电工学电子技术第14章

1、14.1半导体的导电特性半导体的导电特性14.2二极管二极管14.3稳压二级管稳压二级管14.4晶体管晶体管14.5光电器件光电器件第第14章章 半导体器件半导体器件导体：导体：自然界中很容易导电的物质称为自然界中很容易导电的物质称为导体导体，金属，金属一般都是导体一般都是导体。绝缘体：绝缘体：有的物质几乎不导电，称为有的物质几乎不导电，称为绝缘体绝缘体，如橡，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。皮、陶瓷、塑料和石英。半导体：半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为体之间，称为半导体半导体，如锗、硅、砷化镓，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。和一

2、些硫化物、氧化物等。14.1半导体的导电特性半导体的导电特性14.1.1本征半导体本征半导体 半导体的导电特性：半导体的导电特性： 当受外界热和光的作用时，它的导电能当受外界热和光的作用时，它的导电能 力明显变化。力明显变化。 往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使 它的导电能力明显改变。它的导电能力明显改变。本征半导体就是完全纯净的、具有本征半导体就是完全纯净的、具有晶体结构的半导体。晶体结构的半导体。 14.1.1本征半导体本征半导体 自由电子自由电子空穴空穴共价键共价键SiSiSiSi本征半导体中自由本征半导体中自由电子和空穴的形成电子和空穴的形成用得最多的

3、半导体是硅或锗用得最多的半导体是硅或锗, ,它们它们都是四价元素。将硅或锗材料提纯并形都是四价元素。将硅或锗材料提纯并形成单晶体后，便形成共价键结构。在获成单晶体后，便形成共价键结构。在获得一定能量得一定能量( (热、光等热、光等) )后，少量价电子后，少量价电子即可挣脱共价键的束缚成为即可挣脱共价键的束缚成为自由电子自由电子，同时在共价键中就留下一个空位，称为同时在共价键中就留下一个空位，称为空穴空穴。自由电子和空穴总是成对出现。自由电子和空穴总是成对出现, ,同时又不断复合。同时又不断复合。1 1）本征半导体的结构特点）本征半导体的结构特点1 1）本征半导体的结构特点）本征半导体的结构特点

4、GeSi硅和锗的晶体结构硅和锗的晶体结构（完全纯净的、结构完整的半导体晶体）（完全纯净的、结构完整的半导体晶体）硅和锗的共价键结构硅和锗的共价键结构共价键共共价键共用电子对用电子对+4+4+4+4+4+4表示除表示除去价电子去价电子后的原子后的原子 共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为为束缚电子束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。以本征半导体的导电能力很弱。+4+4+4+4自由电子自由电子空

5、穴空穴束缚电子束缚电子2)2)本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理(1)(1)两种载流子两种载流子-自由电子、空穴自由电子、空穴空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为空穴是载流子空穴是载流子。在外电场的作用下，自由在外电场的作用下，自由电子逆着电场方向定向运动形电子逆着电场方向定向运动形成成电子电流电子电流。带正电的空穴吸。带正电的空穴吸引相邻原子中的价电子来填补，引相邻原子中的价电子来填补，而在该原子的共价键中产生另而在该原子的共价键中产生另一个空穴。空穴被填补和相继一个空穴。空穴被填补和相继产生的现象，可以看成空穴顺产生的现象，可以看成空穴

6、顺着电场方向移动，形成着电场方向移动，形成空穴电空穴电流流。可见在半导体中有可见在半导体中有自由电自由电子子和和空穴空穴两种载流子，它们都两种载流子，它们都能参与导电。能参与导电。空穴移动方向空穴移动方向 电子移动方向电子移动方向 外电场方向外电场方向SiSiSiSiSiSiSi温度越高，载流子的浓度越高，本征半导体的导电温度越高，载流子的浓度越高，本征半导体的导电能力也就越强，温度是影响半导体性能的一个重要能力也就越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。的外部因素，这是半导体的一大特点。本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。本征半导体的导电能力取决于载流子的浓

7、度。本征半导体中电流由两部分组成：本征半导体中电流由两部分组成： 1. 1. 自由电子移动产生的电流。自由电子移动产生的电流。 2. 2. 空穴移动产生的电流。空穴移动产生的电流。P P 型半导体型半导体：（空穴半导体）（空穴半导体）N N 型半导体型半导体：（电子半导体）（电子半导体）14.1.2N 型半导体和型半导体和 P 型半导体型半导体+4+4+5+4多余多余电子电子磷原子磷原子 在硅或锗的晶在硅或锗的晶体中掺入微量的体中掺入微量的五价元素（五价元素（P P）。）。1 1、由磷原子提供的电子，浓度与磷原子相同。、由磷原子提供的电子，浓度与磷原子相同。2 2、本征半导体中成对产生的电子和

8、空穴。、本征半导体中成对产生的电子和空穴。掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流多数载流子子（多子多子），空穴称为），空穴称为少数载流子少数载流子（少子少子）。）。1)N 1)N 型半导体型半导体2)P2)P 型半导体型半导体P 型半导体中空穴是多子，电子是少子型半导体中空穴是多子，电子是少子。+4+4+3+4空穴空穴硼原子硼原子 在硅或锗的晶在硅或锗的晶体中掺入微量的体中掺入微量的三价元素（三价元素（B B）。）。3)3)杂质半导体的示意表示法杂质半导体的

9、示意表示法杂质杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。型半导体多子和少子的移动都能形成电流。但由于数量的关系，起导电作用的主要是多子。但由于数量的关系，起导电作用的主要是多子。近似认为多子与杂质浓度相等近似认为多子与杂质浓度相等。P 型半导体型半导体+N 型半导体型半导体 1 1、PN PN 结的形成结的形成在同一片半导体基片上，分别制造在同一片半导体基片上，分别制造P P 型半导型半导体和体和N N 型半导体，经过载流子的扩散，在它们的型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了交界面处就形成了PN PN 结。结。14.1.3PN 结及其单向导电性结及其单向导电性P型半导体型半导体

10、N型半导体型半导体+扩散运动扩散运动内电场内电场E E漂移运动漂移运动扩散的结果是使空间电扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽，空间电荷区逐渐加宽，空间电荷区越宽。荷区越宽。内电场越强，就使漂移内电场越强，就使漂移运动越强，而漂移使空运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。间电荷区变薄。空间电荷区，空间电荷区，也称耗尽层。也称耗尽层。漂移运动漂移运动P P型半导体型半导体N N型半导体型半导体+扩散运动扩散运动内电场内电场E E所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡，所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡，相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚度

11、固定不变。度固定不变。浓度差浓度差扩散运动扩散运动内电场内电场阻碍扩散运动阻碍扩散运动利于漂移运动利于漂移运动PN PN 结的形成过程小结结的形成过程小结扩散运动扩散运动漂移运动漂移运动内电场内电场内电场不变内电场不变扩散运动和漂移运动扩散运动和漂移运动动态平衡动态平衡+RE1 1）PN PN 结正向偏置结正向偏置内电场内电场外电场外电场变薄变薄PN+_内电场被削弱，多子内电场被削弱，多子的扩散加强能够形成的扩散加强能够形成较大的扩散电流较大的扩散电流。2 2、PNPN结的单向导电性结的单向导电性2 2）PN PN 结反向偏置结反向偏置+内电场内电场外电场外电场变厚变厚NP+_内电场被加强，多

12、子的内电场被加强，多子的扩散受抑制。少子漂移扩散受抑制。少子漂移加强，但少子数量有限，加强，但少子数量有限，只能形成较小的反向电只能形成较小的反向电流流。RE PNPN结加正向电压时，结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流； 由此可以得出结论：由此可以得出结论： PNPN结具有单向导电性。结具有单向导电性。 PNPN结加反向电压时，结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。14.2二极管二极管14.2.1基本结构基本结构 将将 PN 结加上相应的电极引线和管壳，就成为半导体二极结加上相应的电极引线和管壳

13、，就成为半导体二极管。按结构分，有点接触型和面接触型两类。管。按结构分，有点接触型和面接触型两类。点接触型点接触型表示符号表示符号正极正极负极负极金锑合金金锑合金面接触型面接触型N型锗型锗 正极引线正极引线负极引线负极引线 PN 结结底座底座铝合金小球铝合金小球引线引线触丝触丝N 型锗型锗外壳外壳半导体二极管图片14.2.2伏安特性伏安特性二极管和二极管和 PN 结一样，具有单向导电性，由伏安特性曲结一样，具有单向导电性，由伏安特性曲线可见，当外加正向电压很低时，电流很小，几乎为零。正线可见，当外加正向电压很低时，电流很小，几乎为零。正向电压超过一定数值后，电流很快增大，将这一定数值的正向电压

14、超过一定数值后，电流很快增大，将这一定数值的正向电压称为死区电压。通常，硅管的死区电压约为向电压称为死区电压。通常，硅管的死区电压约为 0.5 V。导。导通时的正向压降，硅管约为通时的正向压降，硅管约为 0.6 0.7 V。 604020 0.02 0.0400.4 0.82550I / mAU / V正向特性正向特性硅管的伏安特性硅管的伏安特性死区电压死区电压击穿电压击穿电压U(BR)反向特性反向特性在二极管上加反向电压在二极管上加反向电压时，反向电流很小。但当反时，反向电流很小。但当反向电压增大至某一数值时，向电压增大至某一数值时，反向电流将突然增大。这种反向电流将突然增大。这种现象称为现

15、象称为击穿击穿，二极管失去，二极管失去单向导电性。产生击穿时的单向导电性。产生击穿时的电 压 称 为 反 向 击 穿 电 压电 压 称 为 反 向 击 穿 电 压 U(BR)。 I / mAU / V0.20.4 25 50510150.010.02锗管的伏安特性锗管的伏安特性0锗管死区电压为锗管死区电压为 0.1V，导通时的正向压降为，导通时的正向压降为 0.2 0.3 V。0 D/V0.2 0.4 0.6 0.8 10 20 30 405101520 10 20 30 40iD/ AiD/mA死区死区VthVBR硅二极管硅二极管2CP102CP10的的V V- -I I 特性特性0 D/V

16、0.2 0.4 0.6 20 40 605101520 10 20 30 40iD/ AiD/mAVthVBR锗二极管锗二极管2AP152AP15的的V V- -I I 特性特性正向特性正向特性反向特性反向特性反向击穿特性反向击穿特性导通压降导通压降: : 硅管硅管0.60.7V,锗管锗管0.20.3V 死区电压死区电压 硅硅管管0.5V,锗管锗管0.2V硅二极管与锗二极管硅二极管与锗二极管V V- -I I 特性比较特性比较正向特性正向特性反向特性反向特性反向击穿特性反向击穿特性14.2.3主要参数主要参数1最大整流电流最大整流电流 IOM最大整流电流是指二极管长时间使用时，允许流过二极最大

17、整流电流是指二极管长时间使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。管的最大正向平均电流。2反向工作峰值电压反向工作峰值电压 URWM它是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，一般它是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，一般是反向击穿电压的一半或三分之二。是反向击穿电压的一半或三分之二。3反向峰值电流反向峰值电流 IRM它是指二极管上加反向工作峰值电压时的反向电流值。它是指二极管上加反向工作峰值电压时的反向电流值。定性分析：定性分析：判断二极管的工作状态判断二极管的工作状态导通导通截止截止 若二极管是理想的，若二极管是理想的，14.2.4 14.2.4 二极管电路分析二极管电路分析举例举例

18、二极管的应用范围很广二极管的应用范围很广, ,主要都是利用它的单向导电性。主要都是利用它的单向导电性。它可用作它可用作整流、检波、限幅、元件保护整流、检波、限幅、元件保护以及在数字电路中作以及在数字电路中作为为开关开关元件。元件。 例例 1 1 在图中，输入电位在图中，输入电位 V VA A = +3 V = +3 V， V VB B = 0 V = 0 V， 电阻电阻 R R 接负电源接负电源 12 V12 V。求输出端电位。求输出端电位 V VY Y。 解解 因为因为 V VA A 高于高于 V VB B ，所以所以 D DA A 优先导通。如果二极管优先导通。如果二极管的正向压降是的正向

19、压降是 0.3 V0.3 V，则，则 V VY Y = = +2.7 V+2.7 V。当。当 D DA A 导通后，导通后，D DB B 因因反偏而截止。反偏而截止。在这里，在这里，D DA A 起钳位作用，将起钳位作用，将输出端电位钳制在输出端电位钳制在 +2.7 V+2.7 V。 DA 12VYVAVBDBR14.2.4 14.2.4 二极管电路分析二极管电路分析举例举例例例2：二极管构成的限幅电路如图所示，二极管构成的限幅电路如图所示，R R1k1k，U UREFREF=2V=2V，输入信号为，输入信号为u ui i。 (1)(1)若若 u ui i为为4V4V的直流信号，计算电流的直流

20、信号，计算电流I I和输出电压和输出电压u uo o+-+UIuREFRiuO解：解：mA3 . 1k1V7 . 02VV4DREFiRUUuI2.7V0.7VV2DREFoUUu02.7Vuot0-4V4Vuit2.7V+-+UIuREFRiuO（2 2）如果）如果u ui i为幅度为幅度4V4V的交流三角波，波形如图所示，画的交流三角波，波形如图所示，画出相应的输出电压波形。出相应的输出电压波形。判断二极管在电路中的工作状态，常用的方法：判断二极管在电路中的工作状态，常用的方法： 先假设将二极管断开，求二极管正负极间的电先假设将二极管断开，求二极管正负极间的电压，若该电压大于二极管导通电压

21、，则二极管处压，若该电压大于二极管导通电压，则二极管处于正偏而导通；反之，则处于反偏而截止。于正偏而导通；反之，则处于反偏而截止。 若电路中出现两个以上二极管，则承受正若电路中出现两个以上二极管，则承受正向电压较大者优先导通，然后根据电路情况，向电压较大者优先导通，然后根据电路情况，分析其它二极管工作状态。分析其它二极管工作状态。若忽略管压降，二极管可看作短路，若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB = 6V若考虑若考虑管压降管压降， 为为6.3或或6.7V例例3：取取 B B 点作参考点，点作参考点，断开二极管，分析二断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电极管阳极和阴极的电位。位。D6V12V

22、3k BAUAB+电路如图电路如图, 求求: UABV阳阳 = 6 V V阴阴 = 12 VV V阳阳VV阴阴 , ,二极管导通二极管导通两个二极管的阴极接在一起两个二极管的阴极接在一起取取 B 点作参考点，断开二极点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极管，分析二极管阳极和阴极的电位。的电位。 VD2 VD1 D2 优先导通，优先导通， D1截止。截止。若忽略管压降，二极管可看作短路，若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB = 0 V例例4:D1承受反向电压为承受反向电压为6 V流过流过 D2 的电流为的电流为mA43122D I求：求：UABBD16V12V3k AD2UAB+V1阳阳

23、 =6 V，V2阳阳=0 V，V1阴阴 = V2阴阴= 12 VVD1 = 6V，VD2 =12V ui 8V，二极管导通，可看作短路，二极管导通，可看作短路 uo = 8V ui 8V，二极管截止，可看作开路，二极管截止，可看作开路 uo = ui已知：已知： 二极管是理想的，试画二极管是理想的，试画出出 uo 波形。波形。V sin18itu uit 18V参考点参考点D8V电路如图所示，已知电路如图所示，已知u ui i5sin5sintt (V) (V)，二极管导通电压，二极管导通电压U UD D0.7V0.7V。试画出。试画出u ui i与与u uO O的波形，并标出幅值。的波形，并

24、标出幅值。 例例6 63.7V- 3.7V 电路如图所示，电路如图所示，u ui i为输入电压波形，为输入电压波形， 试画出对应试画出对应u ui i的的输出电压输出电压u uO O的波形、电阻的波形、电阻R R上的电压上的电压uR 和和二极管上的电二极管上的电压压uD的波形的波形并标出幅值。二极管导通电压可以忽略。并标出幅值。二极管导通电压可以忽略。例例7 7D5V-2V0tui3V5V10Vuo0t5V10V0tuD-5V-7V-2V-5VuR0t5V稳压二级管是一种特殊的面稳压二级管是一种特殊的面接触型半导体硅二极管。其表示接触型半导体硅二极管。其表示符号如下图所示。符号如下图所示。 稳

25、压稳压二级二级管管工作于反向击穿工作于反向击穿区。从反向特性曲线上可以看出，区。从反向特性曲线上可以看出，反向电压在一定范围内变化时，反向电压在一定范围内变化时，反向电流很小。当反向电压增高反向电流很小。当反向电压增高到击穿电压时，反向电流突然剧到击穿电压时，反向电流突然剧增，增，稳压稳压二级二级管管反向击穿。此后，反向击穿。此后，电流虽然在很大范围内变化，但电流虽然在很大范围内变化，但稳压稳压二级二级管管两端的电压变化很小。两端的电压变化很小。利用这一特性，利用这一特性，稳压稳压二级二级管管在电在电路中能起稳压作用。路中能起稳压作用。I/mAU/VOUZIZIZM+ 正向正向 +反向反向 U

26、Z IZ14.3稳压二级管稳压二级管 稳压二级管的主要参数有下面几个：稳压二级管的主要参数有下面几个：1稳定电压稳定电压 UZ4稳定电流稳定电流 IZ 3动态电阻动态电阻 rZ2电压温度系数电压温度系数 U5最大允许耗散功率最大允许耗散功率 PZMZZZIUr 例例 1 图中通过稳压管的电流图中通过稳压管的电流 IZ 等于多少？等于多少？R 是限流电是限流电阻，其值是否合适阻，其值是否合适？IZDZ+20 VR = 1.6 k UZ = 12 V IZM = 18 mAIZ例例1的图的图IZ 0UBC VB VE对于对于PNP型晶体管应满足型晶体管应满足: UEB 0UCB 0即即 VC VB

27、 1 晶体管是一种电流控制元件晶体管是一种电流控制元件, ,其电流放大作用实质上是其电流放大作用实质上是用一个较小的基极电流去控制一个较大的集电极电流。用一个较小的基极电流去控制一个较大的集电极电流。 综上所述，三极管的放大作用主要是依靠综上所述，三极管的放大作用主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。集电极而实现的。实现这一传输过程的两个条件是：实现这一传输过程的两个条件是：（1）内部条件：内部条件：发射区杂质浓度远大于基区发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄杂质浓度，且基区很薄。（2）外部条件：外部条件：发射结正向偏

28、置，集电结反发射结正向偏置，集电结反向偏置。向偏置。3 3、特性曲线、特性曲线ICmA AVVUCEUBERBIBECEB 实验线路实验线路1)1)输入特性输入特性(2) 当当vCE1V时时， vCB= vCE - - vBE0，集电结已进入反偏状态，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，同样的开始收集电子，基区复合减少，同样的vBE下下 IB减小，特性减小，特性曲线右移。曲线右移。(1) 当当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 iB=f(vBE) vCE=const（以共射极放大电路为例）（以共射极放大电路为例）vCE = 0Vv

29、CE 1V+-bce共射极放大电路VBBVCCvBEiCiB+-vCE2)2)输出特性输出特性饱和区：饱和区：iC明显受明显受vCE控控制的区域，该区域内，制的区域，该区域内，一般一般vCE0.7V( (硅管硅管) )。此时，发射结正偏，集此时，发射结正偏，集电结正偏。电结正偏。iC=f(vCE) iB=const输出特性曲线的三个区域输出特性曲线的三个区域: :截止区：截止区：iC接近零的接近零的区域，相当区域，相当iB=0的曲的曲线的下方。此时线的下方。此时， vBE小于死区电压，小于死区电压，集电结反偏。集电结反偏。IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60

30、 A80 A100 A放大区：放大区：iC平行于平行于vCE轴的轴的区域，曲线基本平行等距。区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电此时，发射结正偏，集电结反偏，结反偏， IC= IB 。输出特性三个区域的特点输出特性三个区域的特点: :放大区：放大区：发射结正偏，集电结反偏。发射结正偏，集电结反偏。 U UBEBE0 0 U UCECEU UBEBE 即：即： I IC C= = I IB B (2) 饱和区：饱和区：发射结正偏，集电结正偏。发射结正偏，集电结正偏。 即：即：U UCECE U UBEBE ， I IB B I IC C，U UCECE 0.3V0.3V (3) 截止区

31、：截止区：U UBEBE00死区电压，死区电压， I IB B=0 =0 ， I IC C= =I ICEOCEO 0 0 晶体管的三种工作状态如图所示晶体管的三种工作状态如图所示ICIB+ +UCE ( (a) )放大放大IC 0 IB = 0+ UCE UCC ( (b) )截止截止 UBC 0 + UCE 0 ( (c) )饱和饱和 UBC 0+IBCCCCRUI UBC 0+ +IEIEIE晶体管结电压的典型值晶体管结电压的典型值4 4、主要参数、主要参数前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共公共点，称为

32、共射接法，相应地还有共基、共集接法。集接法。共射共射直流电流放大倍数直流电流放大倍数：BCII_工作于动态的三极管，真正的工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在信号是叠加在直流上的交流信号直流上的交流信号。基极电流的变化量为。基极电流的变化量为 I IB B，相应的集电极电流变化为相应的集电极电流变化为 I IC C，则，则交流电流放交流电流放大倍数大倍数为：为：BIIC1)电流放大倍数电流放大倍数 和和 _例：例：U UCECE=6V=6V时时：IB = 40 A, IC =1.5 mA； IB = 60 A, IC =2.3 mA。5 .3704. 05 . 1_BCII4004. 006

33、. 05 . 13 . 2BCII在以后的计算中，一般作近似处理在以后的计算中，一般作近似处理： = (2) (2) 集电极发射极间的反向饱和电流集电极发射极间的反向饱和电流ICEO基射极开路时，集电极到发射极的电流，受温度影响很大。基射极开路时，集电极到发射极的电流，受温度影响很大。2)2)极间反向电流极间反向电流 (1) (1) 集电极基极间反向饱和电流集电极基极间反向饱和电流I ICBOCBO 发射极开路时，集电结的反向饱和电流发射极开路时，集电结的反向饱和电流。 (1) (1) 集电极最大允许电流集电极最大允许电流I ICMCM(2) (2) 集电极最大允许功率损耗集电极最大允许功率损耗P PCMCM = = I IC CV VCECE 3)3)极限参数极限参数 (3) (3) V V(BR)CE(BR)CEO O- -基极开路时集电极和发射极间的击穿电压基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。 测得工作在放大电路中几个晶体管三个测得工作在放大电路中几个晶体管三个电极的电位电极的电位U1、U2、U3分别为：分别为： （1）U