光电式传感器94165PPT学习教案

1、会计学1光电式传感器光电式传感器94165若物体中电子吸收的入射光的能量足以克服逸若物体中电子吸收的入射光的能量足以克服逸出功出功A0A0时，电子就逸出物体表面，产生电子发时，电子就逸出物体表面，产生电子发射。故要使一个电子逸出，则光子能量射。故要使一个电子逸出，则光子能量hh必须必须超出逸出功超出逸出功A0 A0 ，超过部分的能量，表现为逸出，超过部分的能量，表现为逸出电子的动能。即电子的动能。即电电子子逸逸出出速速度度。电电子子质质量量式式中中：-u -m 002021Amuh第1页/共113页第2页/共113页一一. 普通光电管普通光电管在一个真空泡内装有两个电极：光电阴极和光电阳极。光

2、电阴极通常是用逸出功小的光敏材料徐敷在玻璃泡内壁上做成，其感光面对准光在一个真空泡内装有两个电极：光电阴极和光电阳极。光电阴极通常是用逸出功小的光敏材料徐敷在玻璃泡内壁上做成，其感光面对准光的照射孔。当光线照射到光敏材料上，便有电子逸出，这些电子被具有正电位的阳极所吸引，在光电管内形成空间电子流，在外电路就产生电流。的照射孔。当光线照射到光敏材料上，便有电子逸出，这些电子被具有正电位的阳极所吸引，在光电管内形成空间电子流，在外电路就产生电流。2.2 2.2 光电管光电管第3页/共113页第4页/共113页二二. 光电倍增管光电倍增管1.1.结构与结构与原理原理由于真空由于真空光电管的光电管的灵

3、敏度较灵敏度较低，因此低，因此人们便研人们便研制了光电制了光电倍增管，倍增管，其工作原其工作原理如图。理如图。第5页/共113页niM电流放大倍数电流放大倍数niiIMM与所加电压有关，一般在与所加电压有关，一般在105105108108之间。一般阳之间。一般阳极和阴极的电压为极和阴极的电压为1000V1000V2500V2500V，两个相邻的倍增，两个相邻的倍增电极的电压差为电极的电压差为50V50V100V100V。第6页/共113页第7页/共113页 光电池是一种直接将光能转换为电能的光电器件。光电池是一种直接将光能转换为电能的光电器件。 光电池在有光线作用下实质就是电源光电池在有光线作

4、用下实质就是电源, , 电路中有了这种器件就不需要外加电源。电路中有了这种器件就不需要外加电源。 一一. .结构与工作原理结构与工作原理 光电池的工作原理是基于光电池的工作原理是基于“光生伏特效应光生伏特效应”。 它实质上是一个大面积的它实质上是一个大面积的PNPN结结, , 当光照射到当光照射到PNPN结的一个面结的一个面, , 例如例如p p型面时型面时, , 若光子能量大于半导体材料的禁带宽度若光子能量大于半导体材料的禁带宽度, , 那么那么p p型区每吸收一个光子就产生一对自由电子和空穴型区每吸收一个光子就产生一对自由电子和空穴, , 电子空穴对从表面向内迅速扩散电子空穴对从表面向内迅

5、速扩散, , 在结电场的作用下在结电场的作用下, , 最后建立一个与光照强度有关的电动势。最后建立一个与光照强度有关的电动势。 第8页/共113页第9页/共113页第10页/共113页第11页/共113页第12页/共113页JMJ112V2A51KL39K470uf三三.光电池的应用光电池的应用1.自动干手器自动干手器手放入干手器时，手遮住灯泡发出的光，光电池不受光照，晶体管基极正偏而导通，继电器吸合。风机和电热丝通电，热风吹出烘手。手干抽出后，灯泡发出光直接照射到光电池上，产生光生电动势，使三极管基射极反偏而截止，继电器释放，从而切断风机和电热丝的电源。手放入干手器时，手遮住灯泡发出的光，光

6、电池不受光照，晶体管基极正偏而导通，继电器吸合。风机和电热丝通电，热风吹出烘手。手干抽出后，灯泡发出光直接照射到光电池上，产生光生电动势，使三极管基射极反偏而截止，继电器释放，从而切断风机和电热丝的电源。第13页/共113页第14页/共113页2.4 光敏电阻光敏电阻为了防止周围介质的影响为了防止周围介质的影响, , 在半导体光敏层上覆盖了在半导体光敏层上覆盖了一层漆膜一层漆膜, , 漆膜的成分应使它在光敏层最敏感的波长漆膜的成分应使它在光敏层最敏感的波长范围内透射率最大。范围内透射率最大。 1.光敏电阻的结构光敏电阻的结构它是涂于玻璃底板上的一它是涂于玻璃底板上的一薄层半导体物质薄层半导体物

7、质, , 半导体半导体的两端装有金属电极的两端装有金属电极, , 金金属电极与引出线端相连接属电极与引出线端相连接, , 光敏电阻就通过引出线光敏电阻就通过引出线端接入电路。端接入电路。第15页/共113页第16页/共113页第17页/共113页3 光敏电阻的主要参数光敏电阻的主要参数） 暗电阻暗电阻光敏电阻在不受光时的阻值称为暗电阻光敏电阻在不受光时的阻值称为暗电阻, , 此时流过的电流称为暗电流。此时流过的电流称为暗电流。 ） 亮电阻亮电阻光敏电阻在受光照射时的电阻称为亮电阻光敏电阻在受光照射时的电阻称为亮电阻, , 此时流过的电流称为亮电流。此时流过的电流称为亮电流。 ） 光电流光电流亮

8、电流与暗电流之差称为光电流。亮电流与暗电流之差称为光电流。 第18页/共113页4 光敏电阻的基本特性光敏电阻的基本特性1） 伏安特性伏安特性：在一定照度下在一定照度下, , 流过光敏电阻的电流与光敏电阻两端的电压的关系流过光敏电阻的电流与光敏电阻两端的电压的关系一定光照，一定光照，R R一定，一定，I I正正比于比于U U。一定电压，一定电压，I I随着光照随着光照E E增强而增大。增强而增大。 ERIERI。第19页/共113页第20页/共113页3） 光谱特性（光谱特性（Kr %）光敏电阻的相对光敏灵敏度光敏电阻的相对光敏灵敏度与入射波长的关系称为光谱与入射波长的关系称为光谱特性。特性。

9、 亦称为光谱响应。亦称为光谱响应。%100%max00IIKr不同材料，其峰值波长不同。不同材料，其峰值波长不同。同一种材料，对不同波长的入射光，其相对灵敏度不同，响应电流不同。同一种材料，对不同波长的入射光，其相对灵敏度不同，响应电流不同。应根据光源的性质，选择合适的光电元件（匹配）使光电元件得到较高得相对灵敏度。应根据光源的性质，选择合适的光电元件（匹配）使光电元件得到较高得相对灵敏度。第21页/共113页4） 温度特性温度特性温度变化影响光敏电阻的光谱响应。温度变化影响光敏电阻的光谱响应。 硫化铅光敏电阻的光谱温度特性曲线硫化铅光敏电阻的光谱温度特性曲线, , 它的峰值随着温度上升向波长

10、短的方向移动。它的峰值随着温度上升向波长短的方向移动。因此因此, , 硫化铅光敏电阻要在低温、恒温的条件下使用。硫化铅光敏电阻要在低温、恒温的条件下使用。 对于可见光的光敏电阻对于可见光的光敏电阻, , 其温度影响要小一些。其温度影响要小一些。 第22页/共113页wR9013CRGRA0V)(24720hNH第23页/共113页第24页/共113页第25页/共113页2.5 光敏二极管与三极管光敏二极管与三极管一一. 光敏二极管光敏二极管1.1.工作原理与结构工作原理与结构光敏二极管的结构与普通二极管一样，都有一个光敏二极管的结构与普通二极管一样，都有一个PNPN结，两根电极引线，而且都是非

11、线性器件，具有单向导电性。不同之处在于光敏二极管的结，两根电极引线，而且都是非线性器件，具有单向导电性。不同之处在于光敏二极管的PNPN结状在管壳的顶部，可直接受到光的照射，其结构和电路如图所示。结状在管壳的顶部，可直接受到光的照射，其结构和电路如图所示。第26页/共113页没有光照射时没有光照射时，处于反向偏置的光敏二极管，处于反向偏置的光敏二极管，工作于截止状态工作于截止状态, , 这时只有少数载流子在反向偏压的作用下，渡越阻挡层，形成微小的反向电流即暗电流。这时反向电阻很大。这时只有少数载流子在反向偏压的作用下，渡越阻挡层，形成微小的反向电流即暗电流。这时反向电阻很大。 当光照射在当光照

12、射在PNPN结上时结上时, , 光子打在光子打在PNPN结附近结附近, PN, PN结附近产生光生电子和光生空穴对。从而使结附近产生光生电子和光生空穴对。从而使P P区和区和N N区的少数载流子浓度大大增加，因此在反向外加电压和内电场的作用下区的少数载流子浓度大大增加，因此在反向外加电压和内电场的作用下,P,P区的少数载流子渡越阻挡层进入区的少数载流子渡越阻挡层进入N N区，区， N N区的少数载流子渡越阻挡层进入区的少数载流子渡越阻挡层进入P P区区，从而使通过从而使通过PNPN结的反向电流大为增加，形成光电流。这时二极管处于导通状态。光的照度越大结的反向电流大为增加，形成光电流。这时二极管

13、处于导通状态。光的照度越大, , 光电流越大。光电流越大。第27页/共113页第28页/共113页第29页/共113页第30页/共113页温度变化对光敏二极管输出电流影响较小温度变化对光敏二极管输出电流影响较小, ,但对暗电流的影响却十分显著但对暗电流的影响却十分显著. .第31页/共113页第32页/共113页第33页/共113页二二. 光敏三级管光敏三级管光电三极管比具有相同有效面积的光电二极管的光光电三极管比具有相同有效面积的光电二极管的光电流大几十至几百倍，但相应速度较二极管差。电流大几十至几百倍，但相应速度较二极管差。1.1.工作原理与结构工作原理与结构基极开路，集电极与发射极之间加

14、正电压。当光照射在集电结上时基极开路，集电极与发射极之间加正电压。当光照射在集电结上时, , 在结附近产生电子在结附近产生电子- -空穴对空穴对, , 电子在结电场的作用下，由电子在结电场的作用下，由P P区向区向N N区运动，形成基极电流，放大区运动，形成基极电流，放大倍形成集电极电流（光电流）倍形成集电极电流（光电流）, , 所以光电三极管有放大作用。所以光电三极管有放大作用。 第34页/共113页第35页/共113页第36页/共113页第37页/共113页第38页/共113页第39页/共113页第40页/共113页对系统内部噪声有很强的抑制作用。对系统内部噪声有很强的抑制作用。发光二极管

15、为电流驱动元件，动态电阻很小，发光二极管为电流驱动元件，动态电阻很小，对系统内部的噪声有旁路作用。（滤除噪声）对系统内部的噪声有旁路作用。（滤除噪声） 光电耦合器的组合形式应用于自动控制电路中的强弱电隔离。应用于自动控制电路中的强弱电隔离。第41页/共113页二二. 光电开关光电开关 光电开关在制造业自动化包装线及安全装置中光电开关在制造业自动化包装线及安全装置中作光控制和光探测装置。可实现限位控制、产品计作光控制和光探测装置。可实现限位控制、产品计数数, , 料位检测，越限安全报警及计算机输入接口等料位检测，越限安全报警及计算机输入接口等用途。用途。 1.1.光电开关结构光电开关结构 透射式

16、和反射式的光电开关。透射式和反射式的光电开关。 利用输出电平的状态判断有无被测物。利用输出电平的状态判断有无被测物。第42页/共113页第43页/共113页2. 基本电路（透射式）基本电路（透射式）如图（如图（a)(c)a)(c)无被测物，输出高电平；有被测物，输出低电平。无被测物，输出高电平；有被测物，输出低电平。(b)(b)无被测物，输出低电平；有被测物，输出高电平。无被测物，输出低电平；有被测物，输出高电平。第44页/共113页第45页/共113页第46页/共113页第47页/共113页第48页/共113页第49页/共113页第50页/共113页第51页/共113页由实验证实，电阻上压降

17、的变化为由实验证实，电阻上压降的变化为）温度（温度（热释电系数热释电系数电极面积电极面积式中式中K-T )KcmC(10- -S : -12-8-dtdTRSU由于由于dT/dtdT/dt与红外线强度的变化成正比，结合上式与红外线强度的变化成正比，结合上式，可得出输出电压正比与红外线强度的变化。，可得出输出电压正比与红外线强度的变化。第52页/共113页第53页/共113页第54页/共113页第55页/共113页第56页/共113页第57页/共113页第58页/共113页第59页/共113页第60页/共113页第61页/共113页一一. 电荷耦合器件电荷耦合器件 (CCD)电荷耦合器件（电荷耦

18、合器件（Charge Couple DeviceCharge Couple Device， 简称简称CCDCCD），它将光敏二极管阵列和读出移位），它将光敏二极管阵列和读出移位寄存器集成为一体，构成具有自扫描功能的图寄存器集成为一体，构成具有自扫描功能的图象传感器。是一种金属氧化物半导体（象传感器。是一种金属氧化物半导体（MOSMOS）集成电路器件，它以电荷作为信号集成电路器件，它以电荷作为信号, , 基本功能基本功能是进行光电转换电荷的存储和电荷的转移输出是进行光电转换电荷的存储和电荷的转移输出。 广泛应用于自动控制和自动测量广泛应用于自动控制和自动测量, , 尤其尤其适适用于图像识别技术用

19、于图像识别技术。第62页/共113页1. MOS光敏单元的结构及原理光敏单元的结构及原理CCDCCD器件完成对物体的成像，在其内部形成与光器件完成对物体的成像，在其内部形成与光像图形相对应的电荷分布图形。这就要求它的基像图形相对应的电荷分布图形。这就要求它的基本单元具有存储电荷的功能，同时还具有电荷转本单元具有存储电荷的功能，同时还具有电荷转移输出功能。移输出功能。CCDCCD器件的基本单元结构是器件的基本单元结构是MOSMOS（金（金属属氧化物氧化物半导体）结构。即在半导体）结构。即在P P型硅衬底上生型硅衬底上生长一层长一层SiOSiO2 2 (120nm), (120nm),再在再在 S

20、iOSiO2 2层上沉积金属铝层上沉积金属铝构成构成MOSMOS结构，它是结构，它是CCDCCD器件的最小工作单元。器件的最小工作单元。第63页/共113页第64页/共113页A A、势阱的产生、势阱的产生 MOSMOS的金属电极加正压，电极下的的金属电极加正压，电极下的P P型硅区型硅区域内空穴被赶尽，留下带负电荷的负离子，其域内空穴被赶尽，留下带负电荷的负离子，其中无导电的载流子，形成耗尽层。它是电子的中无导电的载流子，形成耗尽层。它是电子的势阱。势阱的深浅取决于势阱。势阱的深浅取决于U U的大小。的大小。第65页/共113页B B、电荷的存储、电荷的存储 势阱具有存储电荷的功能，势阱内所

21、吸收势阱具有存储电荷的功能，势阱内所吸收的光生电子数量与入射到势阱附近的光强成的光生电子数量与入射到势阱附近的光强成正比。正比。 CCDCCD器件将物体的光像形成对应的电像器件将物体的光像形成对应的电像时，就是时，就是CCDCCD器件中上千个相互独立的器件中上千个相互独立的MOSMOS单元势阱中存储与光像对应的电荷量。单元势阱中存储与光像对应的电荷量。第66页/共113页2. 读出移位寄存器读出移位寄存器是电荷图像的输出电路是电荷图像的输出电路研究如何实现势阱下的电荷从一个研究如何实现势阱下的电荷从一个MOSMOS元位置转移到另一个元位置转移到另一个MOSMOS元位置，并依元位置，并依次转移并

22、传输出来。次转移并传输出来。第67页/共113页A、电荷的定向转移、电荷的定向转移 当外加电压一定时，势阱的深度随势阱中的电当外加电压一定时，势阱的深度随势阱中的电荷量的增加而线性减少。由此通过控制相邻荷量的增加而线性减少。由此通过控制相邻MOSMOS电电容器栅极电压高低来调节势阱的深浅。容器栅极电压高低来调节势阱的深浅。 要求：要求： 多个多个MOSMOS电容紧密排列且势阱相互沟通。电容紧密排列且势阱相互沟通。 金属电极上加电压脉冲严格满足相位要求。金属电极上加电压脉冲严格满足相位要求。第68页/共113页B、三相、三相CCD电极的结构电极的结构 MOS上三个相邻电极，每隔两个所有电极上三个

23、相邻电极，每隔两个所有电极接在一起。由接在一起。由3个相位差个相位差120时钟脉冲驱动。时钟脉冲驱动。第69页/共113页12314 72 583 6 9驱动（， ， ）驱动（ ， ， ） （驱动 ， ， ）11 231001t 时刻，为（）， 组电极下形成深势阱，势阱中存储电荷形成电荷包。第70页/共113页23121212tt时刻至 时刻， 电压线性减小，为高电平，组电极下的势阱变浅，组电极下形成深势阱，电荷从 组电极下逐渐转移到 组电极下。向右移，直至输出。、依此类推，电荷由势阱中。电荷逐渐全部移入至Ntt4321243第71页/共113页第72页/共113页C、电荷的输出、电荷的输出在

24、输出端在输出端P P型硅衬底上扩散形成输出二极管，二极管加反压，在型硅衬底上扩散形成输出二极管，二极管加反压，在PNPN结形成耗尽层。输出栅结形成耗尽层。输出栅OGOG加压使电荷转移到二极管的耗尽区，作为二极管的少数载流子形成反向电流输出。输出电流的大小与电荷大小成正比，通过负载变为电压输出。加压使电荷转移到二极管的耗尽区，作为二极管的少数载流子形成反向电流输出。输出电流的大小与电荷大小成正比，通过负载变为电压输出。3123OGniULR0USiP0I输出二极管电流法输出二极管电流法第73页/共113页二二.CCD图像传感器图像传感器 1. 1. 线阵电荷耦合器件线阵电荷耦合器件线阵CCD结构

25、原理图第74页/共113页 （1）光照光敏元，各光敏元中的光敏二）光照光敏元，各光敏元中的光敏二极管产生光生电子空穴对，电子注入对应的极管产生光生电子空穴对，电子注入对应的MOS势阱中，光像变为电像势阱中，光像变为电像电荷包。（光电荷包。（光积分）积分） （2）积分周期结束，控制信号使转移栅）积分周期结束，控制信号使转移栅打开，光生电荷就通过转移栅耦合到移位寄打开，光生电荷就通过转移栅耦合到移位寄存器中，通过移位寄存器并行输出。存器中，通过移位寄存器并行输出。 （3）转移栅关闭后，光敏单元开始下一）转移栅关闭后，光敏单元开始下一行图像信号积分采集。行图像信号积分采集。第75页/共113页图7-

26、12 各脉冲的波形和相位第76页/共113页第77页/共113页2） 帧传输（帧传输（FT）面阵）面阵CCD 光敏区和存储区分开，光敏区和存储区分开，光敏区在积分时间内，产生光敏区在积分时间内，产生与光像对应的电荷包，在积与光像对应的电荷包，在积分周期结束后，利用时钟脉分周期结束后，利用时钟脉冲将整帧信号转移到读出寄冲将整帧信号转移到读出寄存器。然后，整帧信号再向存器。然后，整帧信号再向下移，进入水平读出移位寄下移，进入水平读出移位寄存器，串行输出。（一帧对存器，串行输出。（一帧对应光敏区应光敏区MOSMOS的数量）的数量）光敏区存储区读出寄存器第78页/共113页第79页/共113页01QQ

27、若转移损耗定义为若转移损耗定义为1则电荷进行则电荷进行N N次转移时，总转移效率为次转移时，总转移效率为NNNQQ)1 (0要求转移效率必须达到要求转移效率必须达到99.9999.9999.999%99.999%第80页/共113页021ffm第81页/共113页第82页/共113页WmA q t N A H s为电数，单位为为电数，单位为子数子数时间内上能收集的载流时间内上能收集的载流为为为单位面积为单位面积为光像的发射照度为光像的发射照度式中：式中：HAtqNSs第83页/共113页 四四. CCD图像传感器应用图像传感器应用 1、线阵、线阵CCD器件检测工件尺寸器件检测工件尺寸(2 )L

28、Ndd ML工件尺寸，N覆盖的光敏单元d相邻光敏单元中心距离M光学系统放大率2d为图象末端两个光敏单元之间可能的最大误差。根据目前产品情况d0013003mm。第84页/共113页第85页/共113页3.3.文字图像识别系统文字图像识别系统邮政编码识别系统。写有邮政编码的信封放在邮政编码识别系统。写有邮政编码的信封放在传送带上，传感器光敏元的排列方向与信封的传送带上，传感器光敏元的排列方向与信封的运动方向垂直，光学镜头将编码的数字聚焦到运动方向垂直，光学镜头将编码的数字聚焦到光敏元上。当信封运动时，传感器以逐行扫描光敏元上。当信封运动时，传感器以逐行扫描的方式把数字依次读出。的方式把数字依次读

29、出。读出的数字经二值化等处理，与计算机中存储读出的数字经二值化等处理，与计算机中存储的数字特征比较，最后识别出数字码。由数字的数字特征比较，最后识别出数字码。由数字码，计算机控制分类机构，把信件送入相应分码，计算机控制分类机构，把信件送入相应分类箱中。类箱中。第86页/共113页驱动电路分类机构计算机细化二值化处理传送带CCD透镜1分类箱23邮政编码识别系统邮政编码识别系统第87页/共113页第88页/共113页2、传光原理、传光原理光的全内反射是光纤传输光的基础。（1）光的全反射条件 光由纤芯到包层表面，由光的折射定律可知： 第89页/共113页。时，光在纤芯中全反射当为临界角此时全反射时，

30、CCCCnnnn1221sin90sinsin第90页/共113页（2）数值孔径NA光由空气射入光纤端面，与轴成 角。011211sinsinsin(90)cos1 sinnnnnn222102221212210arcsin11sinnnnnnnnnnCC光全反射时，第91页/共113页即可实现全反射，光在纤芯内全反射（无损耗）即可实现全反射，光在纤芯内全反射（无损耗）传输。传输。（。之为数值孔径反映光纤聚焦本领，称2221sin)4 . 02 . 0sinnnNANANACC希望希望NA越大越好。它表明无论光源发射功率越大越好。它表明无论光源发射功率多大，只有多大，只有2 内的光才能被光纤接

31、受，全反内的光才能被光纤接受，全反射传输。射传输。C第92页/共113页二二.光纤分类光纤分类1.1.按传输模式分单模光纤、多模光纤按传输模式分单模光纤、多模光纤. . 模的概念模的概念 光纤传输光波，可分解为沿纵向和横向传输两种平面波成分。横向波在纤芯和包层界面上产生全反射。当它在横向往返依次的相位变化为光纤传输光波，可分解为沿纵向和横向传输两种平面波成分。横向波在纤芯和包层界面上产生全反射。当它在横向往返依次的相位变化为22的整数倍时，形成驻波。形成驻波的光线组成为模。模是离散存在的。一定材质一定尺寸的光纤只能传输特定模数的光波。的整数倍时，形成驻波。形成驻波的光线组成为模。模是离散存在的

32、。一定材质一定尺寸的光纤只能传输特定模数的光波。 模的确定模的确定光纤传输模数由归一化频率确定。光纤传输模数由归一化频率确定。/2NAr 第93页/共113页（梯度型）（阶跃型）光纤传输模的总数为4222NN芯径大，折射率差大（NA大），N大，多模。芯径小到6m,折射率差小到0.5%。N=1光纤只能传输一定波长光，单模。第94页/共113页2.按折射率分布按折射率分布阶跃型光纤和梯度型光纤阶跃型光纤和梯度型光纤第95页/共113页三三. 光纤传感器的基本原理光纤传感器的基本原理光纤传感器通常可分为功能型（传感型）和非功能型（传光型）光纤传感器通常可分为功能型（传感型）和非功能型（传光型）。功能

33、型光纤传感器功能型光纤传感器 用单模光纤，既传光又是敏感元件。用单模光纤，既传光又是敏感元件。（单模光纤只能传输某一角度和波长的单色光）（单模光纤只能传输某一角度和波长的单色光）光纤的传输特性受被测物理量作用而发生变化。光纤的传输特性受被测物理量作用而发生变化。使光纤中传输光的属性（相位、强度、波长、偏振态）被调制。光强调制型、相位调制型、偏振态调制型和波长调制型。测温度、压力、位移等。使光纤中传输光的属性（相位、强度、波长、偏振态）被调制。光强调制型、相位调制型、偏振态调制型和波长调制型。测温度、压力、位移等。第96页/共113页 非功能型光纤传感器（光通讯）非功能型光纤传感器（光通讯）光纤只作为光的传输回路。为了得到较大的受光纤只作为光的传输回路。为了得到较大的受光量和传输光功率。非功能型光纤传感器采用光量和传输光功率。非功能型光纤传感器采用NANA较大和芯径较大的阶跃型多模光纤。较大和芯径较大的阶跃型多模光纤。增大传输光的通量。增大传输光的通量。第97页/共113页1.光强调制光强调制第98页/共113页2. 相位调制相位调制Mach-Zehnder干涉原理图第99页/共113页3. 偏振调制