中山半导体硅片项目投资分析报告（模板参考）

1、泓域咨询 /中山半导体硅片项目投资分析报告中山半导体硅片项目投资分析报告xxx有限责任公司目录第一章 市场分析7一、 半导体硅片市场规模与发展态势7二、 半导体硅片市场规模与发展态势9三、 SOI硅片市场现状及前景12第二章 项目投资背景分析15一、 半导体硅片介绍及主要种类15二、 行业发展情况和未来发展趋势20三、 行业发展态势22第三章 项目选址可行性分析26一、 项目选址原则26二、 建设区基本情况26三、 创新驱动发展31四、 社会经济发展目标33五、 产业发展方向36六、 项目选址综合评价41第四章 建筑工程可行性分析42一、 项目工程设计总体要求42二、 建设方案42三、 建筑工

2、程建设指标43建筑工程投资一览表43第五章 产品方案分析45一、 建设规模及主要建设内容45二、 产品规划方案及生产纲领45产品规划方案一览表46第六章 发展规划47一、 公司发展规划47二、 保障措施53第七章 SWOT分析说明56一、 优势分析（S）56二、 劣势分析（W）58三、 机会分析（O）58四、 威胁分析（T）60第八章 法人治理结构63一、 股东权利及义务63二、 董事70三、 高级管理人员75四、 监事78第九章 运营管理80一、 公司经营宗旨80二、 公司的目标、主要职责80三、 各部门职责及权限81四、 财务会计制度84第十章 项目节能方案90一、 项目节能概述90二、

3、能源消费种类和数量分析91能耗分析一览表91三、 项目节能措施92四、 节能综合评价92第十一章 人力资源配置94一、 人力资源配置94劳动定员一览表94二、 员工技能培训94第十二章 进度实施计划96一、 项目进度安排96项目实施进度计划一览表96二、 项目实施保障措施97第十三章 原辅材料分析98一、 项目建设期原辅材料供应情况98二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理98第十四章 安全生产100一、 编制依据100二、 防范措施103三、 预期效果评价107第十五章 项目招标及投标分析108一、 项目招标依据108二、 项目招标范围108三、 招标要求109四、 招标组织方式111五、

4、招标信息发布111第十六章 总结说明113第十七章 附表附件115建设投资估算表115建设期利息估算表115固定资产投资估算表116流动资金估算表117总投资及构成一览表118项目投资计划与资金筹措一览表119营业收入、税金及附加和增值税估算表120综合总成本费用估算表121固定资产折旧费估算表122无形资产和其他资产摊销估算表123利润及利润分配表123项目投资现金流量表124第一章 市场分析一、 半导体硅片市场规模与发展态势1、全球半导体硅片市场规模与发展态势由于半导体行业与全球宏观经济形势紧密相关，全球半导体硅片行业在2009年受经济危机影响较为低迷出货量与销售额均出现下滑；2010年由

5、于智能手机放量增长，硅片行业大幅反弹。2011年至2016年，全球经济逐渐复苏但依旧较为低迷，硅片行业亦随之低速发展。2017年以来，受益于半导体终端市场需求强劲，下游传统应用领域计算机、移动通信、固态硬盘、工业电子市场持续增长，新兴应用领域如人工智能、区块链、物联网、汽车电子的快速发展，半导体硅片市场规模不断增长，并于2018年突破百亿美元大关。2、全球各尺寸半导体硅片市场情况2018年，300mm硅片和200mm硅片市场份额分别为63.83%和26.14%，两种尺寸硅片合计占比接近90.00%。2011年开始，200mm半导体硅片市场占有率稳定在25-27%之间。2016年至2017年，由

6、于汽车电子、智能手机用指纹芯片、液晶显示器市场需求快速增长，200mm硅片出货面积从2,690.00百万平方英寸上升至3,085.00百万平方英寸，同比增长14.68%。2018年，受益于汽车电子、工业电子、物联网等应用领域的强劲需求，以及功率器件、传感器等生产商将部分产能从150mm转移至200mm，带动200mm硅片继续保持增长，200mm硅片出货面积达到3,278.00百万平方英寸，同比增长6.25%。自2000年全球第一条300mm芯片制造生产线建成以来，300mm半导体硅片市场需求增加，出货面积不断上升。2008年，300mm半导体硅片出货量首次超过200mm半导体硅片；2009年，

7、300mm半导体硅片出货面积超过其他尺寸半导体硅片出货面积之和。2000年至2018年，由于移动通信、计算机等终端市场持续快速发展，300mm半导体硅片出货面积从94.00百万平方英寸扩大至8,005.00百万平方英寸，市场份额从1.69%大幅提升至2018年的63.83%，成为半导体硅片市场最主流的产品。2016至2018年，由于人工智能、区块链、云计算等新兴终端市场的蓬勃发展，300mm半导体硅片出货面积分别为6,817.00、7,261.00、8,005.00百万平方英寸，年均复合增长率为8.36%。3、中国大陆半导体硅片市场现状及前景2008年至2013年，中国大陆半导体硅片市场发展趋

8、势与全球半导体硅片市场一致。2014年起，随着中国各半导体制造生产线投产、中国半导体制造技术的不断进步与中国半导体终端产品市场的飞速发展，中国大陆半导体硅片市场步入了飞跃式发展阶段。2016年至2018年，中国大陆半导体硅片销售额从5.00亿美元上升至9.92亿美元，年均复合增长率高达40.88%，远高于同期全球半导体硅片的年均复合增长率25.65%。中国作为全球最大的半导体产品终端市场，预计未来随着中国芯片制造产能的持续扩张，中国半导体硅片市场的规模将继续以高于全球市场的速度增长。半导体硅片作为芯片制造的关键材料，市场集中度很高，目前全球半导体硅片市场主要被日本、德国、韩国、中国台湾等国家和

9、地区的知名企业占据。中国大陆的半导体硅片企业主要生产150mm及以下的半导体硅片，仅有少数几家企业具有200mm半导体硅片的生产能力。2017年以前，300mm半导体硅片几乎全部依赖进口。2018年，硅产业集团子公司上海新昇作为中国大陆率先实现300mm硅片规模化销售的企业，打破了300mm半导体硅片国产化率几乎为0%的局面。二、 半导体硅片市场规模与发展态势1、全球半导体硅片市场规模与发展态势由于半导体行业与全球宏观经济形势紧密相关，全球半导体硅片行业在2009年受经济危机影响较为低迷出货量与销售额均出现下滑；2010年由于智能手机放量增长，硅片行业大幅反弹。2011年至2016年，全球经济

10、逐渐复苏但依旧较为低迷，硅片行业亦随之低速发展。2017年以来，受益于半导体终端市场需求强劲，下游传统应用领域计算机、移动通信、固态硬盘、工业电子市场持续增长，新兴应用领域如人工智能、区块链、物联网、汽车电子的快速发展，半导体硅片市场规模不断增长，并于2018年突破百亿美元大关。2、全球各尺寸半导体硅片市场情况2018年，300mm硅片和200mm硅片市场份额分别为63.83%和26.14%，两种尺寸硅片合计占比接近90.00%。2011年开始，200mm半导体硅片市场占有率稳定在25-27%之间。2016年至2017年，由于汽车电子、智能手机用指纹芯片、液晶显示器市场需求快速增长，200mm

11、硅片出货面积从2,690.00百万平方英寸上升至3,085.00百万平方英寸，同比增长14.68%。2018年，受益于汽车电子、工业电子、物联网等应用领域的强劲需求，以及功率器件、传感器等生产商将部分产能从150mm转移至200mm，带动200mm硅片继续保持增长，200mm硅片出货面积达到3,278.00百万平方英寸，同比增长6.25%。自2000年全球第一条300mm芯片制造生产线建成以来，300mm半导体硅片市场需求增加，出货面积不断上升。2008年，300mm半导体硅片出货量首次超过200mm半导体硅片；2009年，300mm半导体硅片出货面积超过其他尺寸半导体硅片出货面积之和。200

12、0年至2018年，由于移动通信、计算机等终端市场持续快速发展，300mm半导体硅片出货面积从94.00百万平方英寸扩大至8,005.00百万平方英寸，市场份额从1.69%大幅提升至2018年的63.83%，成为半导体硅片市场最主流的产品。2016至2018年，由于人工智能、区块链、云计算等新兴终端市场的蓬勃发展，300mm半导体硅片出货面积分别为6,817.00、7,261.00、8,005.00百万平方英寸，年均复合增长率为8.36%。3、中国大陆半导体硅片市场现状及前景2008年至2013年，中国大陆半导体硅片市场发展趋势与全球半导体硅片市场一致。2014年起，随着中国各半导体制造生产线投

13、产、中国半导体制造技术的不断进步与中国半导体终端产品市场的飞速发展，中国大陆半导体硅片市场步入了飞跃式发展阶段。2016年至2018年，中国大陆半导体硅片销售额从5.00亿美元上升至9.92亿美元，年均复合增长率高达40.88%，远高于同期全球半导体硅片的年均复合增长率25.65%。中国作为全球最大的半导体产品终端市场，预计未来随着中国芯片制造产能的持续扩张，中国半导体硅片市场的规模将继续以高于全球市场的速度增长。半导体硅片作为芯片制造的关键材料，市场集中度很高，目前全球半导体硅片市场主要被日本、德国、韩国、中国台湾等国家和地区的知名企业占据。中国大陆的半导体硅片企业主要生产150mm及以下的

14、半导体硅片，仅有少数几家企业具有200mm半导体硅片的生产能力。2017年以前，300mm半导体硅片几乎全部依赖进口。2018年，硅产业集团子公司上海新昇作为中国大陆率先实现300mm硅片规模化销售的企业，打破了300mm半导体硅片国产化率几乎为0%的局面。三、 SOI硅片市场现状及前景1、SOI硅片市场规模2016年至2018年全球SOI硅片市场销售额从4.41亿美元增长至7.17亿美元，年均复合增长率27.51%；同期，中国SOI硅片市场销售额从0.02亿美元上升至0.11亿美元，年均复合增长率132.46%。作为特殊硅基材料，SOI硅片生产工艺更复杂、成本更高、应用领域更专业，全球范围内

15、仅有Soitec、信越化学、环球晶圆、SUMCO和硅产业集团等少数企业有能力生产。而在需求方面，中国大陆芯片制造领域具备SOI芯片生产能力的企业并不多，因此中国SOI硅片产销规模较小。2、SOI硅片在射频前端芯片中的应用射频前端芯片是超小型内置芯片模块，集成了无线前端电路中使用的各种功能芯片，包括功率放大器、天线调谐器、低噪声放大器、滤波器和射频开关等。射频前端芯片主要功能为处理模拟信号，是以移动智能终端为代表的无线通信设备的核心器件之一。近年来，移动通信技术迅速发展，移动数据传输量和传输速度不断提升，对于配套的射频前端芯片的工作频率、集成度与复杂性的要求随之提高。RF-SOI硅片，包括HR-

16、SOI（高阻）和TR-SOI（含有电荷陷阱层的高阻SOI），是用于射频前端芯片的SOI硅片，其具有寄生电容小、短沟道效应小、集成密度高、速度快、功耗低、工艺简单等优点，符合射频前端芯片对于高速、高线性与低插损等要求。为了应对射频前端芯片对于集成度与复杂性的更高要求，RF-SOI工艺可以在不影响半导体器件工作频率的情况下提高集成度并保持良好的性能；另一方面，SOI以其特殊的结构与良好的电学性能，为系统设计提供了巨大的灵活性。由于SOI是硅基材料，很容易与其它器件集成，同时可以使用标准的集成电路生产线以降低芯片制造企业的生产成本。例如，SOI与CMOS工艺的兼容使其能将数字电路与模拟电路混合，在射

17、频电路应用领域优势明显。RF-SOI工艺在射频集成方面具有多种优势：SOI硅片中绝缘埋层（BOX）的存在，实现了器件有源区和衬底之间的完全隔离，有效降低了寄生电容，从而降低了功耗；RF-SOI可以提供高阻衬底，降低高频RF和数字、混和信号器件之间的串扰并大幅度降低射频前端的噪声量，同时降低了高频插入损耗；作为一种全介质隔离，RF-SOI实现了RF电路与数字电路的单片集成。目前海外RF-SOI产业链较为成熟，格罗方德、意法半导体、TowerJazz、台电和台湾联华电子等芯片制造企业均具有基于RF-SOI工艺的芯片生产线。国内RF-SOI产业链发展不均衡，下游终端智能手机市场发展迅速，中游射频前端

18、模块和器件大部分依赖进口。目前，虽然我国企业具备RF-SOI硅片大规模生产能力，但是国内仅有少数芯片制造企业具有基于RF-SOI工艺制造射频前端芯片的能力，因此国产RF-SOI硅片以出口为主。SOI硅片主要应用于智能手机、WiFi等无线通信设备的射频前端芯片，亦应用于汽车电子、功率器件、传感器等产品。未来，随着5G通信技术的不断成熟，新一轮智能手机的更新换代即将到来，以及自动驾驶、车联网技术的发展，SOI硅片需求将持续上升。第二章 项目投资背景分析一、 半导体硅片介绍及主要种类1、半导体硅片简介常见的半导体材料包括硅（Si）、锗（Ge）等元素半导体及砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）等化合物

19、半导体。相较于锗，硅的熔点为1,415，高于锗的熔点937，较高的熔点使硅可以广泛应用于高温加工工艺中；硅的禁带宽度大于锗，更适合制作高压器件。相较于砷化镓，硅安全无毒、对环境无害，而砷元素为有毒物质；并且锗、砷化镓均没有天然的氧化物，在晶圆制造时还需要在表面沉积多层绝缘体，这会导致下游晶圆制造的生产步骤增加从而使生产成本提高。硅基半导体材料是目前产量最大、应用最广的半导体材料，90%以上的半导体产品是用硅基材料制作的。硅在地壳中占比约27%，是除了氧元素之外第二丰富的元素，硅元素以二氧化硅和硅酸盐的形式大量存在于沙子、岩石、矿物中，储量丰富并且易于取得。通常将95-99%纯度的硅称为工业硅。

20、沙子、矿石中的二氧化硅经过纯化，可制成纯度98%以上的硅；高纯度硅经过进一步提纯变为纯度达99.9999999%至99.999999999%（9-11个9）的超纯多晶硅；超纯多晶硅在石英坩埚中熔化，并掺入硼（P）、磷（B）等元素改变其导电能力，放入籽晶确定晶向，经过单晶生长，制成具有特定电性功能的单晶硅锭。熔体的温度、提拉速度和籽晶/石英坩埚的旋转速度决定了单晶硅锭的尺寸和晶体质量，而熔体中的硼（P）、磷（B）等杂质元素的浓度决定了单晶硅锭的电特性。单晶硅锭经过切片、研磨、蚀刻、抛光、外延（如有）、键合（如有）、清洗等工艺步骤，制造成为半导体硅片。在半导体硅片上可布设晶体管及多层互联线，使之成

21、为具有特定功能的集成电路或半导体器件产品。在生产环节中，半导体硅片需要尽可能地减少晶体缺陷，保持极高的平整度与表面洁净度，以保证集成电路或半导体器件的可靠性。2、半导体硅片的主要种类1965年，戈登摩尔提出摩尔定律：集成电路上所集成的晶体管数量，每隔18个月就提升一倍，相应的集成电路性能增强一倍，成本随之下降一半。对于芯片制造企业而言，这意味着需要不断提升单片硅片可生产的芯片数量、降低单片硅片的制造成本以便与摩尔定律同步。半导体硅片的直径越大，在单片硅片上可制造的芯片数量就越多，单位芯片的成本随之降低。半导体硅片的尺寸（以直径计算）主要有50mm（2英寸）、75mm（3英寸）、100mm（4英

22、寸）、150mm（6英寸）、200mm（8英寸）与300mm（12英寸）等规格。在摩尔定律的影响下，半导体硅片正在不断向大尺寸的方向发展。为提高生产效率并降低成本，向大尺寸演进是半导体硅片制造技术的发展方向。硅片尺寸越大，在单片硅片上制造的芯片数量就越多，单位芯片的成本随之降低。同时，在圆形的硅片上制造矩形的芯片会使硅片边缘处的一些区域无法被利用，必然会浪费部分硅片。硅片的尺寸越大，相对而言硅片边缘的损失会越小，有利于进一步降低芯片的成本。例如，在同样的工艺条件下，300mm半导体硅片的可使用面积超过200mm硅片的两倍以上，可使用率（衡量单位晶圆可生产的芯片数量的指标）是200mm硅片的2.

23、5倍左右。半导体硅片尺寸越大，对半导体硅片的生产技术、设备、材料、工艺的要求越高。目前，全球市场主流的产品是200mm、300mm直径的半导体硅片，下游芯片制造行业的设备投资也与200mm和300mm规格相匹配。考虑到大部分200mm及以下芯片制造生产线投产时间较早，绝大部分设备已折旧完毕，因此200mm及以下半导体硅片对应的芯片制造成本往往较低，在部分领域使用200mm及以下半导体硅片的综合成本可能并不高于300mm半导体硅片。此外，在高精度模拟电路、射频前端芯片、嵌入式存储器、CMOS（互补金属氧化物半导体）图像传感器、高压MOS等特殊产品方面，200mm及以下芯片制造的工艺更为成熟。综上

24、，200mm及以下半导体硅片的需求依然存在。随着汽车电子、工业电子等应用的驱动，200mm半导体硅片的需求呈上涨趋势。目前，除上述特殊产品外，200mm及以下半导体硅片的需求主要来源于功率器件、电源管理器、非易失性存储器、MEMS、显示驱动芯片与指纹识别芯片等，终端应用领域主要为移动通信、汽车电子、物联网、工业电子等。目前，300mm半导体硅片的需求主要来源于存储芯片、图像处理芯片、通用处理器芯片、高性能FPGA（现场可编程门阵列）与ASIC（专用集成电路），终端应用主要为智能手机、计算机、云计算、人工智能、SSD（固态存储硬盘）等较为高端领域。根据制造工艺分类，半导体硅片主要可以分为抛光片、

25、外延片与以SOI硅片为代表的高端硅基材料。单晶硅锭经过切割、研磨和抛光处理后得到抛光片。抛光片经过外延生长形成外延片，抛光片经过氧化、键合或离子注入等工艺处理后形成SOI硅片。随着集成电路特征线宽的不断缩小，光刻机的景深也越来越小，硅片上极其微小的高度差都会使集成电路布线图发生变形、错位，这对硅片表面平整度提出了苛刻的要求。此外，硅片表面颗粒度和洁净度对半导体产品的良品率也有直接影响。抛光工艺可去除加工表面残留的损伤层，实现半导体硅片表面平坦化，并进一步减小硅片的表面粗糙度以满足芯片制造工艺对硅片平整度和表面颗粒度的要求。抛光片可直接用于制作半导体器件，广泛应用于存储芯片与功率器件等，也可作为

26、外延片、SOI硅片的衬底材料。外延是通过化学气相沉积的方式在抛光面上生长一层或多层，掺杂类型、电阻率、厚度和晶格结构都符合特定器件要求的新硅单晶层。外延技术可以减少硅片中因单晶生长产生的缺陷，具有更低的缺陷密度和氧含量。外延片常在CMOS电路中使用，如通用处理器芯片、图形处理器芯片等，由于外延片相较于抛光片含氧量、含碳量、缺陷密度更低，提高了栅氧化层的完整性，改善了沟道中的漏电现象，从而提升了集成电路的可靠性。除此之外，通常在低电阻率的硅衬底上外延生长一层高电阻率的外延层，应用于二极管、IGBT（绝缘栅双极型晶体管）等功率器件的制造。功率器件常用在大功率和高电压的环境中，硅衬底的低电阻率可降低

27、导通电阻，高电阻率的外延层可以提高器件的击穿电压。外延片提升了器件的可靠性，并减少了器件的能耗，因此在工业电子、汽车电子等领域广泛使用。SOI硅片即绝缘体上硅，是常见的硅基材料之一，其核心特征是在顶层硅和支撑衬底之间引入了一层氧化物绝缘埋层。SOI硅片的优势在于可以通过绝缘埋层实现全介质隔离，这将大幅减少硅片的寄生电容以及漏电现象，并消除了闩锁效应。SOI硅片具有寄生电容小、短沟道效应小、低压低功耗、集成密度高、速度快、工艺简单、抗宇宙射线粒子的能力强等优点。因此，SOI硅片适合应用在要求耐高压、耐恶劣环境、低功耗、集成度高的芯片上，如射频前端芯片、功率器件、汽车电子、传感器以及星载芯片等。二

28、、 行业发展情况和未来发展趋势依照摩尔定律，半导体行业呈现产品升级迭代快、性能持续提升、成本持续下降、制程不断缩小的基本发展趋势。1、制程的不断缩小提升了对半导体硅片的技术要求制程亦称为节点或特征线宽，即晶体管栅极宽度的尺寸，用来衡量半导体芯片制造的工艺水准。遵循摩尔定律，半导体芯片的制程已经从上世纪70年代的1m、0.35m、0.13m逐渐发展至当前的90nm、65nm、45nm、22nm、16nm、10nm、7nm。随着制程的不断缩小，芯片制造工艺对硅片缺陷密度与缺陷尺寸的容忍度不断降低。对应在半导体硅片的制造过程中，需要更加严格地控制硅片表面微粗糙度、硅单晶缺陷、金属杂质、晶体原生缺陷、

29、表面颗粒尺寸和数量等技术指标，这些参数将直接影响半导体产品的成品率和性能。根据Gartner预测，2016至2022年，全球芯片制造产能中，预计20nm及以下制程占比12%，32/28nm至90nm占比41%，0.13m及以上的微米级制程占比47%。目前，90nm及以下的制程主要使用300mm半导体硅片，90nm以上的制程主要使用200mm或更小尺寸的硅片。2、未来几年，300mm仍将是半导体硅片的主流品种随着半导体制程的不断缩小，芯片生产的工艺愈加复杂，生产成本不断提高，成本因素驱动硅片向着大尺寸的方向发展。半导体硅片尺寸越大，对于技术和设备的要求越高，半导体硅片的尺寸每进步一代，生产工艺的

30、难度亦随之提升。3、半导体硅片市场将继续保持较高的集中度半导体硅片行业技术壁垒高、资金壁垒高、人才壁垒高，并且与宏观经济关联性较强，半导体硅片企业需通过规模效应来提高盈利能力，预计未来半导体硅片市场仍将保持较高的集中度。4、中国大陆半导体硅片行业快速发展近年来，中国政府高度重视半导体行业，制定了一系列政策推动中国大陆半导体行业的发展。2014年，国务院印发了国家集成电路产业发展推进纲要，纲要指出：集成电路产业是信息技术产业的核心，是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业。当前和今后一段时期是我国集成电路产业发展的重要战略机遇期和攻坚期。加快推进集成电路产业发展，对转变经济发

31、展方式、保障国家安全、提升综合国力具有重大战略意义。到2020年，中国集成电路行业与国际先进水平的差距逐步缩小，全行业销售收入年均增速超过20%。到2030年，产业链主要环节达到国际先进水平，实现跨越发展。近年来，在中国政府高度重视、大力扶持半导体行业发展的大背景下，中国大陆的半导体产业快速发展，产业链各环节的产能和技术水平都取得了长足的进步，但相对而言，半导体材料仍是我国半导体产业较为薄弱的环节。目前，我国半导体硅片市场仍主要依赖于进口，我国企业具有很大的进口替代空间。受益于产业政策的支持、国内硅片企业技术水准的提升、以及全球芯片制造产能向中国大陆的转移，预计中国大陆半导体硅片企业的销售额将

32、继续提升，将以高于全球半导体硅片市场的增速发展，市场份额占比也将持续扩大。三、 行业发展态势1、半导体硅片向大尺寸方向发展在摩尔定律的影响下，半导体硅片正在不断向大尺寸的方向发展。在未来一段时间内，300mm半导体硅片仍将作为主流尺寸，同时100-150mm半导体硅片产能将逐步向200mm硅片转移，而200mm硅片产能将逐步向300mm硅片转移。向大尺寸方向发展是半导体硅片行业最基本的发展趋势。2、行业集中度较高过去30年间，半导体硅片行业集中度持续提升。20世纪90年代，全球主要的半导体硅片企业超过20家。2016-2018年，全球前五大硅片企业的市场份额已从85%提升至93%。半导体硅片行

33、业兼具技术密集型、资本密集型与人才密集型的特征。行业龙头企业通过多年的技术积累和规模效应，已经建立了较高的行业壁垒。半导体行业的周期性较强，规模较小的企业难以在行业低谷时期生存，而行业龙头企业由于产品种类较为丰富、与行业上下游的谈判能力更强、单位固定成本更低，更容易承受行业的周期性波动。通过并购的方式实现外延式扩张是一些半导体硅片龙头企业发展壮大的路径。如信越化学在1999年并购了日立的硅片业务；SUMCO为住友金属工业的硅制造部门、联合硅制造公司以及三菱硅材料公司合并而成；环球晶圆在2012年收购了东芝陶瓷旗下的CovalentMaterials的半导体晶圆业务之后成为全球第六大半导体硅片厂

34、，并于2016年收购了正在亏损的SunEdisonSemiconductorLimited、丹麦TopsilSemiconductorMaterialsA/S半导体事业部，进一步提升其市场占有率，也提高了整个行业的集中度。3、终端新兴应用涌现半导体硅片行业除了受宏观经济影响，亦受到具体终端市场的影响。例如2010年，全球宏观经济增速仅4%，但由于iPhone4和iPad的推出，大幅拉动了半导体行业的需求，2010年全球半导体行业收入增长达32%。2017年开始，大数据、云计算、人工智能、新能源汽车、区块链等新兴终端应用的出现，半导体行业进入了多种新型需求同时爆发的新一轮上行周期。4、全球半导体

35、行业区域转移半导体行业具有生产技术工序多、产品种类多、技术更新换代快、投资高风险大、下游应用广泛等特点，叠加下游新兴应用市场的不断涌现，半导体产业链从集成化到垂直化分工的趋势越来越明确，并经历了两次空间上的产业转移。第一次为20世纪70年代从美国向日本转移，第二次是20世纪80年代向韩国与中国台湾地区转移。目前，全球半导体行业正在开始第三次产业转移，即向中国大陆转移。历史上两次成功的产业转移都带动了目标国产业的发展、垂直化分工进程的推进和资源优化配置。对于产业转移的目标国，其半导体产业往往从封装测试向芯片制造与设计延伸，扩展至半导体材料与设备，最终实现全产业链的整体发展。与发达国家和地区相比，

36、目前中国大陆在半导体产业链的分工仍处于前期，半导体材料和设备行业将成为未来增长的重点。受益于半导体产业加速向中国大陆转移，中国大陆作为全球最大半导体终端产品消费市场，中国半导体产业的规模不断扩大，随着国际产能不断向中国转移，中资、外资半导体企业纷纷在中国投资建厂，中国大陆半导体硅片需求将不断增长。5、政策推动中国半导体行业快速发展半导体行业是中国电子信息产业的重要增长点、驱动力。近年来，中国政府颁布了一系列政策支持半导体行业发展。2016年，全国人大发布中华人民共和国国民经济和社会发展第十三个五年规划纲要，明确将培育集成电路产业体系、大力推进先进半导体等新兴前沿领域创新和产业化作为中国近期发展

37、重点。2017年，科技部将300mm硅片大生产线的应用并实现规模化销售列为“十三五”先进制造技术领域科技创新专项规划。2018年，国务院将推动集成电路、新材料等产业发展列入2018年政府工作报告。2014年，随着国家集成电路产业基金的设立，各地方亦纷纷设立了集成电路产业基金。半导体硅片作为集成电路基础性、关键性材料，属于国家行业政策与资金重点支持发展的领域。第三章 项目选址可行性分析一、 项目选址原则节约土地资源，充分利用空闲地、非耕地或荒地，尽可能不占良田或少占耕地；应充分利用天然地形，选择土地综合利用率高、征地费用少的场址。二、 建设区基本情况中山，古称香山，人杰地灵，名人辈出，是一代伟人

38、孙中山先生的故乡。广东省地级市，全国4个不设区的地级市之一，珠三角中心城市之一、粤港澳大湾区重要节点城市、广东地区性中心城市之一、连续多年保持广东省第5的经济总量，并与顺德、南海、东莞一起被称为广东四小虎。前身为1152年设立的香山县；1925年，为纪念孙中山而改名为中山县，位于珠江三角洲中部偏南的西、北江下游出海处，北接广州市番禺区和佛山市顺德区，西邻江门市区、新会区和珠海市斗门区，东南连珠海市，东隔珠江口伶仃洋与深圳市和香港特别行政区相望。中山是国家历史文化名城，是广府文化的代表城市之一，发祥于中山的香山文化是中国近代文化的重要源头，享有广东省曲艺之乡（粤剧）、华侨之乡的美誉。有旅居世界五

39、大洲87个国家和地区的海外侨胞、港澳台同胞80多万人。2019年8月，中国海关总署主办的中国海关杂志公布了2018年中国外贸百强城市排名，中山排名第29。大力实施环湾布局、向东发展战略，进一步厘清城市发展思路，推进粤港澳大湾区建设取得积极进展。铁腕治理土地、规划乱象，上收镇区规划编制权限，严控房地产用地供应，强化基础设施、公共服务设施和产业用地保障，出台37项制度重塑国土空间规划管理体系。2020年全市经济社会发展的主要预期目标是：优先稳就业保民生，城镇新增就业5万人，城镇登记失业率控制在3%以内，居民消费价格涨幅控制在3.5%左右，居民收入增长与经济增长基本同步，能源和环境指标完成省下达目标

40、任务。纵观国际国内发展形势，“十三五”时期，挑战与机遇并存，困难与希望同在。国家经济发展长期向好的基本面没有变，持续增长的良好支撑基础和条件没有变，发展的前景仍然广阔，中山面临新一轮的发展热潮。从国际形势看，全球治理体系深刻变革，发展中国家群体力量继续增强，国际力量对比逐步趋向平衡，有利于我国发展的外部环境相对稳定。新一轮科技革命和产业变革蓄势待发，信息技术、新能源、新材料、生物技术等重要领域和前沿方向的革命性突破和交叉融合，将改变全球制造业的发展格局，也给我国的制造业发展带来重要机遇。同时，我国制造业也面临着发达国家“高端回流”和发展中国家“中低端分流”双向挤压的严峻挑战。国际金融危机深层次

41、影响在相当长时期依然存在，全球经济贸易增长乏力，保护主义有所抬头，“跨太平洋伙伴关系协议”（TPP）、“跨大西洋贸易与投资伙伴关系协定”（TTIP）等新的区域投资贸易协定将重构全球贸易秩序，对国内贸易投资产生替代效应，我国的对外贸易和吸引国际直接投资的压力将会增大。从国内形势看，国内经济步入以速度变化、结构优化、动力转换为特征的新常态，经济增长速度从高速增长转向中高速增长，经济发展方式从规模速度型粗放增长转向质量效率型集约增长；经济结构从增量扩能为主转向调整存量、做优增量并举的深度调整；经济发展动力从传统增长点转向新的增长点。“十三五”时期，我国改革红利空前释放，要素质量有所提高，“双创”推动

42、创新驱动发展机制加快形成，新型城镇化和城乡一体化发展进一步释放内需潜力，“一带一路”倡议实施全方位提升对外开放水平，京津冀协同发展、长江经济带发展、泛珠三角区域合作等三大战略加快实施催生新增长极。同时，资源环境约束强化，传统比较优势弱化，高增长时期产生或掩盖的各种矛盾和问题显现，对经济发展的制约日益明显，在优化结构、增强动力、化解矛盾、补齐短板上任务紧迫、压力较大。从省内形势看，我省经济总量位居全国各省区首位，经过“十二五”时期的发展，综合实力和核心竞争力得到重大提升。“十三五”时期，我省总体处于工业化后期阶段，全面创新改革试验区建设迈出实质性步伐，开始进入以创新驱动为主要动力的发展新周期，但

43、增长动力转换尚需时日，保持经济平稳健康发展任务依然艰巨。全面深化改革持续推进，以广东自贸区建设为引领，积极参与“一带一路”建设，大力推进泛珠三角区域合作和粤港澳合作，争做改革开放排头兵。全面实施珠三角优化发展战略和粤东西北振兴发展战略，珠三角东西两岸深度融合进程加快，辐射带动能力进一步提高，粤东西北发展全面提速，成为广东新的增长极。从市内情况看，“十三五”时期我市经济发展进入提质增效关键期，呈现出一系列新变化，面临难得机遇。创新驱动发展核心战略全面深入实施，以高新技术企业为主体的企业创新能力不断增强，我市动力转换步伐加快。先进制造业、战略性新兴产业和服务业新兴业态发展壮大，将成为经济持续发展新

44、的增长点，切实推进我市经济结构战略性调整。随着深中通道、港珠澳大桥、深茂铁路建设，珠三角东西两岸深度融合显著提速，我市区位优势大幅提升，与周边城市、港澳地区的合作将向更广领域、更深层次发展，为实现新一轮发展带来历史性机遇。与此同时，也面临一些突出问题和挑战：经济转型升级压力依然较大。我市经济发展方式粗放、创新能力不足，部分制造业和服务业处于产业链低端环节，缺乏核心技术和自主品牌，工业增加值率低于全省平均水平，传统产业主导型经济增长动力减弱，新的增长动力对经济发展支撑不足，亟需以创新驱动发展实现动力转换，推动产业转型升级。镇区高端要素集聚能力不足。特殊的“市-镇”管理模式，形成了齐头并进的镇区发

45、展格局，镇区重复建设、资源碎片化问题突出，对人才、技术、资本等高端要素的集聚能力不足。亟需加大全域中山统筹协调力度，创新城镇体系组织模式，重构发展新空间。对外开放合作格局不够开阔。我市对外开放长期积累的一些结构性矛盾尚未得到很好解决，外贸出口直接面向海外市场的渠道不宽，外商直接投资增长大幅放缓，企业海外经营管理能力、风险应对能力不强，对外交流合作的质量水平有待提高，制约了我市对外开放水平和效益的进一步提升，亟需加快构建全球视野全方位开放发展新格局。资源环境瓶颈制约日趋严重。全市土地开发强度已接近开发上限，集约节约利用效率有待提升，“三规”不协调难题尚未有效破解，土地要素供给紧张与土地闲置问题并

46、存。同时，个别区域大气污染和水污染问题突出，控制主要污染物排放任务较重，亟需加快转变资源利用方式，推动绿色发展。全民共享社会融合力度不够。城乡与城市内部的“双重二元”人口结构矛盾突出，政府的公共财力和公共服务向农村基层、新中山人延伸不够，解决外来农业转移人口市民化和推进基本公共服务均等化压力较大，新中山人对中山的归属感仍需加强，亟需创新社会公共服务供给方式和社会治理方式，实现社会共建共享。综合研判，“十三五”时期我市仍然处于大有作为的五年。面对新形势新变化，我们必须增强忧患意识和机遇意识，坚持稳中求进、稳中提质，勇于担当，加快形成引领经济社会发展新常态的体制机制，走出一条质量更高、效益更好、结

47、构更优、竞争力更强的发展新路，奋力开创中山社会主义现代化建设新局面。三、 创新驱动发展以创新驱动发展为核心战略，实现发展动力转换。紧紧围绕知识产权、新型研发机构、科技企业孵化器、高新技术企业“四大抓手”，完善大众创业、万众创新的制度环境，加快建成国家创新型城市。到2020年，基本建立以创新为主要引领和支撑的经济体系和发展模式，主要创新指标排在全省前列。（一）强化企业创新主体地位优先支持创新型企业发展，增强企业创新主导作用。以高新技术企业为重点，推进科技型龙头企业和中小微创新型企业协同发展。（二）打造创新型人才高地深入实施人才优先发展战略，创新人才培养模式，吸引国内外优秀人才来中山创新创业。推进

48、人才发展体制改革和政策创新，将人才工作纳入法制化轨道，形成具有核心竞争力的人才制度优势。（三）加强科技创新能力建设加强协同推进原始创新、集成创新和引进消化吸收再创新，鼓励企业开展基础性、前沿性创新，重视颠覆性技术创新，实现科技创新能力“跨越式”大发展。（四）构建开放型区域创新体系参与国家全面创新改革试验试点省的建设，融入珠三角国家自主创新示范区的建设，完善激励和保护创新的制度体系，建成珠江西岸区域创新重要节点城市。优化创新区域布局。开展学习赶超创新先进城市行动，加强区域创新协同发展战略合作。实施火炬开发区创新发展能力提升计划，推动翠亨新区上升为国家级新区，将两区打造成为全市创新驱动引领区、体制

49、机制创新先行区和创新发展增长极。整合优化各类工业园区、科技园区、产业基地，提升科技创新能力。强化新型专业镇科技创新支撑和服务。提升主城区创新驱动服务能力，发挥现代服务业新业态、新模式的创新引领作用。（五）挖掘发展动力新空间创新是引领发展的第一动力。“十三五”时期，提高创新资源利用效率，发力市场供需两端升级，激发全社会创新活力和创造潜能，为发展动力提供新空间。四、 社会经济发展目标确立2017年为全面建成小康社会的目标年，全面小康综合指数达到97%以上。力争比全省提前一年实现GDP、城乡居民人均收入比2010年翻一番。力争2020年跨入珠三角经济发展第二梯队，迈上率先基本实现现代化新征程。经济保

50、持中高速增长。努力实现经济保持中高速增长，产业迈上中高端水平，GDP年均增速为8.5%左右，到2020年全市GDP力争突破5000亿元；人均GDP年均增速为7.5%左右，全市人均GDP力争达到13万元。转方式与调结构取得重大进展，工业化和信息化深度融合，单位建设用地产出效率和工业全员劳动生产效率比2015年提高50%。城市化水平和质量全面提升，主城区扩容提质、火炬开发区和翠亨新区创新引领、西北部和南部城市副中心建设取得重大进展，常住人口规模达到365万，户籍城镇化率达到55%左右。人民生活水平和质量普遍提高。努力实现“学有优教、劳有丰酬、病有良医、老有颐养、住有宜居”新目标。实现城乡居民收入年

51、均增长与经济增长同步。率先实现基本公共服务均等化，就业、教育、文化、社保、医疗等公共服务体系更加完善，社会更加平安文明和谐。基本实现教育现代化。市民法治意识、思想道德、科学文化、健康素质明显提高。增强文化产业核心竞争力，文化产业增加值占全市GDP比重达到6.8%。实现更高水平社会善治，争创全国最平安城市。基本建立市场化法治化国际化制度体系。全面深化改革，率先在经济社会发展重要领域和关键环节改革取得决定性成果，各领域基础性制度体系基本形成。基本构建完备的地方性法律规章体系，法治中山建设取得重大进展。努力营造法制环境规范、投资贸易便利、监管安全高效的国际化营商环境。基本建立以创新驱动为引领的发展新

52、模式。建成国家创新型城市。全面实施创新驱动发展战略，不断推进制度、科技、文化等方面的创新，成为珠西岸创新创业新高地。形成开放型创新体系和创新型经济形态，科技创新取得重大突破。到2020年，R&D经费支出占GDP比重达到2.9%，实现创新创业孵化器、新型研发机构、高新技术企业数量比2015年倍增目标。主要创新指标居全省前列，综合指标超过创新型国家水平。基本建立具有全球竞争力的现代产业新体系。以供给侧结构性改革为引领培育形成新供给新动力，推动传统产业向智能化、精细化、柔性化转变。以网络化、数字化、信息化拓展发展空间，建立与国际接轨的专业化生产服务体系。基本建成以战略性新兴产业为先导、以先进制造业和

53、现代服务业为主体的现代产业新体系。到2020年，先进制造业占制造业增加值比重达50%，战略性新兴产业占GDP比重达20%，现代服务业占服务业增加值比重达60%。基本形成完善的综合交通体系。坚持以交通引领城市发展，构建“四纵四横”的高速路网和“三环十射”的快速路网框架，加强对内对外交通对接，推进市内轨道建设，优化港口布局。提前谋划和做好深中通道、港珠澳大桥、深茂铁路开通后的应对准备工作，积极迎接“大桥时代”到来，打造珠江西岸综合交通枢纽。基本形成绿色低碳发展新格局。建成国家生态文明建设示范市。坚持绿色发展理念，不断提高生产方式和生活方式绿色低碳水平，构建人与自然和谐发展的良好环境。单位生产总值能

54、耗水耗、单位GDP二氧化碳排放强度和主要污染物排放的控制水平处于全省前列，人均公园绿地面积达到14.6平方米，细颗粒物（PM2.5）浓度年平均值控制在33微克/立方米左右。展望2030年，经过三个五年的努力发展，我市将建成“山水人文、现代精品、开放包容、和美善治”的珠江口湾区理想城市。成为珠江西岸区域性综合交通枢纽，具有重要影响力的科技创新中心和高端产业集聚地，形成以创新为引领和支撑的现代产业体系，市场化法治化国际化制度环境更加成熟，人民生活水平和质量争取达到发达国家水平，迈上率先基本实现社会主义现代化的新征程。五、 产业发展方向坚持增量提升与存量优化并举，大力发展先进制造业和现代服务业，以推

55、进供给侧结构性改革为引领，着力优化产业结构和产业布局，推动产业集聚化、链条化、高端化、绿色化发展。以产业创新抢占高端产业和产业高端制高点，增强经济持续增长动力。到2020年，基本建立具有国际竞争力的现代产业新体系。（一）推进供给侧结构性改革着力抓好去产能、去库存、去杠杆、降成本、补短板五大任务，提高供给体系质量和效率。以扩大有效供给满足新需求，以创新驱动产品升级和产业发展，推动消费和投资良性互动、产业升级和消费升级协同共进、创新驱动和经济转型有效对接。（二）深入推进新型专业镇建设加强对新型专业镇规划指导，把新型专业镇建设作为创新驱动的重要抓手，大力实施科技创新、模式创新、组织创新等“17”“1

56、7”工程：大力实施技术创新工程、模式创新工程、组织创新工程、集群创新工程、要素资源集约创新工程、产城融合创新工程、生态环境创新工程、人才创新工程。创新工程，打造有统筹、有技术、有活力、有张力的新型专业镇。大力培育现代产业集群。坚持集群发展，龙头带动。以产业链为纽带，通过兼并重组、相互持股等方式加强产业协作，培育要素配置更集约、协作关联更紧密的产业集群。推动“一镇一品”与“多镇一品”的专业镇向现代产业集群嬗变，加快构建专业镇龙头企业领军导航、中小企业协同跟进的现代产业集群发展模式。着力推动经济区经济发展。坚持区域协作，合力发展。破除行政藩篱和区划限制。以经济区为单位谋划专业镇发展，推进沙溪大涌协

57、同转型升级试点。加速专业镇特色产业的跨区域融合与产业链的延伸和配套，开展以火炬开发区总园区为龙头的“一区多园”管理试点，建立跨区域产业协作基地。到2020年，建成6个特色突出、优势互补的市级经济区。（三）培育壮大先进制造业贯彻落实“中国制造2025”战略部署，推动制造业向高端化、智能化、绿色化和服务化转型升级，加快由工业强市向工业强优城市转变。重点发展先进装备制造业。围绕智能制造等重点领域，突出发展高精尖装备。强化要素保障，探索工业用地“先租后让”、“弹性年限”出让制度，加快推进锌铁棚升级改造，拓展工业用地空间。加强政策支持，着力推进一批重大项目建设，提升产业发展层次。鼓励发展工作母机类制造业，培育一批有自主知识产权、有核心关键技术、有市场前景的骨干母机企业。加快推进板芙镇省级智能制造示范基地、翠亨新区中瑞（中山）合作产业园建设。统筹推进东部临海、南部滨江、北部沿江沿路、中部环城四大先进装备制造产业功能区，打造珠江西岸先进装备制造产业带新引擎。大力发展战略性新兴产业。扶持高端新型电子信息、生物医药、半导体照明、光电装备等产业成为新支柱产业。着力在移动互联网、智能机器人、3D打印、北斗卫星应用等领域引进、培育和建设一批重大产业项目，培育新经济增长点。提升海洋空间资源开发利用水平，打造高端临海产业群、游艇产业集聚区。加大新能源汽车、风电装备、光电装备与产品制造、生物医药和半