交流调速课程设计

1、辽宁工业大学交流调速控制系统课程设计（论文）题目： 交流电机三相电压源型逆变电路设计院（系）： 电气工程学院专业班级：自动化132班学 号： 130302042学生姓名：杜鹏指导教师：（签字）起止时间：2016.12.19-2016.12.30I士博本科生课程设计（论文）课程设计（论文）任务及评语院（系）：电气工程学院教研室：自动化132学号130302042学生姓名杜鹏专业班级自动化132课程设 计（论 文）题目交流电机三相电压源型逆变电路设计课程设计1论文任务课题完成的功能：本课程设计以微机作为控制核心，完成交流电机三相电压源型逆变电路及绝缘栅双极 晶体管DBT的驱动设计。设计任务及要求：

2、（1）确定交流电机逆变电路驱动系统总体设计方案及系统控制结构框图。（2）完成交流电机逆变主电路设计，包括直流侧电压源输入、分立搭建EBT器件、三相逆变电路输出及相关辅助电路。（3）完成EBT驱动电路设计，选择专用的EBT混合集成驱动电路实现与主电路的接口及相关保护电路的设计。（4）完成单片机最小系统及驱动接口的硬件和软件设计。（5）撰写课程设计论文， 包括系统组成总体结构及方案说明、硬件设计、软件设计等内容。技术参数：额定直流输入电压 220V ,连续工作功率输出10kW ,逆变输出电压380VAC 2% ,逆变输出波形为正弦波，逆变输出频率50Hz0.5% ,转换效率93% ,功率因数，0.

3、99。进度计划（1）布置任务，查阅资料，确定系统设计方案（2天）（2）系统各组成部件功能分析与设计（3天）（3）系统功能电路设计及软件设计（3天）（4）撰写、打印设计说明书（1天）（5）验收及答辩（1天）指导教师评语及成绩平时：论文质量：答辩：总成绩： 指导教师签字：年 月日注：成绩：平时20% 论文质量60% 答辩20% 以百分制计算三相电压型逆变电路的主电路。直流电源采用相控整流电路，由普通晶闸管组 成。逆变电路由6个导电臂组成，每个导电臂均由具有自关断能力的全控型器件及 反并联二极管组成，所以实际上也是一种全控型逆变电路。电压型逆变电路主 要用于两方面：笼式交流电动机变频调速系统。E B

4、T Ohsulated G ate B j）ohrTransistor）,绝缘栅双极型晶体管，是由B JT微极型三极管）和M 0 S （绝缘栅型场效 应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有M 0 SFET的高输入阻抗和 GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较 大MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。LBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直 流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、 牵引传动等领域。关键词：三相电压型；BBT；逆变电路#本科生课程设计（论文）

5、第1章绪论4第2章课程设计的方案62.1 概述62.2 系统组成总体结构6第3章硬件设计83.1 主电路的设计83.2 EBT驱动电路93.3 保护电路133.4 驱动电路的设计错误！未定义书签。错误！未定义书签。第4章控制电路的设计4.1 采用单片机控制144.2 单片机程序错误！未定义书签。4.3 三相电压源逆变电路的连接 错误！未定义书签。第5章软件设计16错误！未定义书签。5.1 系统总流程图.5.2 单片机初始化流程图 195.3 子程序流程图20第6章课程设计总结21参考文献22第1章绪论逆变电路直流侧电源是电压源的称为电压型逆变电路，三相电压型逆变电路的 主电路。直流电源采用相控

6、整流电路，由普通晶闸管组成。逆变电路由6个导电臂 组成，每个导电臂均由具有自关断能力的全控型器件及反并联二极管组成，所以实际 上也是一种全控型逆变电路。电压型逆变电路主要用于两方面，逆变电路是通用变频器核心部件之一， 起着非常重要的作用。逆变电路是与整流电路相对应，把直流电变成交流电的 电路。逆变电路的基本作用是在控制电路的控制下将中间直流电路输出的直流电源转换为频率和电压都任意可调的交流电源。逆变电路的应用非常广泛。在已 有的各种电源中，蓄电池、太阳能电池等都是直流电源，当需要这些电源向交流负 载供电时，需要通过无源逆变电路；无源逆变电路与其它电力电子变换电路组合形成具有特殊功能的电力电子设

7、备，如无源逆变器与整流器组合为交-直-交 变频器（来自交流电源的恒定幅度和频率的电能先经整流变为直流电，然后经无源逆 变器输出可调频率的交流电供给负载）。当电网提供的50Hz工频电源不能满足负载 的需要，就需要用交-直-交变频电路进行电能交换。如感应加热需要较高频率的电 源；交流电动机为了获得良好的调速特性需要频率可变的电源。随着电力电子技术的发展，逆变电路主要应用于各种直流电源，如蓄电池、干电池、太阳能电池等；还可以应用于交流电机调速用变频器、不间断电源、感应加热电源等电力电子装置的核心部分。逆变电路根据直流侧电源性质的不同可分为两种：直流侧是电压源的称为电压型逆变电路；直流侧是电流源的称为

8、电流型逆变电路。逆变电路可用以构成静止式中频加热电源。它具有主电路简单、起动性能好的优点，但负载适应性较差, 故只适用于负载变化不大但又需要频繁起动的场合。由于电压型逆变电路具有直流侧为电压源或并联大电容，直流侧电压基本无 脉动；输出电压为矩形波，输出电流因负载阻抗不同而不同；阻感负载时需要提 供无功功率等特点而具有广泛的应用。在晶闸管逆变电路中，负载换相式电压型 逆变电路利用负载电流相位超前电压的特点来实现换相，不用附加专门的换相电 路，因而应用较多。常见的三相电压型逆变电路有三相全桥型、三单相全桥型及三相多电平型等 几种。单个的三相全桥和三单相全桥型逆变器具有结构和控制简单的优点，但由于

9、受其容量和谐波性能的限制，很少将它们直接应用到电力系统中。此外，三相全桥 型逆变器不能直接用于补偿系统的零序分量。为实现三相全桥和三单相全桥型逆变 器的大容量化，常采用的方法有两种：一是每个逆变器桥臂采用多个开关 #4名/笊，手本科生课程设计（论文）器件串联和并联，该方法存在的主要问题是当器件的串并联个数较多时，每个器 件的均压、均流将变得非常困难。止匕外，该方法无助于逆变器谐波性能的提高。 二是采用多重化结构，该方法还可提高装置的谐波性能。但也存在两个问题：一是 多重化需采用特殊结构的变压器，这种变压器存在结构复杂、造价高、体积大 的缺点，因此多重化的数目受到限制；二是逆变器各个桥臂的开关器

10、件需在关断 状态下承受整个直流侧电压，由于现有单个开关器件耐压值的限制，在制造大容量 补偿装置时仍需采用多个开关器件串联的方法来解决开关器件的耐压问题。除 了采用多重化方法外，提高谐波性能的另一种方法是采用对开关频率要求相对较 高的PWM调制方式，只是装置的损耗将随开关频率的增加而增加。克服上述缺点的一种有效方法是采用多电平逆变器。 在三相多电平逆变器中, 开关器件在关断状态时只需承受一个直流电容器上的电压，较好地解决了在大容 量装置中开关器件的耐压问题。它不需要通过变压器的多重化方法，就能输出阶 梯波形的电压，即输出电压谐波含量低。止匕外，多电平逆变器还具有响应速度快、 损耗小的优点，但也具

11、有结构复杂、造价高的缺点。当电平数过多时，由于电路 中相应的附加二极管、杂散电感和限流电感过多，装置损耗过大，一般不予采用。 此外，多电平逆变器还存在直流侧电容器均压问题，为解决这个问题，应对多电 平逆变电路进行了改进，但由于过多地采用了钳位电容器，使电路的结构变得更 为复杂。54 f本科生课程设计（论文）9第2章课程设计的方案2.1 概述本次设计主要是综合应用所学知识，设计交流电动机三相电压源型逆变电路, 直流侧为电压源或并联大电容，直流侧电压基本无脉冲；输出电压为矩形波，输 出电流因负载阻抗不同而不同；阻感负载时需提供无功。为了给交流侧向直流侧反馈的无功提供通道，逆变桥各臂并联反馈二极管。

12、在三相逆变电路中，应用最 广的是三相桥式逆变电路，采用EBT作为开光器件的电压型三相逆变电路。2.2 系统组成总体结构交流电机三相逆变电路驱动和保护单片机控制核心图2.1系统的结构框图由220V直流电源给三相逆变电路供电，由单片机 89c51来编写程序，EBT驱动电路，模块选用EXB841,来使三相逆变电路运行，采用过电流保护，提高电路的稳定性，三相逆变电路输出电流给交流电机，使直流电转变为交流电，更好的给交流电机供能。电压型三相桥式逆变电路，电路由三个半桥电路组成，开关管可以采用全 控型电力电子器件，以 LBT为例，VD1TD6为续流二极管。电压型三相桥式逆变电路的基本工作方式为180导电型

13、，即每个桥臂的导电角为180。同一相上下桥臂交替导电。各相开始导电的时间一次相差120。在一个 周期内，6个开关管触发导通的次序为V1T2T3T4T5T6 ,依次相隔60 ,任意时刻均有三个管子同时导通，导通的组合顺序为V1V2V3 , V2V3V4 , V3V3V4V5 , V4V5V6,V5V6V1 ,每种组合工作。EBT集成驱动芯片选用EXB841, EXB841主要由放大、过流保护、5V基准电压和输出等部分组成。其中放大部分由TLP550,V2,V4,V5和R1,C1,R2,R9组成，TLP550待改进。起信号输入和隔离 作用，V2是中间级，V4和V5组成推挽输出 短路过流保护部分由V

14、1,V3,V6,VZ1和C2,R3,R4,R5,R6,C3,R7,R8,C4等组成，实现过流检测和延时保护功能。EXB841的6脚通过快速恢复二极管接至GBT的C极，检测LBT的集射之间的通态电压降 的高低来判断6 BT的过流情况加以保护;5V电压基准部分由R10,VZ2,C5组成，为 LBT驱动提供TV反偏压。单片机核心控制，89c 51是一种带4K字节闪烁可编程 可擦除只读存6者器（FPER 0 M Flash Program m able and Erasable R eadOnly M em oiy）的低电压、高性能CM0S8位微处理器，俗称单片机。单片机的可擦除只读存储器可以反复擦除

15、100次。该器件采用ATM EL高密度非易失存储器制造技术制造，与工业标准的MCST1指令集和输出管脚相兼容。由于将多功 能8位CPU和闪烁存储器组合在单个芯片中，ATMEL的89c 51是一种高效微控 制器，89c 2051是它的一种精简版本。89c单片机为很多嵌入式控制系统提供了一 种灵活性高且价廉的方案，采用过电流保护。第3章硬件设计3.1 主电路的设计用三个单相逆变电路可以组合成一个三相逆变电路。但在三相逆变电路中，应 用最为广泛的还是三相桥式逆变电路。采用EBT作为开关器件的三相电压型 桥式逆变电路如图3.1所示，可以看成是由三个半桥逆变电路组成。电路的直流侧通常只有一个电容器就可以

16、了，但为了方便分析，画作串联的两个N电容器并标出假想中点。和单相半桥、全桥逆变电路相同，三相电压型桥式逆变电路的基本工作方式也是I。导电方式，即每个桥臂的导电角度为I。同一相（即同一半桥）上下两个臂交替导电，各相开始导电的角度以此相差1 o这 样，在任一瞬间，将有三个桥臂同时导通。可能是上面一个臂下面两个臂，也 可能是上面两个臂下面一个臂同时导通。因为每次换流都是在同一相上下两个桥 臂之间进行，因此也被称为纵向换流。三相逆变输出的电压与电流分析类似，负载参数已知，以 u相为例，负载的阻抗角不一样，t的波形形状和相位都有所不同，在阻感负载下，Vi从通态转换到 断态时，因负载电感中电流不能突变，V

17、D4先导通续流，待负载电流降为零，V4才 开始导通。负载阻抗角 越大，VD4导通时间越长。在UNMO时，力0时为VD1导 通，力0时为Vi导通；在unn时: tO时VD4导通，iO时为V4 导通。6、iw的波形与力形状相同，相位一次相差120 0 o将三个桥臂电流相加可 得到直流侧电流il o在上述导电方式逆变器中，我们采用“先断后通”的方法来防止同一相上下 两桥臂的开关器件同时导通而引起直流侧电压短路，使得在通断信号之间留有一 个短暂的死区时间。采用 6 BT作为开光器件的电压型三相桥式逆变电路，可以 看成由三个半桥逆变电路组成。图 3.1的直流侧通常只有一个电容就可以了，但 为了分析方便，

18、画作串联的两个电容器并标出假象中点N。和单相半桥、全桥逆变电路相同，三相电压型桥式逆变电路的基本工作方式也是180导电方式，即每个桥臂的导电角度为180。，同一相（即同一半桥）上下两个臂交替导电，各 相开始导电的角度依次相差120。这样，在任一瞬间，将有三个桥臂同时导通。 可能是上面一个臂下面两个臂，也可能是上面两个臂下面一个臂同时导通。因为每 次换流都是在同一相上下两个桥臂之间进行，因此也被称为纵向换流。4 f本科生课程设计（论文）*本*秋本金 _| VD _ YD, _ VD一VDWI 自 L- o图3.1三相电压型逆变电路3.2 EBT驱动电路3.2.1 EBT的特点EBT是MOSFET

19、与双极晶体管的复合器件。它既有MOSFET易驱动的特点, 又具有功率晶体管电压、电流容量大等优点。其频率特性介于M OSFET与功率晶 体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，故在较高频率的大、中功率应用中占 据了主导地位。6BT是电压控制型器件，在它的栅极-发射极间施加十几V的直流电压，只 有UA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。但 LBT的栅极-发射极间存在着较 大的寄生电容（几千至上万 pF）,在驱动脉冲电压的上升及下降沿需要提供数 A 的充放电电流，才能满足开通和关断的动态要求，这使得它的驱动电路也必须输 出一定的峰值电流。6 BT作为一种大功率的复合器件，存在着过流时可能发生锁

20、定现象而造成损坏的问题。在过流时如采用一般的速度封锁栅极电压，过高的电 流变化率会引起过电压，为此需要采用软关断技术，因而掌握好LBT的驱动和保 护特性是十分必要的。LBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般只能达到20-30V,因此栅极击穿是LBT失效的常见原因之一。在应 用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压，但栅极连线的寄 生电感和栅极一集电极间的电容耦合， 也会产生使氧化层损坏的振荡电压。 为此。 通常采用绞线来传送驱动信号，以减小寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可 以抑制振荡电压。由于LBT的栅极一发射极和栅极一集电极间存在着分布

21、电容Cge和Cgc,以及发射极驱动电路中存在有分布电感 Le,这些分布参数的影响，使得 LBT的实 际驱动波形与理想驱动波形不完全相同，并产生了不利于LBT开通和关断的因素。栅极驱动电压的上升、下降速率对LBT开通关断过程有着较大的影响。EBT 的M 0 S沟道受栅极电压的直接控制，而 M OSFET部分的漏极电流控制着双极部 分的栅极电流，使得6 BT的开通特性主要决定于它的 MOSFET部分，所以LBT的开通受栅极驱动波形的影响较大。EBT的关断特性主要取决于内部少子的复合速 率，少子的复合受MOSFET的关断影响，所以栅极驱动对EBT的关断也有影响。在高频应用时，驱动电压的上升、下降速率

22、应快一些，以提高 LBT开关速 率降低损耗。在正常状态下 EBT开通越快，损耗越小。但在开通过程中如有续 流二极管的反向恢复电流和吸收电容的放电电流，则开通越快，EBT承受的峰值电流越大，越容易导致工BT损害。此时应降低栅极驱动电压的上升速率，即增 加栅极串联电阻的阻值，抑制该电流的峰值。其代价是较大的开通损耗。利用此技 术，开通过程的电流峰值可以控制在任意值。由以上分析可知，栅极串联电阻和驱动电路内阻抗对EBT的开通过程影响较大，而对关断过程影响小一些，串联电阻小有利于加快关断速率，减小关断损耗， 但过小会造成di/tit过大，产生较大的集电极电压尖峰。因此对串联电阻要根据具 体设计要求进行

23、全面综合的考虑。栅极电阻对驱动脉冲的波形也有影响。电阻值过小时会造成脉冲振荡，过大 时脉冲波形的前后沿会发生延迟和变缓。EBT的栅极输入电容Cge随着其额定电 流容量的增加而增大。为了保持相同的驱动脉冲前后沿速率，对于电流容量大 的6BT器件，应提供较大的前后沿充电电流。为此，栅极串联电阻的电阻值应 随着GBT电流容量的增加而减小。3.2.2 EBT混合集成驱动芯片EXB841是日本富士公司提供的300A/1200V快速型EBT驱动专用模块，整个 电路延迟时间不超过1 Hs,最高工作频率达40 50kHz,它只需外部提供一个 +20V单电源，内部产生一个一 5V反偏压，模块采用高速光耦合隔离，

24、射极输出。 有短路保护和慢速关断功能。EXB841驱动器的各引脚功能如下:脚1：连接用于反向偏置电源的滤波电容器；脚2：电源（+ 20V）；脚3：驱动输出；脚4：用于连接外部电容器，以防止过流保护电路误动作（大多数场合不 需要该电容器）；脚5：过流保护输出;11本科生课程设计（论文）脚6：集电极电压监视；脚7、8不接；脚9：电源；脚10、11不接；脚14、15：驱动信号输入（-，+）；由于本系列驱动器采用具有高隔离电压的光耦合器作为信号隔离，因此能用 于交流380V的动力设备上。EBT通常只能承受10 Hs的短路电流，所以必须有快速保护电路。EXB841 驱动器内设有电流保护电路，根据驱动信号

25、与集电极之间的关系检测过电流，当集 电极电压高时，虽然加入信号也认为存在过电流，但是如果发生过电流，驱动器的低速切断电路就慢速关断 EBT （ 10US的过流不响应），从而保证 EBT 不被损坏。如果以正常速度切断过电流，集电极产生的电压尖脉冲足以破坏 EBT o6 BT在开关过程中需要一个+15V电压以获得低开启电压，还需要一个节V 关栅电压以防止关断时的误动作。这两种电压（+15V和TV ）均可由20V供电的驱动器内部电路产生。- - - =)图3.2 EXB841功能框图EXB841的工作原理：（1）正常开通过程当控制电路使EXB841输入端脚14和脚15有10mA的电流流过时，光耦合器

26、 TS01就会导通，A点电位迅速下降至0V,使VT1和VT2截止；VT2截止使D点电位上升至20V, VT4导通，VT5截止，EXB841通过VT4及栅极电阻R c向GBT提供电流使其迅速导通，Uc下降至3Vo同时，VT1截止使+20V电源通过 R3向电容C2充电，时间常数丁 1为2.42 ns,这又使B点电位上升，UBT延 迟约1US后导通，UCE下降至3V,从而将EXB841脚6的电位钳制在8V左右， 因此B点和C点电位不会上升到13V ,而是上升到8V左右，这个过程时间为1.24 us;因稳压管VZ1的稳压值为13V,所以LBT正常开通时不会被击穿，VT3不通， E点电位仍为20V左右，

27、二极管VD 6截止，不影响VT4和VT5的正常工作。9）正常关断过程当控制电路使EXB841输入端脚14和脚15无电流流过时，光耦合器TS01不 通，A点电位上升使VT1和VT2导通；VT2导通使VT4截止，VT5导通，EBT栅 极电荷通过VT5迅速放电，使EXB841的脚3的电位迅速下降至0V （相对于 EXB841脚1低5V ）,使LBT可靠关断，UCE迅速上升，使EXB841的脚6 “悬 空”。与此同时，VT1导通，C2通过VT1更快放电，将B点和C点电位钳制在 0V ,使VZ1仍不通，EBT正常关断。（3）保护动作若LBT已正常导通，则VT1和VT2截止，VT4导通，VT5截止，B点和

28、C点电位稳定在8V左右，VZ1不被击穿，VT3不导通，E点电位保持为20V ,二极 管VD6截止。若此时发生短路，EBT承受大电流而退饱和，UCE上升很多，二极 管VD7截止，则EXB841的脚6 “悬空”，B点和C点电位开始由8V上升；当上升 至13V时，VZ1被击穿，VT3导通，CT4通过R7和VT3放电，E点电位 逐步下降，二极管VD6导通时D点电位也逐步下降，从而使 EXB841的脚3的 电位也逐步下降，从而缓慢关断 EBT o B点和C点电位由8V上升到13V的时 间为8. 3 u So此时慢关断过程结束，6 BT栅极上所受偏压为0V （设VT3管压降为0.3V,VT6和VT5的压降

29、为0.7V）,这种状态一直持续到控制信号使光电耦合器TS01截 止，此时VT1和VT2导通，VT2导通使D点下降到0V ,从而使VT4完全截止， VT5完全导通，EBT栅极所受偏压由慢关断时的0V迅速下降到-5V , EBT完全关 断。VT1导通使C2迅速放电、VT3截止，20V电源通过R8对C4充电，则E点恢 复到正常状态需135 H s,至此EXB841完全恢复到正常状态，可以进行正常的驱动。 EXB841在设计上充分考虑到GBT的特点，电路简单实用。它具有如下特点。模块仅需单+20V电源供电，它通过内部5V稳压管为LBT提供+15V和TV 的电平，既满足了 JGBT的驱动条件，又简化了电

30、路，为整个系统设计提供了很 大方便。输入采用高速光耦隔离电路，既满足了隔离和快速的要求，又在很大程度 上使电路结构简化。通过精心设计，将过流时降低 UCE与慢关断技术综合考虑，一旦电路检测 到短路后，要延迟约l.5us（VZl导通时，R4会有压降）UCE才开始降低，再 134 f本科生课程设计（论文）过约8 us后UGE才降低到0V （相对EXB841的脚1）。在这10 u s左右的时间 内，如果短路现象消失，UCE会逐步恢复到正常值，但恢复时间决定于时间常数tl3o+ 2UV图3.3 EXB841原理图3.3 保护电路电力电子电路运行不正常或者发生故障时，可能会发生过电流。过电流分为 过载和

31、短路两种情况。通常采用的保护措施有：快速熔断器、直流快速断路器和 过电流继电器。一般电力电子装置均同时采用集中过流保护措施，以提高保护的 可靠性和合理性。综合本次设计电路的特点，采用快速熔断器，即给晶闸管串联一个保险丝实 施电流保护。如图3.4电流保护电路所示。对于所选的保险丝，遵从12 t值小于晶 闸管的允许12t值。图3.4三相电压源逆变电路的过流保护电路3.4 单片机控制本论文的单片机采用MSCT1或其兼容系列芯片，采用24MHZ或更高频率晶振, 以获得较高的刷新频率，时期显示更稳定。在芯片中，P1 口低4位与行驱动器相连, 送出行选信号；P1.5PL7 口则用来发送控制信号。P0 口和

32、P2 口空着，在有必要 的时候可以扩展系统的ROM和RAM。引脚说明: 电源引脚Vcc （ 40脚）：典型值+ 5VoVss （ 20脚）：接低电平。外部晶振XI、X2分别与晶体两端相连接。当采用外部时钟信号时，X2接振荡信号，XI接地。15输入输出口引脚:P0 口：10双向口。作输入口时，应先软件置Pl 口：为双向口。作输入口时，应先软件置P2 口：为 双向口。作输入口时，应先软件置“ 1。”P3 口：为 双向口。作输入口时，应先软件置控制引脚:RSTRpd、ALE/PR0G、于SEN、3ARpp组成了 M SC巧1的控制总线。RST/Vpd （9脚）：复位信号输入端（高电平有效）。ALE/

33、PR0G （30脚）：地址锁存信号输出端。第二功能：编程脉冲输入。-PSEN （29脚）：外部程序存储器读选通信号。王AApp（31脚）：外部程序存储器使能端。第二功能：编程电压输入端（+21V） oI小，笏本科生课程设计(论文)172326272829303132333 13536373S394 0L AS)P2. 0G ND 49)P2. 1XTAL11 Al0)P2.7 XTAL2L(A11)P2.3P3.7 0*1I (Al2)P2.4P3 .6 9-TiL3)P2.5P3.5 (T 1)I Al4)P2.6P3.4 CT 0)L g5)P2. 4P3 .3 Ti i、PS wP3 .

34、2 NTUI A LE PR0 GP3 .1(1 XD )r EAVP PP3 .0 X D)L ttD7)P07RTL CD6)P0.6Pl (AD5)P0.5Pl.6(AD4)P0APl.5L AD3)P0.3PlAI WD2)P0 wPl.3I ttDDPO.1Pl；(AD0)P0.0Pl.1I vcCPl.0U 1ST CS9C 51C 21V T2V T35C 3V CCLG)G)过电流扇护电路十图3.5单片机与驱动芯片的连接图3.5单片机系统电路0-00001名/本士手本科生课程设计（论文）第4章软件设计4.1单片机程序tthchde static unsfened htcount

35、; / static htstep_iidex; / static bit turn; / static bitstop_flag ; / static htspeedlevel; H static htspcount; /void debyMns询ned htendcount); / void goiun 0; void m ah (void) count= 0;step_hdex = 0; spcount= 0; stop_flag = 0; Pl_0 = 0;Pl_l = 0;Pl_2 = 0; Pl_3 = 0;EA = 1;/ETO = 1; / THO = OxFE ;TLO =

36、OxOC ; TRO = 1; turn = 0; speedfevel= 2; deby(10000); speedfevel= 1;194 f本科生课程设计（论文）do speedfevel= 2;dehy(10000);speedfevel= 1;dehy(10000);stop_flag=l;dehy(10000);stDp_flag=O;w h Ue (1);case 6: /3Pl_0 = 0;Pl_l = 0;Pl_2 = 0;Pl_3 = 1;break;case 7 :0Pl_0 = 1;Pl_l = 0;Pl_2 = 0;Pl_3 = 1;)if (tum=0)step_h

37、dex+;if fetep_hdex7) step_hdex=O;)else(step_hdex;if fetep_hdex0) step_hdex=7;)4.2系统总流程图图4.1系统总流程图三相逆变电路供电，由单片机 89c51来编写程序，LBT驱动电路，模块选用EXB841 ,来使三相逆变电路运行，采用过电流保护，提高电路的稳定性， 三相逆变电路输出电流给交流电机，使直流电转变为交流电，更好的给交流电机 供能。234.3单片机初始化流程图初始化开始本科生课程设计（论文）25图5.2单片机初始化流程图采用MSCT1或其兼容系列芯片，采用24MHz或更高频率晶振，以获得较高的 刷新频率，时期显示更稳定。把变量变成初始值.设置定时器的工作方式及初值，开放相应的中断源的中断并设置优先级。4.4子程序流程图中断入口关 T0J1读计数值重复初始化TO，T1开 TO,T1中断返回）4 f本科生课程设计（论文）图5.3子程序流程图在主程序中打开串行口中断，在定时器子程序中使用地址寄存器作为地址指 针，开始时指向数据表首地址，当字符显示完成后，进入下一字符，从右到左的 流动显示，指向字符表字节，同时第一次调用行数据发送子程序，使指向字符表 的第一个字节。第6章课程设计总结交流课程设计终于顺利完成