微组装在微波遥感中的应用毕业设计报告

1、毕业设计报告（论文） 报告（论文）题目：微组装在微波遥感 中的应用 作者所在系部： 电子工程系 作者所在专业： 电子工艺与管理 作者所在班级： 08251 作 者 姓 名 ： 张昧藏 作 者 学 号 ： 指导教师姓名： 王晓 完 成 时 间 ： 2011 年 6 月 10 日 北华航天工业学院教务处制 北华航天工业学院电子工程系 毕业设计（论文）任务书 姓姓 名：名： 张昧藏 专专 业：业： 电子工艺与管理班班 级：级： 08251 学号：学号： 指导教师：指导教师： 王晓 职职 称：称： 副教授完成时间：完成时间： 2011-6-10 毕业设计（论文）题目：毕业设计（论文）题目：微组装在微波

2、遥感中的应用 设计目标：设计目标：利用电子工艺和封装与微组装的理论知识，实现能合理熟练运用在航天工艺岗位 上这一基本要求。 技术要求：技术要求： 1 能掌握基本的焊接技术。 2 能学习和掌握新知识和技能。 3 保证各产品的工艺正确且适用。 4 可以操作各种微组装的设备。 所需仪器设备：所需仪器设备：计算机一台、微组装设备一套 成果验收形式：成果验收形式：论文 参考文献：参考文献：电子工艺与设备 、 封装与微组装 、 电子组装技术等 1 5 周-6 周立题论证 3 9 周-13 周编写论文 时间时间 安排安排 2 7 周-8 周组织材料 4 14 周-16 周论文验收 指导教师指导教师： 教研室

3、主任教研室主任： 系主任系主任： 摘 要 随着微电子技术领域的新工艺、新技术的不断实用化，电子产品的组装技术从手工 操作阶段迈入了微组装时代，电子产品实现了小型化、便携式、高可靠。国际半导体技 术发展路线图对未来组装技术的走向也做了定位，指出组装和封装技术是影响集成电路 (IC)工作频率、功耗、复杂度、可靠性和成本的重要因素。微电子组装技术是从电路集 成到系统集成的关键技术，它的支柱是高性能、高集成度集成电路和微细高密度多层互 连基板。而后者又可分为优质薄膜层布线板和优质厚膜多层布线板，其中又包括若干支 撑技术和基础技术。 本文介绍了电子组装技术的各个方面和几个发展阶段。高性能、高集成度集成电

4、路 厦其技术方面，特别是 LSI，VI-ISIC、ASIC 等十大系列产品的优势和 LSI 的工艺优势， 加速开发优质薄膜多层布线技术，重视开发优质厚膜多层布线技术和相关的系统集成封 装技术下计算机辅助设计技术。在开发系统集成技术方面应根据我国和中科院电子所的 实际情况，狠抓二次集成技术。这应是我所微电子组装技术的发展方向。 关键词 表面组装 微组装 T/R 组件 MEMS 集成电路 目 录 第 1 章 绪论 .1 第 2 章 表面组装技术 .2 第 3 章 微组装技术 .3 3.1 微组装技术的基本概念.3 3.2 MEMS 技术 .3 3.3 混合集成电路(HIC)和多芯片模块(MCM)的

5、进展.4 3.3.1 关键材料 .4 3.3.2 关键工艺技术 .4 3.4 优质薄膜多层布钱支撑技术和基础技术.5 3.4.1 支撑技术 .5 3.4.2 基础技术 .6 3.5 优质厚膜多层布线支撑技术和基础技术.8 3.5.1 支撑技术 .8 3.5.2 基础技术 .8 致 谢 .10 参考文献 .11 试工日记 .12 微组装在微波遥感中的应用微组装在微波遥感中的应用 第第 1 1 章章 绪论绪论 微电子组装是新一代电子组装技术。它是一门新型的电路、工艺、结构、元件、器 件紧密结合的综合性技术，涉及到集成电路固态技术、厚膜技术、薄膜技术、电路技术、 互连技术、微电子焊接技术、高密度组装

6、技术、散热技术、计算机辅助设计、计算机辅 助生产、计算机辅助测试技术和可靠性技术等领域。 微电子组装一方面尽可能减小芯片和元件、器件的安装面积、互连线尺寸和长度， 以提高组装密度和互连密度；另一方面则尽可能扩大基板尺寸和布线层数，以容纳尽可 能多的电路器件，完成更多、更重要的功能，从而减少组装层次和外连接点数。微电子 组装与常规的电子组装的主要区别在于所用的元件、器件、组装结构和互连手段不同。 前者以芯片(载体、载带、小型封装器件等)多层细线基板（陶瓷基板、表面安装的细线 印制线路板、被釉钢基板等）为基础；后者以常规的元件、器件、印制线路板为基础。 微电子组装的组装密度可比常规电子组装高 5

7、倍以上，互连密度高 625 倍，乃至 100 倍（薄膜布线技术） ，因此能减小电子设备的体积、减轻重量、加快运算速度（信号传输 延迟时间减小） 、提高可靠性、减少组装级。 微电子组装技术的发展始于 20 世纪 40 年代末和 50 年代初的微模组件和后来发展的 薄膜和厚膜混合电路及微波集成电路。70 年代以来，微电子组装技术发展更快，又出现 了芯片载体、载带、大面积多芯片多层厚膜电路。70 年代末至 80 年代初，门阵列芯片、 密封载体、陶瓷基板、被釉钢基板和表面安装印制线路板组件得到广泛应用，多层薄膜 混合电路和有机聚合物厚膜电路也在迅速发展。80 年代以来，随着微电子技术的不断发 展，以及

8、大规模、超大规模集成电路的出现，使得集成电路的集成度越来越高，电路设 计采用了计算机辅助分析的设计技术。此时器件的封装形式也随着电子技术发展，在不 同时期，由不同封装形式分别占领主流地位，如 80 年代由于微处理器和存储器的大规模 IC 器件的问世，满足高速和高密度要求的周边引线、短引脚的塑料表贴封装占据了主导 地位；而 90 年代由于超大规模和芯片系统 IC 的发展，推动了周边引脚向面阵列引脚和 球栅阵列密集封装发展，并促使其成为主流。无源器件发展到表面贴装元件（SMC） ， 并继续向微型化发展，IC 器件的封装有了表面贴装器件（SMD） 。在这一时期 SMD 有 了很大的发展，产生了球栅阵

9、列封装 BGA、芯片尺寸封装 CSP、高密度高性能低成本 FlipChip、多芯片组件 MCM 等封装形式，组装技术为 SMT 表面贴装技术和回流焊、波 峰焊，并继续向窄间距和超窄间距 SMT 发展。所有这些都促使封装技术更先进，芯片 面积与封装面积之比越来越趋近于 1，适用频率更高，耐温性能更好，引脚数增多，引 脚间距减小，可靠性提高，使用更加方便。目前正处于该技术的普及和应用时期。 第第 2 2 章章 表面组装技术表面组装技术 国际上 SMT 发展迅速，并日臻完善，国内 SMT 的应用虽尚处于起步阶段，但极具 发展潜力，已愈益引起业内人士的重视，其发展有以下趋势。 1SMD 和 SMC 日

10、趋微型化。QFP 间距已选 0.3mm，引出脚 200 根以上，片状元 件微型化 1005(1mm 长 05mm 宽)型已投入大批量使用。各类异形表面组元件品种也愈 来愈多，元器件的微型化进一步促进了设备和工艺的更新与发展。 2设备更新换代加快，在使用中厂商更重视设备与工艺的整体配置。 柔性制造系统(FMS)被更多的厂商采用，中型贴片在 SMT 市场中渐趋重要。如由 二台常规型和一台高精度型的中型机组成的贴装流水线，其贴片速度可达到一台大型贴 片机的速度，同时能贴不同形状，不同精度的元器件，成本低，便于调试。 丝网印刷机，再流焊炉等设备不断更新。在 SMT 发展初期，人们对贴片机重视 程度远大

11、于丝网印刷机，再流焊炉等设备，而现在则更重视设备，工艺的整体配合。丝 网印刷工艺中，焊膏的选择、焊膏粒子大小，粘度控制、基板表面平整度对印刷质量的 影响，丝网下金属模板的使用以及不同间距，不同类别元器件对焊膏印刷质量的要求， 促使设备制造商不断更新，改进设备，使印刷机在焊膏印刷中的对位精度、分辨率、重 复性、焊膏厚度控制方面得到满意的结果，出现了型号众多的印刷机产品，目前以半自 动和全自动的印刷机使用最多。在各类再流焊设备中，远红外(IR)曾大量使用，自从使 用者发现它们对不同颜色吸收热量不同以后(如 IC 封装是黑色的，管脚是银白色的，焊 膏会向温度高处流动)，逐步由远红外加热风再流焊炉替代

12、了原有再流焊炉，将辐射加热 改为辐射加对流的方式加热，使温度更为均匀，在炉膛对角线上两端和中间三点温度差 可在 3以内。近来由于精细间距焊接的需要，及免清冼技术的出现，充氮远红外炉特 别受到重视，新一代的再流焊炉大多是氮的，其价格也要贵得多。 3水清洗和免清洗技术 为保证组装后电路板的可靠性，清洗是很重要的，清洗一般包括清洗(去除杂质、助 焊剂残留物)、漂洗、干燥(热风或真空抽干)等三个阶段。由于国际上对环保的要求比较 高，溶剂型(如氟氯昂、丙酮等)清洗液已逐步被替代，而改用水清洗技术。清洗液体有 碳化水、水、酒精、植物液体等。一种清洗机可使用多种液体，水清洗机的价格也很高。 目前免清洗技术正

13、受到重视，使用免清洗一是要减少焊接过程中导体的氧化。二是使用 免清冼焊膏 RMA(Rosin Mildy Activated)。免清洗焊膏中，松香含量约在 9 10 %，其 余为活性剂、树脂，助焊剂及增粘剂等。 4采用电脑整体作业(CIM ) 电脑整体作业使得在生产过程中各台贴片机所贴元件品种、数量分配合理，操作方 便，整个工艺过程包括检测由电脑控制。 第第 3 3 章章 微组装技术微组装技术 微组装技术是电子产品先进制造技术中的关键技术之一，是电子产品制造中的电气 互联技术的主体技术，是电子封装与组装技术发展到现阶段的代表技术。 3.1 微组装技术的基本概念 微组装技术是在高密度多层互联基板

14、上，用微型焊接和封装工艺把构成电子电路的 各种微型元器件（集成电路芯片及片式元件）组装起来，形成高密度、高速度、高可靠、 立体结构的微电子产品（组件、部件子系统、系统）的综合技术。 微组装技术这一名词提出初期，特指组装工艺技术的高级发展阶段，即指元器件引 脚间距小于 0.3 mm 间隙的表面组装技术。随着技术的发展，现在也用于泛指电路引线 间距或元器件引脚间距微小、或所形成的组件、系统微小的各种形式封装。 3.2 MEMS 技术 MEMS(微机电系统)技术是目前的一个新兴技术领域，具有重大的应用前景，它广 泛运用于汽车、电子、通信、航空航天等领域。封装是 MEMS 技术走向产业化实用化的 关键

15、技术之一，封装占整个 MEMS 器件成本的 5090%，随着 MEMS 技术的发展，封 装已成为阻碍 MEMS 商业化的主要技术瓶颈。MEMS 器件可靠性很大程度上取决于封 装，MEMS 封装可靠性需要有封装材料、工艺及结构的工艺力学方面深入的了解与认识。 从 MEMS 封装工艺力学的角度来研究 MEMS 封装中材料、关键工艺及器件封装中 的若干基础问题，研究的内容如下： 将工艺力学引入 MEMS 封装中，提出 MEMS 封装工艺力学的概念； 系统阐述了封装中基于工艺力学的材料行为、热机特性及封装工艺力学的研究分析 方法； 提出了基于 MEMS 封装工艺力学来分析 MEMS 封装可靠性问题。

16、针对微电子 MEMS 封装中互连材料无铅化的趋势，选择具有实际应用潜力的三种无 铅互连材料(Sn96.5Ag3.5，Sn96.5Ag3Cu0.5，Sn99.3Cu0.7(Ni)，分析了它们的温度特性、 应变率特性和蠕变特性，为三种无铅互连材料应用于 MEMS 封装提供了可靠的工艺力学 特性数据，与典型含铅焊料比较分析表明三种焊料力学特性方面具有优越性；分析了多 次回流对无铅互连材料(Sn96.5Ag3Cu0.5)工艺力学行为和微观组织的影响，为封装中焊 点回流可靠性分析提供相关依据；发现界面 IMC 明显增厚并出现 IMC 剥离现象是导致 多次回流后焊点剪切强度下降原因。 应用工艺力学的原理与

17、方法，以 MEMS 封装中贴 片与键合两种典型工艺为对象，分析贴片工艺中的孔洞缺陷及贴片工艺材料特性对封装 可靠性的影响；通过实验手段获得材料特性对贴片可靠性的影响，提出基于贴片材料工 艺力学特性的粘胶贴片材料选择原则；开展了真空下的静电键合与金硅键合工艺研究， 实现了真空下的静电键合与金硅键合工艺；利用贴片工艺材料的选择原则选择压力传感 器的贴片材料；通过工艺力学仿真分析，优化实现了压力传感器封装中玻璃堆叠层键合， 解决了压力传感器的温漂、滞回等问题。 实现了 MEMS 微陀螺仪的真空封装工艺并优 化了工艺参数；分析了 MEMS 微陀螺仪封装中影响气密性的因素；通过管壳、焊料、盖 板及贴片后

18、器件进行烘烤脱附吸附气体，提高 MEMS 微陀螺仪的气密保持性；通过 MEMS 微陀螺真空回流封帽过程的工艺仿真分析，优化回流焊工艺参数且成功实现了 MEMS 微陀螺仪的真空封帽，焊接界面致密性好，提高了微陀螺的可靠性。应用工艺力 学原理和有限元方法分析了不同贴片材料、贴片层厚度对器件灵敏度及可靠性影响；建 立了耐高温压力传感器的 AuSn 共晶焊料贴片工艺，实现了高温压力传感器贴片工艺的 一致性，解决了耐高温压力传感器的精度低迟滞大问题，为耐高温压力传感器的批量生 产提供了工艺保证。. 3.3 混合集成电路(HIC)和多芯片模块(MCM)的进展 3.3.1 关键材料 混合集成电路技术中的关键

19、材料是基板材料、金属化材料、绝缘材料和封装材料等， 它们的发展为混合集成电路技术以及在其基础上发展起来的多芯片模块技术的飞速进展 提供了前提和保证。基板是混合集成电路，特别是 MCM 的重要组成部分。MCM 按照 基板类型可分为四类：印刷电路板 MCM，适用于50MHz 的高性能场 合；以及混合型 MCM。常用的基板材料包括：硅、陶瓷薄板或共烧陶瓷（氧化铝、玻 璃陶瓷、莫来石、氮化铝、碳化硅、氧化铍）以及金属（铝、铜和铜化合物） ，砷化镓 芯片用兰宝石衬底。混合集成电路（包括 MCM）基板发展的总方向是低介电常数，高 热导率和低成本化。目前用于 HIC 和 MCM 金属化的材料主要有：铜、铝、

20、金、合金材 料和金属有机浆料等。常用的介质材料有聚酰亚胺、苯并环丁烯、聚苯酚喹啉、二氧化 硅、多喹啉、聚四氟乙烯、环氧树脂等。 3.3.2 关键工艺技术 HIC 和 MCM 的设计和制造方法多种多样，各生产单位都有自己独特的工艺流程， 为适应 HIC 和 MCM 小体积、高性能的发展方向，就必须不断提高工艺技术水平，其中 关键的技术是：高密度多层布线技术、元器件高密度互连技术、设计技术、检测技术等。 提高布线密度是缩小产品体积、减小信号延迟时间的重要保证，故减小导线宽度和导线 间距，减小通孔直径和孔距，并采用多层化形式是必须的。高密度多层布线的导体层制 造技术有厚膜低压印刷技术、凹版补偿微细图

21、形成形技术、减成光成形技术、加成光成 形技术等多层化技术。现在厚膜布线的线宽和线距已窄达 20m，布线层数高达 100 层， 而薄膜布线的线宽和线距则达 10m，布线层数达 10 层。 为适应超小型化的要求，片 式元件已发展导 1005 型，LSI 封装的引线间距也降到 0.3mm。电子元器件的互连安装中 LSI 的高密度安装是一直努力探索的课题。LSI 高密度安装技术包括丝焊、载带自动焊 （TAB） 、裸芯片倒装，高密度互连（HDI）等。 目前，MCM 尚缺乏完整的设计系统。 检测技术也是有待研究的 MCM 和 HIC 的技术难点之一。 3.4 优质薄膜多层布钱支撑技术和基础技术 3.4.1

22、 支撑技术 1CAD 技术 采用计算机辅助多层布线设计和计算机辅助制版技术，可提高效率、缩短研制周期， 使失误减到最小。 2薄膜技术 薄膜制备方法是将经过清洁处理的绝缘基板，通过真空蒸发、电子束蒸发或溅射等， 在上面淀积薄膜导体、薄膜介质和薄膜电阻等，再对它进行光刻，从而获得优质薄膜光 刻图形。 3介质隔离技术 目前薄膜多层布线的隔离介质，主要是高分子有机物，呈肢体状，透过甩胶，获得 均匀平坦的膜，有负性光刻胶性能，可用湿法光刻腐蚀或等离子干法腐蚀刻出所需要的 层间互连窗口。 4表面贴装技术(SMT) 被誉为“组装革命”的表面贴装技术将代传统的印刷电路板钻孔插装方法，其特点 有： 采用无引线片

23、状元器件进行贴装，能达到更高的安装密度，使电子产品实现 “轻、薄、短、小”成为可能。 传统插装方法可在印刷电路板两面进行安装，而 SMT 同样可在印刷电路板两面 贴装。 用无引线片状元器件贴装，其分布电容、电感很小，减少了互连线的数目和长度， 从而提高电路的高频性能，并减少了线路的时间延迟。 用无引线片状元器件，不需要安装插孔，便于自动供给和自动安装，工艺简单易 行。 用无引线片状元器件的封装形式，可减小电子产品的体积和重量，从而达到高密 度组装目的。由于 SMT 具有接触面积大、组装密度高、重量轻、体积小、可靠性高、 性能好等优点，把它引入微电子组装技术将会产生深远的影响。 5微型焊接技术

24、微组装成一个组件、部件、分系统或系统，不管什么样的元器件都存在与线路的连 接问题。由于元器件小，它的焊接也就特殊，如丝焊、载带焊、回流焊等。 超声焊 不用焊料和焊剂，针对丝焊，用于裸芯片、COB 和倒装(face downbonding)。 热超声金丝球焊 不用焊料和焊剂，针对丝焊，用于裸芯片、COB，用焊片还可进行硅芯片焊接。 机械热脉冲焊 可用也可不用焊料和焊剂，用于 TAB、梁式引线器件 回流焊 分汽相、红外和热板焊，可用焊料，用于 SMT、倒焊等。 6封装技术 在这里，封装的概念是广义的，不单是对某个元器件而言，而是对一个组件、部件、 分系统和系统而言。当然，由于半导体器件表面钝化技术

25、不断提高，封装作用也不一样。 封装除密封作用外，还有屏蔽、机械保护、装璜等作用封装形式多种多样。 3.4.2 基础技术 1优质薄膜多层布线板 可用作薄膜多层布线的板料较多，这里主要介绍下面四种。 陶瓷基扳 微波领域，要求微波损耗很小，用 995%三氧化二铝基板，将它研磨抛光，清洗 干燥后即可使用。 微晶玻璃基板 一般高频、甚高频、低频都可采用。由于其性格比好，加工方使，可以直接在磨抛 好的基板上制作薄膜电阻、电容、进行薄膜多层布线等，所以，它的应用已很普遍。 硅基板 硅基板的组装密度 做得很高，互连接点可大大减少，内在可靠性高，与硅芯片的 热膨胀系数一致，热导率比氧化铝瓷高 510 倍， 可直

26、接将 LSI 做在里面， 也可外配 LSI、VLSI、VHSIC、ASIC 以及其它元器件，性能价格比合理，可以直接借鉴成熟的半 导体工艺，线宽比 VLSL 大 l0 倍。这些优点使得电路成品率大幅度提高，并能在表面进 行薄膜多层布线。硅基板结构已在 3GHz 的超高频 GaAS IC 中得到满意结果。 绝缘金属基板 在铝金属板表面生长适当厚度的致密氧化层，在其表面涂覆有柔性的绝缘物，并粘 贴金属箔，这样可以在箔上采用常规的工艺，光刻出精细的互连图形，在其表面进行薄 膜多层布线。在它上面还可进行 SMT、COB 和各种功能器件的组装。被用作电路布线 板、散热板、屏蔽板和封装外壳，并已用于高压、

27、大电流和高速电路中。 2片式元器件 有裸芯片、带凸点芯片、梁式引线芯片、载带芯片，是优质薄膜多层布线板组装首 批选取的片状元器件。片状电容、电感等无源元件在特殊电路中也常被采用。 3隔离介质材料 作为薄膜多层布线的介质材料常用聚酰亚胺和光敏性聚酰亚胺，国外还用派拉伦 (paralene)，其中又以光敏性聚酰亚胺最好。由于它介电常数小，绝缘性好，高温稳定， 理想的平坦性，有负性光刻胶性能，与金属铝的粘附性好，热应力小，有一定抗潮性， 对高能电子、热中子和粒子均有阻挡作用等，因此已被广泛采用。 4金属材料 供薄膜多层布线的材料很多。用于基板粘附的有铬、镍铬、钛和钼；用作导体的有 金、铜、铝；用于电

28、阻的合金有 NiCr、CrSi、TaN 等；用作介质的非金属化台物有 SiO 和 SiO2 等。 5封装材料 用薄膜多层布线板组装的电子产品， 所用的封装材料有金属和非金属，视使用环 境而定。金属主要是铜、镍、铝等；非金埔主要是陶瓷、玻璃、塑料等。 3.5 优质厚膜多层布线支撑技术和基础技术 3.5.1 支撑技术 1CAD 技术 其作用与薄膜相同。 2厚薄技术 厚薄是指在绝缘基片上用印刷、烧结工艺或等离子喷涂技术所形成的厚度数微米至 数十微米的膜层(薄膜只有它的数十分之一) 。其特点是设计灵活，电性能好，功耗大， 工艺简单，周期短，可靠性高和投资少等。制作方法分丝网漏印法和厚膜光刻法。前者 采

29、用不同目数的丝网所制的网模，通过恰当的浆料配合， 可漏印线宽 100um 左右；后 者制作的线宽小于 100um。厚膜方法同样可用作互连导体，厚膜电阻和隔离介质等。 3介质隔离技术 在厚膜多层布线中，隔离介质是特殊的浆料。采用常规漏印技术，层间互连孔尺寸 要适当。在每层烧结中，温度控制要视浆料性能而定。 4贴装技术 厚膜因其膜厚(与薄膜相比)，所有在薄膜中可用的片式元件，在这里都适用。而且 对 SOP、PLCC、LCCC 、QFP 等封装形式都能组装。通常使用漏印的焊膏，贴装上片 式元件，在汽相焊或红外炉和热板设备中一次回流焊成，通过清洁处理即组装完成。 5微型焊接技术 片式元器件组装与薄膜焊

30、接完全相同。此外，还可采用汽相回流焊、红外焊和热板 回流焊接技术来完成组装焊接。 6封装技术 这里除通用的陶瓷金属封接，玻璃金属封接，陶瓷玻璃金属封接，塑料金属模塑等 外，还可直接用陶瓷厚膜多层印刷板作母板进行单独应用。上述技术对于组件、部件和 系统是必不可少的技术。 3.5.2 基础技术 1优质厚膜多层布线板 厚膜陶瓷多层布线板按工艺分为干法和湿法。前者是将轧膜或流延的瓷浆制成膜， 经多次漏印互连线、冲孔、叠层、排胶和高温共烧(一般 16001700)而成；后者是将 隔离介质浆料漏印到熟陶瓷板上，使它落于已做成的导体和电阻的确定部位，分层漏印、 分层烧结。干法在还原气氛如氢或氢氮混合气体中共

31、烧，布线浆料采用高熔点金属粉 W、Mo 等。湿法一般在氧化气氛中(900 1000左右)烧成，其布线浆科常用 Ag、Pd、Au、Cu 等。陶瓷玻璃多层布线板是近期发展起来的新技术。由于具有烧结温 度低(8501000) 、异体材料广(As、Ag、Pd、Ni、Cu、Au) 介电常数小等特点， 所 以比前面的氧化铝陶瓷多层布线板更受人们重视。 2片状元器件 供厚膜多层布线的片状有源元器件的封装形式有 PLCC、SOP、LCCC、QFP 等；无 源元件有无引线片状电容、电阻和电感，它们都是通过特殊工艺线完成的。当然，薄膜 中使用的片状元器件，如芯片电容、裸芯片、带凸点芯片、载带芯片和梁式引线芯片， 在这里都可使用。 3介质浆料 作为厚膜交叉一多层布线隔离介质材料，要求绝缘电阻大，耐压强度高，介电常数 小，介质损耗小、抗热冲击性能强并与其它厚膜元件有很好的相容性。最早是硼硅铅玻 璃，近来出现的微晶化玻璃，都能较好地满足上述条件。 4厚膜浆料 厚膜布线采用一套特制的导体浆料，如 Pd-Ag 浆料、Ag 浆料、金浆料和铜浆料等。 浆料由固体微粒和载体组成，固体微粒视浆料的用途而定。例如，电阻浆科的固体微粒 是氧化钉等。供厚膜布线的导体浆料应是阻值低、结构致密、有良好附着性、焊接性好、 抗电迁移、与其它元器件相容性好、原料来源丰富，