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文档简介
1、DSP外挂Flash柱糸统编程及并行引导裝我方法摘要:详细介绍了TMS320VC5402外挂程序存储器的在糸统编程技术和方出,结合卖例给出了创建 糸统引导表的具体步骤,并亦此基础上重点叙述了TMS 320UC5602的并行7 6住引导就栽方 法。段计的糸统具有较丸的灵活性和良好的可犷畏性。关键词:DSP TMS320VC5402 FLASH SST39VF40在0A糸 统编程 引导裝载TMS320UC5602(以下简称C5402)是T丿公司的一款性价比极好的16住定 点Z) S P,隹片。由于C 5 6 0 2内部只有1 6 Kxl 6 AAl和$Kx 1 6住掩膜/?0 M,用户程序必、 须
2、存放亦外挂的程序存储器中。对程序存储器的编程 卩卩离 线编程丿通常是通过通用编程器完成的,即 用户将要写入的程序转换成编程器能够接收的格式,再通过编程器写入存储器中。随着,隹片制岌工艺的 不浙提爲,怂片集成度越来越需,存储薜正在向小型化、贴片式发展,从而使表面封嶷或PECC封就 的存储器难 以利用编程彖编程。q前普遍采用的淮.糸统编程ISP (In StjstemProgra mm i n g)技术不需要编程器,通过糸统的Z) S P可直接对用户扱上的存储器编程,这样不仅节省了 通用编程器及适配器的费用,还减少了频繁插拔存储器的麻烦,从而丸量节省了糸统开发肘间,满足了 用户程序亦线更新的要求。
3、外挂的程序存储黑通常选用彖量丸、存储速度快、坊耗低、性价比爲的A S H 存储器。由于Z) S P仿真软件编译链棲后生成的是二进制的C0 FF格式文件,不能直接写入FLASH中,还需通过eK转换工具将COFF目捺文件转换为栋准的人SCII码十六进制格式(H er格式丿。对于畜线编程,只需将这种”ex丈件直接作为编程器的输入,即可写入 F L A S H ;而柱糸 统编程,则是利用糸统本身的QSP,通过软件编程来卖现整个烧写过程。因此,如何对FLASH进 行烧写是整个柱糸统编程的一个关键。本文以一片C 5 b 0 2外挂一片F L A SH 存储器构成的最小糸 统为实例,介绍采用C语言编写 F
4、L A S H 烧写程序,并通过Z)SP用户程序代码写人 F L ASH,从而卖现亦糸统编程。1DSPF LASH 均成的最小糸统本糸统的F L A S存储彖选用SST公司的SST39UF0OOA,用作Z)SP的数据空 间。FLASH的片选估号/ C E 由 D S 卩的数据空间选择估号/ QS和存储器选通估号/Af ST R B产生,读使能估号/O F和写使能传号/WE由D S P的犊写脉冲估号R/W和/Z) S、/Af ST R B组合产生。F L AS”的地址线M 0M7 5和D S 卩的/40人7 5直接相连,A 1 6和人7 7接 地。由于Z) S P数据空i 可 0 0 0 0 H
5、3 F F F H 为存储器映象寺存器、暂存器和片R A Al,对外部FLASH来讲是不可见的,所L AS H可襟作的地址范囲为6 0 0 0 H0 F F F F H。设用户 程序从FLASH中8000单元开始存放,则糸统上电肘引导程序就从教据空间的S 0 0 0 H单元 开始撅运数据到Z) S P内部7?/4川指走区域,引导完毕后用跳转到/?/4/U中程序入口地址运行用户程 序 O2SST39UFS00/4的在糸统编程2 .1芯片简介及常用命令SST391/F600A是SST公司的2 5 6 Kxl 6 住 F L A S H存储器,工 作电压 M 3 V .擦写寿命/0 0 0 0 0次
6、,访问时呵7 0g 0 ” S。用户只需向其特定地址写入特 定的指令序列,那么通过这些命令用户即可启动內部写状态机,从而使其旨动完成指令序列要求的内部標作,其中包括:复住、整片擦除、块擦除、扇区擦除、襟作字写入等。2.2 SST39UFA00人编程操作对采用在糸统编程的FLASH存储黑,整个编程过程由用户控制,因此用户必、须了L A SPAGE 1 :”存储器的各状态佞.,以便知道编程或擦除是否结東。SST39UF 0 0 A内部提供两种软件检查 方法:检查状态住Data#Polling ( b Q 7 )和T a g g ( e Bi t ( b (1 6 )o现以检查T o g g t e
7、Bi t (DQ6)住为例来具体说朗SST39UF400A的编程及检查机制。SST39UFA00人在进行内部编程或擦 除肘,对任何地址进行连续读取都会引起DQ6的跳变,当襟作停止就会结束跳麦。因此可以通过连续 两次读取检查Z)0 6的变化情况来判浙编程攥除襟作是否完成。单字编程及检查流程如图7所示(其中0/4为要写入数据的存储地址)。3C 5 6 02的并行引导就栽通过在糸统编程襟作可以卖现将用户程序代码写人 F LASH。如何确L A S”中用户程序 代码的存放格式并正确地引导嶷我以卖现脱机运行,则是整个在糸统编程的重点之处。A.C 5 6 0 2的 五种引导方式中,并行引导是D S 卩糸统
8、最常用最简单的引导方式。下面介绍C 5 6 0 2的并行7 6住 引导糕我方法。3 . 1引导过程简介为了正确引导用户程序,必、须编制引导表,引导表要告诉引导程序采用何种引导方式、程序入口 地址、各段的目栋首地址和长度等。引导表的数据格式是由链接配置文件和H E换紀置文件决定的,链接配置文件定义各段存放的首地址和长度,而HEX转换配置丈件则定义引导方式、程序入page_break地址和引导表在外部存伪彖中存放的首地址。引导程序可以从地址为0F F F F H单元的丿/0端口或数据存储器取得引导表的起始地址。本丈介绍的是并行引导方式,引导 过程如下:引导程序丸从外部数据空间的0 F F F F
9、H单元(F L A S H 的 0 F F F F H单元丿犊取 引导表起始地址,然后从该起始地址读取引导栋枳。若为0 8 A A H则为并行8住引导方式;若不是再 从起始地址的下一单元读取內彖,看由此两单元内彖组成的16住字是否为1 0 AA H,若是则为并行16住引导方式。最后从引导表指;t的地址姒运各段代码到片AM对应的地址,憑运完牛后聊从程 序入口地址执行用户程序。由此可见,引导表的编制是引导过程的关键。下面结合卖例具体介绍引导表 的形成和轶我过程(设用户程序为测试指示灯的程序,源丈件为mai n . as/w和lector s. a stn源代码省略丿o3 .2链接配置文件编写(文件
10、名为Te s t L e d L i n E、c m d )ME MO R V PAGE 0:l/EC arg = 0100hen = 0080h中斯向量的首地址和块长CODE: o r g = 0 1 8 0 fi , ( en = 0F80h程序块的首地址和块长度STACKS,o= / 1 00 h j (en = 0100ft堆栈区的首地址和块长度DATA, or g =12 0 0 fi、te n= 1 0 0 0 h据块的看地址和块长度S E C T I 0N S.u e c t or s U E C PAGE0将中断向量放入程序页的EC区、tex t C 0 b E PAGE 0将
11、程序代码放入程序页的C 0 Q F区、stackSTACKS PAGE 1将堆校放入数提页的STACKS区、b s s b A T A PAGE 1将未初始化支量放入数据页的Z)人T AH、databATA PAGE 1将初始化数据放入数据页的b A T A链接配置丈件写好后,通过Z)sP仿真软件CCS编译链接即可生成re s t L e d . o u t件。亦汇编肘要注.点,不论是 Q0 S下的人SM 5 0 0还是0 /N D 0 WS下的CCS都必、须加上-“5 6 8开关量,否则不能生成正确的引导表。3、3 HF X转换配置丈件编写(丈件珞为 T e s t Le/He x、c m
12、d)T e s t L e d、out转换的文件名,即编泽链接后的.out文件-a AS C 1 I -H EK格式-map T e s t L e d . mKp生成的映射文件名,可不生成该文件-o T e s t L e /、hex转换后的HEX文件名memiVidth 1 6;糸纟扎存储器宽度为16住romu/idthRO件宽度为16住;将C 0 F F文件中各段转换为引导表的格式(林代sE C T I 0 N S伪指令丿bootorg 0 x 8 0 0 0;引导表放在F L ASH 的 8 0 0 0 H开始的单元一e 0 x 0 1 0 0就入引导表后程序运行的起始地址HEX转换配
13、置文件写好后,使用CCS提供的转换工块 H E X 5 0 0将生成的C0 F F 目标文 件Te s t Led、o ur转化为栋准的/4SCI I HEX格式的文件T e s t L e d . hex。注 盘亦转换肘一定要把TestLedHex、c tn d丈件的4/畏名cAMN 加上。3 4构it引导表并写入FLASH经过HEX转换生成的e s t L e /、h e x文件内彖。丈件开始为 A S C I I S T X字符,结東为人SC I I E T X字符,$ AS 0 00表示引导表存 放的首地址,接下来的数据就是从8 0 0 0 H单元存放的引导表的內彖,转换后的T e s t L e /、h er文件可直接由编程器烧写进FLASH,也可通过淮.糸统编程的方出由上述的bS P烧写程序写进FLASH。执行烧写程序前需要编写一个简单的程序将.H E X 头件中起始符、首地址、结東符等与 引导恙无关的估息去掉,并转换为D S 卩能识别的丈件格式(如、bat),采用.copy或.i n etude命令将该文件作为数据段嵌入烧写进程序中同肘注盘在FLASH 的 0 F F FF”单元写入 引导恙起始地址80 0 0 H。烧写
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