极管三极管场效应管试题.doc

1、。当反向电压增大到电压。其中半导体器件测试题一、填空 (40 分 )1 、纯净的半导体称为，它的导电能力很。在纯净的半导体中掺入少量的价元素，可形成P 型半导体，又称型半导体，其中多数载流子为载流子为。2、如图，这是材料的二极管的_I(mA)曲线，在正向电压超过V后，二极管开始导通，这个电压称为-50电压。正常导通后，此管的正向压降约0为VV时，少数V(v)即称为稳压管一般工作在区。3 、二极管的重要特性是，具体指：给二极管加电压，二极管导通；给二极管加电压，二极管截止。4、二极管的主要参数有_ 、_和。5、晶体三极管是_控制器件。三极管按材料分为_和两种类型，而每一种又有和两种结构形式。6、

2、三极管有放大作用的外部条件是发射结_，集电结 _。工作在饱和区时发射结偏；集电结偏。7、三极管的输出特性可分三个区域，当三极管工作于时， Ic=0 ；当三极管工作于区时，关系式 Ic= I b 才成立； 当三极管工作在区时Vce0 。8、三极管的电流分配关系是。9、场效应管是利用电压来控制电流大小的半导体器件。10、场效应管的转移特性曲线是指在一定的下，和之间的关系。场应管的输出特性曲线划分为_、_和三个区。二、判断题（ 14 分）1、( )将 P 型半导体和 N型半导体简单的接触并连在一起，就会形成PN结。2、（） P 型半导体带正电， N 型半导体带负电。3、（）硅的导通电压为，锗的导通电

3、压为。4、（）二极管在使用中必须防止进入电击穿区而烧坏二极管。5、（）二极管只要加上了正向电压，就一定能导通。6、（）三极管的中 ICEO的值体现了温度稳定性，越大说明三极管热稳定性越高。7、（）对于三极管来说，只要发射结正偏集电结反偏就工作在放大状态。8、（）三极管可以用两个二极管来替代。9、（）三极管有放大作用，把基极能量放大成集电极电流输出。10、（）硅三极管比锗三极管稳定。11、（）场效应管是电流控制型器件。12、（）结型场效应管可分为增强型与耗尽型两种。13、（）场效应管的跨导反映了V对 ID的控制能力。GS14、（）开启电压 VT 是耗尽型场效应管和重要参数。三、选择题（26 分）

4、1、半导体的导电能力（）。A. 与导体相同B.与绝缘体相同C. 介乎导体和绝缘体之间2、当温度升高时，半导体的导电能力将（）。A. 增强B .减弱C. 不变3、 P型半导体中空穴数量远比电子多得多，因此该半导体应（）。A. 带正电B. 带负电C. 不带电4、将 PN结加适当的正向电压，则空间电荷区将（）。A. 变宽B. 变窄C. 不变5、电路如图所示 , 所有二极管均为理想元件，则D1 、 D2 、 D3 的工作状态为（） 。1导通， D 、D3截止1、D截止， D 导通2231 、D3截止， D2导通1 、D2 、 D3 均截止12VD1R3V0VD3D2+6V6、二极管的死区电压随环境温度

5、的升高而（）。A. 增大B. 不变C. 减小7、测得电路中工作在放大区的某晶体管三个极的电位分别为0V、和，则该管为（） 。型锗管型锗管型硅管型硅管8、工作在放大状态的晶体管，各极的电位应满足（）。A. 发射结正偏，集电结反偏B.发射结反偏，集电结正偏C. 发射结、集电结均反偏D.发射结、集电结均正偏9、某效应管的符号如图所示，则该场效应管应为（）。沟道耗尽型沟道增强型沟道增强型10、某场效应管的转移特性如图所示，则此场效应管为（）。A. 绝缘栅 N沟道耗尽型 B. 绝缘栅 P沟道耗尽型 C.绝缘栅 N沟道增强型I D / mAUDS 常数DGI DSSUGS /VSO11、在焊接场效应管时，

6、电烙铁需要有外接地线或先断电后再快速焊接，其原因是（）。A. 防止过热烧坏B. 防止栅极感应电压过高而造成击穿C. 防止漏、源极间造成短路12、晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的， I CBO， UBE的变化情况A.增大，和减小B.和I增大，减小I CBOUBECBOUBEC.和U 减小， I增大D.， I，U 都增大BECBOCBO BE四、分析计算题（22 分）1、如图， V1、 V2 为理想二极管。分析 V1 、 V2 状态求 VAB （ 5 分）V1A12V1KV26VB2、图中， V 为硅二极管。求S 分别与 A、 B 接通时 V的状态和VMN的值（ 5 分）RM10V10VVABSN1、3、判断图示三极管的工作状态。（6 分）5V6V-5V2V3V(a)0V3