三极管的频率--三极管使用时需注意的问题

1、三极管的频率-三极管使用时需注意的问题三极管使用时需注意的问题：Collector EmitterCollector按照现代的制造工艺来说， 根据不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域, 并形成两个PN结，由此就构成了一个晶体管。Base集电结Emitter发射区晶体管最大的优点就是能够放大信号，它是放大电路的核心元件，能够控制能量的转 换，将输入的任何微小变化量不失真地进行放大输出。以下是我们在电路设计中使用三极管时需要注意的几个问题：（1 ）需注意旁路电容对电压增益的影响：由于这个旁路电容的存在，在不同频率环境中会有不同的情况发生：a当输入信号频率足够高时，XC将接近于零，即射极对

2、地短路，此时共射的电压增益为：b、当输入信号频率比较低时，XC将远大于零，即相当于开路，此时共射的电压增益为：由此可以看出，在使用三极管设计电路时需要掂量旁路电容对电压增益带来的影响。(2 )需注意三极管内部的结电容的影响：由于半导体制造工艺的原因，三极管内部不可避免地会有一定容值的结电容存在，当 输入信号频率达到一定程度时，它们会使得三极管的放大作用“大打折扣”，更糟糕的是, 它还会因此引起额外的相位差。由于Cbe的存在，输入信号源的内阻RS和XCbe形成了一个鲜为人知的分压器，也可以看成是一个LPF,当输入信号的频率过高时，三极管基极的电位就会有所下降，此时电压 增益就随之减小。由于Cbc

3、的存在，当输入信号的频率过高时，Vout的一部分会经过 Cbc反馈到基极,又因为此反馈信号和输入信号有180的相位差，所以，这样也会降低基极的电位，电压增益也由此下降。(3) 需明确把握三极管的截止频率： 十幺 1这个电路图是一个等效过后的图，其中CL是集电极到发射极、集电极到基极之间的结电容以及负载电容的等效电容。当输入信号的频率达到时，三极管的增益开始迅速下降。为了很好地解决这个问题，就得花心思把CL尽量减小，由此，fH就可以更高一些。首先我们RF晶体管;可以在设计电路时特意选择那种极间电容值较小的三极管，也就是通常所说的 我们也可以减小 RL的取值，但是这样的话得付出代价：电压增益将下降

4、。（4）三极管作为开关时需注意它的可靠性：如同二极管那样，三极管的发射结也会有左右的开启电压，在三极管用作开关时，输 入信号可能在低电平时（Vi n）也会导致三极管导通，使得三极管的集电极输出为低电平, 这样的情况在电路设计中是应该秒杀的。下图是解决这个问题的一个办法：在这里，由于在基极人为接入了一个负电源VEE这样即使输入信号的低电平稍稍大于零，也能够使得三极管的基极为负电位，从而使得三极管可靠地截止，集电极就将输出为我们所希望的高电平。（5）需要接受一个事实：三极管的开关速度一般不尽人意。由前所述得知，器件内部结电容的存在极大地限制了三极管的开关速度，但是我们还 是可以想出一些办法有效地改善一下它的不足的，下图就提供了一个切实可行的方法：从图中可以看出，当输入信号的上升时间很小（信号频率很高）时，即dV/dt很大,则ZC很小，结果lb非常大，以致三极管可以迅速地饱和或者截止，这自然也就提高了三极 管的开关速度。（6 ）应该明白射极跟随器的原理：射极跟随器的一个最大好处就是它的输入阻抗很高，因而带负载能力也就加强了。但是在运用过程中还是得明白它的原理才行，否则可能会造成意外的“问题源”。下面介绍一下它的