《获取材料II》ppt课件

1、第五章信息获取资料第五章信息获取资料信息功能资料信息功能资料5.4 元素半导体光电资料元素半导体光电资料理想的晶体在绝对零度时存在一个空的导带，由一个禁理想的晶体在绝对零度时存在一个空的导带，由一个禁带把导带与填满的价带隔开，随着温度上升，由于热激带把导带与填满的价带隔开，随着温度上升，由于热激发而产生发而产生 n-p 对，引起导电势，这种性质叫做本征半导对，引起导电势，这种性质叫做本征半导电性，电子和空穴具有一样的浓度：电性，电子和空穴具有一样的浓度：一、一、Si 和和 Ge 的构造特征和电学性质的构造特征和电学性质)()2exp(2/3npiigienkTEUTn由此得到：1. 本征性质本

2、征性质典型的禁带宽度：典型的禁带宽度： Si 1.12 eV Ge 0.665 eV四方面的特点：四方面的特点： 理想的晶体是不存在的，由于实践半导体中化理想的晶体是不存在的，由于实践半导体中化学杂质和构造缺陷或多或少为存在，影响平衡学杂质和构造缺陷或多或少为存在，影响平衡时电子和空穴的相对浓度。但是：时电子和空穴的相对浓度。但是： 施主和受主相等浓度导致类似本征资料的情况。施主和受主相等浓度导致类似本征资料的情况。 杂质能级假设接近相应能带边缘，那么为浅位杂质能级假设接近相应能带边缘，那么为浅位杂质，反之为深位杂质。前者是杂质，反之为深位杂质。前者是III族和族和V族的族的全部元素，后者有过

3、渡金属等。全部元素，后者有过渡金属等。2. 非本征性质非本征性质2innp 热振动、杂质和构造缺陷是晶体周期的不完好性的热振动、杂质和构造缺陷是晶体周期的不完好性的三个方面。三个方面。缺陷的重要性主要在于它们对迁移率、复合和俘获缺陷的重要性主要在于它们对迁移率、复合和俘获景象的影响，主要有点缺陷、线缺陷和面缺陷。景象的影响，主要有点缺陷、线缺陷和面缺陷。点缺陷是集中在晶体中单点的构造缺陷，包括空位点缺陷是集中在晶体中单点的构造缺陷，包括空位和填隙等；和填隙等；线缺陷是沿着一条件集中的不完好性，也叫做位错，线缺陷是沿着一条件集中的不完好性，也叫做位错，如：应力作用下产生的某些平面滑移等；如：应力

4、作用下产生的某些平面滑移等；人们对面缺陷的研讨知之甚少，相对来说也不太重人们对面缺陷的研讨知之甚少，相对来说也不太重要。要。3. 晶格的构造缺陷晶格的构造缺陷在实践运用中，电子和空穴的浓度往往是偏离平衡浓度在实践运用中，电子和空穴的浓度往往是偏离平衡浓度的，即所谓的非平衡景象是普遍存在的。的，即所谓的非平衡景象是普遍存在的。假设：假设：那么，可以定义那么，可以定义 t 为少数载流子寿命。再由为少数载流子寿命。再由Einstein关关系可以得到分散率和分散长度：系可以得到分散率和分散长度：在最初的半导体晶体中，截流载流子寿命仅受复合过程在最初的半导体晶体中，截流载流子寿命仅受复合过程限制，由于当

5、时注重于减少俘获效应；但是在半导体辐限制，由于当时注重于减少俘获效应；但是在半导体辐射探测器的研讨中，往往是由丈量出的电荷搜集效率来射探测器的研讨中，往往是由丈量出的电荷搜集效率来推导电荷载流子的寿命的。推导电荷载流子的寿命的。4. 半导体辐射探测器的有效载流子浓度半导体辐射探测器的有效载流子浓度/0)(tentnDDLektD2/1)(/Eg(Si) = 1.12 eV Eg(Ge) = 0.67 eV，两者的本征型探测器，两者的本征型探测器远不如远不如PbS探测器，所以要引入杂质。探测器，所以要引入杂质。1.非本征非本征 Si 资料的特性资料的特性引入杂质在引入杂质在Si禁带中建立起相应的

6、部分能态，外界红外禁带中建立起相应的部分能态，外界红外辐射会引起杂质能级的光鼓励，光电导呼应与这些能级辐射会引起杂质能级的光鼓励，光电导呼应与这些能级到导带或满带的电子或空穴跃迁有关。到导带或满带的电子或空穴跃迁有关。2.非本征非本征 Si 探测器的特点探测器的特点硅的介电系数低，具有适宜能级的杂质的溶解性高，所硅的介电系数低，具有适宜能级的杂质的溶解性高，所以可以制成红外吸收系数较大的非本征型硅探测器。以可以制成红外吸收系数较大的非本征型硅探测器。3.非本征硅探测器的运用：非本征硅探测器的运用：热成像技术，红外探测器。热成像技术，红外探测器。二、非本征硅红外探测器资料二、非本征硅红外探测器资

7、料5.5 III-V族化合物半导体光电资料族化合物半导体光电资料GaAs的禁带宽度比的禁带宽度比Si略微高一点，有利于制造在较高略微高一点，有利于制造在较高温度下的器件；其迁移率较高，约是温度下的器件；其迁移率较高，约是Si中电子的中电子的5倍。倍。GaAs为闪锌矿构造，密度为为闪锌矿构造，密度为5.307g/cm-3，主要为共价，主要为共价键方式。能带构造为直接跃迁型，有较高的发光效率。键方式。能带构造为直接跃迁型，有较高的发光效率。其禁带中浅杂质电离能小。其禁带中浅杂质电离能小。一、一、GaAs体系光电薄膜的量子阱、超晶格构造体系光电薄膜的量子阱、超晶格构造1. GaAs资料的特性资料的特

8、性GaAs单晶的制备主要有：单晶的制备主要有：GaAs的合成，的合成，As蒸气压蒸气压的控制。图为程度舟生长的控制。图为程度舟生长法。法。1半导体超晶格、量子阱的概念半导体超晶格、量子阱的概念可以对电子的运动产生某种约束并使其能量量子化的势可以对电子的运动产生某种约束并使其能量量子化的势场称为量子阱。场称为量子阱。半导体的超晶格构造与多量子阱构造类似。半导体的超晶格构造与多量子阱构造类似。2.半导体超晶格、量子阱资料半导体超晶格、量子阱资料2半导体超晶格、半导体超晶格、量子阱的能带构造特量子阱的能带构造特点点量子阱和超晶格能带量子阱和超晶格能带构造，特别是能带在构造，特别是能带在异质结处的外形

9、，对异质结处的外形，对其量子效应起着决议其量子效应起着决议性的作用，而能带构性的作用，而能带构造又取决组成资料的造又取决组成资料的物理化学性能以及界物理化学性能以及界面附近的晶体构造。面附近的晶体构造。2. 半导体超晶格、量子阱资料半导体超晶格、量子阱资料3半导体超晶格、量子阱的分类半导体超晶格、量子阱的分类 按组成资料的晶格匹配程度可分为：晶格匹配量子阱按组成资料的晶格匹配程度可分为：晶格匹配量子阱与超晶格与超晶格 和和 应变量子阱与超晶格。应变量子阱与超晶格。 按组成资料的成分来分：固定组分量子阱与超晶格、按组成资料的成分来分：固定组分量子阱与超晶格、组分比渐变超晶格与量子阱组分比渐变超晶

10、格与量子阱 和和 调制掺杂的量子阱与超调制掺杂的量子阱与超晶格。晶格。 一维、二维、三维量子阱与超晶格。一维、二维、三维量子阱与超晶格。4半导体超晶格、量子阱的普通运用半导体超晶格、量子阱的普通运用 超高速、超高频微电子器件和单片集成电路；超高速、超高频微电子器件和单片集成电路； 高电子迁移率晶格管高电子迁移率晶格管HEMT，异质结双极晶体管，异质结双极晶体管HBT，量子阱激光器、光双稳态器件，量子阱激光器、光双稳态器件SEED。2. 半导体超晶格、量子阱资料半导体超晶格、量子阱资料1I类红外类红外超晶格资料超晶格资料利用量子遂穿利用量子遂穿效应，构成垂效应，构成垂直于层面的电直于层面的电流超

11、晶格流超晶格资料。资料。AlGaAs/GaAs3.超晶格量子阱红外探测器资料超晶格量子阱红外探测器资料vcgggEEAEBEE)()(1I类红外超晶格资料类红外超晶格资料量子红外探测器量子红外探测器QWIP是利用较宽带资料制造的，是利用较宽带资料制造的，并且采用了量子阱构造。并且采用了量子阱构造。3.超晶格量子阱红外探测器资料超晶格量子阱红外探测器资料1II类应变红外超晶格资料类应变红外超晶格资料由于由于InAsSb和和InSb之间的晶格常数相关较大，因些属于之间的晶格常数相关较大，因些属于应变超晶格构造。应变超晶格构造。3. 超晶格量子阱红外探测器资料超晶格量子阱红外探测器资料InAsSb/

12、InSbvcgEEE2II类应变红外超晶格类应变红外超晶格资料资料:用用MBE或或MOCVD工艺在工艺在衬底上生长缓冲层。这种衬底上生长缓冲层。这种资料运用如下特点：资料运用如下特点：键强度好，构造稳定；键强度好，构造稳定；均匀性好；均匀性好；波长易控制；波长易控制；有效质量大；有效质量大；隧道电流小；隧道电流小；3.超晶格量子阱红外探测器资料超晶格量子阱红外探测器资料3III类红外超晶格资料类红外超晶格资料以以 Hg 为根底的超晶格资料。交替生长为根底的超晶格资料。交替生长HgTe和和CdTe薄层。薄层。特点如下：特点如下：3.超晶格量子阱红外探测器资料超晶格量子阱红外探测器资料禁带宽度和呼

13、应禁带宽度和呼应截止波长由截止波长由HgTe层厚度控制；层厚度控制；有效质量比较大；有效质量比较大；p型型HgTe-CdTe超晶格有极高的超晶格有极高的迁移率。迁移率。 InSb是一种直接跃迁型窄带宽化合物半导体，具有是一种直接跃迁型窄带宽化合物半导体，具有电子迁移率高和电子有效质量小的特点。电子迁移率高和电子有效质量小的特点。 它适于制备光伏型、光导型和光磁电型三种任务方它适于制备光伏型、光导型和光磁电型三种任务方式的探测器，各自有不同的特点优势。式的探测器，各自有不同的特点优势。 提纯工艺和单晶制备工艺的开展，到上个世纪中期，提纯工艺和单晶制备工艺的开展，到上个世纪中期，用优质用优质InS

14、b单晶制备单元光电探测器已到达背景限。单晶制备单元光电探测器已到达背景限。 红外光电技术的开展使其阅历了从单元向多元、从红外光电技术的开展使其阅历了从单元向多元、从多元线列向红外焦平面阵列多元线列向红外焦平面阵列 IRFPA开展的过程。开展的过程。 InSb薄膜有同质外延与异质外延之分，前者曾经有薄膜有同质外延与异质外延之分，前者曾经有人用磁控溅射法和人用磁控溅射法和MBE法进展了生长。法进展了生长。二、二、InSb光电资料特性光电资料特性 GaN基基III-V族氮化物宽带隙半导体通常是族氮化物宽带隙半导体通常是GaN、AlN和和InN等资料。禁带宽度普通在等资料。禁带宽度普通在2eV以上。以

15、上。 其构造上具有多型性，上面三种通常都表现为其构造上具有多型性，上面三种通常都表现为纤锌矿纤锌矿2H型构造，也可以构成亚稳态的型构造，也可以构成亚稳态的3C构造。构造。氮化物资料的外延生长主要是基于金属有机物气氮化物资料的外延生长主要是基于金属有机物气相外延和相外延和MBE方法。方法。 GaN是直接带隙资料，在禁带宽度以上资料的是直接带隙资料，在禁带宽度以上资料的光吸收系数添加很快，因此外表效应影响较大，光吸收系数添加很快，因此外表效应影响较大，设计和制造时要留意。设计和制造时要留意。 III-V族氮化物用于紫外光电探测器的另一个特族氮化物用于紫外光电探测器的另一个特点是：此资料可以用外延生

16、长方法构成三元合金点是：此资料可以用外延生长方法构成三元合金体系，并改动三族元素的组分比例。体系，并改动三族元素的组分比例。三、三、GaN光电薄膜特性及其在紫外探测中的运用光电薄膜特性及其在紫外探测中的运用1. III-V族氮化物资料的特性族氮化物资料的特性 为了获得高质量的薄膜，需求有一种理想的衬为了获得高质量的薄膜，需求有一种理想的衬底资料，它应该与底资料，它应该与GaN有着完美的晶格匹配和热有着完美的晶格匹配和热匹配。匹配。SiC、MgO和和ZnO等是与氮化物匹配性较等是与氮化物匹配性较好的资料。好的资料。 蓝宝石，具有六角对称性，容易加工，虽然与蓝宝石，具有六角对称性，容易加工，虽然与

17、GaN之间的晶格失配较大，但适当的缓冲层的蓝之间的晶格失配较大，但适当的缓冲层的蓝宝石衬底可以有效地改善薄膜质量。宝石衬底可以有效地改善薄膜质量。 缓冲层有缓冲层有GaN和和AlN两种，外延生长用两种，外延生长用AlN作为作为缓冲层可以提高薄膜质量。缓冲层可以提高薄膜质量。 采用低温采用低温GaN缓冲层生长缓冲层生长GaN薄膜同样可以提薄膜同样可以提高质量。高质量。2. III-V族氮化物衬底资料的选择族氮化物衬底资料的选择 对于半导体资料而言，对于半导体资料而言，Si资料及相关工艺技术曾经极其资料及相关工艺技术曾经极其成熟，成熟，GaAs资料的开展也已到达相当完善的程度。由于资料的开展也已到

18、达相当完善的程度。由于这些资料的禁带宽度不够，对其在紫外波段的运用带来这些资料的禁带宽度不够，对其在紫外波段的运用带来了很大的限制。了很大的限制。 采用禁较宽的资料可望在较短的波长下获得较好的呼采用禁较宽的资料可望在较短的波长下获得较好的呼应，它的运用除了物理、化学和医学等方面的运用外，应，它的运用除了物理、化学和医学等方面的运用外，还在探测火焰、紫外剂量检测、高密度光储存系统中的还在探测火焰、紫外剂量检测、高密度光储存系统中的数据读出、气体的探测和监测得到广泛运用。数据读出、气体的探测和监测得到广泛运用。 它的优点：可以充分利用宽禁带资料自然具有的可见它的优点：可以充分利用宽禁带资料自然具有

19、的可见光盲和阳光盲的特性，提高器件的抗干扰才干；利用该光盲和阳光盲的特性，提高器件的抗干扰才干；利用该资料的高化学稳定性和耐高温特性制成适用于恶劣环境资料的高化学稳定性和耐高温特性制成适用于恶劣环境的紫外探测器。的紫外探测器。3. GaN资料在紫外光电探测器上的运用资料在紫外光电探测器上的运用5.6 IV-IV族化合物及其它化合物半导体光电资料族化合物及其它化合物半导体光电资料SiGe/Si异质构造和超晶格是近年来兴趣的新型半导体资异质构造和超晶格是近年来兴趣的新型半导体资料，它具有许多独特的物理性质和重要的运用价值，并料，它具有许多独特的物理性质和重要的运用价值，并且与且与Si的微电子工艺技

20、术兼容，是的微电子工艺技术兼容，是“第二代第二代Si资料。资料。1晶格常数晶格常数 Si1-xGex一、锗硅合金一、锗硅合金SiGe异质结和超晶格构造异质结和超晶格构造1. SiGe异质构造资料根本性质异质构造资料根本性质xaxaaaanmanmaSiSiGeSiSiGeSiGe227. 0)(5431. 05658. 02晶格失配率晶格失配率Ge与与Si的晶格失配率为的晶格失配率为4.2%，Si1-xGex合金与合金与Si这；之这；之间的晶格失配率为：间的晶格失配率为：3应变与应变能应变与应变能不产生失配位错的应变层外延生长称为不产生失配位错的应变层外延生长称为“共度生长或共度生长或“赝晶生

21、长。厚度为赝晶生长。厚度为 t 的应变层的弹性能量为：的应变层的弹性能量为：4应变层临界厚度应变层临界厚度应变层厚度应有一个临界值。应变层厚度应有一个临界值。1. SiGe异质构造资料根本性质异质构造资料根本性质xaxaaaaafSiSiGeSiSiSiGe042. 0)(ttEEe2112 GeSi 资料的载流子迁移率高、能带可测、禁带宽资料的载流子迁移率高、能带可测、禁带宽度易于经过改动组分加以准确调理，被称为度易于经过改动组分加以准确调理，被称为“第二代第二代Si微电子技术微电子技术 。 Si和和GeSi存在能隙差，可以提高存在能隙差，可以提高Si/GeSi异质结的异质结的高频性能。高频

22、性能。 Si/GeSi异质结的禁带偏移只限于价带，不用像异质结的禁带偏移只限于价带，不用像III-V族资料那样为了消除导带偏移引起的不利影响而不族资料那样为了消除导带偏移引起的不利影响而不得采取界面组分等特殊措施。得采取界面组分等特殊措施。 合金资料制备可用多外延方法生长：合金资料制备可用多外延方法生长：Si-MBE、CBE和超低压和超低压CVDUHV/CVD三种，其中最后一三种，其中最后一种有较大优势。种有较大优势。2. SiGe/Si异质构造和超晶格资料的特性和制备异质构造和超晶格资料的特性和制备用用MBE生长工艺在生长工艺在p型型Si(100)衬底上生长衬底上生长GexSi1-x层，层，

23、然后进展高浓度掺杂，使能带到达简并形状。然后进展高浓度掺杂，使能带到达简并形状。3. GexSi1-x/Si异质构造内光电子发射长波红外探测器资料异质构造内光电子发射长波红外探测器资料PtSi是是20世纪世纪80年代初开展起来的年代初开展起来的1-5微米波段红外探测微米波段红外探测器资料。器资料。二、硅基硅化铂异质薄膜二、硅基硅化铂异质薄膜二元金属硅化二元金属硅化物系的相图中物系的相图中常有多个平衡常有多个平衡相。金属相。金属-Si体体系的相图中，系的相图中，普通会出现普通会出现3种以上的硅化种以上的硅化物，物，PtSi最早最早研讨胜利的。研讨胜利的。1.金属硅化物构成机理金属硅化物构成机理针

24、对金属硅化物的构成机理已有多种模型提出。填针对金属硅化物的构成机理已有多种模型提出。填隙模型以为金属原子可以经过填隙方式分散到硅中，隙模型以为金属原子可以经过填隙方式分散到硅中，使硅的最近原子数添加，这种添加所引起的电荷交使硅的最近原子数添加，这种添加所引起的电荷交换减弱了硅共价键，使其向金属键转化。换减弱了硅共价键，使其向金属键转化。1.金属硅化物构成机理金属硅化物构成机理uPt 是过渡金属，是过渡金属，Pt原子经过原子经过d-s杂化构成晶体，杂化构成晶体，Si 是经过是经过s-p杂化构成晶体的。杂化构成晶体的。uPtSi的动力学阐明，在低于的动力学阐明，在低于300摄氏度时，摄氏度时，Pt

25、2Si相相构成，高于构成，高于300摄氏度时，摄氏度时，PtSi相生长。相生长。u假设假设PtSi厚度为厚度为d，那么其与分散系数，那么其与分散系数D、退火时、退火时间间t之间的关系为：之间的关系为：u在一级相变中组分变化是不延续的，即新相的构在一级相变中组分变化是不延续的，即新相的构成必需经过成核才干发生。不同相的成核势垒不同。成必需经过成核才干发生。不同相的成核势垒不同。动力学以为成核势垒同激活能给出。动力学以为成核势垒同激活能给出。2.PtSi的生长动力学的生长动力学2/102/1)(2ttDdu对对PtSi构成和生长影响最大的要素是退火温度和衬构成和生长影响最大的要素是退火温度和衬底温

26、度。底温度。uPtSi薄膜的热稳定性及必性能与膜厚之间也存在一薄膜的热稳定性及必性能与膜厚之间也存在一一定关系。一定关系。u人们发现晶向、晶粒大小、电阻、光谱反射及热人们发现晶向、晶粒大小、电阻、光谱反射及热稳定性剧烈依赖于膜厚，薄膜性能变坏的温度随膜稳定性剧烈依赖于膜厚，薄膜性能变坏的温度随膜厚度添加而添加。厚度添加而添加。u硅基超薄膜的质量是影响器件性能的关键要素之硅基超薄膜的质量是影响器件性能的关键要素之一，而一，而Pt金属膜的堆积和退火工艺对固相反响金属膜的堆积和退火工艺对固相反响PtSi薄薄膜的质量有显著影响。膜的质量有显著影响。u研讨单一温度退火、三步分散炉退火和快速热退研讨单一温

27、度退火、三步分散炉退火和快速热退火等方法。火等方法。3.Pt/Si退火工艺退火工艺PtSi具有正交构造具有正交构造MnP型，每型，每个单胞内含个单胞内含4个个Pt原子和原子和4个个Si原子，原子，晶格常数晶格常数a=0.593nm，b=0.360nm，c=0.560nm.界面模型如下：界面模型如下：4. PtSi/Si界面研讨界面研讨HgCdTe II-VI族固溶体为代表的是第四代半导体资料，族固溶体为代表的是第四代半导体资料，它的任务频率曾经推行到红外波段以外。它的任务频率曾经推行到红外波段以外。(Hg1-xCdxTe，MCT是一种窄带宽的三元化合物半导是一种窄带宽的三元化合物半导体，具有如

28、下特点：体，具有如下特点：1禁带宽度禁带宽度Eg是组分是组分x和温度和温度T的函数；的函数；三、三、HgCdTe红外探测器资料红外探测器资料1.资料的特点资料的特点2是一种本征半导体资料，其光吸收系数比非本征半是一种本征半导体资料，其光吸收系数比非本征半导体资料大得多；导体资料大得多；3热激发速率小；热激发速率小；4有较小的电子有效质量、很高的电子迁移率、较低有较小的电子有效质量、很高的电子迁移率、较低的本征载流子浓度和较小的介电常数；的本征载流子浓度和较小的介电常数；5热膨胀系数与硅接近。热膨胀系数与硅接近。这种资料的运用非常广泛，人们已研制出了光导型与光这种资料的运用非常广泛，人们已研制出

29、了光导型与光伏型探测器。伏型探测器。1. Hg1-xCdxTe资料的特点资料的特点40多年来，多年来，MCT晶体不断是最受注重的红外探测器资料。晶体不断是最受注重的红外探测器资料。其薄膜资料制备采用了其薄膜资料制备采用了MBE和和MOCVD技术。技术。HgCdTe单晶的制备是比较困难的：单晶的制备是比较困难的：2.Hg1-xCdxTe资料的制备资料的制备1HgTe-CdTe赝二元系的相图赝二元系的相图中液相线与固相线之间有显著的中液相线与固相线之间有显著的差别；差别；2熔体化学计量配比的偏离容熔体化学计量配比的偏离容易引起易引起Te组元过剩；组元过剩；3汞蒸气压工艺控制困难；汞蒸气压工艺控制困

30、难；4晶体中晶体中Hg-Te的键合力弱；的键合力弱；5晶体的径向组分均匀性明显晶体的径向组分均匀性明显依赖于固液界面的外形。依赖于固液界面的外形。1HgCdTe异质结资料异质结资料2HgCdTe双色与多色红外探测器资料双色与多色红外探测器资料3以硅为衬底的以硅为衬底的HgCdTe薄膜资料薄膜资料3. HgCdTe红外焦平面探测器薄膜资料红外焦平面探测器薄膜资料1CdTe晶体资料晶体资料主要的晶体生长工艺有：布里奇曼法、高压釜布里奇曼主要的晶体生长工艺有：布里奇曼法、高压釜布里奇曼工艺和改良的控制蒸发技术。工艺和改良的控制蒸发技术。2CZT晶体资料晶体资料用用CZT资料作衬底外延资料作衬底外延M

31、CT薄膜的优点是：薄膜的优点是：“零失配，零失配，利于优质薄膜的生长；它位错密度比利于优质薄膜的生长；它位错密度比CdTe晶体低一个数晶体低一个数量级；衬底制备工艺要容易。量级；衬底制备工艺要容易。3CdTe和和CZT薄膜资料薄膜资料随着随着MCT FPA技术的开展，对技术的开展，对MCT薄膜资料提出了大薄膜资料提出了大面积、组分均匀的要求，而作为衬底的资料，获得大面面积、组分均匀的要求，而作为衬底的资料，获得大面积单晶衬底相当困难。因此，人们利用先进的积单晶衬底相当困难。因此，人们利用先进的MBE技术，技术，在大直径的在大直径的CdTe、CZT基片上，生长了薄膜资料。基片上，生长了薄膜资料。

32、4. HgCdTe薄膜外延衬底资料薄膜外延衬底资料5.7 非制冷型红外探测器资料非制冷型红外探测器资料由单晶小薄片的热电晶体所制成。具有自发极化特由单晶小薄片的热电晶体所制成。具有自发极化特性，它在自然条件下，内部某些分子的正负电荷重心不性，它在自然条件下，内部某些分子的正负电荷重心不重合，构成一个固有偶极矩，在垂直于极轴的两个端面重合，构成一个固有偶极矩，在垂直于极轴的两个端面上出现大小相等、符号相反的面束缚电荷。上出现大小相等、符号相反的面束缚电荷。当温度变化时，晶体中离子间的间隔和键角发生变当温度变化时，晶体中离子间的间隔和键角发生变化，从而使偶极矩极化强度及面束缚电荷发生变化，结化，从而使偶极矩极化强度及面束缚电荷发生变化，结果呵斥过剩电荷，在垂直极轴的两个端面出现微小电压，果呵斥过剩电荷，在垂直极轴的两个端面出现微小电压，当用导线衔接时就会产生热电流。当用导线衔接时就会产生热电流。一、热释电红外探测器资料一、热释电红外探测器资料1.热释电红外探测器的任务原理热释电红外探测器的任务原理1呼应率呼应率RV定义：定义：2.性能参数分析性能参数分析)1)(1 (22220TnSVGARPVR可见，当入射可见，当入射辐射的调制频辐射的调制频率为零时，呼率为零时，呼应率也为零，应率也为零，这阐