第7章 金属和半导体的接触 - 2012

1、第七章 金属和半导体的接触金属和半导体的接触Metal-Semiconductor Contact7.3 7.3 少数载流子的注入和欧姆接触少数载流子的注入和欧姆接触 1、金属与半导体形成的金属与半导体形成的肖持基接触肖持基接触和和欧姆接触欧姆接触，阻挡层阻挡层与与反阻挡层反阻挡层的形成；的形成； 2、肖特基接触的电流肖特基接触的电流电压特性电压特性扩散理论和热电子发扩散理论和热电子发射理论射理论，即肖特基势垒的定量特性，即肖特基势垒的定量特性耗尽层耗尽层 3、欧姆接触的特性。、欧姆接触的特性。两个要点：两个要点：功函数和禁带宽度的不同金属功函数和禁带宽度的不同金属/半导体接触能带图的变化；半

2、导体接触能带图的变化；肖特基接触的整流特性即电流电压肖特基接触的整流特性即电流电压I-V特性。特性。一、金属和半导体的功函数一、金属和半导体的功函数Wm 、Ws1 1、金属的功函数、金属的功函数Wm电子由金属内部逸出到表面外的真空中所需电子由金属内部逸出到表面外的真空中所需要的要的最小能量最小能量。E0(EF)mWm0()mFmWEE即：E0为真空中电子的能量，为真空中电子的能量，又称为真空能级。又称为真空能级。 金属铯金属铯Cs的功函数最低的功函数最低1.93eV，PtPt最高为最高为5.36eV6.1 金属金属-半导体接触和能带图半导体接触和能带图2 2、半导体的功函数、半导体的功函数Ws

3、E0与费米能级之差称为半导与费米能级之差称为半导体的功函数。体的功函数。0()sFsWEE即：用用表示从表示从Ec到到E0的能量间隔：的能量间隔：0cEE称称为电子的为电子的亲和能亲和能，它表示要使半导体，它表示要使半导体导带导带底底的电子逸出体外所需要的的电子逸出体外所需要的最小最小能量。能量。Ec(EF)sEvE0WsEn N型半导体：型半导体：scFnsWEEE式中：式中：()ncFsEEE P型半导体：型半导体：()pFsvEEE()soFsgpWEEEE式中：式中：Note: 半导体的费米能级随杂质浓度变化，所以，半导体的费米能级随杂质浓度变化，所以， Ws也和杂质浓度有关也和杂质浓

4、度有关。二、金属与半导体的接触及接触电势差二、金属与半导体的接触及接触电势差1. 阻挡层接触阻挡层接触设想有一块金属和一块设想有一块金属和一块N型型半导体，并假定半导体，并假定金属的功函数大于半导体的功函数，即：金属的功函数大于半导体的功函数，即：（1）msWW即半导体的费米能即半导体的费米能EFs高于金属的费米能高于金属的费米能EFm金属的传导电子的浓度金属的传导电子的浓度很高，很高，10221023cm-3半导体载流子的浓度比半导体载流子的浓度比较低较低，10101019cm-3金属金属n半导体半导体E0 xWsEFsEcEnWmEFmEv金属半导体接触前后能带图的变化：金属半导体接触前后

5、能带图的变化：WmEFmWsE0EcEFsEv接触前接触前 接触前，半导体的费米能级高于金属（相接触前，半导体的费米能级高于金属（相对于真空能级），半导体导带的电子有向金属对于真空能级），半导体导带的电子有向金属流动的趋势流动的趋势接触时接触时(导线连接导线连接)，费米能级一致，在两类材料，费米能级一致，在两类材料的表面形成电势差的表面形成电势差Vms。smmsmsWWVVVq接触电势差：接触电势差：E0 xWsEFsEcEnWmEFmEv- qVms- - -紧密接触时，形成空间电荷区，接触电势差降落紧密接触时，形成空间电荷区，接触电势差降落在空间电荷区在空间电荷区 :半导体一边的势垒高度为

6、：半导体一边的势垒高度为：DsmsqVqVWW 金属一边的势垒高度为：金属一边的势垒高度为：mnDnsnmsnmqqVEqVEWWEW 半导体半导体体内电场为零体内电场为零，在，在空间空间电荷区电场电荷区电场方向由内向外，半方向由内向外，半导体导体表面势表面势Vs0nsq金属一边的势垒高度为：金属一边的势垒高度为：mnDnsnmsnmqqVEqVEWWEW nsqVsmqEFEvqVDEc内建内建EnsqWmmqEFEvqVDEc内建内建EnsqWm在势垒区，空间电荷主要由电离施主形成，电子浓度在势垒区，空间电荷主要由电离施主形成，电子浓度比体内小得多，是一个高阻区域，称为比体内小得多，是一个

7、高阻区域，称为阻挡层阻挡层。电子。电子必须跨越的界面处势垒通常称为必须跨越的界面处势垒通常称为肖特基势垒（肖特基势垒（Schottky barrier)金属与金属与N型半导体接触时，若型半导体接触时，若WmWs，电子向金属流动，电子向金属流动，稳定时系统费米能级统一，在稳定时系统费米能级统一，在半导体表面一层形成正的空间半导体表面一层形成正的空间电荷区，能带向上弯曲，形成电荷区，能带向上弯曲，形成电子的表面势垒。电子的表面势垒。EcEFEnqVdnsqEv金属和金属和p型半导体型半导体WmWs金属与金属与P型半导体型半导体, , WmWs阻挡层阻挡层2. 2. 反阻挡层接触反阻挡层接触金属与金

8、属与N型半导体接触时，若型半导体接触时，若Wm 0，能带向下弯曲。，能带向下弯曲。（1 1）金属与）金属与N型半导体接触型半导体接触WmEFmWsE0EcEFsEvEEcEFsEvmsDWWqVDx在半导体表面，相当有个电子的势阱在半导体表面，相当有个电子的势阱(积累区积累区)，多子电子的浓，多子电子的浓度比体内大得多，是一个高电导区，即度比体内大得多，是一个高电导区，即电子反阻挡层电子反阻挡层。（2 2）金属与）金属与P型半导体接触型半导体接触金属与金属与P P型半导体接触时，若型半导体接触时，若WmWs，空穴将从金属流向，空穴将从金属流向半导体表面，在半导体表面形成半导体表面，在半导体表面

9、形成正的空间电荷区正的空间电荷区，电场方向由体，电场方向由体内指向表面，内指向表面，VsWs阻挡层阻挡层反阻挡层反阻挡层WmWsWmWs表面态提供电子流向金属表面态提供电子流向金属半导体半导体表面态密度很高表面态密度很高时时:表面态可放出足够多的电子，表面态可放出足够多的电子，几乎不影响势垒区，可以屏蔽几乎不影响势垒区，可以屏蔽金属接触的影响，半导体内部金属接触的影响，半导体内部的势垒高度和金属的功函数几的势垒高度和金属的功函数几乎无关，基本上由半导体表面乎无关，基本上由半导体表面的性质决定的性质决定-WmEcEFEnqVdEv+-1、阻挡层的整流特性、阻挡层的整流特性 外加电压对阻挡层的作用

10、外加电压对阻挡层的作用金属金属/n半导体接触能带图半导体接触能带图采用理想的模型，不考虑表面态的影响采用理想的模型，不考虑表面态的影响WmWsqnsWm-Ws=qVdWm-Ws=qVd金半接触系统的阻挡层金半接触系统的阻挡层 没有净电流没有净电流0mssmJJJ净电流：净电流：不外加电压，处于平衡：不外加电压，处于平衡：JmsJsmqqnsnsWm-Ws= qVdWm-Ws=qVdqVd= - q(Vs)0半导体边势垒：半导体边势垒：qns外加正电压，半导体边势垒减小外加正电压，半导体边势垒减小外加负电压，半导体边势垒增加外加负电压，半导体边势垒增加qnsq(Vd-V)q(Vd+V)半导体边势

11、垒：半导体边势垒：q(Vd -V）= - q(Vs)0+V半导体边势垒：半导体边势垒：半导体边势垒：半导体边势垒：q(Vd +V）= - q(Vs)0 - V外加电压时：外加电压时：金属边的势垒不随外加电压变化金属边的势垒不随外加电压变化加上正向电压在加上正向电压在n型阻挡层型阻挡层(金属一边为正金属一边为正)时：时：半导体一边的电子势垒高度减半导体一边的电子势垒高度减低，势垒宽度减薄，多子电子低，势垒宽度减薄，多子电子从半导体流向金属的数目变多从半导体流向金属的数目变多mssmJJ从金属流向半导体的正向电流从金属流向半导体的正向电流变大变大随电压增加而变得越大随电压增加而变得越大外加电压时：

12、外加电压时：q(Vd -V）= - q(Vs)0+V金属边的势垒不随外加电压变化金属边的势垒不随外加电压变化半导体边势垒：半导体边势垒：q(Vd-V)加上反向电压（金属一边为负）时：加上反向电压（金属一边为负）时：半导体一边的电子的势垒高度增半导体一边的电子的势垒高度增加，半导体到金属的电子数目减加，半导体到金属的电子数目减少，相反金属到半导体的电子流少，相反金属到半导体的电子流占优势，形成占优势，形成由半导体到金属的由半导体到金属的反向电流反向电流。进一步增加反向电压进一步增加反向电压smmJJs金属到半导体的势垒高，金属到半导体的势垒高，反向电反向电流小，且与外加电压无关，随电流小，且与外

13、加电压无关，随电压增加而饱和压增加而饱和q(Vd +V）= - q(Vs)0 - V半导体边势垒：半导体边势垒：nsqq(Vd+V)不论电子阻挡层，还是空穴阻挡层，不论电子阻挡层，还是空穴阻挡层，正向电流都是正向电流都是多数载流子从半导体流向金属多数载流子从半导体流向金属肖特基结的整流特性肖特基结的整流特性1expkTqVJJo势垒区中存在电场，有势垒区中存在电场，有电势的变化，导致载流电势的变化，导致载流子浓度的不均匀。计算子浓度的不均匀。计算通过通过厚阻挡层厚阻挡层势垒的电势垒的电流时，流时，必须同时考虑漂必须同时考虑漂移和扩散运动移和扩散运动。2、整流理论、整流理论I-V特性特性对于对于

14、n型阻挡层，当势垒宽度比电子的平均自由程大得多，型阻挡层，当势垒宽度比电子的平均自由程大得多，即即xd ln时，电子通过势垒区将发生多次碰撞时，电子通过势垒区将发生多次碰撞厚阻挡层厚阻挡层。扩散理论适用于厚阻挡层。扩散理论适用于厚阻挡层。简化模型简化模型 (耗尽层近似耗尽层近似)：势垒高度势垒高度qVDk0T势垒区势垒区内的载流子浓度内的载流子浓度0空间电荷完全由电离杂质电荷形成空间电荷完全由电离杂质电荷形成均匀掺杂均匀掺杂0N型半导体的耗尽层型半导体的耗尽层xd ：耗尽层的宽度：耗尽层的宽度ND：是施主掺杂浓度是施主掺杂浓度 电势在半导体中的分布电势在半导体中的分布EF0 xdxVmetal

15、semiconductorSpace charge regionqF FnsEn qF Fn qVs qVD耗尽层耗尽层1xx0 xx0qNddD 则电荷密度分布：则电荷密度分布： 2022 rdxVd代入泊松方程30qN0D22 rdxVd即边界条件：半导体内部电场为零半导体内部电场为零以金属费米能级处为电势零点以金属费米能级处为电势零点(-EFm/q)0)(dxxddxdVxEnsV)0()()(0drDxxqNdxdVxEnsdrDxxxqNxV)21()(20积分得：1xx0 xx0qNddD 积分得：电场分布电势分布外加电压外加电压V在金属上在金属上: : ( )()7dnVxV 8

16、nsnDV dnsDV xVV2012DDdrqNVVx dxx在时0VEFnsqFDqVxdnnqE dnsDV xV V 2012DDdrq NV Vx 故故D00qN2VVxsrd所以0sDVV又当表面势外加电压当表面势外加电压V和表面势同号时，和表面势同号时，势垒高度势垒高度提提高、高、势垒宽度势垒宽度变大。变大。由此可见由此可见, xd 随外加电压的变化而变随外加电压的变化而变化化势垒宽度势垒宽度 xd ： 通过势垒的电流密度：通过势垒的电流密度：漂移电流漂移电流扩散电流扩散电流电流密度：电流密度：0nnqDk TdxdVxE)(代入：代入： 100 dxxdndxxdVTkxqnq

17、DnJ dxxdnDxExnqJnn因此)(xE000( )( )( )( )exp ( )expexpnqV xdqV xqV xdn xJqD n xk Tdxk Tk Tdx两边同时乘因子两边同时乘因子0( )( )expndqV xqDn xdxk T在稳定的情况下，在稳定的情况下，J 是与是与 x 无关的常数无关的常数000()()()()e x p ()e x p e x p nq V xd q V x q V xd n xJq D n xk T d x k T k Td x ddxnxTkxqVxnqDdxTkxqVJ0000)(exp)()(exp(xd 处处(已到半导体体内已

18、到半导体体内):x = 0 处处(半导体表面半导体表面): 1312en0n0VeNnxnx2qNxVeTkVq0nsTkqc0dns2d0rDdTkXqV00s0n0和，并利用边界条件在等式两边同乘因子000000() ()ex p ex pex p ()1(1 1)dxn ssnqVq Vxq VJd xq D nk Tk Tk T式 1312en0n0VeNnxnx2qNxVeTkVq0nsTkqc0dns2d0rDdTkXqV00s0n0 和，并利用边界条件在等式两边同乘因子用用耗尽层近似耗尽层近似求积分求积分 J201( )()2DdnsrqNV xxxx 电势分布：电势分布：在势垒

19、高度大于在势垒高度大于 k0T 时，时，积分主要决定于积分主要决定于x=0附近的电势值，去掉附近的电势值，去掉x2 项项 nsd0rDxxqNxV0 x 附近取在)exp(1)exp()(exp(0022020000rDnsdDrxTkxNqTkqxNqTkdxTkxqVdddxTkxqVdx00)(exp(随随 x 增大而急剧减小！增大而急剧减小！TkVVqs00)(由由)exp()(exp(020000TkqxNqTkdxTkxqVnsdDrxd D00qN2VVxsrd所以)exp()(exp(020000TkqxNqTkdxTkxqVnsdDrxd000000()()e x p e x

20、 pe x p ()1(1 1)dxn ssnqVq Vxq VJd xq Dnk Tk Tk T式代入到：代入到： D00qN2VVxsrd所以把积分函数和把积分函数和 xd 的表达式的表达式可得到电流密度为：可得到电流密度为： 1310 TkqVeJJSD得到 142qN00D TkDqVeVVJDrSD其中其中，其中，00nqn02DDrJEqNVV 具有电场强度的量纲 J-V特性讨论：特性讨论：其大小主要决定于其大小主要决定于指数因子指数因子(1) V0时：时：1exp0TkqVJJSDTkqVJJSD0exp(2) Vk0T：如果如果qVk0T：SDJJ金半接触伏安特性金半接触伏安特

21、性JSD 随电压而缓慢变化，但并随电压而缓慢变化，但并不趋于定值，即没有饱和不趋于定值，即没有饱和氧化亚铜，迁移率较小，即平氧化亚铜，迁移率较小，即平均自由程较短，扩散理论适用均自由程较短，扩散理论适用例：例：电阻率为电阻率为10cm的的n型型Ge和金属接触形成的和金属接触形成的肖特基势垒高度为肖特基势垒高度为0.3eV,求加上求加上5V反向电压时的空反向电压时的空间电荷层厚度及空间电荷间电荷层厚度及空间电荷层内最大电场强度。层内最大电场强度。解：解：当当=10cm时，计算得时，计算得ND=1.61014cm-3， 因为因为q ns=0.3eV，所以所以 : :加上加上5V反向电压后反向电压后

22、 0ln0.29nCFDNcEEEk TeVNeVqEVVnsnDs1 . 0/)(0mqNVVxDsrd76. 7)(22/1007.56 mcmVxqNErdD/1035. 1)0(40热电子发射热电子发射Thermionic electron emission in a vacuum tubekTWTBJmoexp2mW决定作用是势垒高度，而不是决定作用是势垒高度，而不是宽度。当电子具有足够能量宽度。当电子具有足够能量E时才能越过势垒顶部，电子可时才能越过势垒顶部，电子可以自由越过势垒进入另一边。以自由越过势垒进入另一边。电流密度的计算即电流密度的计算即求越过势垒求越过势垒的载流子数目的

23、载流子数目。 当当n n型阻挡层很薄型阻挡层很薄时，电子的平均自由程大于势垒宽度时，电子的平均自由程大于势垒宽度, ,扩扩散理论不再适用。散理论不再适用。电子通过势垒区的碰撞可以忽略。电子通过势垒区的碰撞可以忽略。W qVD有外加电压，有外加电压，E q(VD-V)非简并半导体的非简并半导体的n型阻挡层为例，型阻挡层为例，qVD k0T，通过势垒，通过势垒交换的电子很少，体内的电子浓度视为常数，与电流无关。交换的电子很少，体内的电子浓度视为常数，与电流无关。qns-qVs=qVdqVdI电流的正方向是从金属电流的正方向是从金属到半导体到半导体 Jsm（正向电流）（正向电流）电子从半导体向金属发

24、射电子从半导体向金属发射dnqJxmsn为能量高于为能量高于Ec+qVd的热电的热电子数，子数，dn为为 dE 内的电子数内的电子数dE 3212* vmEEnc利用 2240021323*dEeEEehmTkEEcTkEEncFc非简并半导体非简并半导体,分布函数为分布函数为Boltzmann分布，分布，故：故：dEeEEhmTkEEcnF021323*24dn 3212* vmEEnc利用4* vdvmdEn dEEfEgdn 又：又：TkEEcFceNn00又TkEEnFcehTkm03230*22dveTkmndnTkvmnn02*2230*02则 520222*2230*0 zyxT

25、kvvvmndvdvdveTkmnzyxn单位截面秒 11xvdndN 620222*2230*0 zyxxTkvvvmndvdvdvveTkmnzyxnVVqvm21D2x*n到达界面的电子的动能vx正方向为垂直于半导体指向金属正方向为垂直于半导体指向金属界面的方向。界面的方向。单位时间，通过单位截面积，在单位时间，通过单位截面积，在11vx体积内的电子可到达界面体积内的电子可到达界面Metal Semivx1vxVVqvm21D2x*n到达界面的电子的动能要越过势垒，要越过势垒， 7002* TkqVTkqeeTAns*2minnDxmVVqv即电子的最小速度电子流密度：电子流密度：203

26、4nq mkAh其 中 ，有 效 理 查 逊 常 数dnqJxms00222*20*02xzyxnvxTkvvvmxyyndvevdvdvTkmqnz2034nqmkAh其中，有效理查逊常数 902* TkqnseTA Jms时（反向电流）时（反向电流）qns-qVs=qVDqVDI金属到半导体的势垒高金属到半导体的势垒高度度qns不随外加电压变不随外加电压变化化，故，故 Jms 是常量。是常量。平衡时平衡时(V=0):Jms = - JsmJmssmmsJJJ 1102* TkqSTnseTAJ其中 1010 TkqVSTeJns 是金属一边的电子势垒是金属一边的电子势垒 总的电流密度总的电

27、流密度J 扩散理论与热电子发射理论之比较：扩散理论与热电子发射理论之比较：0exp() 1 ,SDSDqVJ JJVkT0e x p ( ) 1 ,S TS Tq VJ JJkT和 外 加 电 压 无 关 142qN00D TkDqVeVVJDrSD其中 1102* TkqSTnseTAJ其中扩散理论扩散理论热电子发射理论热电子发射理论JSD 随外加电压变化随外加电压变化对温度敏感不如对温度敏感不如JSTJST 与外加电压无关与外加电压无关对温度很敏感对温度很敏感xd lnxd xm：qqnsqmx*nsq*DqV镜像势能镜像势能EF镜像力对势垒的影响镜像力对势垒的影响 外加电压时外加电压时势

28、垒极大值的位置为：势垒极大值的位置为：镜像力引入的势垒与镜像力引入的势垒与qns 相比很小，势垒高度相比很小，势垒高度-qV(xm)。所以：所以：qnsqmx*nsq*DqV镜像势能镜像势能EF又又 2xmxd x2m121(5)4()mD doxN xdmrDnsmxxNqqxqV02)(近似采用平衡时的结果近似采用平衡时的结果)(mxqVqxm处的电势降落则在dmrDxxNq02 mnsxVqqqnsqmx*nsq*DqV镜像势能镜像势能EF 6241430327VVNqDrDq 9qN2D0 VVDrxd偏离理想增大时理想减小时VVqVqV00增大降落值高时将导致势垒最高点可见反向偏压和

29、掺杂较q反向Jq 6241430327VVNqDrDq当反向电压当反向电压 |V|VD 时，镜像力的作用明显！时，镜像力的作用明显！ 隧道效应隧道效应：能量低于势垒顶的电子，有一定的几率：能量低于势垒顶的电子，有一定的几率穿过这个势垒。穿过这个势垒。决定隧道穿透几率的决定隧道穿透几率的两个因素：两个因素：（a a）势垒高度）势垒高度（b b）隧道厚度）隧道厚度简化模型：简化模型：势垒厚度势垒厚度xd大于临界值大于临界值xc ，电子完全不能，电子完全不能穿过；小于穿过；小于xc势垒对电子完全透明势垒对电子完全透明,电子可以直接通过电子可以直接通过!cEFExc势垒高度的减低势垒高度的减低2012

30、DdnsrqNVxxx 如如xcxd，x=xc金属一边金属一边的有效势垒为的有效势垒为 ( x=xc )： 723032 VVNqxqDrDcns20()Dcnsdcrq NqV xqx x 0VEFnsqFnqFDqVxcq q?隧道效应引起的势垒的减低为：隧道效应引起的势垒的减低为：偏离理想增大时理想减小时VVqVqV00随反向电压增加而增大，并且反向电压较高时，随反向电压增加而增大，并且反向电压较高时，势垒减低才明显。势垒减低才明显。镜像力和隧道效应对镜像力和隧道效应对I-VI-V特性的作用基本相同，对特性的作用基本相同，对反向特性影响显著，引起势垒减低反向电流增加反向特性影响显著，引起

31、势垒减低反向电流增加1/ 2302()DDcrq NVVx q q? = = 142qN00D TkDqVeVVJDrSD其中 1102* TkqSTnseTAJ其中JSD = ?JST = ?考虑镜像力、隧道效应后的反向饱和电流：考虑镜像力、隧道效应后的反向饱和电流：例：例：有一块施主浓度有一块施主浓度ND=1016/cm3的的n型锗材料，其型锗材料，其(111)面与金属接触制成肖特基二极管，已知面与金属接触制成肖特基二极管，已知VD=0.4V，考虑镜，考虑镜像力影响时，求加上像力影响时，求加上0.3V电压时的正向电流密度。电压时的正向电流密度。解：解：镜像力影响导致的势垒高度降低量为：镜像

32、力影响导致的势垒高度降低量为：)(006. 0)(103 . 9)(2412230327eVJVVNqqDrD半导体侧实际势垒高度：半导体侧实际势垒高度：)(394. 0)(eVVqD金属侧势垒高度：金属侧势垒高度：)(18. 0ln00eVnNTkEEEcFcn)(574. 0)(eVEVqqnDns 1102* TkqSTnseTAJ其中A* = 1.11 A0e x p ( ) 1 ,S TS Tq VJ JJkT和 外 加 电 压 无 关)/(8 .3163cmA6.3 少数载流子的注入和欧姆接触少数载流子的注入和欧姆接触1、少数载流子的注入、少数载流子的注入对对n型阻挡层，对少子型阻

33、挡层，对少子空穴空穴就是积累层，在势垒区表面空穴就是积累层，在势垒区表面空穴浓度最大：浓度最大：(0)exp()DoqVppkT由表面向内部扩散，平衡时被电场抵消。由表面向内部扩散，平衡时被电场抵消。vEcEFsEFmEEVJn在在正向电压正向电压时，空穴扩散电流和电子电流方时，空穴扩散电流和电子电流方向一致。部分正向电流由少子贡献。向一致。部分正向电流由少子贡献。1eepqv1epLDqJTkqVTkqVsdTkqV0ppp00D0少子扩散流1. 决定于阻挡层中空穴的浓度。决定于阻挡层中空穴的浓度。势垒很高时，接触表面空穴浓度势垒很高时，接触表面空穴浓度很高。很高。2. 受扩散能力的影响。在

34、正向电受扩散能力的影响。在正向电压时，空穴流向半导体体内，在压时，空穴流向半导体体内，在阻挡层形成一定的积累，然后靠阻挡层形成一定的积累，然后靠扩散进入半导体体内。扩散进入半导体体内。注入比注入比 g g ： 在加正向电压时，少子电流和总电流的比在加正向电压时，少子电流和总电流的比在大电流时，注入比随电流密度的增加而增大在大电流时，注入比随电流密度的增加而增大少子空穴电流的大小：少子空穴电流的大小：)/(/pnppJJJJJgEcEFEVqVDEcEVEc(0)EV(0)qVD2、欧姆接触、欧姆接触定义定义：金：金/半接触的半接触的非整流接触非整流接触：不产生明显的附加：不产生明显的附加电阻，不会使半导体体内的平衡载流子浓度发生明电阻，不会使半导体体内的平衡载流子浓度发生明显