电磁学练习进步题积累含部分标准答案

1、A'1.2.3.4.选择题(本大题15小题，每题2分)第一章、第二章在静电场中，下列说法中哪一个是正确的？(A) 带正电荷的导体，其电位一定是正值(B) 等位面上各点的场强一定相等(C) 场强为零处，电位也一定为零(D) 场强相等处，电位梯度矢量一定相等在真空中的静电场中，作一封闭的曲面，贝U下列结论中正确的是(A) 通过封闭曲面的电通量仅是面内电荷提供的(B) 封闭曲面上各点的场强是面内电荷激发的(C) 应用高斯定理求得的场强仅是由面内电荷所激发的(D) 应用高斯定理求得的场强仅是由面外电荷所激发的 关于静电场下列说法中正确的是(A) 电场和试探电荷同时存在和消失(B) 由E = F

2、/q知道，电场强度与试探电荷成反比(C) 电场强度的存在与试探电荷无关(D) 电场是试探电荷和场源电荷共同产生的 下列几个说法中正确的是：(A)(B)(C)电场中某点场强的方向，就是将点电荷放在该点所受电场力的方向 在以点电荷为中心的球面上，由该点电荷所产生的场强处处相同 场强方向可由E=F/q定出，其中q为试验电荷的电量，q可正、可负, F为试验电荷所受的电场力以上说法全不对。5.(D)平行板电容器中充满相对介电常数为 两表面上极化电荷面密度为 的大小为的各向同性均匀电介质。已知介质，则极化电荷在电容器中产生的电场强度 (A)0(B)厂2 0(C)0(D)6.在平板电容器中充满各向同性的均匀

3、电介质，当电容器充电后，介质中D、E、 P三矢量的方向将是(A) D与E方向一致，与P方向相反(B) D与E方向相反，与P方向一致(C) D、E、P三者方向相同(D) E与P方向一致，与D方向相反7.在一不带电荷的导体球壳的球心处放一点电荷，并测量球壳内外的场强分 布，如果将此点电荷从球心移到球壳内其它位置，重新测量球壳内外的场 强分布，则将发现：(A) 球壳内、外场强分布均无变化(B) 球壳内场强分布改变，球壳外的不变(C) 球壳外场强分布改变，球壳内的不变(D) 球壳内、外场强分布均改变(A)8. 一电场强度为E的均匀电场，E的方向与x轴正向平行，如图所示，则通过 图中(A)E相同，U不同

4、(B) E不同，U相同(C) E不同，U不同(D) E相同，U相同(C)9. 在静电场中，电力线为均匀分布的平行10.如图，有N个电量均为q的点电荷，以两种方式分布在相同半径的圆周上,11.一种是无规则地分布，另一种是均匀分布，比 较这两种情况下在过圆心 0并垂直于圆平面的 z轴上任一点P的场强与电势，则有(A) 场强不等，电势不等(B) 场强相等，电势相等(C) 场强分量Ez相等，电势相等(D) 场强分量Ez相等，电势不等Ci和C2两空气电容器并联起来接上电源充电，然后将电源断开，再把一电介质板插入Ci中，则(A) Ci和C2极板上电量都不变(B) Ci极板上电量增大，C2极板上电量不变(C

5、) Ci极板上电量增大，C2极板上电量减少(D) Ci极板上电量减少，C2极板上电量增大i2.在一点电荷产生的静电场中，一块电介质如图所示放置，以点电荷所在处 为球心做一球形闭合面，则对此球形闭合面(A)高斯定理成立，且可用它求出闭合面上各点的场强(B) 高斯定理成立，但不能用它求出闭合面上各点的场强(C) 由于电介质不对称分布，高斯定理不成立(D) 即使电介质对称分布，高斯定理也不成立i3.i4.有一接地的金属球，用一弹簧吊起，金属球原来不带电，若 在它的下方放置一电量为q的点电荷，如图所示，贝U (A) 只有当q>0时，金属球才下移(B) 只有当q<0时，金属球才下移(C) 无

6、论q是正是负金属球都下移(D) 无论q是正是负金属球都不动真空中有一半径为R的均匀带电圆环，带电量为 Q。在下列说法中，哪一项是正确的？(A)由于带电体具有轴对称性，电场强度可以由高斯定理求得;直线的区域内，在电力线方向上任意两点的电场强度E和电势U相比较(B) 圆环中心的场强为零;(C) 圆环中心的电势一定，其值为 Q 4 oR ;15.16.(D)以上说法全不对。如图，不带电的金属导体球壳外有一电荷q，金属内及腔内电场为零，即所谓被屏蔽，屏蔽原理为：(A) 电荷q在金属内及腔内不能产生电场；(B) 金属外表面产生均匀分布的感应电荷，感应电荷在金属内及腔内的电场为零；(C) 电荷q及感应电荷

7、在空间各点的和电场为零；(D) 在金属内及腔内，电荷q及感应电荷的电场大小相等 方向相反。两个形状相同带有等量同号电荷的金属小球，相互作用力为F。现用一个有绝缘柄、不带电的相同半径金属小球去与两小球先后接触后移走，此时二小球的相互作用力为17.如图，在充电后的平板电容器中插入电介质，则(A) F/2 ；(B) F/4 ；(C) 3F/8; (D) F/10(A) 在1、2区部分，电容极板上的自由电荷面密度相同;(B) 在1、2区部分，两电容极板间的电压相同;(C) 在1、2区部分，两电容极板间的电场强度 不同；(D) 在1、2区部分，对应的电位移矢量大小相同;18. 电场强度与电势的关系为：(

8、A) 电场强度空间分布为已知时；空间各点的电势值将唯一确定；(B) 电势空间分布为已知时；空间各点的电场强度值将唯一确定；(C) 在等势面上，某些特殊点处的电场线可以不垂直等势面上；(D) 在涡旋电场中，电势仍然有意义。19. 有两个带电量不同的金属球，直径相等，一个是中空的，另一个是实心的。现使它们互相接触，则此两导体球上的电荷()(A) 不变化(B)平均分配(C)不平均分配20. 一均匀带电球面，球内电场强度处处为零，则球面上的带电量为dS的面元在球面内产生的电场强度()(A) 处处为零(B)不一定为零 (C) 一定不为零21. 在真空平行板电容器的中间平行插一片介质，当给电容器充电后，电

9、容器 内的场强为()(A) 介质内的电场强度为零；(B) 介质内与介质外的电场强度相等；(C) 介质内的场强比介质外的场强小；(C)介质内的场强比介质外的场强大。22. 在点电荷产生的电场中有一块不对称的电介质，这样对以点电荷为球心的 球形高斯面()(A) 高斯定理成立，并可以求出高斯面上各点的E;(B) 高斯定理成立，但不能由高斯定理求出高斯面上各点的E；(C) 高斯定理不成立；(D) 即使电介质对称，高斯定理也不成立。23. 如图所示为静电场的一部分电力线的分布情况，下列说法中正确的是(A )这个电场可能是负点电荷形成的电场(B) A、B两点的场强方向相同(C) 点电荷q在A点受到的电场力

10、一定比在B点时大(D) A点的电势一定比B点的电势高24. 金属圆锥体带正电荷时，其表面(C)圆锥顶点处电位最低(D)圆锥表面附近场强处处相等(A) 圆锥顶点处电位最高(B)圆锥顶点处场强最大25. 关于电介质下列说法正确的是(A) 附加场E使介质内E小于外场E0(B) 均匀介质的极化电荷分布在介质内部(C) 极化强度P仅由介质性质决定(D) D矢量只由自由电荷决定与极化无关第三章稳恒电流1. 稳恒电流流经均匀导体，则导体内部任一体积内的电荷工qi和导体 表面电q为(A)艺 q i 丰0， qM0;(B)2q i=0， qM0;(C) 艺 q i=0， q = 0;( D)2q i m0， q

11、 = 0。2.把截面相同的铜丝和钨丝串联后接在一直流电路中，铜、钨的电流密度 和电场强度分别为jl、j2和El、E2，贝U()(A) j 1=j 2， E1<E2；(C) j1<j2, E1VE2；(B)j 1=j 2,曰=巳；(D) j1>j2，E1>E2。第四章稳恒磁场1. 若空间存在两根无限长直载流导线，空间的磁场分布就不具有简单的对 称性，则该磁场分布(A) 不能用安培环路定理来计算(B) 可以直接用安培环路定理求出(C) 只能用毕奥萨伐尔定律求出(D) 可以用安培环路定理和磁感应强度的叠加原理求出2. 如图所示的两个半径为 R的相同的金属环在a、b两点接触(a

12、b连线为环直径)，并相互垂直放置。电流I沿ab连线方向由a端流入，b端流出,则环中心O点的磁感应强度的大小为(A) 0 (B)(C) 士4R4R(D)3. 一电量为q、质量为m的带电粒子以速度v垂直均匀磁场B运动时，其回旋频率、半径为(A) qB2 2 m ； mv qB ； ( B)qB 2 m ； mv qB(C) qB m ； mv qB ；( D) qB 2 m ； qB mv4.已知半径为r的圆形导线，载有电流I，圆心P处的磁感应强度为B0，若 另有一如图所示的、半径为处的磁感应强度为多少？(A) 4Bo(B) 2B0(C) BoD)Bo/2(E) Bo/4r、载流为I的半圆形导线，

13、试问后者在P点 )电流强度为I，假设壳5.在无限长直圆柱形的薄导体壳中，流有均匀电流， 层厚度很薄，磁感应强度B的空间分布为(A) 壳内、壳层中B为零，壳外BoI (2 r)；(B) 壳内、壳层中B为零，壳外B0I (2 r2)(C) 壳内B=0,壳外BoI(2 r),壳层中的B无法确定；(D) 壳内B=0,壳外BoI(2 r),壳层中的B oI (4r)。6. 均匀磁场的磁感应强度 B垂直于半径为r的圆面，今以该圆面为边界，作一半球面S,则通过S面的磁通量的大小为()(A) 2 nr(B)|n2r(C) 0(D)无法确定的量。7. 下列说法中正确的是()(A) 通电短导线在磁场中一定受到安培

14、力的作用(B) 通电直导线在匀强磁场中受到的安培力一定等于B、I、L三者的乘 积(C) 当磁场方向和电流方向同时反向，该通电直导线受到的安培力的方 向与原来方向相同(D)以上说法都不对8. 在匀强磁场中，有两个平面线圈，其面积 S1=2S2，通有电流I1 =2b，它们所受的最大磁力矩之比 M1 / M2等于(A) 1 ;(B) 2 ;(C) 4;(D) 1/49. 长直电流12与圆形电流I1共面，并与其一直径相重合，如 图(但两者间绝缘)，设长直电流不动，则圆形电流将(A) 绕I2旋转(B) 向左运动(C) 向右运动(D) 向上运动10. 在均匀磁场中放置三个面积相等且通过相同电流的线圈，一个

15、是矩形,一个是正方形，一是三角形，则(A) 正方形受力为零，矩形最大;(B) 三角形受的最大磁力矩最小；(C) 三线圈的合磁力和最大磁力矩皆为零;(D) 三线圈所受的最大磁力矩均相等。11.dl ° I使用条件为 (A) 任意条件；(B) 载流体具有某种对称性；(C) 真空、稳恒电流；(D) 真空，任意电流。12. 一块半导体样品呈长方体形，如图放置。沿 x轴正方向有电流I，在z轴 正方向有均匀磁场B，测得样品两侧电位差 Uaa =Ua-Ua 0,贝U(A) 载流子带负电荷；(B) 载流子带正电荷；(C) 无法判别载流子所带电荷的正负。第五章1.在圆柱形空间内有一磁感应强度为B的均匀

16、磁场，如图所示，B的大小以速率dB/dt变化。有一长度为I的金属棒先后放在磁场的两个不同位置1 (ab)内的(A) 2 =(B) 2<(C) 2>和2 (a b )，则金属棒在这两个位置时棒(D)感应电动势的大小关系为1 0111 = 02.如图所示，导体棒AB在均匀磁场B中绕通过C点的垂直于棒且沿磁场方向的轴00转动(角速度与B同方向)，BC的长度为棒长的1/3,O_ IIC则(A) A点比B点电位高(B) A点与B点电位相等A(C) A点比B点电位低(D) 有稳恒电流从A点流向B点3. 面积为S和2S的两圆线圈1、2如图所示放置，通有相同的电流I，线圈1的电流所产生的通过线圈2

17、的磁通用12表示，线圈2的电流所产生的 通过线圈1的磁通用21表示，贝U 12和21的大小关系为：(E) 12= 2 21(F) 12=21/2(G) 12=21(H) 12>214. 在圆柱形空间内有一磁感应强度为B的均匀磁场，如图所示，B的大小以速率dB/dt变化。在磁场中有A、B两点，其间可放直导线 AB和弯曲的导线AB,则(I) 电动势只在AB导线中产生；(J) 电动势只在AB导线中产生；(K) 电动势在Ab和AB中都产生，且两者大小相等(L) AB导线中的电动势小于 AB导线中的电动势5. 两个相距不太远的平面圆线圈，设其中一线圈的轴线恰通过另一线圈的圆心，怎样放置可使其互感系

18、数近似为零 ？(A) 两线圈的轴线互相平行(B)两线圈的轴线成45°角(C)两线圈的轴线互相垂直(D)两线圈的轴线成30°角6. 如图所示，乙线圈和甲线圈互相绝缘，且乙线圈有一半面积在甲线圈内，当甲线圈中的电流逐渐减弱时，乙线圈中的感应电流()(A) 为零；乙B)顺时针流动;(C) 逆时针流动;(D) 无法确定7. 如图所示，长度为I的直导线ab在均匀磁场B中以速度v移动，直导线 ab中的电动势为(A) Blv(B) Blv sin(C) Blv cos(D) 08. 线圈A、B平行近邻放置，在线圈 A中流过脉冲电流时，则线圈 B (假 设其它力可以忽落)a) 远离线圈A

19、；b) 靠近线圈A ；c) 运动方向不确定，与线圈A中脉冲电流方向有关； 第六章1. 有两个长度和匝数相同，而横截面积不同的细长空心螺线管，当螺线管中通有相同的电流时，()(M) 二管内的磁场能量密度 w大w 小;(N) 二管内的磁场能量密度 w小w 大;(O) 二管内的磁场能量密度 w大=w 小 ；(P) 无法判断。2. 在抗磁质中，磁场强度H与磁感应强度B的关系应满足下列情况的哪一 种( )(A) 0H = B(B) I0H > B(C) 0H V B (D) 0H = B = 03. 如图所示中一均匀磁化的环形永磁体，磁化强度为M，环内的磁场强度为Hi。若把环割出一很小的气隙，气隙

20、中的磁场强度为H2，则(A) HiM,H2M2;(B) HiM，H20；(C) Hi M 2，H2 M ；(D) Hi0，H2M。H磁铁1 H空气 °Hi 0Bin ° ( H in Min)° M = B 2n= ° H 2 n H2 M。4. 在两个同向载流环相互靠近时：(A) 安培力做正功，系统磁能增加；(B) 安培力做负功，系统磁能减小；(C) 安培力做正功，系统磁能降低；(D) 安培力做负功，系统磁能增加。(A)边界上也没有磁化电流；(B)B2大于Bi；Bin B2n(C)B2小于Bi；(D)边界两侧的磁化强度连续6.顺磁物质的磁导率(A) 比

21、真空的磁导率略小(B) 比真空的磁导率略大5. 如图，MN代表两磁介质边界，边界上没有传导电流，则(C) 远小于真空的磁导率(D) 远大于真空的磁导率第八章1. 半径为R的圆形平行板电容器接在角频率为的简谐交流电路中，极板上电荷q= qosin( t+ )，则电容器极板间的位移电流Id为(忽略边缘效应)(A)-q02 sint(B)qcos tRR(C)q0 cost(D)VcostR2. 在下面的叙述中，选择一种正确说法。(A) H只与传导电流有关；(B) 在弱磁质中，不论是抗磁质还是顺磁质，B与H的方向总是相同；(C) 当传导电流分布对称时，可以由安培定律计算磁介质中的磁 场；(D) 以上

22、说法都不正确。3. 对位移电流，有下述四种说法，其中说法正确的一项是(A) 位移电流是由变化电场产生的(B) 位移电流是由变化磁场产生的(C) 位移电流的热效应服从焦耳-楞次定律(D) 位移电流的磁效应不服从安培环路定理4. 在下面的麦克斯韦方程组中，哪两个公式表明电场、磁场可以相互激发？BSD dS v °dV()lE dl sdS2)，SB dS 0(3 ,L H dl Io sfdS (4(A)、(2) ；(B)(3)、(4);(C)、(3)；(D)(2)、(4)5. 下列正确的说法有 (A)变化的电场产生的磁场，一定也变化；(B) 变化的磁场产生的电场，一定也变化；(C) 有

23、电流就有磁场，无电流就一定无磁场；(D) 变化的电场产生的磁场，磁场不一定变化。6. 在电磁学中，矢量在闭合曲面上的通量是一个重要的问题，由通量特性可以得到重要的结论。在下面论述中，哪一观点是错误的？(A) 涡旋电场、磁感应强度在闭合曲面上的通量恒为零；(B) 在任意条件下，涡旋电场线始终闭合；(C) 在任意条件下，传导电流密度在闭合曲面上的通量不为零；(D) 某一矢量在闭合曲面上的通量为零，表明该矢量线闭合。7. 如图，电子沿箭头方向运动到终端停止。在一般情况下，下述论述中哪一个是正确的？(A) 系统的电场不变化；(B) 传导电流连续；(C) 任何意义的电流均不连续；(D) 以上结论均不正确

24、。8. 棒状发射天线，其上的传导电流为I二I0cos( t+ )，下述哪一种表述是不 正确的。(A) 天线顶端一定存在电荷；(B) 天线周围一定存在位移电流；(C) 位移电流与导线上的自由电荷无任何关系；(D) 以上表述都对 简答题：(本大题2小题，每题5分)1. 用载流试验线圈检验空间有无磁场存在时，如果把试验线圈放到空间某 处线圈静止不动，该点是否一定没有磁场存在？2. 有两个相距很远的金属球，一大一小，带等量同号电荷，问这两个球的电位是否相等？如果用一根长导线把这两个球连接起来，导线上是否有 电荷流动？3. 在没有电流的空间中，根据磁场中的高斯定理、安培环路定理说明，是 否可能存在如图所

25、示的稳恒磁场？4. 将一带正电的导体A置于一中性导体B附近，B上将出现感应电荷。A上 的电荷也将重新分布。根据电势与电场线的关系，说明A导体上不能出现如图所示的电荷分布。5. 变化的电场所产生的磁场，是否也一定随时间而变化？反之，变化的磁 场产生的电场，是否也一定随时间而变化？6. 采用金属良导体可以屏蔽静电场，导体的感应电荷使导体具有“抗电质” 特性。在磁屏蔽中，是否也可以使用抗磁质屏蔽稳恒磁场？为什么？7. 均匀磁场与非均匀磁场的磁力线分布有何不同，举例说明怎样的电流 能产生均匀磁场？1.如图所示，AB=2I，D位于AB延长线上，OCD是以0D底，高为I的等 腰三角形，BD间距为I。A点有

26、正点电荷+q，B点有负点电荷q。(1) 把单位正电荷从0点沿OCD移到D点，电场力对它作了多少功？(2) 把单位负电荷从D点沿AB的延长线移到无穷远去，电场力对它作 了多少功？2. 两块大小相同的平行金属板，带有相同的电荷量且电荷异号，略去边缘 效应。试证明：电荷只分布在相向的两面上。3. 圆柱形电容器是由半径为 a的导线和与它同轴的导体圆筒构成，圆筒内 半径为b,长为I，其间充满了两层同轴圆筒形的均匀介质，分界面的半 径为r，相对介电常数分别为i和2（见附图），略去边缘效应，求电容C4. 一条载有电流I的无穷长直导线在一处弯成如图所示的环路， 其中一部分 是半径为r的四分之三圆弧，另一部分是

27、半径为R的四分之一的同心圆弧，两圆弧和直导线在同一平面内。由于导线表面有绝缘层，所以在接触处并不短路。试求圆心附：简单的磁场计算可考题目有限，否则即是考积分技巧，但典型的磁场计算定要掌握！5.只有一根辐条的轮子在均匀外磁场图所示，轮子和辐条都是导体，辐条长为 与轮边的电位差。B中转动，轮轴与B夹角为，如R,轮子每秒转N圈。求轮轴6. 一无穷长的导体直圆管，内半径为Ri，外半径为R2，载有电流I，I沿轴线方向流动，并且均匀分布在圆管的横截面上，其中一段如图所示。求8. 一均匀带电球，体电荷密度为(=常数),半径为R(1) 求球内外的电场强度分布；(2) 以球面为电势零点，求球内外的电势分布9. 一球壳体的内外半径分