AgZnO肖特基二极管的制备和光电特性的研究

1、 学号：1003618073河南大学毕 业 论 文（2014届） 年 级 2010级 专 业 班 级 电子信息科学与技术 学 生 姓 名 指导教师姓名 指导教师职称 论文完成时间 二一四年印制 河南大学民生学院毕业论文开题报告（理工类）题目：Ag/ZnO肖特基二极管的制备和光电特性的研究1、 课题来源近些年来，新兴的宽禁带半导体材料的研究格外引人注目。宽禁带半导体材料具有很多突出特点。不仅热导率高而且击穿电压高。不仅介电常数低而且电子饱和速率大，这就保证了其较广泛的适用范围。以ZnO为例，伴随着数字传输以及移动通信信息传输量的增加，ZnO材料的高频特性逐渐崭露头角显示其优势。因此，ZnO薄膜在

2、高频滤波器、谐振器等领域的发展前景非常广泛。本文综述了Ag/ZnO肖特基二极管的制备及电学特性。2、 设计目的和意义研究目的：1、 通过磁控溅射沉积系统制备出Ag/ZnO肖特基二极管成品2、 验证Ag/ZnO肖特基二极管的电学特性研究意义：通过实验熟悉掌握肖特基二极管的制备流程，深化对肖特基二极管相关特性的认识并通过这些进一步提高自己的动手动脑能力3、 设计内容、研究途径及实验操作1、 研究内容：（1） 磁控溅射沉积系统进行氧化锌镀膜制备肖特基二极管（2） 氧化锌肖特基二极管的电学特性（I-V特性）2、 研究途径收集相关资料和文献、系统回顾金属半导体接触理论以及肖特基二极管相关理论，通过磁控溅

3、射沉积系统实现Ag/ZnO肖特基二极管的制备并验证肖特基二极管的相关特性3、 实验操作JGP-450A型射频磁控溅射沉积系统的具体操作4、 国内外现状近年来，第三代半导体材料ZnO（宽禁带间隙半导体材料）越来越受研究学界的青睐。2002年美国实施了宽禁带半导体技术计划。并且分为三个阶段。第一阶段的24英寸材料SiC衬底材料商品化，已实施成功；第二阶段为是实现GaN基高可靠、高性能微波器件的大批量生产；第三阶段，投入若干模块中试验其应用。碳化硅MESFET器件以及GaN基高亮度LED都是具有广阔发展空间的应用研究领域。2004年，“973”国家重大基础项目研究”中有关宽禁带半体研究工作正式启动。

4、十三所、中科院半导体所及电子科技大学、北京大学等高校均参与了研究工作。高校侧重于材料及器件理论、模拟研究。研究所侧重于材料及器件的制备。这些都极大地提高了国内宽禁带半导体研制水平。5、 设计工作的主要阶段、进度阶段起始日期终止日期进度第一阶段2014.3初2014.3底资料收集第二阶段2014.4初2014.4底实验操作数据记录第三阶段2014.5初2014.5底编写论文准备答辩6、 最终目标制备出合格的Ag/ZnO肖特基二极管成品并验证该成品的电学特性7、 现有条件图书馆检索系统、电子专题资料库、JGP-450A型磁控溅射沉积系统八、指导老师审核意见 年 月 日 Ag/ZnO肖特基二极管的制

5、备及光电特性研究 （）中文摘要 ：氧化锌作为一种新一代宽禁带半导体材料特征迥异。室温条件下，Eg可以达到3.37ev。除了禁带宽度比较宽之外，其激子束缚能也比较高。此外，氧化锌材料无毒，材料成本不高等。这些都是氧化锌材料出众的性质使得其成为优异的半导体材料并广泛应用于生产生活中，尤其是在光电器件领域。目前，对氧化锌材料研究的热点主要分两个方向。一个是在材料工艺上有所突破，从而制备出高效率的氧化锌基LED.。另一个主要集中在氧化锌结构特性的研究上（譬如掺杂一些金属后氧化锌一些性能的改变）。本文主要集中在第二个研究方向进行实验和相关理论阐述。 作为建立在金属半导体接触理论上的肖特基二极管，具有一些

6、明显不同于普通二极管的特性，如高频特性以及相对较低的正向导通电压等特性，使得肖特基二极管成为目前电子器件行业应用非常广泛的基本电子元器件。因此，在肖特基二极管器件的制作材料和制作工艺上的深入研究具有深远意义。本文在简要回顾功函数理论、金属半导体接触理论以及肖特基二极管的相关特性的基础上结合氧化锌材料镀膜工艺论述ZnO薄膜的制备过程及在其基础上制作的Ag/ZnO肖特基二极管的基本电学特性；同时简要介绍一些常见宽禁带半导体的特点及应用（碳化硅，金刚石等），重点放在氧化锌作为宽禁带半导体材料的热点以及相关应用的探究上；此外初步探究溅射工艺，重点分析磁控溅射沉积系统（包括其工作原理，内部结构组成）等。

7、关键字 ：肖特基二极管，ZnO宽禁带半导体，磁控溅射沉积系统，I-V特性。Abstract :Zinc Oxide as a new generation of wide band gap semiconductor material with distinct characteristics. Under the condition of room temperature, Eg can reach 3.37ev. In addition to the width of band gap is wide, the exciton binding energy is relatively hi

8、gh. In addition, Zinc Oxide non-toxic material, the material cost is not high. These are properties superior Zinc Oxide material makes it become an excellent semiconductor material and is widely used in production and life, especially in the fields of optoelectronic devices. At present, the hot rese

9、arch on Zinc Oxide material is divided into two main direction. One is a breakthrough in materials technology, so as to prepare Zinc Oxide based LED. efficient. Another major focus on the structural properties of zinc oxide (such as the doping some metal Zinc Oxide some performance change). This pap

10、er focuses on second research directions of experiment and theory. As the Schottky barrier diode based on metal semiconductor contact theory, it has some characteristics different from ordinary diode, such as high frequency characteristics and positive guide of relatively low voltage characteristics

11、 of Schottky diodes, which has become the basic electronic components industry at present electronic devices widely used. Therefore, significant further research in materials and production process of Schottky diode device. Based on a brief review of the basic electrical characteristics combined wit

12、h the preparation process Zinc Oxide material coating on ZnO film based correlation function theory, theory of metal semiconductor contacts and Schottky diode and Schottky diodes fabricated on Ag/ZnO on the basis of; and briefly introduce some common characteristics and application of wide band gap

13、semiconductor (silicon carbide, diamond), focus on Zinc Oxide as the research hotspot of wide band gap semiconductor material and related application; in addition the preliminary inquiry sputtering process, focus on the analysis of magnetron sputtering deposition system (including its working princi

14、ple, structure composition).Keywords ：Schottky diode，ZnO wide band gap semiconductor，Magnetron sputtering system，I-V Characteristic. 目录1引言62综述72.1肖特基二极管72.1.1功函数、金属半导体接触理论72.1.2肖特基二极管的结构和特性92.1.3肖特基二极管的应用以及一些常用型号参数92.2宽紧带半导体材料102.2.1常见宽禁带半导体材料102.2.2氧化锌材料112.3溅射工艺112.3.1溅射112.3.2溅射镀膜122.3.3溅射镀膜的多种方式

15、122.3.4磁控溅射133 Ag/ZnO肖特基二极管制备及I-V特性133.1磁控溅射沉积系统组成133.2样品制备过程143.3Ag/ZnO肖特基二极管的I-V特性143.4氧化锌的XRD特性154结论15谢辞15参考文献151引言 众所周知，半导体器件是电子产业的基石。1998年以来，电子产业凭借其超过1万亿美元的全球销售额超过汽车产业一跃成为世界上最大的产业。2010年电子产业销售额达到3万亿美元，占到GWP的10%，而这3万亿美元的电子产业基本上都是依赖半导体集成电路的生产。无论是电子计算机、电信、航天、汽车以及消费电子都十分依赖集成电路元器件。回顾半导体器件的发展简史是令人兴奋的。

16、从1874年人们对金属-半导体接触物的第一次研究到2001年人们制备出超小型的15nmMOSFET，其中最重要的是1947年双极性晶体管的发明可以说开创了整个现代电子纪元；1960年问世的MOSFET是集成电路中极其重要的部件；1967年发明的非易失性半导体存储器也已经成为自1990年以来电子产业的技术策动力。对于半导体材料来说，最初，锗作为半导体器件制造的基本材料。到20世纪60年代，硅取代锗成为半导体器件制造的主流材料。这是由硅的许多特有优势决定的：首先，硅容易被氧化形成高质量的二氧化硅绝缘层，在IC制造过程所需的选择扩散工艺步骤中，二氧化硅是一种良好的阻挡层；其次，硅的能带隙比锗大，这意

17、味着相对于锗器件，硅器件的工作温度更高；最后，也是最重要的一点，硅作为普通沙子的主要成分，在自然界中储存量非常丰富，并且非常便宜，因此，硅除了所具备的加工工艺优势外还是一种低成本的原材料。此外，IC制造中另一种常见材料是砷化镓。砷化镓（GaAs）的电子迁移率高过硅，但却存在一些工艺局限，这当中包括热处理时低稳定性、低本证氧化度、高成本和高缺陷度等。如今，随着对半导体元器件越来越苛刻的工作条件要求，宽禁带半导体材料越来越引人注目。比如碳化硅，氧化锌等都具有很大的研究和应用空间。纵观整个世界上的几乎所有集成器件，绝大部分都是基于半导体材料独特的性能从而用其制备的（除少数玻璃材料和有机高分子材料）。

18、时至今日，基本的半导体器件大约有60个，100多个相关器件。主要包括：金属半导体接触管（肖特基二极管），发光二极管，双极性晶体管，pn结，晶闸管，太阳能电池，异质结双极性晶体管，隧道二极管，MOSFET，激光，共振隧道二极管等。对于半导体工艺技术来说，同样让人值得欣慰。很多重要的半导体技术可以追溯到几个世纪以前发明的工艺制程，比如，在熔炉里生成金属晶体的技术可以追溯到2000多年前生活在维多利亚湖西岸的非洲人，他们用这种工艺制程在预热强制通风炉内生产碳钢。还有就是1798年的平板印刷术，在最初的工艺中图案或者图像时用石板砖印得到的。20世纪以来，半导体工艺技术得到突飞猛进的发展，主要包括：19

19、18年的Czochralski法晶体生长，1925年Bridgman法晶体生长，1952年的III-IV族化合物和扩散技术，1957年的光刻胶和氧化物掩膜技术，外延CVD生长，以及后来的离子注入，混合集成电路，单片集成电路，多晶硅自对准栅，平面工艺，CMOS,分子束外延，DRAM，沟槽隔离法，MOCVD，干法刻蚀等。自从进入微处理器时代，集成电路的最小线宽每年递减，而且以每年13%的速率。期间小型化的结果是每个电路功能的单位成本减半、特征开关时间下降，功耗越来越小等。今天，平面光刻技术广泛应用在IC制造过程中，主要步骤包括氧化、光刻、刻蚀、离子注入和金属化。 一言以蔽之：半导体器件对我们的社会

20、和世界经济产生了巨大冲击，而半导体材料作为半导体器件制造的基础，正是因为它的存在才构成了世界上最大的产业-电子产业的基础。肖特基二极管作为半导体器件中的基本器件，在现代电子业中充当无可比拟的作用，尤其是宽紧带半导体肖特基结的出现更是是现代微电子业迈上了新的台阶。2综述2.1肖特基二极管2.1.1功函数、金属半导体接触理论功函数理论（绝对零度下条件下）电子填满费米能级以下的所有能级，而Ef以上的能级基本上是空着的。当温度升高时，部分电子被热激发发生跃迁。由Ef以下的能级跃迁到Ef以上的能级，但是仅限于费米能级附近的少数电子，对于绝大部分电子而言是不能脱离金属的。定义功函数为费米能级到真空能级的能

21、量间距。 功函数的大小通常大概是金属自由原子电离能的二分之一。标志着电子在金属中束缚的强弱。 一言以蔽之，功函数就是物质拥有或者抓获电子的能力。金属的功函数约为几个电子伏特。铯的功函最低，为1.93ev；铂的最高，为5.36ev。下面是常见的金属功函数列表：单位:电子伏特,eV金属功函数金属功函数金属功函数金属功函数金属功函数金属功函数Ag4.26Al4.28As3.75Au5.1B4.45Ba2.7Be4.98Bi4.22C5Ca2.87Cd4.22Ce2.9Co5Cr4.5Cs2.14Cu4.65Eu2.5Fe4.5Ga4.2Gd3.1Hf3.9Hg4.49In4.12Ir5.27K2.3

22、La3.5Li2.9Lu3.3Mg3.66Mn4.1Mo4.6Na2.75Nb4.3Nd3.2Ni5.15Os4.83Pb4.25Pt5.65Rb2.16Re4.96Rh4.98Ru4.71Sb4.55Sc3.5Se5.9Si4.85Sm2.7Sn4.42Sr2.59Ta4.25Tb3Te4.95Th3.4Ti4.33Tl3.84U3.63V4.3W4.55Y3.1Zn4.33对于半导体而言，也是把功函数定义为真空能级和费米能级只差。用Ws表示。知识因为半导体费米能级的高低与半导体掺杂浓度的变化而变化，所以功函数也有掺杂浓度有关。不同掺杂弄的的锗、硅、砷化镓功函数如下表所示：半导体（ev）功函

23、数Ws(ev)N型半导体掺杂浓度Nd(每立方厘米)101410151016硅4.054.374.314.25锗4.134.434.374.31砷化镓4.074.294.234.17值得注意的是，在设计肖特基二极管时要重点考虑功函数。而且设计发光二极管中的肖特基结时也要注意。金属半导体接触理论以n型半导体为例，金半接触形成肖特基势垒（如右图所示) m表示金属一端势垒高度；W表示空间电荷区宽度；Eg表示半导体禁带宽度；EF表示费米能级；EC、Ev分别表示半导体导带底和价带顶。 金属半导体作为一个整体在热平衡时有同样费米能级。由半导体到金属，电子需要克服势垒；而由金属向半导体，电子受势垒阻挡。在加正

24、向偏置时半导体一侧的势垒下降；相反，在加反向偏置时，半导体一侧势垒增高。使得金属-半导体接触具有整流作用。 不是一切金属半导体接触均如此。当把半导体杂质掺杂浓度很高时（大于1019/立方厘米），金属和半导体会形成欧姆接触。它会因杂质浓度高而发生隧道效应，以致势垒不起整流作用。这种不具有整流特性的金属-半导体接面称为欧姆接触。 一定程度上看，整流接触和欧姆接触是相互对立的。制作肖特基结时应尽量避免其形成欧姆接触，而在半导体引出金属导线时又要尽量避免其形成肖特基结。2.1.2肖特基二极管的结构和特性结构：肖特基二极管是以其发明人华特肖特基博士（Walter Hermann Schottky，188

25、6年7月23日1976年3月4日）命名的。SBD是肖特基势垒二极管肖特基二极管结构原理图（Schottky Barrier Diode,缩写成SBD）的简称。普通pn结二极管时利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结的原理制作的。而SBD是利用金属与半导体接触形成的金属半导体结（又称肖特基结）原理制作的。特性：与普通pn结二极管差不多，肖特基二极管同样具有类似的正向导通反向截止的单向导电性。但又区别于普通pn结二极管：（1） 普通二极管时少子器件。Pn结导通时的载流子都是少子，它们先形成一定的积累然后通过扩散运动形成电流。其实这样严重影响了pn结的高频特性。而SBD的正向电流，主要是半导体中的

26、多子进入金属形成的。它是多子器件。所以，SBD具有更好的高频特性。（2） SBD的正向导通电压相对较低（0.3v）。一般二极管0.7v。2.1.3肖特基二极管的应用以及一些常用型号参数肖特基二极管的应用举例：肖特基二极管的高频特性，正向导通电压较低等特性使得其在高速集成电路领域应用广泛。此外在微波领域同样有很重要的应用。例如，基于硅的告诉TTL电路中，把SBD当做钳位二极管使用，大大提高电路速度。此外，也可以制成SBD势垒栅极场效应管，功率特性以及抗噪声性能都比普通二极管好得多。一些常见的肖特基二极管的型号参数：常用的有引线式肖特基二极管有D80-004、MBR2535等型号（见下表） 2.2

27、宽紧带半导体材料 近些年来，新兴的宽禁带半导体材料的研究格外引人注目。宽禁带半导体材料具有很多突出特点。不仅热导率高而且击穿电压高。介电常数低而且电子饱和速率大，这就保证了其较广泛的适用范围。 通常称禁带宽度Eg大于2.2ev的半导体材料称为宽禁带半导体材料。即导带底到价带顶的距离要满足不小于2.2ev。 从目前关于宽禁带半导体的研究来看，碳化硅是最为成熟的半导体材料。近些年俩，氮化镓技术有很大突破，氮化铝技术也有很大长进，它们在光电器件中的应用意义深远。而金刚石和氧化锌等，虽然目前研究上扔存在巨大突破障碍，但其发展前景广阔，具备很大潜力。2.2.1常见宽禁带半导体材料碳化硅单晶材料 ：从技术

28、成熟的角度来说，碳化硅材料是材料中最突出的。甚至可以说碳化硅材料是宽禁带半导体材料的核心。SiC材料是IV-IV族半导体化合物。宽禁带Eg=3.2eV。高击穿电场4106V/cm。高热导率4.9W/cm.k。从结构上讲，SiC材料属于硅碳原子对密排结构。目前应用最广泛的是4H和6H晶型。4H-Si适用于微电子领域，用于制备高频、高温、大功率器件；6H-SiC适用于光电子领域，用于实现全彩显示。 总之，SiC材料的发展将直接影响宽禁带技术的发展。金刚石材料：金刚石是碳结晶为立方晶体结构的一种材料。其单位体积键能很大，使它比其他材料硬度都高，是已知材料中硬度最高。此外，金刚石材料的禁带宽度很大。热

29、导率高。介电常数小。节电强度高等特点。 金刚石是目前最有发展前途的半导体材料。传统的用于工具材料（切割玻璃）是我们再熟悉不过的了。但同时在微电子等电子器件领域同样具备不可估量的应用空间。 2.2.2氧化锌材料 氧化锌是-族纤锌矿结构半导体材料。禁带宽度为3.37eV。常温下的稳定相是六边纤锌矿（如下图）氧化锌晶体的物理性质列表如下： ZnO制造LED比GaN作为制造材料更具优势。据推测，ZnO基LED的亮度将是GaN基LED的10倍，但在价格方面是远远低于后者，而且在能耗方面也是非常节能。随着全球能源危机的加剧，节能材料越来越成为万众瞩目的对象，ZnO材料以其优越的特性在未来国防建设和国民经济

30、上都前景无限。以ZnO为例，伴随着数字传输以及移动通信信息传输量的增加，ZnO材料的高频特性逐渐崭露头角显示其优势。因此，ZnO薄膜在高频滤波器、谐振器等领域的发展前景非常广泛。 2.3溅射工艺2.3.1溅射 材料表面原子被高动能核能粒子的轰击，轰击过程中，材料表面原子获得足够能量从材料表面溅出进入气相，这种粒子的复杂散射过程称为溅射。 1842年，Grove在实验室中发现了这种现象。1877年，贝尔实验室、西屋电气公司首先应用溅射原理制备薄膜。1966年，商用电子公司第一次在高频溅射下成功制成了绝缘膜。1970年，磁控溅射技术及其装置出现。这些技术上的创新开创了薄膜工艺划时代的转折，同时令一

31、些建立在其之上的新兴工艺发展迅速。模型图如下： 2.3.2溅射镀膜 在一相对稳定真空状态下，阴阳极间产生辉光放电，极间气体分子被离子化而产生带电电荷，其中正离子受阴极之负电位加速运动而撞击阴极上之靶材，将其原子等粒子溅出，此溅出原子则沉积于阳极之基板上而形成薄膜，此即称溅镀。在溅射镀膜中，被轰击的材料称为靶。2.3.3溅射镀膜的多种方式二极溅射：最简单的直流二极溅射装置如图2 所示。 （图2 二极溅射装置） 这是一对阴阳极组成的冷阴极辉光放电管结构。 阴极接13KV直流负高压，阳极接地。工作时先抽真空，再通氩气，使真空室内达到溅射气压。 接通电源后，带正电的氩离子加速轰击阴极靶，使靶表面溅射。

32、与此同时，以分子或原子状态沉积在基片表面。 这种溅射方式具有结构简单，操作便捷等优点。但在镀膜工艺上不够精细，而且基片热量得不到散失，同意烧坏基片。三极溅射：在二极溅射装置上再加一个电极就是三极溅射。三极溅射使放出热电子强化放电，使溅射速率提高。三极溅射也使得控制溅射工况情况更为方便。可以在主阀全开的状态下制取高纯度的膜。这是与二极溅射的不同点。2.3.4磁控溅射70年代时期，作为新型溅射技术的磁控溅射迅速发展起来，目前已在工业生产中广泛应用。磁控溅射的镀膜速率远超二极溅射镀膜速率。不仅如此，磁控溅射镀膜具有高速、低温、低损伤等优点。即沉积速率快，基片温升低、对膜层的损伤小。磁控溅射的基本原理

33、：以磁场来改变电子的运动方向，并束缚和延长电子的运动轨迹，从而提高了电子对工作气体的电离几率和有效地利用了电子的能量。因此，使正离子对靶材轰击所引起的靶材溅射更加有效。同时，受正交电磁场束缚的电子，又只能在其能量要耗尽时才沉积在基片上。磁控溅射特点是在阴极靶面上建立一个环状磁靶(图4)。离子轰击靶面会产生二次电子。这些二次电子在阴极暗区被电场加速后飞向阳极轰击靶面。电离出的正离子能有效地轰击靶面，同时基片又免受等离子体的轰击。由于电子与气体院子碰撞几率相对较高，所以使得气体离化率增加。即低温和高速。 但磁控溅射同样存在缺点，靶材的利用率不高是其突出缺点。 图4 平面磁控溅射靶 （常见的射频磁控

34、溅射沉积系统如下图所以） 3 Ag/ZnO肖特基二极管制备及I-V特性3.1磁控溅射沉积系统组成 主要构成部分有电控系统磁控溅射室、射频电源、样品退火炉、磁控溅射靶、样品水冷和加热转盘、直流电源、离子束溅射室、真空泵抽系统真空测量系统、离子枪及电源、RF反溅靶、四工位转靶、进样室、载样架、磁力送样机构、气路系统、和微机控制镀膜系统组成。3.2样品制备过程 样品制备流程如下：先打开气泵把真空罩内的空气抽走，使罩内压强达到要求的真空状态，大约要12个小时，然后打开钨丝灯进行加热，使温度达到设定值，比如500度。然后对基片（ITO玻璃）进行预溅射，去除上面的杂质，然后进行ZnO溅射，溅射完成后，再镀

35、上Ag电极。最后冷却取出制备好的Ag/ZnO肖特基二极管。3.3Ag/ZnO肖特基二极管的I-V特性 根据半导体理论可知，半导体和金属构成肖特基接触时，它们的费米能级基本相同，在半导体表面形成肖特基势垒，I-V特性曲线表现出单向导电性，根据热离子发射理论可知，做成的样品，电流大小I=Isexp(qv/nkT)-1,这里Is=AA*T*T exp(-qB/kT),其中Is被称做反向饱和电流，A被称为肖特基的面积，室温时T=300k，且qv3KT,可简化为I=Isexp(qv/nkT)，对此式等号两边取对数，得到lnI=lnIs+ qv/nkT，根据此式可得，在电流密度不高的区域对样品lnI-V曲

36、线做线性拟和，根据直线的斜率能够得出ZnO肖特基接触的理想因子n，根据竖轴截距能够得出Is（反向饱和电流），再通过公式B=kTln(AA*T*T/Is)/q能够计算出B（势垒高度），下图描述了样品的lnI-V曲线，根据下图能够看出刚开始曲线非常陡峭，此时lnI-V表现线性关系，对曲线做线性拟和，可得出500度生长样品的肖特基接触理想因子n是2.51，由直线和竖轴的截距得出500度时Ag/ZnO肖特基二极管的无偏势垒高度大约是1.203eV,由此表明500度时生长的银电极与氧化锌形成了较好的肖特基接触。I-V图如下： 3.4氧化锌的XRD特性 下面是ZnO的x射线衍射曲线，由图像可以看出ZnO样

37、品只出现了一个非常尖锐的（002）衍射峰，根据此能够得出外延层具有高度c轴取向，结晶质量非常好，样品在2=34.543度出现了Ag的衍射峰4结论 本实验采用磁控溅射工艺成功制备了氧化锌薄膜，并在此基础上成功制备了Ag/ZnO肖特基二极管；根据I-V特性测试得到500度生长样品的肖特基接触理想因子n是2.51，500度时Ag/ZnO肖特基二极管的无偏势垒高度大约是1.203eV，由此表明500度时生长的银电极与氧化锌形成了较好的肖特基接触。谢辞 感谢我的导师张新安，正是他不辞辛苦得知道使得论文按时完成！ 感谢我的学姐朱瑞娟，编写论文期间，她为我提供了很大的帮助和一系列建设性意见！ 感谢我的同学们，谢谢你们给予我的帮助！愿我们以后的人生都可以充实、多彩与快乐！ 总的来说，磁控溅射沉积系统制备氧化锌肖特基二极管是当今研究比较热门的话题，老师的谆谆诱导、学姐的出谋划策，是我坚持完成论文的动力源泉。再次致谢。参考文献1.2000Electronic Market