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文档简介
1、15.1 磁介质的磁化磁介质的磁化 磁化强度矢量磁化强度矢量15.2 磁场强度磁场强度 有磁介质时的安培环路定理有磁介质时的安培环路定理15.3 铁磁质铁磁质15.4 磁路定理磁路定理第第15章章 磁介质的磁化磁介质的磁化作业:练习册作业:练习册选择题:选择题:1 5填空题:填空题:1 6计算题:计算题:1 41. 磁介质磁介质磁介质磁介质: :实体物质在磁场作用下呈现磁性实体物质在磁场作用下呈现磁性, ,该物体称磁介质。该物体称磁介质。1 磁介质的磁化磁介质的磁化 磁化强度矢量磁化强度矢量电介质极化:电介质极化:EEE0磁介质磁化:磁介质磁化:BBB0总磁感强度总磁感强度外加磁感强度外加磁感
2、强度附加磁感强度附加磁感强度磁化磁化: :磁介质在磁场中呈现磁性磁介质在磁场中呈现磁性( (在磁场的作用下产生附加在磁场的作用下产生附加磁场磁场) )的景象称为磁化。的景象称为磁化。磁介质的三种类型:顺磁质、抗磁质、铁磁质。磁介质的三种类型:顺磁质、抗磁质、铁磁质。电学与磁学类比:电学与磁学类比:实验发现:有、无磁介质的螺旋管实验发现:有、无磁介质的螺旋管内磁感应强度的比值,可表征它们内磁感应强度的比值,可表征它们在磁场中的性质。在磁场中的性质。相对磁导率相对磁导率: :0BBr顺磁质:顺磁质:, 1r如氧、铝、钨、铂、铬等。如氧、铝、钨、铂、铬等。0BII磁介质磁介质BII0BB, 1r抗磁
3、质:抗磁质:, 1r铁磁质:铁磁质:如氮、水、铜、银、金、铋等。如氮、水、铜、银、金、铋等。如铁、钴、镍等,如铁、钴、镍等,0BB 0BB超导体是理想的抗磁体。超导体是理想的抗磁体。B与与B0 同方向,同方向,B与与B0 反方向,反方向,B与与B0 同方向,同方向,BBB02.2.分子电流模型和分子磁矩分子电流模型和分子磁矩 原子中电子参与两种运动:自原子中电子参与两种运动:自旋及绕核的轨道运动,对应有轨道旋及绕核的轨道运动,对应有轨道磁矩和自旋磁矩。磁矩和自旋磁矩。 用等效的分子电流的磁效应来用等效的分子电流的磁效应来表示各个电子对外界磁效应的总合,表示各个电子对外界磁效应的总合,称为分子固
4、有磁矩。称为分子固有磁矩。Imp抗磁质:抗磁质:顺磁质:顺磁质:0mPmP0mP未加外磁场时未加外磁场时: : 在抗磁质中,原子或分子中在抗磁质中,原子或分子中一切电子的轨道磁矩和自旋磁矩一切电子的轨道磁矩和自旋磁矩矢量和为零。矢量和为零。类比:电介质的微观图象类比:电介质的微观图象有极分子、无极分子。有极分子、无极分子。在外电场作用下,分别有取向在外电场作用下,分别有取向极化、位移极化。极化、位移极化。电偶极子模型:电偶极子模型:l qPeB加外磁场时加外磁场时: :BPMm顺磁质:顺磁质:0mP当外磁场存在时,各分子固有磁矩受磁场力矩的作用,当外磁场存在时,各分子固有磁矩受磁场力矩的作用,
5、或多或少地转向磁场方向或多或少地转向磁场方向 顺磁质的磁化。顺磁质的磁化。怎样解释抗磁质:怎样解释抗磁质:B B0,B与与B0 反方向反方向 ! BBB054 顺磁质的磁化1ok.swf* *电子的进动:在外磁场作用下,每个电子除了坚持环绕原电子的进动:在外磁场作用下,每个电子除了坚持环绕原子核的运动和电子本身的自旋以外,还要附加电子磁矩以子核的运动和电子本身的自旋以外,还要附加电子磁矩以外磁场方向为轴线的转动。外磁场方向为轴线的转动。mp0BLpeL进动进动 可以证明:不论电子原来的磁矩与磁场方向之间的夹角可以证明:不论电子原来的磁矩与磁场方向之间的夹角是何值,这种进动等效圆电流附加磁矩是何
6、值,这种进动等效圆电流附加磁矩 Pm的方向永远与的方向永远与B0 的方向相反。的方向相反。LLdLLdBPMLMtLddML、d方向一致!0BLpeLmp进动进动BB53 电子的拉莫进动.swf 抗磁资料在外磁场的作用下,磁体内恣意体积元中大量抗磁资料在外磁场的作用下,磁体内恣意体积元中大量分子或原子的附加磁矩的矢量和分子或原子的附加磁矩的矢量和 有一定的量值,结有一定的量值,结果在磁体内激发一个和外磁场方向相反的附加磁场,这就是果在磁体内激发一个和外磁场方向相反的附加磁场,这就是抗磁性的来源。抗磁性的来源。mp 在顺磁体内恣意取一体积元在顺磁体内恣意取一体积元V,其中各分子固有磁矩,其中各分
7、子固有磁矩的矢量和的矢量和 将有一定的量值,因此在宏观上呈现出一个将有一定的量值,因此在宏观上呈现出一个与外磁场同向的附加磁场,这就是顺磁性的来源。与外磁场同向的附加磁场,这就是顺磁性的来源。mp3. 3. 抗磁质的磁化抗磁质的磁化4. 4. 顺磁质的磁化顺磁质的磁化抗磁质:抗磁质:00mmPP对顺磁质,对顺磁质, 可以忽略可以忽略mP2021年首个诺贝尔奖+搞笑诺贝尔奖双料得主诞生荷兰科学家Andre Geim。十年前他因磁悬浮青蛙获得搞笑诺贝尔奖。十年后他因石墨烯graphene的构造获诺贝尔奖。青蛙属于抗磁质。当青蛙属于抗磁质。当青蛙被放到磁场中,青蛙被放到磁场中,青蛙的每个原子都像青蛙
8、的每个原子都像一个小磁针,外界磁一个小磁针,外界磁场对这些小磁针作用场对这些小磁针作用的结果产生了向上的的结果产生了向上的力,假设磁场的强度力,假设磁场的强度适当,这力与青蛙受适当,这力与青蛙受的重力到达平衡,它的重力到达平衡,它们就能悬在空中。们就能悬在空中。 实践上动物都属于抗磁质,只需用足实践上动物都属于抗磁质,只需用足够强的磁场,就有能够使人悬浮起来。够强的磁场,就有能够使人悬浮起来。 反映磁介质磁化程度反映磁介质磁化程度( (大小与方向大小与方向) )的物理量。的物理量。均匀磁化均匀磁化VppMmmM磁化强度:单位体积内一切分子固有磁矩的矢量和磁化强度:单位体积内一切分子固有磁矩的矢
9、量和 加上附加磁矩的矢量和加上附加磁矩的矢量和 ,称为磁化强度。,称为磁化强度。 mpmp磁化强度的单位:磁化强度的单位:mA/4. 4. 磁化强度磁化强度留意:对顺磁质,留意:对顺磁质, 可以忽略;可以忽略; 对抗磁质对抗磁质 ,对于真空,对于真空, 。 mp0mp0M外磁场为零,磁化强度为零。外磁场为零,磁化强度为零。外磁场不为零外磁场不为零: :顺磁质顺磁质抗磁质抗磁质同向、0BM反向、0BM5. 磁化电流磁化电流II0B 对于各向同性的均匀介质,介质内部各分子电流相互抵对于各向同性的均匀介质,介质内部各分子电流相互抵消,而在介质外表,各分子电流相互叠加,在磁化圆柱的表消,而在介质外表,
10、各分子电流相互叠加,在磁化圆柱的表面出现一层电流,好象一个载流螺线管,称为磁化面电流。面出现一层电流,好象一个载流螺线管,称为磁化面电流。58 磁化电流的产生2ok.swfljImmSljSIPmmmVpMmmmjSlSljM设介质外表沿轴线方向单位长度上的磁化电流为设介质外表沿轴线方向单位长度上的磁化电流为jm jm 磁化面磁化面电流密度,那么长为电流密度,那么长为l l 的一段介质上的磁化电流强度的一段介质上的磁化电流强度ImIm为为 取一长方形闭合回路取一长方形闭合回路ABCD,AB边在磁介质内部,平行边在磁介质内部,平行与柱体轴线,长度为与柱体轴线,长度为l,而,而BC、AD两边那么垂
11、直于柱面。两边那么垂直于柱面。BAlMlMddABM MlmjM mmIljlMd 磁化强度对闭合回路的线积分等于经过回路所包围的面磁化强度对闭合回路的线积分等于经过回路所包围的面积内的总磁化电流。积内的总磁化电流。IImAlABCDnPqSPSd对比内)(LLIlB000d无磁介质时无磁介质时有磁介质时有磁介质时)(d0mLIIlBlMILmd)d(d0LLlMIlBIlMBLd)(0或2 有磁介质时的安培环路定理有磁介质时的安培环路定理定义磁场强度定义磁场强度MBH0 磁介质中的安培环路定理:磁场强度沿恣意闭合磁介质中的安培环路定理:磁场强度沿恣意闭合途径的线积分等于穿过该途径的一切传导电
12、流的代数途径的线积分等于穿过该途径的一切传导电流的代数和,而与磁化电流无关。和,而与磁化电流无关。IlHLdSqSD0d对比MBH0MHB00 实验证明:对于各向同性的介质,在磁介质中实验证明:对于各向同性的介质,在磁介质中恣意一点磁化强度和磁场强度成正比。恣意一点磁化强度和磁场强度成正比。 HMm 式中式中m m只与磁介质的性质有关,称为磁介质的磁只与磁介质的性质有关,称为磁介质的磁化率,是一个纯数。假设磁介质是均匀的,它是一个常化率,是一个纯数。假设磁介质是均匀的,它是一个常量;假设磁介质是不均匀的,它是空间位置的函数。量;假设磁介质是不均匀的,它是空间位置的函数。顺磁质0m抗磁质0mEP
13、e0对比MHB00HMmmr1令HBm)1 (0HHBr0 值得留意:值得留意:H H 的引入为研讨介质中的磁场提的引入为研讨介质中的磁场提供了方便,但它不是反映磁场性质的根本物理量,供了方便,但它不是反映磁场性质的根本物理量,B B 才是反映磁场性质的根本物理量。才是反映磁场性质的根本物理量。磁导率磁导率 =0 rEEDr0对比B0I0I例:长直螺旋管内充溢均匀磁介质例:长直螺旋管内充溢均匀磁介质r r,设电流,设电流 I0I0,单位长,单位长度上的匝数为度上的匝数为 n n 。求管内的磁感应强度。求管内的磁感应强度。解:因管外磁场为零,取如下图安解:因管外磁场为零,取如下图安培回路培回路L
14、LIlHd0dnlIlHlHba0nIH 000nIHBrrcbadBladdccbbalHlHlHlHdddd例例: :在均匀密绕的螺绕环内充溢均匀的顺磁介质,知螺绕环中的在均匀密绕的螺绕环内充溢均匀的顺磁介质,知螺绕环中的传导电流为传导电流为I I ,单位长度内匝数,单位长度内匝数n n,环的横截面半径比环的平均,环的横截面半径比环的平均半径小得多,磁介质的相对磁导率和磁导率分别为半径小得多,磁介质的相对磁导率和磁导率分别为r r和和,求,求环内的磁场强度和磁感应强度。环内的磁场强度和磁感应强度。NIlHd解:在环内任取一点,过该点作解:在环内任取一点,过该点作一和环同心、半径为一和环同心
15、、半径为 r r 的圆形的圆形回路。回路。式中式中N N为螺绕环上线圈的总匝数。由对称性可知,在所取圆形为螺绕环上线圈的总匝数。由对称性可知,在所取圆形回路上各点的磁感应强度的大小相等,方向都沿切线。回路上各点的磁感应强度的大小相等,方向都沿切线。rNIrH2nIrNIH2当环内充溢均匀介质时当环内充溢均匀介质时HHBr0nIBr0例:如下图,一半径为例:如下图,一半径为R1的无限长圆柱体导体的无限长圆柱体导体 0中中均匀地通有电流均匀地通有电流I,在它外面有半径为,在它外面有半径为R2的无限长同轴圆柱面,的无限长同轴圆柱面,两者之间充溢着磁导率为两者之间充溢着磁导率为 的均匀磁介质,在圆柱面
16、上通有的均匀磁介质,在圆柱面上通有相反方向的电流相反方向的电流I。试求。试求(1)圆柱体外圆柱面内一点的磁场;圆柱体外圆柱面内一点的磁场;(2)圆柱体内一点磁场;圆柱体内一点磁场;(3)圆柱面外一点的磁场。圆柱面外一点的磁场。解解: (1)当两个无限长的同轴圆柱体和圆柱面当两个无限长的同轴圆柱体和圆柱面中有电流经过时,它们所激发的磁场是轴对中有电流经过时,它们所激发的磁场是轴对称分布的,而磁介质亦呈轴对称分布,因此称分布的,而磁介质亦呈轴对称分布,因此不会改动场的这种对称分布。设圆柱体外圆不会改动场的这种对称分布。设圆柱体外圆柱面内一点到轴的垂直间隔是柱面内一点到轴的垂直间隔是r1,以,以r1
17、为半为半径作一圆,取此圆为积分回路,根据安培环径作一圆,取此圆为积分回路,根据安培环路定理有路定理有IrHlHlHr102dd12IIIR1R212 rIH12 rIHB)(21RrRr1IIIR1R2r1r2(2) 设在圆柱体内一点到轴的垂直间隔是设在圆柱体内一点到轴的垂直间隔是r2,那么以,那么以r2为半径为半径作一圆,根据安培环路定理有作一圆,根据安培环路定理有2222220121222ddRrIRrIrHlHlHr2221RIrH220012RIrHB)(1Rr (3) 在圆柱面外取一点,它到轴的垂直间在圆柱面外取一点,它到轴的垂直间隔是隔是r3,以,以r3为半径作一圆,根据安培环为半
18、径作一圆,根据安培环路定理路定理,思索到环路中所包围的电流的代数思索到环路中所包围的电流的代数和为零,所以得和为零,所以得r30dd320rlHlH0H0B)(2rR 安装:环形螺绕环安装:环形螺绕环; 铁磁质铁磁质Fe,Co,Ni及及稀钍族元素的化合物,能被剧烈地磁化稀钍族元素的化合物,能被剧烈地磁化RNIH2HrHB HrB,实验丈量实验丈量B,由由得出得出 rHrH曲线曲线铁磁质的铁磁质的 r 不一定是个常数,不一定是个常数,它是它是 H 的函数,的函数, r 非线性;非线性;原理原理: :励磁电流励磁电流 I; I; 用安培定理得用安培定理得H HRII磁饱和景象,到一定程度,磁饱和景
19、象,到一定程度,I ,H ,而,而B的添加极为缓慢。的添加极为缓慢。3 铁磁质铁磁质HBr01. 磁化曲线磁化曲线BHaO 当铁磁质到达饱和形状后,当铁磁质到达饱和形状后, 要完全消除剩磁要完全消除剩磁BrBr,必需加,必需加反向磁场反向磁场H H,当,当B=0B=0时磁场的值时磁场的值HcHc为铁磁质的矫顽力。为铁磁质的矫顽力。当反向磁场当反向磁场H H 继续添加,铁磁质的磁化到达反向饱和。继续添加,铁磁质的磁化到达反向饱和。dfBrcbHc-BreHc-Bre2. 磁滞回线磁滞回线Brcb-Hc反向磁场反向磁场H H 减小到零,同样出现剩磁景象。减小到零,同样出现剩磁景象。不断地正向或反向
20、缓慢改动磁场,磁化曲线为一闭不断地正向或反向缓慢改动磁场,磁化曲线为一闭合曲线合曲线磁滞回线。磁滞回线。缓慢地减小缓慢地减小H H,铁磁质中的,铁磁质中的B B并不并不按原来的曲线减小,并且按原来的曲线减小,并且H= 0H= 0时,时,B B不等于不等于0 0,具有一定值,这种景,具有一定值,这种景象称为剩磁。象称为剩磁。单晶磁畴构造表示图单晶磁畴构造表示图多晶磁畴构造表示图多晶磁畴构造表示图 在铁磁质中,相邻铁原子中的电子间存在着非常强的在铁磁质中,相邻铁原子中的电子间存在着非常强的交换耦协作用,这个相互作用促使相邻原子中电子的自旋交换耦协作用,这个相互作用促使相邻原子中电子的自旋磁矩平行陈
21、列起来,构成一个自发磁化到达饱和形状的微磁矩平行陈列起来,构成一个自发磁化到达饱和形状的微小区域,这些自发磁化的微小区域称为磁畴。小区域,这些自发磁化的微小区域称为磁畴。3. 磁畴磁畴 在没有外磁场作用时,磁体体内磁矩陈列杂在没有外磁场作用时,磁体体内磁矩陈列杂乱,恣意物理无限小体积内的平均磁矩为零。乱,恣意物理无限小体积内的平均磁矩为零。H 在外磁场作用下,磁矩与外磁场同方向陈列时的在外磁场作用下,磁矩与外磁场同方向陈列时的磁能将低于磁矩与外磁反向陈列时的磁能,结果是自磁能将低于磁矩与外磁反向陈列时的磁能,结果是自发磁化磁矩和外磁场成小角度的磁畴处于有利位置,发磁化磁矩和外磁场成小角度的磁畴
22、处于有利位置,这些磁畴体积逐渐扩展,而自发磁化磁矩与外磁场成这些磁畴体积逐渐扩展,而自发磁化磁矩与外磁场成较大角度的磁畴体积逐渐减少。随着外磁场的不断加较大角度的磁畴体积逐渐减少。随着外磁场的不断加强,取向与外磁场成较大角度的磁畴全部消逝,留存强,取向与外磁场成较大角度的磁畴全部消逝,留存的磁畴将向外磁场的方向旋转,以后再继续添加磁场,的磁畴将向外磁场的方向旋转,以后再继续添加磁场,一切磁畴都沿外磁场方向整齐陈列,这时磁化到达饱一切磁畴都沿外磁场方向整齐陈列,这时磁化到达饱和。和。临界温度临界温度TcTc。在。在TcTc以上,铁磁性完全消逝而以上,铁磁性完全消逝而成为顺磁质,成为顺磁质,TcT
23、c称为居里温度或居里点。不称为居里温度或居里点。不同的铁磁质有不同的居里温度同的铁磁质有不同的居里温度TcTc。纯铁:。纯铁:770770C C,纯镍:,纯镍:358358C C。居居 里里安装如下图:将悬挂着的镍片移近永久安装如下图:将悬挂着的镍片移近永久磁铁,即被吸住,阐明镍片在室温下具磁铁,即被吸住,阐明镍片在室温下具有铁磁性。用酒精灯加热镍片,当镍片有铁磁性。用酒精灯加热镍片,当镍片的温度升高到超越一定温度时,镍片不的温度升高到超越一定温度时,镍片不再被吸引,在重力作用下摆回平衡位置,再被吸引,在重力作用下摆回平衡位置,阐明镍片的铁磁性消逝,变为顺磁性。阐明镍片的铁磁性消逝,变为顺磁性
24、。移去酒精灯,稍待片刻,镍片温度下降移去酒精灯,稍待片刻,镍片温度下降到居里点以下恢复铁磁性,又被磁铁吸到居里点以下恢复铁磁性,又被磁铁吸住。住。 4. 铁磁质的运用铁磁质的运用作变压器的软磁资料。作变压器的软磁资料。纯铁,硅钢坡莫合金纯铁,硅钢坡莫合金(Fe(Fe,Ni)Ni),铁氧体等。,铁氧体等。 r r大,易磁化、易退磁起始磁化率大。大,易磁化、易退磁起始磁化率大。饱和磁感应强度大,矫顽力饱和磁感应强度大,矫顽力(Hc)(Hc)小,磁滞小,磁滞回线的面积窄而长,损耗小。回线的面积窄而长,损耗小。用于继电器、电机、以及各种高频电磁元件的磁芯、磁棒。用于继电器、电机、以及各种高频电磁元件的
25、磁芯、磁棒。cHcHBH作永久磁铁的硬磁资料作永久磁铁的硬磁资料钨钢,碳钢,铝镍钴合金钨钢,碳钢,铝镍钴合金BHHc-Hc矫顽力矫顽力(Hc)(Hc)大大102A/m)102A/m),剩磁,剩磁BrBr大磁滞回线的面积大,损耗大。大磁滞回线的面积大,损耗大。用于磁电式电表中的永磁铁。用于磁电式电表中的永磁铁。耳机中的永久磁铁,永磁扬声器。耳机中的永久磁铁,永磁扬声器。作存储元件的矩磁资料作存储元件的矩磁资料Br=BS,Hc不大,磁滞回线是矩形。不大,磁滞回线是矩形。用于记忆元件,当用于记忆元件,当+脉冲产生脉冲产生H Hc使磁芯呈使磁芯呈+B态,那么态,那么脉冲产生脉冲产生H Hc使磁芯呈使磁
26、芯呈 B态,可做为二进制的两个态。态,可做为二进制的两个态。锰镁铁氧体,锂锰铁氧体锰镁铁氧体,锂锰铁氧体BHHc-Hc 压磁资料具有较强的磁致伸缩压磁资料具有较强的磁致伸缩效应,常用于制造超声波发生器。效应,常用于制造超声波发生器。 铁磁体在交变磁化磁场的作铁磁体在交变磁化磁场的作用下,它的外形随之改动,叫做用下,它的外形随之改动,叫做磁致伸缩效应。磁致伸缩效应。BHO4 磁路定理磁路定理1. 磁路的普通概念磁路的普通概念磁感应通量磁通经过的区域称为磁路。磁感应通量磁通经过的区域称为磁路。常用电工设备中的磁路图常用电工设备中的磁路图2. 磁路定理磁路定理I 设截面积为设截面积为S S、长为、长
27、为l l,磁导率为,磁导率为 的铁环上,绕以严密的线圈的铁环上,绕以严密的线圈N N匝,线圈中匝,线圈中经过的电流为经过的电流为I I。IlHdNIHl HSBSSlNISlNISlRImmR磁路的欧姆定理磁路的欧姆定理 m=NI为磁路的磁动势,为磁路的磁动势,单位为单位为A。 SlRm为闭合磁路的磁阻,为闭合磁路的磁阻,单位为单位为A/WBA/WB。 lNIH 讨论题讨论题讨论讨论 高压容器在工业和民用领域都有着非常广泛的运用,如锅炉、储气罐、高压容器在工业和民用领域都有着非常广泛的运用,如锅炉、储气罐、家用煤气坛等。由于高压容器长期的运用、运转家用煤气坛等。由于高压容器长期的运用、运转,
28、,部分区域遭到腐蚀、磨部分区域遭到腐蚀、磨损或机械损害损或机械损害, ,从而会构成潜在的要挟从而会构成潜在的要挟. . 因此世界各国对于高压容器的运因此世界各国对于高压容器的运转都制定了严厉的在役无损检测规范转都制定了严厉的在役无损检测规范, ,以确保高压容器的平安运转。以确保高压容器的平安运转。 目前无损检测普通采用的方法有磁粉探伤、超声波探伤和目前无损检测普通采用的方法有磁粉探伤、超声波探伤和X X射线探伤等射线探伤等方法。磁粉探伤根据的是介质外表磁场分布的不延续性方法。磁粉探伤根据的是介质外表磁场分布的不延续性, ,可采用磁粉显示可采用磁粉显示; ;超声波和超声波和X X射线探伤利用了动
29、摇在介质分界面反射的景象射线探伤利用了动摇在介质分界面反射的景象. . 这些方法有的仪这些方法有的仪器构造复杂、操作繁琐器构造复杂、操作繁琐, ,有的数据处置费事、价钱较高有的数据处置费事、价钱较高, ,对于家用容器的检对于家用容器的检测就更为不方便测就更为不方便. .请根据所学的知识请根据所学的知识, ,探求一种利用铁磁资料实现无损探伤的方法。探求一种利用铁磁资料实现无损探伤的方法。根据根据LCLC振荡电路的磁回路特性振荡电路的磁回路特性, ,一旦介质内部出现裂纹一旦介质内部出现裂纹, ,将会引起磁导率的突将会引起磁导率的突变变, ,从而使回路的电磁参数发生变化。将这一结果用于铁磁资料外表和内部从而使回路的电磁参数发生变化。将这一结果用于铁磁资料外表和内部伤痕、裂纹的检测中伤痕、裂纹的检测中, ,其检测方法原理简单其检测方法原理简单, ,操作方便操作方便, ,检测灵敏度高。检测灵敏度高。LC磁回路丈量原理:磁回路丈量原理:磁回路的根本模型如下图。磁回路的根本模型如下图。A A是带线圈的磁芯,是带线圈的磁芯,M M是待是待检测的资料,如
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