电子器件类发明技术交底书提纲资料

1、路浩知识产权代理电子器件类发明技术交底书提纲交底书名称发明人（以下由知识产权部填写）交底书撰写人联系电话传真号码E mail专利类型实用新型/发明？知识产权部负责人 电话/E-mail本提纲适用于电子管、半导体、放大器、滤波器等电子器件领域。技术交底书是代理人撰写专利申请文件的依据， 其要针对某一发明创造（以下简称 发明）主题，说清楚别人是怎么做的？别人做的有什么缺陷？我要做什么？我是怎么做 的？我做的关键点在哪里？我做的有哪些优点？1、本发明的名称2、背景技术的方案3、背景技术的缺陷4、本发明的目的5、本发明的方案和具体实例6、本发明的关键点7、本发明的效果8、背景技术和本发明的附图一、本发

2、明的名称此部分简要揭示发明主题，需清楚说明本发明的产品名称和/或方法名称，不要含有人名、单位名、商标、代号和型号等非技术术语。【示例1】一种高频电路元件和高频电路模块。【示例2】一种薄膜半导体衬底及其晶化方法。二、背景技术的方案此部分简要说明别人是怎么做的？需先简要介绍本发明涉及的技术和/或产品的性 质和用途等；接下来简要介绍1到2项与本发明最接近的背景技术，即与本发明有相同的 目的或相同的技术手段或相同的用途的产品或方法，最好不要写成综述。背景技术既可以是文献中的技术，也可以是常识或现有产品，是文献时需详细说明 1 地址：湖南长沙市高新区火炬城MO号南楼502室（410013电话：0731-

3、88866588 传真网址： 电邮：changshaluhao背景技术的文献出处，如专利文献号，或期刊名称、卷号、期号和页码，或书籍名称、 作者、出版者、版次和页码。介绍背景技术时需简要说明背景技术的技术措施和/或产品构成，以及各步骤和构成的相互关系。【示例1到目前为止，以高频滤波器为首的具备谐振体的高频电路元件是通信系统中不可缺 少的基本要素。此外，谐振体中，若使用高介电常数且低损耗的陶瓷材料作介电体，便能实现小型 化的低损耗（高Q）谐振器之作用的高频电路元件。【示例2】作为提高半导体薄膜特性的措施，例如，可以考虑将半导体薄膜的结晶性制得更接 近于单晶。实际上，

4、如果绝缘衬底上的整个半导体薄膜可以制成单晶，那么可以得到基本上等同于 使用SO2衬底的器件的特性，而这种器件被认为是下一代的 LSI。最初在十几年前作为3D器件的研究 项目进行了这种尝试，但是将整个半导体薄膜制成单晶的技术仍然需要完善。在现有技术中，现己 提出了在非晶半导体薄膜的晶化过程中将单晶半导体晶粒生长为大尺寸的技术（例如，参见非专利文献2:（日本表面科学学会学报 Journal of the Surface Science Society of Japan , 21 卷，第 5期，278-287 页）。非专利文献2公开了相调制受激准分子激光晶化法，其中由移相器空间地强度调制的受激准分

5、子激光束施加到非晶硅薄膜，由此将非晶硅薄膜熔化并再结晶为多晶硅薄膜。三、背景技术的缺陷此部分简要说明别人做的有什么缺陷？需要客观说明各背景技术的方法或产品在 工艺或性能上的不足。【示例1然而，上述现有的在基板上设置介电部件的高频电路，有以下问题：首先，因为使用时不遮蔽介电部件，故从介电部件发射高频信号（电磁波）。因此，谐振器的损耗增加。亦即，谐振Q值会下降。此外，发射出的电磁波与基板上其他电路耦合，会导致电路工作的不稳定。再者， 为了抑制发射出的电磁波与其他电路耦合，必须将介电部件与其他电路相隔一定距离进行布线，这 就妨碍整个模块小型化。高频电路中的高频信号的频率越高，以上问题就越明显，在毫米

6、波段等中 会造成致命的问题。 此外，TEoi模式谐振器中，谐振电场分布在圆筒形的介电部件内部呈主同心圆 状旋转，因而很难得到理想的与配置在基板上的带状线等的耦合。【示例2然而，如非专利文献 2中介绍的大尺寸的单晶硅晶粒为由无数个小尺寸单晶硅晶粒的 多晶硅或非晶硅环绕。如果形成的薄膜晶体管不具有大尺寸的单晶硅晶粒，那么薄膜晶体管的电特 性将显著降低。如果这种薄膜晶体管包含在如平板显示器的产品中，那么显示器将会有缺陷。四、本发明的目的此部分简要说明 我要做什么？需要简要说明本发明要克服的缺陷，或要解决的问 题，或要达到的目的。【示例1】本发明的目的在于提供一种具有介电部件且损耗小的高频电路元件与高

7、频电路模块。【示例2】本发明的目的是提供一种薄膜半导体衬底的晶化方法；本发明的另一目的是提供一 种用于薄膜半导体衬底晶化的装置。五、本发明的方案和具体实例此部分详细说明我是怎么做的？需要详细说明本发明的总体技术方案，即从若干次 2 地址：湖南长沙市高新区火炬城 MO号南楼502室（410013电话传真网址： 电邮：changshaluhao 研发试验结果总结出来的技术方案。对于如电阻、电容、电感、电子管、半导体等基本的电子器件产品，该类产品多是 由材料或部件进行结构上的组合制作而成，因此在说明这类产品的技术方案会涉及到该 产品的物理结

8、构、工艺方法及制作装置，需要对这些技术方案分别进行详细说明；对于如整流部件、放大部件、滤波部件等可由上述基本的电子器件产品构成电气连 接的电子器件产品，该类电子器件产品需要说明构成其结构所必须的部件、部件之间的连接关系以及部件的功能等内容。对于在微波段可以由传输线和外部腔体结构构成的放大部件、滤波部件等电子器件 产品，需要说明构成其结构所必须传输线以及外部腔体的具体机械结构的连接关系、尺寸等内容。【示例1】本发明的高频电路元件，包括：可产生电磁波的共振状态的至少一个介电部件；包 圈上述介电部件周围的遮蔽导体；具有与上述介电部件的一部分面对面的布置着的带状导体、与该 带状导体面对面的地导体层、以

9、及介于带状导体与接地导体层之间的介电体层的至少一根传输线； 以及连接在上述传输线上，在与上述介电部件之间起电磁波的输入耦合作用或输出耦合作用的耦合 探针。这样一来，因介电部件被遮蔽导体包围起来，故不仅阻挡了从介电部件发射到外部的电磁波， 从传输线的结构来看，在高频电路内与其他半导体器件之间的连接也较圆滑。也就是说，以往由波 导管等实现的功能由电路基板得以实现。因此，实现了电路的损耗小，并使布置有高频电路元件的 整个高频电路的尺寸小型化。上述介电部件以TM模式所激励，而在TM模式共振器中因电场朝向介电部件的长边方向，故 很容易实现与传输线的带状导体的耦合。结果，输出入可使用具有带状导体的传输线，

10、将传输线和 高频电路布置在共同的基板上以后，而很容易应用到模块结构的高频电路上。上述传输线，最好包括带状线、微带线、共面线以及微细导线中之至少一种。还包括：在上述遮蔽导体内部，填满上述遮蔽导体和上述介电体之间的间隙并支撑上述介电 部件的绝缘层。由此，介电部件的共振状态稳定化。上述遮蔽导体，由形成在上述绝缘层外表面的导体覆盖膜构成，上述带状导体，以与上述遮 蔽导体分离的方式由上述导体覆盖膜形成，上述导体覆盖膜中与上述带状导体面对面的那一部分起 上述接地导体层的作用。【示例2】根据本发明的第一方案，提供一种薄膜半导体衬底，其中包括绝缘衬底、在绝缘衬底上形成的非晶半导体薄膜、以及位于半导体薄膜上并指

11、示晶化的参考位置的多个对准标记。根据本发明的第二方案，提供一种薄膜半导体衬底的制造方法，其中包括在绝缘衬底上形成非晶半导体薄膜：以及在半导体薄膜上提供多个对准标记，该对准标记指示晶化的参考位置。根据本发明的第三方案，提供一种晶化方法，其中包括形成具有绝缘衬底的薄膜半导体衬底、 在绝缘衬底上形成的非晶半导体薄膜、以及位于半导体薄膜上并指示晶化的参考位置的多个对准标 记；以及通过与用于晶化的参考位置对准的移相器，施加激光束以晶化半导体薄膜。根据本发明的第四方案，提供一种晶化装置，其中包括：用于安 装薄膜半导体衬底的衬底台，薄膜半导体衬底包括绝缘衬底、在绝缘衬底上形成的非晶半导体薄膜、以及位于半导体

12、薄膜上并指示用于晶 化的参考位置的多个对准标记；以及与用于晶化的参考位置对准的移相器，通过该移 3 地址：湖南长沙市高新区火炬城 MO号南楼502室（410013电话传真网址： 电邮：changshaluhao相器施加激光束以晶化半导体薄膜的激光束照射部件。根据本发明的第五方案，提供一种薄膜半导体器件，其中包括：绝缘衬底、在绝缘衬底上形成的多晶半导体薄膜，以及半导体有源器件；其中多晶半导体薄膜包括沿着多个对准标记的至少一个 单晶半导体晶粒，该多个对准标记相对于单晶半导体晶粒具有预定的位置关系，单晶半导体晶粒具 有预定的晶粒尺寸以容纳半

13、导体有源器件，相对于对准标记，半导体有源器件位于单晶半导体晶粒 的范围内。根据本发明的第六方案，提供一种薄膜半导体器件的制造方法，其中包：在绝缘衬底上形成多晶半导体薄膜，多晶半导体薄膜包括沿着多个对准标记的至少一个单晶半导体晶粒，所述多个 对准标记相 对于单晶半导体晶粒具有预定的位置关系；以及形成半导体有源器件:其中单晶半导体晶粒具有预定的晶粒尺寸以容纳半导体有源器件，相对于对准标记，半导体有源器件位于单晶半导体晶粒的范围内。在具体实例部分，对总体技术方案进行更加具体详细的叙述，如果有附图参考附图进行具体详细描述，具体程度类似学生实验教材，如所需材料、器件的参数、型号以及 性能等内容的明确表达

14、；实例一般要求三个以上。可以将一个实例理解为改变一种或多 种材料、器件，或者改变一个或多个参数都能达到其效果，就是另一个实例，实例越多 越好，所保护的范围也越大。【示例1实例1:本发明的高频电路元件图1(a)、图1(b)及图1(e)分别为本发明的第一实例所涉及的高频电路元件的主体图、纵剖面图及 横剖面圈。如图1 (a)-图I(e)所示，本实例的高频电路元件，包含以二氧化锌(Zr02) /二氧化钛(Ti02)/六氧化二铝镁(MgNb206)为主成分的陶瓷材料等所制成的四棱柱状介电部件1;包围介电部件1、内壁镀金且由铸铜合金等所制成的遮蔽导体2;用于固定、支撑介电部件 1的由聚四氟乙烯树脂等所制成

15、的支撑部件3;由微带线所组成的一对传输线4。传输线4根据高频信号流动的方向起输入线或输出线的作用。此外，传输线4,由聚四氟乙烯树脂等所制成的传输线基板6、形成在 传输线基板6上面的带状导体5、从传输线基板6的背面支撑传输线基板 6的接地，导体层9所构成。接地导体层 9由遮蔽导 体2的一部分所构成。还有，各传输线4从遮蔽导体2的一部分 穿过而插在由遮蔽导体所包围的区域内。亦即，在与遮蔽导体 2的长边方向垂直的侧壁的一部分上开设窗口，从该窗口将传输线4插入，同时在窗口处用绝缘体 7来覆盖传输线4的上面。该绝缘体7起不使传输线基板6上的带状导体5与遮 蔽导体2短路的作用。还有，在遮蔽导体2的内部，带

16、状导体5的前端突出至吆缘体基板 6的外侧，该前端部分和与介电部件 1的长边方向垂直的侧面相对而成为耦合探针部8。该耦合探针部8,具有根据高频信号的流动方向与介电部件1进行输入耦合或输出耦合的功能。此外，虽然未图示，在本实例及后述的其他实例中，该传输线4连接在装在电路基板中的各种电路(放大电路、声音转换电路、图像转换电路)等上。实例2:本发明的高频电路元件图2 (a)、图2(b)依次为本发明的第二实例所涉及的高频电路元件的主体图与横剖面图。如图 2(a) 及图2(b)所示，本实例的高频电路元件与第一实例不同，其结构为在遮蔽导体2的较长的侧壁的一部分上开设窗口，并插入传输线4。带状导体5的耦合探针

17、部8的侧面和与介电部件1的长边方向垂直的侧面相对。其他结构及所得到的效果基本上与第一实例一样。 4 地址：湖南长沙市高新区火炬城 MO号南楼502室(410013电话传真网址： 电邮：changshaluhao【示例2】实例1:本发明的薄膜半导体衬底制作方法现在参考附图说明根据本发明第一实例的薄膜半导体器件。该薄膜半导体器件为薄膜晶体管（TFT）,薄膜晶体管为构成有源矩阵液晶显示器件的半导体有源器件，例如像素开关元件阵列、驱 动电路、D/A（数字到模拟）转换器等。图1到图23示出了制造仞如多晶硅 TFT的连续制造步骤。图1到 6中的部

18、分（A）为局部剖面图，图1至伯中的部分（B）为局部平面图。在图1的部分（A）和（B）所示的步骤中，制备例如石英或无碱玻璃的绝缘衬底10。对绝缘衬底10进行如洗涤或浸泡在氢氟酸中的预处理。在本例中，绝缘衬底10由康宁#1737玻璃形成。在图2的部分（A）和（B）所示的步骤中，抗蚀剂材料涂覆在绝缘衬底10上。使用光掩模有选择性地露出抗蚀剂材料。露出的部分被除去并显影成抗蚀剂图形11,该图形留在绝缘衬底10上。抗蚀剂图形11具有多个开口 OP,每个具有例如图2的部分（B）中所示的+形 状。绝缘衬底10暴露在开口 OP 中。在图2的部分（A）和（B）中，仅示出了其中一个开口OP。在图3的部分（A）和（

19、B）所示的步骤中，使用抗蚀剂图形11作为掩模对绝缘衬底10进行反应离子蚀刻。在该蚀刻工艺中，对应于抗t剂图形11中的开口 OP的绝缘衬底10的露出部分被蚀刻掉例如约 100nm的深度。由此，图3的部分（B）中所示的+”槽GV在绝缘衬底10中形成。在图4的部分（A）和（B）所示的步骤中，除去了抗蚀剂图形11,用 厚度例如为50nm的氮化硅膜（SiNx）12覆盖。氮化硅膜12覆盖有厚度例如100nm的氧化硅膜（SiOx）13。氧化硅膜13覆盖有厚度例如 为200nm的非晶半导体薄膜14。例如通过低温等离子体 CVD ,在绝缘衬底10上形成氮化硅膜12。例 如通过低温等离子体 CVD在氮化硅膜12上

20、形成氧化硅膜13。半导体薄膜14为例如通过低温CVD沉积 在氧化硅膜13上的非晶硅膜13（a -Si）。在半导体薄膜14形成之后，通过离子喷射掺杂，将硼 （B）添加 到半导体薄膜14,由此控制了为有源器件的多晶硅TFT的阙值。除B之外还可以使用BF2作为掺杂剂。半导体薄膜14、氧化硅膜13以及氮化硅膜12凹陷，与绝缘衬底10中形成的凹槽GV一致。由此， 将多个对准标记MK添加到半导体薄膜14,每个对准标记具有由两个相互垂直的直线限定的+形，并且指示出用于晶化的参考位置。对准标记MK由相对于它的周边区域反射系数的差异来辨别。由此完成了用于晶化半导体薄膜14的薄膜半导体衬底。实例2:本发明的薄膜半

21、导体衬底制作方法现在参考附图介绍根据本发明第二实例的薄膜半导体器件。除了通过图31到36示出的步骤形成的薄膜半导体衬底之外，以与第一实例类似的方式制造作为薄膜半导体器件的多晶硅TFT。在图31至U36中，与第一实例中的相同部件用同样的标号表示，因此省略或简化其介绍。图31到图36示出了制造多晶硅TFT的连续制造步骤。图31到36中的部分（A）为局部剖视图，而 图31到36中的部分（B）为局部平面图。在图31的部分（A）和（B）所示的步骤中，制备例如石英或无碱玻璃的绝缘衬底10。对绝缘衬底10进行如洗涤或浸泡在氢氟酸中的预处理。在本例中，绝缘衬底10由康宁#1737玻璃形成。绝缘衬底10涂覆有厚

22、度例如为50nm的氮化硅膜（SiNx）120氮化硅膜12覆盖有厚度例如100nm的氧化硅膜（SiOx）13 o例如通过低温等离子体 CVD ,使氮化硅膜12形成在绝缘衬底10上。例如通过低温等离子 体CVD ,使氧化硅膜13形成在氮化硅膜12上。在图32的部分（A）和（B）所示的步骤中，抗蚀剂材料涂覆在氧化硅膜13上。使用光掩模有选择性地露出抗蚀剂材料。露出的部分被除去并由此将抗蚀剂材料显影成氧化硅膜13上的抗蚀剂图形110抗蚀剂材料11具有多个缺口 OP,每个都具有例如图32的部分（B）中所示的+形状。在缺口 OP中暴露 绝缘衬底10。在图32的部分（A）和（B）中，仅示出了其中一个缺口OP

23、。在图33的部分（A）和（B）所示的步骤中，使用抗蚀剂图形11作为掩模对氧化硅膜13和氮化硅膜12 5 地址：湖南长沙市高新区火炬城MO号南楼502室（410013电话传真网址： 电邮：changshaluhao进行活性离子蚀刻。在该蚀刻工艺中，对应于抗蚀剂图形11中的缺口 OP的氧化硅膜13和氮化 硅膜12的露出部分被蚀刻掉。由此，形成图 33的部分（B）中所示的+槽GV20在图34的部分（A）和（B）所示 的步骤中，除去抗蚀剂图形11,具有 例如200nm厚度的非晶半导体薄膜14形成在氧化硅膜13上以覆 盖槽GV2。半导体薄膜14

24、为例如通过低温 CVD（化学汽相沉积）沉积在氧化硅膜13上的非晶硅膜 （-Si）。形成半导体薄膜14之后，通过离子喷射掺杂，将硼（B）添加到半导体薄膜14,由此控制了作为有源器件的多晶硅 TFT的阀值。除B之外的掺杂剂可以使用 BF2。半导体薄膜14的凹陷，与氧化硅膜13和氮化硅膜12中形成的凹槽GV一致。由此，将多个对准 标记MK添加到半导体薄膜14,每个对准标记具有+形并指示了用于晶化的参考位置。对准标记MK 由相对于其周边区反射系数的差异来辨别。由此完成了用于晶化半导体薄膜 14使用的薄膜半导体衬底。六、本发明的关键点此部分详细说明我做的关键点在哪里？需要逐条列出本发明的技术关键点。【示例1】本发明的技术关键点是：采用位于半导体薄膜上的多个对准标记，以指示晶化的参 考位置。【示例2】本发明的技术关键点是：采用能够产生谐振的介电部件与外部遮蔽导体的配合使用。七、本发明的效果此部分详细说明我做的有哪些优点？需要详细阐述本发明所达到的效果和优点。可 以用产量、品质、收率产率、质量、精度、效率提