金属化和多层互连_第1页
金属化和多层互连_第2页
金属化和多层互连_第3页
金属化和多层互连_第4页
金属化和多层互连_第5页
已阅读5页，还剩74页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

1、P型晶圓N型井區P型井區STIn+n+USGp+p+金屬金屬1, AlCuBPSGWP型磊晶層TiSi2TiN, ARCTi/TiNHigh speedHigh reliabilityHigh density欧姆接触欧姆接触 金属化层和硅衬底的接触，既可以形成整流接触，也可以形成欧姆接触，主要取决于金属和半导体功函数的相对大小 RcJVv01比接触电阻的单位 : 欧姆.cm2接触电阻 R=Rc/S 当金属与半导体之间的载流子输运以隧道穿透为主时，Rc与半导体的掺杂浓度N及金半接触的势垒高度qVb 有下面的关系 qVb在数值上等于金属费米能级上的电子进入半导体所需的能量。结论：要获得低接触电阻的

2、金半接触，必须减小金半接触的势垒高度及提高半导体的掺杂浓度RcqVNbexp名稱 鋁 符號 Al 原子序 13 原子量 26.981538 發現者 漢克 克里斯汀 奧斯特德 發現地點 丹麥 發現日期 1825 名稱來源 源自拉丁字 alumen，指明礬 固體密度 2.70 g/cm3 摩爾體積 10.00 cm3 音速 5100 m/sec 硬度 2.75 電阻係數 2.65 cm 反射率 71% 熔點 660 C 沸點 2519 C 熱傳導係數 235 W m-1 K-1 線性熱膨脹係數 23.110-6 K-1 蝕刻物 (濕) H3PO4, HNO4, CH3COOH 蝕刻物 (乾) Cl

3、2, BCl3 CVD 源材料 Al(CH3)2H KTCJAMTFexp2p+p+N型矽鋁鋁鋁SiO2oxmoxmttltwlwtlCRRC2)()(P型磊晶層P型晶圓N型井區P型井區n+STIp+p+USGWPSGWFSGn+M1CuCoSi2Ta 或 TaNTi/TiNSiNCuCuFSGP型磊晶層P型晶圓N型井區P型井區n+STIp+p+USGWPSGWFSGn+M1CuCoSi2Ta 或 TaNTi/TiNSiNCuCuFSGP型磊晶層P型晶圓N型井區P型井區n+STIp+p+USGWPSGWFSGn+M1CuCoSi2Ta 或 TaNTi/TiNSiNCuCuFSG多晶硅栅极多晶硅栅极in-n-n+n+Tii沉积多晶硅栅极多晶硅栅极in-n-n+n+TiSi2TiSi2Ti退火产生金属硅化物多晶硅栅极多晶硅栅极in-n-n+n+TiSi2TiSi2湿法腐蚀i薄膜多晶硅栅极多晶硅栅极in-n-n+n+TiSi2TiSi2鈦PSGTiSi2n+鎢鋁-銅鈦PSGTiSi2n+鎢鋁-銅面积 = A面积 = B面积 = A垂直的側壁倾斜的侧壁A B傳

人人文库> 全部分类> 教育资料 > 课件下载

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论