有关IR2104的自举电容和NMOS选择问题

1、有关IR2104的自举电容和NMOS选择问题这是我第一次用IR2104有一些疑问希望各位师傅能不吝赐教电机驱动电压为170V，频率40KHZ，电流3A的矩形波电路图如下所示自举电容C3,C4和Q1,Q2,Q3,Q4该如何选择？U1,U2前边是否要加隔离电路？谢谢啦！170v要加光耦了，自举电容1uf低ESL低ESR即可。是在U1,U2前加的吧恩，前面加為什麼要加上D3,D4,D5和D6?有何作用?為什麼要加上D3,D4,D5和D6? dead time management.为mos管放电提供低的回路最好再给mosfet的gs间加个10k的电阻不过有位师傅说限流电阻为33欧姆所以D3,D4,D

2、5，D6加不加无所谓是这样吗？电路图参数已选定，大家帮看看是否合适1N4004和10K其实也可以省能具体说一下吗？10K电阻不是确保：关机后栅极存储的电荷通过10K电阻迅速释放，以保证电荷的迅速释放的吗？还有1N4004呢？谢谢了！10K不能省，1N4004还是省下来吧，也好几毛钱了NMOS附送的二极管比1N4004高级的多我也认为10K不能省觉得 adcr 老稻说的比较又道理都不能省。10K电阻是用来保护GS在关断时不被击穿，而1N4004是续流用的，不能省，这里建议1N4004换成MUR160以上的快速恢复二极管我还想问下各位师傅自举电容C3,C4应该没有耐压要求吧如果反并联续流管是不是应

3、该注意正向压降问题。如果你并的压降比体二极管压降大岂不是悲剧了肖特基或者“同步续流”？请教下GS间10K电阻的作用LZ,我按你的图改改，自己做了块。上面半桥是正常的，但是下面那半路中MOS管一上电就有1A多的电流输出。很奇怪，电路没地方短路，2104两端输出均正常。原理图如下。自举电容1uf低ESL低ESR即可。20楼的图，下面的那半桥，为什么HO接到低端MOS，LO接到了高端MOS呢？有没有谁做过用220V ac整流堆整流流出来，然后用ir2104驱动mos管驱动电机的兄弟呢？请问不加光耦有什么后果？0楼歪才，想用一个信号来控制2个2104，（正相和反相），但LO和HO输出电平不一样的，正确

4、做法是一片2104的信号输入端加反相器Nmos不是自己带了一个二极管了吗，为什么还要再加一个续流二极管呢你好，我想问一下为什么1N4004不能省，不是NMOS内部不是已经加了二极管了吗你好，我想问一下为什么1N4004不能省，不是NMOS内部不是已经加了二极管了吗.如果内部有的话可以省掉，自举回路的二极管要用MUR系列的，比较合适如果内部有的话可以省掉，自举回路的二极管要用MUR系列的，比较合适但是我看到有的资料也说MOS内部的二极管是由于寄生作用产生的，性能不是很好。但是在看MOS管的数据手册时（比如IRF3205)，其内部的二极管可以持续通过电流110A，性能很好。这使我比较迷惑，你能解答

5、一下吗？10K可以不要。用主动升压,C3,C4也可以省有关IR2104的自举电容和NMOS选择问题用主动升压,C3,C4也可以省兄台能不能给推荐个电路 主动升压能满占空比吗驱动供电的地方最好加一个1000uf的电解电容我的电路图是有一点问题的，首先把接在VB上的二极管换成了快速恢复的FR307，然后在电源上接了电解电容，在V .大神，你这个电路驱动有没有成功啊，怎么我和你的电路一样，没有成功啊关于IR2104s 自举电容的取值问题关于IR2104S.htmlIR2104S自举电容的取值问题最近用到IR2104S这个芯片来驱动H桥。查了一些资料和很多人画的电路，都说自举电容的取值对芯片是否能够正

6、常工作有很大的影响。但是不同的人设计的电路在其他参数类似的情况下，自举电容的取值却又不太统一。有没有使用过这个芯片的高人，指点一下究竟应该如何来取这个自举电容的值。比较合适。链接中是我找到的一个关于如何来取这个电容值得文章，但是公式中有很多参数诸如Icbs，Vls，Vmin代表的意义不是很清楚。请大家指点。通常按10UF取值即可用0.1UF也可以用0.1UF也可以,驱动的是IRF640供应:IR系列产品现货供应IR的MOS型号:欢迎各界人士来电和询价，或发邮箱给我等等，会在第一时间回复你。IRL3803SPBF30V/140AIRLR7807ZPBF30V43AIRFZ34NPBF55V/26

7、AIRF3205PBF55V/98AIRFR024NTRPBF55V/17AIRFZ44NPBF55V/49AIRF9Z34NPBF-55V/17AIRF1010EPBF60V/81AIRF540NPBF100V/44AIRF3315PBF150V/21AIRF6215PBF-150V/13AIRF9640PBF-200V/-11AIRFR220NPBF200V/5AIRF620200V/5.2AIRF630NPBF200V/9.5AIRF640NPBF200V/18AIRFB38N20DPBF200V/44AIRFP260NPBF200V/50AIRFP264PBF250V/38AIRF74

8、0PBF400V/10AIRF830PBF500V/4.5AIRF840PBF500V/8AIRFP450PBF500V/14AIRFP460APBF500V/20A供应IR-PERI的IGBT模块型号:欢迎各界人士来电或询价等等GA75TS120U75A/1200VGA100TS120U100A/1200VGA150TS120U150A/1200VGA200TS120U200A/1200V供应现货IGBT：欢迎各界人士来电或询价等等IRG4PF50WDPBF900V/28AIRG4PF50WPBF900V/28AIRG4PC40W600V/20AIRGPS40B120UDPBF1200V/4

9、0AIRG4PC40UDPBF600V/20A联系人：徐先生手机-mali：SZXYF1984163.COMMSN:SZXYF1984163.COMQQ:342184874ON Semiconductor D44VH10G , NPN 双极晶体管, 15 A, Vce=80 V, HFE:20, 20 MHz, 4针 TO-220AB封装产品详细信息NPN 功率晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管通用晶体管双 NPN 和 PNP 晶体管功率晶体管高电压晶体管射频双极晶体管低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管产品技术参数查找不到您搜索的产品？请先选择您所需要的属性，然后点击下面的按钮晶体管类型NPN最大直流集电极电流15 A最大集电极-发射极电压80 V封装类型TO-220AB安装类型通孔最大功率耗散83 W最小直流电