中南大学电工学B(少学时)测试题

1、第一章自测题一、填空题1、反映实际电路器件耗能电磁特性的理想电路元件是 ；反映实际电路器件储存磁场能量特性的理想电路元件是 ；反映实际电路器件储存电场能量特性的理想电路元件是 。2、电流沿电压升高的方向取向称为非关联方向，这种方向下计算的功率为负值时，说明元件。3、半导体存在电子导电和空穴导电两种导电方式；杂质半导体主要有型半导体和型半导体，其中多子是空穴的是。4、如图所示电路的最简形式是 。5、晶体管有、三种工作状态，当发射结正偏、集电结反偏时，晶体管所处状态是。6、图中UBE与UEC的大小关系是。7、理想运放工作在线性区时的两个重要结论是 和 。(第4题)(第6题)(第8题)8、图中电路的

2、输出电压值是9、理想运算放大器的开环电压放大倍数为 ，输入电阻为 ，输出电阻为 。10、测得放大电路中晶体管上各电极对地电位分别为V1=2.1V，V2=2.8V,V3=4.4V,说明此晶体管为 型 管，1为 极，2为 极，3为 极。11、一盏“220V、60W”的电灯，当接到110V电压下工作时的电流是 12、晶体管的三个区分别是 。二、判断题1、对于电感元件，其韦安特性是一条通过原点的直线。 （）2、电阻始终是耗能元件，电源可能是耗能元件。 （）3、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（）4、本征半导体因不含杂质，所以本征半导体不导电。（）5、二极管的击穿都是可以

3、恢复的。（）6、硅管的死区电压约为0.1V，锗管的死区电压约为0.5V。（）7、稳压管反向击穿后电压变化很大，电流变化很小。（）8、电流源提供的电流不随外接电路的变化而变化，其端电压由内电阻决定。（）9、NPN型晶体管处在放大状态时有VCVBVE。（）10、晶体管集电极电流IC由基极电流IB决定。（）11、在稳压电路中，稳压二极管工作在正向导通。（）12、二极管截止时，管中没有电流流过。（）13、二极管也叫双极型晶体管。（）14、能为电路提供能量的只有独立电压源和电流源。（）三、选择题1、用直流电压表测得某放大电路的三只晶体管的三个电极对地电压分别如图所示。则三只晶体管的类型分别是（ ）A、N

4、PN、NPN、PNP B、NPN、PNP、PNPC、PNP、PNP、NPN D、NPN、NPN、NPN2、恒压降二极管模型的伏安特性曲线是（ ）ADCB3、把一个二极管直接同一个电动势为1.5V, 内阻为零的电池正向连接, 该管( ) A、击穿 B、导通 C、截止 D、电流过大使管子烧坏4、二极管反偏时，以下说法正确的是（ ） A、在达到反向击穿电压之前通过电流很小，称为反向饱和电流； B、在达到死区电压之前，反向电流很小； C、二极管反偏一定截止，电流很小，与外加反偏电压大小无关5、与门的图形符号是（ ）DCBA6、晶体管三个电极上的电流满足（ ）A、IC=IEIB B、ICIBIE C、I

5、EICIB D、IEIBIC7、一个两输入端的门电路，当输入为1和0时，输出不是1的门是（ ）A、与非门 B、或门 C、或非门 D、非门8、当温度升高时，二极管的反向电流将( )A、增大 B、减小 C、不变 D、由外电路决定三、计算题1、图中U1= -1V，U2=-3V，U3=-1V，U4=1V，U5=2V，I1=4A，I5=-2A, I3=-2A，试判断各元件是电源还是负载。2、已知电路如下图示：V为理想二极管，试分析：二极管导通还是截止？UA0=？3、电路如图所示，已知ui=5cost V,二极管导通电压UD=0.7V，试画出ui与u0的波形图，并标出幅值。 4、放大电路中晶体管T1、T2

6、、T3的电流如下所示。试指出每只晶体管的B、C、E极，判断晶体管是NPN型还是PNP型？ I1 = 0.01mA I2 = 2mA I3 = -2.01mA I1 = 2mA I2 = -0.02mA I3 = -1.98mA I1 = -3mA I2 = 3.03mA I3 = -0.03mA5、用万用表直流电压档测得电路中晶体管（PNP型硅管）各电极对地电位如图所示，试判断各晶体管分别工作于什么状态（放大、饱和、截止）。6、测得晶体管在放大电路中各点电位如图所示，试画出管子。第二章自测题一、填空题1、基尔霍夫电压定律和电流定律的本质分别是 和 。2、对于具有n个结点，b条支路的电路，可以列

7、出 个独立的电流方程和 个独立的电压方程。3、如图所示，该电路共有 个结点、 条支路、 条回路、 个网孔。4、已知、，则如图所示电路中的电流= （第5题）（第4题）(第3题)5、电路图如图所示，则Uab= 6、如图所示电路中，当电压源单独作用时I= ；当电流源单独作用时I= ；当两电源同时作用时I= 。（第8题）（第7题）（第6题）7、如图所示， R1=2, R3=5，E1=17V，E2=17V，I1=1A,，求I2= ，R2= 8、画出下图的等效戴维宁电路图 9、在叠加的分电路中，不作用的电压源_,即在电压源处用_替代；不作用的电流源_,即在电流源处用_替代。10、如图所示电路，已知us=1

8、0cos(t)V,is=8 cos(t)A,(a)、(b)两电路中各电源发出的功率分别是 11、列写图示电路的支路电流方程 （第12题）（第11题）12、如图所示电路，Uab= 13、右图中电压u= 二、判断题1、基尔霍夫定律不适用于非线性电路，只适用于线性电路。（ ）2、叠加定理适用于线性电路，也适用于非线性电路。（ ）4、在含有多个独立电源的电路中，任一条支路的电流或电压等于电路中各个电源分别单独作用是在该支路中产生的电流或电压的代数和。（ ）5、电路的一般分析方法都是建立在基尔霍夫定律上的。（ ）6、所谓二端网络就是具有向外引出两对端子的电路或网络。（ ）7、在列多个KVL方程时，每一个

9、回路的绕行方向可以任意选定。（ ）8、在运用基尔霍夫定律列方程时，无论所选的电压、电流的参考方向如何，计算结果都相同。（ ）9、如图左边电路可以等效为右边的电路。（ ）10、在利用基尔霍夫电压定律时，同一电路的不同回路的绕行方向必须一致。（ ）11、电路在利用电源等效变换法简化后，等效电路和原电路相同元件上的功率相等。（ ）12、图示两电路完全等效。（）三、选择题1、如图为某电路中的一部分，则其中的和分别为（ ）A、4A、28V B、-4A、28V C、2A、14V D、-2A、-14V2、如图所示电路A、B端口的戴维宁等效电压UAB=（ ），等效电阻RAB=（ ）A、UAB=-2V,RAB=

10、1 B、UAB=4V,RAB=1 C、UAB=-5V,RAB=0.8 D、UAB=-4V,RAB=1（第1题）（第2题）（第3题）（第4题）3、如图所示电路，已知电压。，电阻，电容，则电压、的值分别是（ ）。A、5V、5V B、5V、0V C、0V、5V D、0V、0V4、在图示电路中已知 US 6 V ，IS2 A ，R1R24 W。则开关 S 断开时开关两端的电压U和开关S闭合时通过开关的电流 I是（ ）A、14V、2.5A B、12V、2.5A C、14V、3.5A D、12V、3.5A5、电路如左图所示，已知、，电路中的电流及的大小为（ ）A、-35A、26A B、35A、25A C、

11、-35A、-26A D、-35A、-25A6、上右图示的虚线方框内是一个由线性电阻组成的任意的无源电路，现已知 US6 V时，通过R的电流为 5 A。若将 US 增加到 12 V，通过 R 的电流是（ ）A、7A B、8A C、9A D、10A7、如图，已知US10 V， IS13 A， IS25 A，R12 W，R23 W，R34 W。则理想电压源的功率是（ ）A 62W B 50w C -50W D 60W三、计算题1、 用支路电流法求图中各支路电流，并说明 US1 和 US2 是起电源作用还是起负载作用。图中US112 V ，US215 V ，R13 W， R21.5 W, R39 W。

12、2、用支路电流法求图中各支路电流。3、用电源等效变换法求电流I。4、求图示电路电压u1、u2.5、已知R1=1 W，R2=R3=R4=R5=6 W。试用叠加原理求电流I。6、试用戴维宁定理求电流I。7、 在图示电路中，当 US16 V 时 ，Uab8 V，试用叠加原理求 US0 时的 Uab。8、用戴维宁定理求图示电路中通过理想电压源的电流。图中 US10 V， IS13 A， IS25 A，R12，R23，R34。 第三章一、填空题1、正弦量的三个基本特征量是 、 和 。2、已知i1=12.72sin314t+30A,i2=112sin314t-60A,则i1+i2= 。3、在三相不对称负载

13、电路中，中线能保证负载的 等于电源的 。4、已知三相负载各相阻抗为ZA=4+3j,ZB=5,ZC=6-8j,联接成星形，接到三相四线制电压为220/380V的电网上，则各线电流和中线电流分别为IA= , IB= ,IC = ，I0= 5、已知复数A=-8+j6,B=3+j4,则AB= ,A/B= .二、判断题1、正弦交流电路中，电流和电压的瞬时值、向量和有效值都满足基尔霍夫定律。（ ）2、阻抗的阻抗角等于同频率的电压初相位与电流初相位之差。（ ）3、如图，三相对称负载星形连接，并连接在三相四线制电路中，则有UA+UB+UC=0，IN=0.( )4、负载作三角形连接的三相四线制电路中，如果不计输

14、电线的阻抗，则负载的线电压就是电源的线电压。（ ）5、星形连接的不对称负载接到三相四线制电路中必须要有中线才能保证相电压的对称，同时为了保证设备的安全，中线上必须安装保险丝。（ ）三、选择题1、1.一个电热器，接在10V的直流电源上，产生的功率为P。把它改接在正弦交流电源上，使其产生的功率为P/2,则正弦交流电源电压的最大值为（ ）A7.07V B5V C14V D10V2、如图所示对称星形三相电路的线电流均为2A，当S闭合后IA变为（ ）A、6A B、4A C、43A D、23A3、有60盏额定电压为220V、额定功率为100W的白炽灯，平均安装在三相电网上，电源电压为380/220V，则电

15、灯全部接通时各相电流和线电流分别为（ ）A、9.09A、9.09A B、9.09A、15.7A C、27.2A、27.2A D、27.2A、47.1A4、已知某负载的电流i=5sin(t+10),uAB=380sint+75,则负载的阻抗为( )5、已知在工频条件下，u1与u2的有效值分别为U1=100V,U2=60V,u1超前u260，则总电压u=u1+u2的有效值为（ ）A、160V B、198V C、140V D、87V6、下列说法错误的是（ ）A、当负载作Y连接时，必须有中线；B、三相负载越接近对称，中线电流就越小；C、当负载作Y连接时，线电流必等于相电流；D、三相对称负载的总有功功率

16、等于单相负载的3倍。四、计算题1、已知相量I1=23+j2A和I2=(-23+j2）A，试把它们化成极坐标式，并写成正弦量i1,i2.2、如图所示的三相四线制电路，三相负载连接成星形，已知电源线电压为380V，负载电阻Ra=11,Rb=Rc=22.试求：（1）负载的各相电压、相电流、线电流；（2）中线断开，A相又短路时的各相电流和线电流；（3）中线断开，A相断开时的各相电流和线电流。3、某三相对称负载，每相阻抗Z=（8+j6），将负载连接成星形，接于线电压为380V的三相电源上，试求：相电压、线电流和三相有功功率的大小。4、电流i=10sin100t-3A,问它的三要素各为多少？在交流电路中，

17、有两个负载，已知它们的电压分别为u1=60sin314t-6V,u2=80sin314t+3V,求总电压u=u1+u2的瞬时表达式，并说明u、u1、u2三者的相位关系。第四章自测题一、 填空题1、 是放大电路中最基本的单元电路，其中 是整个放大电路的核心；放大电路中直流、交流共存，其中 是基础，它保证晶体管工作在放大状态，并同时提供合适的 。2、放大电路应避免信号失真，现由示波器观察到的波形失真情况如下图所示，则两图分别表示 失真和 失真，分别是由 和 引起的；而信号过大易引起 失真。3.晶体管可以等效为线性元件的条件是晶体管工作在 且输入信号的变化范围 （填“很大”或“很小”）4、如图所示电

18、路，已知UCC=12V, =50.若要使得UCE=6V,IC=3mA,则RB= ，RC= 。5题图4题图5、如图所示电路，u0= 二、 判断题1、 静态分析采用微变法来确定放大电路的工作点。（ ）2、 放大的实质是实现能量的控制和转换。（ ）3、 NPN型和PNP型对直流偏置的要求不同。（ ）4、 放大电路的分析遵循先动态后静态的原则。（ ）5、 因为电阻越大，造成的能量损耗就越大，所以通常放大电路的输入电阻越小越好。（ ）三、 选择题1、在图示电路中， 已知UCC12V，晶体管的b100，100k。当0V时，测得UBE0.6V，基极电流IB20A，当测得输入电压有效值=5mV时，输出电压有效

19、值0.6V， 则电压放大倍数 。A. -120 B.1 C.-1 D. 120 1题图5题图3题图2、基本放大电路中的主要放大对象是（ ）。A、直流信号 B、交流信号 C、交直流信号均有3、如图所示电路，则u0为（ ）A、6V B、-6V C、12V D、-12V4、（）运算电路的反相输入端为虚地点。、同相比例、反相比例、加法、减法、如图所示电路表示的是 电路。（ ）A、正反馈 B、负反馈 C、无反馈 D、既有正反馈又有负反馈四、计算题1、 晶体管放大电路如图所示，已知UCC=12V,RC=3k,RL=3k,RB=240k,晶体管的=40.(1).试画出该放大电路的直流通路，并求电路的静态工作

20、点。(2)画出该放大电路的微变等效电路，并求该放大电路的电压放大倍数Au、输入电阻ri和输出电阻ro.2、有一放大电路如左图所示，其晶体管的输出特性以及放大电路的交、直流负载线如右图所示。试问：（1）RB、RC、RL各为多少？（2）不产生失真的最大输入电压UiM为多少？（3）若不断加大输入电压的幅值，该电路首先出现何种性质的失真？如何调节电路中的电阻来消除失真？3、电路图如图所示，已知ui1=1V,ui2=2V,ui3=3V,ui4=4V,R1=R2=2k,R3=R4=RF=1k,试计算输出电压u0.4、电路如图(a)所示，其电阻R11=R12=RF，如果ui1和ui2分别如图(b)所示的三角

21、波和矩形波，试求输出电压u0，并画出其波形图。5、试求输出电压u0.第一章一1、 电阻元件、电感元件、电容元件2、 吸收功率3、 电子导电、空穴导电 N型、P型、P型半导体4、5、 放大、饱和、截止，放大状态6、 UBEUEC7、 虚短、虚断8、 2.3V9、A0,rid,r0010、NPN、硅、E、B、C11、0.14A12、发射区、基区、集电区二、 三、ABDAA CAA四、1、 2为电源，其他为负载2、1）二极管V截止 2）UA0=-4V3、4、5、(a) UBE = 1.3 - 1 = 0.3V，小于硅管的死区电压 0.5V，VC VB，集电结也反偏，故晶体管工作于截止状态。 (b) UBE = 3.7 - 3 = 0.7V，发射结正偏，VC VB，集电结反偏，故晶体管工作于放大状态。第二章一1、 能量守恒定律、电荷守恒定律2、 n-1、 b-(n-1)3、 2、3、3、24. -16A5. 6V6. 7A、5A、12A7. 3A、18.9、置零、短路、置零、开路10、50cos2(t), 128cos2(t)11、-I