模拟电子技术基础教程华成英第四章习题解答

1、PTER晶佛三赧管及其基市放大电路19 / 164. I判断下列说法的正、误，在相应的括号内画表示正确，画“X”表示错误.（1）处于放大状态的晶体管，其发射极电流是多子扩散运动形成的（人其集电极电流是多子漂移运动形成的（）.（2）通常，晶体管在发射极和集电极互换使用时仍有较大的电流放大作用.（）（3）晶体管工作在放大状态时，集电极电位最高，发射极电位最低。（）（4）晶体管工作在饱和状态时，发射结反偏。（）（5）任何放大电路都能放大电压（）都能放大电流（），都能放大功率（6）放大电路中检出的电流和电压都是由有源元件提供的.（）（7）放大电路的输入电阻与信号源内阻无关（）输出电阻与负载无关（解（D

2、J.X （2） X （3） X 4） X 5） X,X，V LG,则说明晶体管工作在饱和状态。第二种方法是计算出基极电流及以及晶体管临界饱和07*=0即Uce = Ube)时的基 极电流1ns，若IbV&，则说明集电极电流与基极电流可以满足8倍的关系，因此晶体管 处于放大状态；若人小，则说明集电极电流小于基极电流的夕倍，因此晶体管处于饱和 状态。根据以上方法.各电路分析结果如下。图P4. 6(a)电路：由由可知晶体管发射结正偏，设Kx = 12V,Vbb = 2V。列输入回路 方程得Vbb - Ube=130pA而八 =隔星=】L3rA,因此人，晶体管处于饱和状态。 此时.二130，A, =

3、丫上口 蚂=】 13mA。r r，八 i七 jrir ： h r Li 八h hh 件已小力。* 区 yw、不 p f 以即m g vu xr j g jll s 心，/cOmAo图P4. 6(c)电路：由图可知晶体管发射结正偏，设VccMSV,V俣n-SV。由输入回路得0Ube 仁A一瓦43MA0=V立一%一运二93nA,因此3Ibs,晶体管处于饱和状态。郃c十I 1十9(此时分别列输入、输出回路方程如下：0 Vee = 4-C/be + (Jb + 1c)KVcc Ube Vee =1。凡 + (1b + Ic)R 得到 IbL 17mAc=0. 74mA。4.7 电路如图P4. 7所示，

4、已知晶体管发射结正向导通电压 beO. 7V甲=200。回答下列问题：(1)判断晶体管的工作状态(放大、饱和或截止兀(2)若晶体管不工机在放大区，则说明能否通过调节电阻 4和R.(增大或者减小)使之处于放大状态；若能，则说明如 节？设在调节某一电阻时其它两个电阻不变，解（1）由图可用晶体管发射结正偏，假设晶体管处于放大状态，则UBC=mH艮一 /BRbO，集电结正偏，与假设矛盾e 因此品体管处于饱和状态。（2）在其它两个电阻不变时应增大电阻Rb使Ib减小，进而Ie减小、Uce增大，从而 使晶体管处于放大状态；在其它两个电阻不变时应减小电阻R使U增大，从而使晶体 管处于放大状态,由于人=燕奇瓦始

5、终大于” = 丽磊捐瓦=（正辟澈）mA,因此无论怎样调节凡都不能使晶体管处于放大 状态。4.8 在图P4. 8所示各电路中分别改正一处错误，使它们有可能放大正弦波信号 设所有电容对交流信号均可视为短路.解改正电路如解图4.8所示.（a）电容C使发财结没有汽流偏置,因此去掉电容Cb）电容C2使集电极交流接地,从而使输出电压交流部分为零，因此去掉电容C2; 12Vo + )2Vi o rj .解几=餐黄、40小。在图P4. 10(b)中作直流负载线cE = VB - icR,，与卜=40丛A所对应的输出特性交 于Q点，如解图4. 10所2Ko从图中可读出IcqQ4rnA,UcEQQ4V。(2)Vc

6、c ceq ，(qR：=Uceq + Icq(& Rl)= 8V在解图4.10中通过Q点作交流负载线，得到最大不失真输出电压有效值为U* = 2. 33V72(3)由于VU-UgudVAUc% Ube = 3,3V，因此首先出现饱和失真。4)当凡减小时bq增大，Q点将沿着直流负载线向左上方移动，如解图4. 10中的 Qi点；Uceq减小，U0m将变小.当R增大时,Uceq减小,Q点将沿着Ib = 40A所对应的输出特性左移，如解图4. 10 中的Qz点,Ue将变小.当Re增大时,Q点不变，匕c=U(g + 1CQ，R：增大，但Ue不变。 12Vo + )2Vi o rj .解几=餐黄、40小。

7、在图P4. 10(b)中作直流负载线cE = VB - icR,，与卜=40丛A所对应的输出特性交 于Q点，如解图4. 10所2Ko从图中可读出IcqQ4rnA,UcEQQ4V。(2)Vcc ceq ，(qR：=Uceq + Icq(& Rl)= 8V在解图4.10中通过Q点作交流负载线，得到最大不失真输出电压有效值为U* = 2. 33V72(3)由于VU-UgudVAUc% Ube = 3,3V，因此首先出现饱和失真。4)当凡减小时bq增大，Q点将沿着直流负载线向左上方移动，如解图4. 10中的 Qi点；Uceq减小，U0m将变小.当R增大时,Uceq减小,Q点将沿着Ib = 40A所对应

8、的输出特性左移，如解图4. 10 中的Qz点,Ue将变小.当Re增大时,Q点不变，匕c=U(g + 1CQ，R：增大，但Ue不变。+12V(a)电路的交流通路(b)电路的直流通路电路的交流通路电路的直流通路电路的交流通路(d)解图4.9图 P4.10解图4.104.11电路如图P4. 10（a）所示.已知晶体管的SzhO. 7V,夕=00,厂2=100。, R = lkn.（1）求解动态参数鼠=、成” = 2、R、Rn U U.（2）当r、e、r、Rl分别单独增大时,4.、余,、0、尺.分别如何变化？假设当参数变 化时晶体管始终处于放大状态。解（1）由题4. 10解可知Ig*4mA,则A 一+

9、f 君=（100+100 x 第 C= 750。图P4. 10（a）所示电路的交流等效电路如解图4.11所示。A” = L =一 如殳必& 七一 133. 3U.R =凡rbe2750。A =邑=5a=上_8 ?,江仇、Ro R. = 2kn2)当凡单独增大时，工、R、R,不变，1工减小；当Rb单独增大时，%减小，%增大，I九I减小、R增大、心不变，儿,变化不确定;当当单独增大时,R不变，1鼠1、以,1、凡增大；当Rl单独增大时，r；、r不变，摩/、瓜.增大。解困4.114.12电路如图P4. 12所示，已知晶体管的 Ube = 0. 7V300，几丫 =2009。(1)当开关S位于1位置时求

10、解静态工作 点/凶J( Q和UcEQ，(2)分别求解开关S位于1、2、3位置时的电 压放大倍数人.，比较这三个电压放大倍数，并说 明发射极电阻是如何影响电压放大倍数的，解设匕x = 12V,则“即= 2V“bl 十 NbZrEQ =1. 182mA 4小，降=十比 3. 94MAK- +(2PUceq = vcc - %Q0 - Ieq(Rc +R“)= 7. 15V(2) ru =(2004-300 X)0=6799fl.1CQ 1. IO f图P4.12所示电路的交流等效电路如解图4. 12所示，当开关S分别位于1、2、3位置 时 上 分别为 1- ikn.o. ikn.okn.开关s位于

11、i位置时的电压放大倍数为伊凡幺也2. 33+（i+8）（R+&2）开关S位于2位置时的电压放大倍数为儿=一有洛就。-2.2开关S位于3位置时的电压放大倍数为4= =-心一 66. 25 A开关S位于1位度时的电压放大倍数数值最小,开关S位于3位置时的电压放大倍 数数值最大说明在交流通路中发射极电阻越大，电压放大倍数数值越小。解图4.12kl3）路如图P4.13所示，已知晶体管的17班= 0. 750 = 3000 c（1）求解静态工作点八、小和，（2）求解4.北.、&解6二周褊；28.2像 /8=田g7,05mA Uceq=12IcqR=4. 95V（2）图P4. 13所示电路的交流等效电路如

12、解图4. 13所示。% = ：+6 * 1222nA：q（1+仞（艮 Rl）0. 99R F R、 ru +（ +8）（凡 &） 2 83. 7kn6 =4 f =4.85。1 4 p e5 IIZZ). f ? 十+一.一以J A凡0 M “解图4.134. 14 电路如图P4. 14所示，已知晶体管的Ube=O. 7V,p=200,rbb=200Oo （1）求解静态工作点/bqJcq和5叫；（2）求解鼠、尺、尺。解 t/DQ = -VCc=4VZbi fb2Ieq = 也 = 3. 3mA=Icq , 1股=华=16. 5rAUceq=12 CqRc 一EQKeQZ. IV（2）图P4.1

13、4所示电路的交流等效电路如解图4.14所示。%=% + 6 江心 1775.80JCQ4.15已知某放大电路的波特图如图P4. 15所示，试写出人.的表达式。十倍频解 201gl 工 g|=40,Z,mQ-100(1(扁(1 U忐)(l+j奈) 16已知某放大电路电压放大倍数匣=-2j/ _ (l+j 给(l+j 4)(I)求解A. JlJh；(2)画出波特图。(1) Am =2j/1。吗(1+j50)(1+jW?) (1+j5o)(1l)Aum = 100，/L=50Hz,/H = 1MHz.(2) 201gl履mkMOdB.A”的波特图如解图4.16所示,20lgUJ；dB解图4.164.

14、 17电路如图P4. 10(a)所示，已知晶体管的17呢=0. 7Vf=100,，w =100n,R.= 100Q.填空：(】)电容G所决定的下限截止频率(先填表达式，再填计算结果)/“=* ，电容C?所决定的下限截止频率(先填表达式再填计算结果)/以= 下限截止频率主要由电容 决定.(2)已知晶体管的rv-C，则上限截止频率的表达式九=o解 (1)一谅与&rGG 工12x(0. lT282#6r75) X 103 X10X10 Hz, 18- 8Hz. 左昌五2n困凡晨说明：由题4.11解可知h =750。八. = 6500。4. 18 图P4. 10(a)所示电路中，已知晶体管的= 0. 7V,/?= 100,= 100D,Cob=0. 5pF,6二 100MHz. R. = 100n.(l)估算下限截止频率八和上限截止频率/h；(2)写出人”.的表达式；3)画出A.,的波特图。解(1)由题4. 11解可知F = 750g由题4.17解可知人和18.8Hz,九多4