第10章 电位分析法_第1页
第10章 电位分析法_第2页
第10章 电位分析法_第3页
第10章 电位分析法_第4页
第10章 电位分析法_第5页
已阅读5页,还剩26页未读 继续免费阅读

下载本文档

版权说明:本文档由用户提供并上传,收益归属内容提供方,若内容存在侵权,请进行举报或认领

文档简介

1、相间电位相间电位负极负极正极正极电池电池EEEE 00若某一电极上半反应的方程式为: Ox + ne Red 则其电极电位为aadReOxlnnFRTEE EEE电池电池H+ + Na+Gl- Na+ + H+ Gl- 溶液 玻璃溶液 玻璃膜膜内参比内参比玻璃电极玻璃电极EEE 试试膜膜内内试试pHFRT.K),H(a),H(alogFRT.E30323032 试试玻玻玻玻pHFRT.KE3032 甘汞电极甘汞电极由金属汞和甘汞及氯化钾溶液所组成。 电极表示式为: Hg | Hg2Cl2 (s), KCl电极反应: Hg2Cl2 +2e 2Hg + 2Cl-)Cl(algFRT.E)Hg/Cl

2、Hg(E 22213032E电池电池 = E甘甘 E玻玻试试试试玻玻甘甘电电池池pHFRT.KpHFRT.KEE30323032 取标准pH缓冲液和被测溶液分别测得的电池电动势为 Es 和 Ex 时:FRTEEpHpHsxsx/303. 2anMlgzFRT.KEE)ISE(E 3032膜膜内内参参z :离子电荷数;:离子电荷数;“”号对号对阳离子取阳离子取“+”, 阴离子取阴离子取“-” a为被测离子的活度。为被测离子的活度。)M(algzFRT.K)(E)M(alogzFRT.KEnn 30323032甘甘汞汞电电池池)R(algzFRT.KEn 3032电电池池对于阴离子Rz- EM =

3、 K 2.303RT FlgaX“+” for cation “-” for anion EM = K 2.303RT ni Flg ai + Ki,j (aj )ni/nj Ki,j 为待测离子i 对干扰离子 j 选择性系数Example借助选择性系数,可以估算某种干扰离子对测定造成的误差:Relative error = Ki,j(aj)ni/nj ai100%Eg. Ki,j =10-2, ai =aj, and ni = nj =1, thenRelative error=10-2100%=1%zFRT303. 2理论斜率%100log303. 22121aazFRTKtrKtr愈接近

4、愈接近100%,电极的性能愈好。,电极的性能愈好。c/c4n E(%)Elogailogci 设某未知试样的体积为V0 , 被测离子浓度为Cx , 则测得的电动势 Ex为:加入体积为Vs , 浓度为c s 的标液后测得的电动势 Es有公式:)VVVcVc(fxlgSKEsssxs 00221xxcfxlgSKE111 因为体积变化小,所以离子强度基本不变,即f1=f2, x1=x2,经过换算 10)10(SxxSEESssxVVVVVVccxs考虑V0Vs , 则V0+Vs=Vx,得近似计算式:10) 110(SEEssxxsVVcc方法特点:仅需要配置一种标准溶液,数据处理可以程序化、能校正基底干扰,但每次加入标准溶液的精度要求高。有一定操作难度。(V(V0 0 + V + Vs s)10 )10 E/SE/S = = k k (c (cx xV V0 0 + c + cS SV VS S) )(V0 + Vs)10E/S = k (cxV0 + cSVS)=0Cx = -cSVS V0方法特点:能校正单次加标样造成的

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等,如果需要附件,请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸,网页内容里面会有图纸预览,若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑,并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容,请与我们联系,我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

评论

0/150

提交评论