宽的23，以64m存储器的加工线宽o35 in为例，则要求硅片局部平整度在22mm 范围内为o23 m, 256m电路的sfqd为o17 in。同时，器 件工艺还要求原始硅片的应力不能过分集中，机械强度要高，使器件的稳定性和可靠性得到保证，但现在这方面硅材料尚未取得突破性进展，仍是以后研究的一个课题.随着生产规模的扩大，也逐步要求增大硅片直径,使同等规模芯片的收得率明显提高，给器件厂家带来极为显著的经济效益。目前国际市场上硅片的主流直径是200mm，1999年全

21、球硅片用量的分布情况是：200mm占47；150mm占32；125mm占15,100mm占6。2000年直径200mm硅片的用量进一步提高，同时也提出了向300mmh4oomm逐步发展的要求。2001年2002年开始逐步加大300mm硅片的使用量。到2014年，直径将达到45omm。第3章 太阳能硅材料的提纯和制备新技术现有的氯化提纯方法实现工业化生产,但要生产廉价的多晶硅非常困难,为此必须向两个方向发展,在继续保证和发展半导体级多晶硅的同时,要研究和开发生产廉价的太阳能级多晶硅材料新技术。近几年来在制备太阳能电池用多晶硅新工艺、新设备和新技术等方面的研究新成果和技术上的新突破,预示着世界多晶

22、硅工业化生产技术一个新的飞跃即将到来。3.1 改良西门子法 西门子法是以hcl(或cl2,h2)和冶金级工业硅为原料,在高温下合成为sihc3,然后对sihcl3 进行化学精制提纯,接着对sihcl3 进行多级精馏,使其纯度达到9n以上,最后在还原炉中1050的芯硅上用超高纯的氢气对sihcl3 进行还原生长成高纯多晶硅棒(图1)。在电子级多晶硅生产工艺基础上,研发新的多晶硅反应器装置技术,实现低成本太阳能级硅的生产。这也是最有可能实现的低成本太阳能级硅的生产技术之一,目前日本、德国、美国等国家都在进行研究开发该技术。3.2 硅烷热分解法 硅烷是甲硅烷的简称。以氟硅酸、钠、铝、氢气为主要原料制

23、取高纯硅烷,再将硅烷热分解生产多晶硅的工艺。主要工艺流程如图2所示,甲硅烷热分解法的过程包括硅烷的制备、硅烷的提纯以及硅烷的热分解。后来美国的memcpasadena公司以高纯硅烷气为原料生产粒状多晶硅,硅烷的生产过程采用以四氟化硅为原料的无氯化工艺。这种工艺能够使产品不受四氯化硅的污染。3.3 由冶金级硅直接提纯制备太阳能级硅 日本的kawasaki steel公司在日本nedo的资助下提出了以下工艺:以冶金级硅为原料,分两个步骤对其进行提纯。第一阶段,在电子束炉中采用真空蒸馏及定向凝固法除磷和初步除去金属杂质;第二阶段,在等离子体熔炼炉中,采用氧化气氛除去硼和碳。熔后的硅采用定向凝固法冷却

24、,在凝固的过程中除去金属杂质。在两步定向凝固过程中,金属杂质在经过固/液分界面上直接凝固出来。生产出来的太阳能级硅显示p-极性,其电阻系数保持在015115·。日本东京大学的森田一树教授针对该项目开发中存在的问题,热力学研究结果发现添加钙有利于金属硅中铁和钛杂质的去除,提出了一个理论上可行的新工艺。此外,还有一些专家提出了一些湿法精炼的方法。挪威和德国联合进行开发研究,其流程为先将冶金级硅合金化后进行固化处理,然后再进行酸浸及精炼处理,实验样品组装成太阳能电池的最高效率为1418%,并研究了材料的电阻与电池效率间的关系,目前在开展中试研究。此外, heliotronic/wacker

25、公司首先采用酸浸,使得硅金属中的金属杂质进入溶液。随后对浸出后的渣滓进行熔化,最后进行定向凝固;而bayerag公司首先也采用酸浸,然后在反应性气体(氢气、水蒸气、四氟化硅)中熔化,以除去其中的一些杂质。最后采用真空和定向凝固的方法,已达到除杂的效果; elkem公司的方法主要是:金属硅进行破碎后进入酸浸,然后采用加入高纯金属后,采用定向凝固等方法处理硅中的杂质。3.4 利用高纯试剂还原二氧化硅 aulich等,报道了西门子公司的先进的碳热还原工艺;在这里将高纯石英砂制团后用压块的碳黑进行还原,碳黑是用热hci浸出过,使其纯度和氧化硅相当。因为在电弧炉中大约10%的碳是来自电极,因此碳中的有效

26、杂质含量要高一些。尽管如此,杂质的含量得到了大幅度的降低。他们已经在理论上取得了一些进展,但是目前存在的主要问题是碳的纯度得不到保证。碳黑的来源比较困难,主要从天然气中分解得到,其成本比较高,到目前为止还没有得到很好的应用。基于铝氧化产生大量热来还原难熔氧化物,如cr2o3 和mno2 铝热工艺中热源中的一种变革。将这种技术用于硅,形成了崭新的生产方法,这是由dietlt和holm在德国wacker helitronic公司将石英砂进行铝热还原,利用cao- sio2 液相助熔剂在16001700下按照下列反应进行的: 3sio2+4al3si +2al2o3,这种助熔剂一方面可以溶解副产物氧

27、化铝,同时又作为液液萃取介质。一旦硅被释放出来,它与助熔剂是不互熔的,从而被分离开来。由于硅的密度较小,它浮在上层,经过一段时间,将其灌入铸模中进行有控制的正常凝固,以便分离分凝系数小的杂质。用这种新的,半连续的工艺能得到比通常冶金级硅纯度高的硅。它具有较低的硼、酸洗和液-气萃取,这种材料可供太阳电池使用。此外,采用高纯金属还原硅的卤化物也是一条比较理想的途径。目前许多学者对这方面关注比较多。他们采用不同的高纯还原剂还原硅的卤化物从而得到纯度比较高的太阳能级硅。3.5 流化床法 流化床法是美国联合碳化合物公司早年研发的多晶硅制备工艺技术。该方法是以sicl4、h2、hcl和工业硅为原料,在高温

28、高压流化床内(沸腾床)生成sihcl3,将sihcl3 再进一步加氢生成sih2cl2,继而生成硅烷气。制得的硅烷气通入加有小颗粒硅粉的流化床反应炉内进行连续热分解反应,生成粒状多晶硅产品。由于在流化床反应炉内参与反应的硅表面积大,故该方法生产效率高、电耗低、成本低。该方法的缺点是安全性较差,危险性较大,且产品的纯度也不高。不过,它还是基本能满足太阳能电池生产的使用。故该方法比较适合大规模生产太阳能级多晶硅。目前采用该方法生产颗粒状多晶硅的公司主要有:挪威可再生能源公司(rec)、德国瓦克公司(wacker)、美国hem lock和memc公司等公司是世界上惟一一家业务贯穿整个太阳能行业产业链

29、的公司,是世界上最大的太阳能级多晶硅生产商。该公司利用硅烷气为原料,采用流化床反应炉闭环工艺分解出颗粒状多晶硅,且基本上不产生副产品和废弃物。这一特有专利技术使得rec在全球太阳能行业中处于独一无二的地位。rec还积极致力于新型流化床反应器技术(fbr)的开发,该技术使多晶硅在流化床反应器中沉积,而不是在传统的热解沉积炉或西门子反应器中沉积,因而可极大地降低建厂投资和生产能耗。在过去几年中, rec进行了该技术的试产。2006年计划新建利用该技术生产太阳能级多晶硅的工厂,2008年达产,产能6500t。此外, rec正积极开发流化床多晶硅沉积技术和改良的西门子反应器技术。德国瓦克公司开发了一套

30、全新的粒状多晶硅流体化反应器技术生产工艺。该工艺基于流化床技术,已在两台实验反应堆中进行了工业规模生产试验,瓦克公司最近投资了约2亿欧元,在德国博格豪森建立新的超纯太阳能多晶硅工厂,年生产能力为2500t,加上其它扩建措施,新工厂的投产将使瓦克公司在2008年达到9000t的年生产能力,最终于2010年达到11500t的产能。3.6 其他太阳能级硅制备新技术 真空冶金法制备太阳能级硅新技术:该技术利用冶金级硅中杂质分布特点,提出了采用真空冶金技术,组合真空干燥、真空精炼、真空蒸馏、真空脱气、真空定向凝固等新技术直接制备太阳能级硅,生产硅产品纯度超过了99199%,达到太阳能级硅产品要求。从废旧

31、石英光纤中提取高纯太阳能级硅:随着通讯科技的发展,光纤增长非常快。石英光纤主要由高纯度二氧化硅玻璃组成。研究开发处理具有很大潜在使用价值的废旧光纤和次品光纤,以废旧光纤和光纤次品为原料,利用等离子体制备太阳级硅,已经有实验室研究成果报道。熔融电解法制备太阳能级硅:利用废弃石英光纤棒肥料为原料熔融电解法低温制备硅新工艺。获得少量的硅产品。铝-硅熔体低温凝固精炼制备太阳能硅技术:日本东京大学研究人员提出利用铝和硅废料采用低温熔体凝固法制备太阳能硅,并有阶段性成果。第4章 太阳能硅材料的发展趋势我国由于硅材料产量不大,而光伏产业的发展又特别快,因此,受硅材料短缺的影响比其他国家更为严重。为解决制约我

32、国信息产业和光伏发电产业的发展瓶颈问题,满足国内材料需求,在近几年,将可能建成几条千吨级多晶硅生产线。4.1 发展多晶硅项目应在国家指导和控制下进行 多晶硅材料产业的投资资金和技术门槛很高,一个千吨规模的项目,投资约10亿元人民币,如技术不过关,产品成本高,形成盲目投资和低水平重复建设的局面,则必然会带来行业混乱,造成资源和能源的浪费,给企业和国家造成损失。为避免简单重复建设,应该在国家的指导和控制下进行。4.2 应多方融资规避市场风险 多晶硅项目是一个投资巨大,工艺复杂,建设周期较长,易出环保事故的风险项目,必须进行精心设计,精心施工,严格管理。因其项目大,投资大并有技术风险,所以,在该项目

33、的资金筹措上,尽可能走多方融资的道路。建议国家出少许引导资金,然后吸收部分愿意投资从事电子业和光伏业的大公司参股,这样可以规避今后的市场风险。4.3 需要重点研究几项多晶硅技术 在大型节电还原炉技术方面,进一步研究包括36对棒、48对棒的大型节电还原炉技术,同时研究配套的多晶硅生长工艺,生产设备,供电设备和还原炉启动设备,使还原炉直接电耗大大降低,控制在150kw·h/kg以下,使多晶硅生产成本降低,使之能够参与全球竞争。4.4 必须走自主开发的道路 不能搞“翻版”项目,一定要开展自主创新的研发工作。应由国家政府部门出面来组织协调,国家要拿出一定量的创新资金,把国内从事过多晶硅生产的

34、单位和专业技术人员组织起来,促成产学研紧密结合,共同研究发展我国多晶硅关键技术,产业化技术,综合利用和环境保护方面的研究。目前比较紧迫需要解决的就是四氯化硅的综合利用问题,这是个大课题。直接采用四氯化硅生产太阳能电池级多晶硅,或利用四氯化硅生产气相白炭黑,有机硅,高纯石英,光纤预制棒超高纯四氯化硅等,解决四氯化硅的综合利用问题。使之形成一个完整的产业链,同时提高其副产品四氯化硅的附加值。我国必须走自主开发新工艺,新技术,新设备的路子,才能使我国的多晶硅制造技术在“十一五”期间达到或超过国际先进水平,形成有竞争力的我国多晶硅产业。第5章 结论 纵观太阳能电池这二十多年的发展，无论是材料结构的不断

35、丰富，还是工艺的不断改进，都是为了降低成本，提高转换效率。获得性能价格比更高的太阳能电池，为了能够在太阳能发电方面获得一席之地，各国不惜投入大量资金和人力，因地制宜的制定本国的发展计划，从而加速太阳能电池大规模实用化的进程。参考文献:1 蒋荣华1国内外半导体硅材料最新发展状况j1新材料产业, 2002, (7):475212 王春江1多晶硅生产与发展j1化工科技市场, 2000, (5):7913 katsayoshi ina1newsolutionpathforcu/lowkcmpp rocess for a low cost of ownershipa1china2003cmptechnical symposiumc1shanghai: silicon, 2003:113- 1184 杨国鑫,郑永孝1多晶硅产业现状与发展趋势分析j1煤, 2007, 16(3):444515 蒋荣华,