毕业设计外文资料翻译

1、理工学院毕业设计外文资料翻译专 业： 通信工程 姓 名： 张聪 学 号： 13L0751243 外文出处： Organic Electronics (用外文写) 2017年3月4日 附 件： 1.外文资料翻译译文；2.外文原文。 指导教师评语： 签名： 2016年3月11日有效激发复合体有机发光二极管与双极型受体1.介绍因为他们发现,如何有效地利用产生电三线态激子辐射衰变总是在研究领域最具挑战性的问题之一有机发光二极管(OLED)。根据选择的规则推导出量子自旋统计,在有机半导体设备,只有1/4 产生电激子的分数的单重态可以利用辐射衰变,而其他3/4的三重态激子是浪费的无辐射衰变由于量子自旋禁止

2、原则。这个结果在理论上最大辐射激子比(gr)25%的常规荧光发射。整合的策略有机金属荧光粉的发射器打破了自旋禁止原则的广泛证明理论单位gr由于自旋轨道耦合效应引起的重金属原子。然而,稀有金属的高成本在有机金属化合物仍是商业的一大障碍与有机金属发射器OLED的应用。连续的研究工作一直致力于发展不含金属的廉价有机发射器使用单线态的能力和三线态激子辐射衰变。最近,关注一直在支付上变频机制通过三重态-三联体毁灭(TTA)或反向系统热激活穿越(RISC)方法来获得这个目标。考虑到所有的电可以产生生成的三线态激子单重态,100%的理论最大gr是可能的OLED的包括热激活延迟荧光(TADF)发射器通过RIS

3、C过程,理论上最大gr的OLED包含TTA发射器是有限的为62.5%(25% + 75% / 2)。这表明TADF化合物大大有有前途的潜在开发高效的OLED。事实上,TADF排放迅速发达,各种高效RGB和白色组成的OLED TADF gr发射器远高于25%的报告。TADF过程,能量差之间单线态激发态(S1)和最低三重激发态(T1)排放应该最小化等于或小于热能在室温下(25兆电子伏),一旦三联体激子在TADF分子产生电场,他们可以很容易地产生辐射S1状态协助环境热能。一个单位的内部量子效率的有机组成TADF发射器是如此理论上可行。一个小桌子可以通过减少成正比的交换相互作用积分最高占据分子轨道波函

4、数重叠(人类)和最低未占据分子轨道(LUMO)。因此,亲水分子与分子内(数字-模拟)类型电荷转移(ICT)之间的交互分开电子供体组和吸电子受体组织通常适用于开发TADF材料。另外,一个小桌子也可以通过空间分离LUMO和人类在两个不同的供体和受体分子。在这样一个异质结数字-模拟系统,分子间兴奋的电荷转移(CT),即激发复合体、很容易形成的。由于完全分离的波函数LUMO和人类之间的桌子单线态CT状态(CT1)和三联体CT状态(CT3)相当小的,它可以激励三重态激子生成的电逆系统转换从CT3 CT1。这种方法提供了一个潜在的有效的方法来改变三线态激子辐射衰变。实际上,激基复合物的基础 OLED已经开

5、发出来多年来,和广泛的发射光谱带激态络合物可以用来开发与高显色白色有机发光两极管指数(CRI)。当前激发复合体的进一步认可复合物TADF角色意味着高效激基复合物的基础 OLED的能力获得单位gr可能理论上实现了。构建一个有效的激发复合体系统,一个电子空穴传输材料(HTM)和一个电子传递物质(ETM)应该缺电子结合通过混合在一层或分离层接触20。不同的商业组合htm和etm构建激发复合体发射器调查,一些人产生了高效高的OLED gr,因此外部量子效率高的设备架构激基复合物的基础OLED也能在简化设备的结构,因此,降低设备的制造成本。在这项研究中,我们提供了一个新颖的方法来制造高度高效激基复合物的

6、基础 OLED基于相结合的策略双极传输材料(西亚试剂)作为受体的各种htm之间的电子和光学性质不同电子基的能力和西亚试剂进行了研究。强烈激发复合体排放的观察m-MTDATA:西亚试剂 TAPC:西亚试剂混合系统。一个小桌子都观察m-MTDATA:西亚试剂,这说明可以利用产生电三线态激子通过上变频过程CT3 CT1。高效的绿色OLED组成发射层m-MTDATA:西亚试剂证明了5.03%的最大EQE和最大电流效率(CE)的15.9 cd A-1,对应于最大gr值的82.6%。混合激发复合体和激基复合物排放观察TAPC:西亚试剂 OLED,导致一个白色光发射一个激基复合物激发复合体在450 nm和峰

7、值高峰在585海里。最大EQE cdA-1和CE的1.13%和2.19得到的设备包括TAPC:西亚试剂。这是对应的gr值高36.9%,即使只考虑到从高能分子间激子衰减CT状态,无论一个相对大的桌子0.39 eVTAPC:西亚试剂系统。目前的研究结果表明激发复合体之间的分子间CT特征富捐助者和双受体可以被利用制造高效的OLED的发射器。2. 实验在图案的95 nm的薄膜制备OLED器件铟锡氧化物（ITO）和薄层电阻涂层的玻璃基板20/平方。在设备制造之前，ITO基板用丙酮超声浴清洗，清洁剂、去离子水、异丙醇、然后干燥3 h以上器件的制备一步一步沉积各种功能层所有二元混合膜真空在这项工作中得到的摩

8、尔与真空共沉积1:1的比例。该器件的发光区掩盖了是0.09平方厘米。电流密度-电压-亮度（j）特性该OLED用吉时利进行源测量单元2400和柯尼卡美能达分光光度计CS-200。电致发光（EL）器件的光谱测定用分光光度计（照片研究，模型：波长扫描pr-705）。从电流密度计算，电流效率，并提供相应的电致发光光谱，提供该OLED发光遵循朗伯模型。稳态和瞬态光致发光（PL）光谱对样品进行测量与爱丁堡仪器配备牛津仪器氮fls920光谱仪低温恒温器来控制样品的温度。采用分光光度计测定吸收光谱。荧光量子产率用积分球测量绝对光量子产率光谱仪。3. 结果与讨论纯西亚试剂和m-MTDATA，其光致发光光谱，NP

9、B，TCTA电影以及与西亚试剂二进制混合薄膜。它是观察到的发射光谱m-MTDATA：西亚试剂峰在514 nm，这明显红移相比纯m-MTDATA和西亚试剂。同样，对其光致发光谱：西亚试剂峰450纳米，这也是红移相比，纯其与西亚试剂。这些观察结果意味着新的兴奋，国家应该为m-MTDATA激基复合物出口：西亚试剂和其西亚试剂系统。而发光行为NPB：西亚试剂与NPB相当一致，表明激子的能量可能是腐烂的NPB通道没有新的激发态的产生：西亚试剂系统NPB。可能，该州西亚试剂混合膜具有相似的发光以TCTA相对的特点，这也表明兴奋。态激基复合物可能缺席本混合膜。纯西亚试剂，m-MTDATA吸收光谱，其电影与西

10、亚试剂二元混合膜。吸收特性这两种混合膜完全来自于他们的个人组分。吸收光谱中附加功能的缺失指示电子相互作用于这些混合系统是弱的，没有基态的复杂的存在。也发现了类似的结果的吸收测量在NPB：西亚试剂和州西亚试剂系统。从图1所示的能量水平，可以看出四个供试材料均具有一个具有趋势的均聚物水平减少m-MTDATA为TCTA伴随减少，从0.95到0.22 eV 西亚试剂 HOMO能级差异。这个LUMO能级差异，m-MTDATA，其西亚试剂高于0.66 eV，而LUMO能级的差异在NPB，TCTA和西亚试剂在0.13 eV。两大的HOMO和LUMO偏移m-MTDATA，其与西亚试剂效益的激基复合物的形成。为

11、形势NPB和TCTA，由于小的LUMO能级的差异西亚试剂，在西亚试剂混合薄膜形成激子最终会衰变从低带隙材料，因此，没有复杂的是这些系统生成。注意，激基复合物的能量（前）在固体薄膜可写为：，哪里IPD和EAA表示和电子亲和势的电离电位的供体和受体的材料，分别和潜在的表示激子结合能。上述表达也可以大致写前，在DED指供体和供体的能量差受体的LUMO能级。从发光峰m-MTDATA：西亚试剂和TAPC：西亚试剂，前值估计为2.42和2.76电子伏特，分别为。结果，丙价值西亚试剂 m-MTDATA：被确定为0.12电子伏特，和C值为TAPC：西亚试剂接近零。这些结果意味着在m-MTDATA激基复合物的激

12、子：西亚试剂更比其稳定：西亚试剂，激子和激基复合物四：西亚试剂可能更容易分离。因为强烈的给电子能力的苯胺在m-MTDATA和其与强势群体吡啶环在骨架中的吸电子能力对西亚试剂，这是合理的推断，分子间的CT二元混合系统的相互作用主要发生在苯胺、吡啶基团在不同的分子。分子间的CTS之间的苯胺、吡啶基团随着ICT的西亚试剂分子内部之间的竞争咔唑和吡啶片段。从上述结果，在分子间的相互作用：西亚试剂 m-MTDATA CT和其：西亚试剂应该比ICT相互作用强在西亚试剂分子，从而给红移的激基复合物排放。不同的荧光发射峰的m-MTDATA和其混合物系统应由分子间相互作用的强度决定的，这在很大程度上取决于捐赠者

13、的直立人的水平。有趣的是，我们注意到联苯胺的单位在吡啶环的2,6-position可能导致一个蓝色发射体 25 。这意味着，分子间的相互作用之间的相互作用对m-MTDATA苯胺组和吡啶单元通过物理混合西亚试剂应该比与苯胺作用半径短的ICT的影响通过化学键合模式的基团和吡啶段，由于前者的影响导致较长的波长的绿色发射。时间分辨荧光衰减测量进行了利用时间相关单光子计数（TCSPC）技术为了进一步研究这些纯的激发态性质二元混合膜。如图3所示，瞬态光致发光谱图在房间的纯或二进制混合组件的电影绘制温度。值得注意的是，两者m-MTDATA：西亚试剂和TAPC：西亚试剂系统表现出更长的时间与纯个体电影相比的一

14、生。激子m-MTDATA：西亚试剂执行双指数衰减行为，给人一个短寿命为87.65纳秒和4.38个的长寿命作为由双指数衰减模型拟合：。通过这种衰减模型拟合，激子四：西亚试剂有短的寿命为9 ns，寿命长52纳秒。长寿命，红移排放确认在存在激发态激基复合物m-MTDATA：西亚试剂和TAPC：西亚试剂系统。在这种情况下NPB：西亚试剂和州西亚试剂，PL衰变的混合电影是在那些纯的个人电影，表明没有出现新的激发态。这一观察也与稳态荧光和吸收的结果相一致测量。为了进一步探讨这些断层的内在属性激基复合物，温度依赖性的PL衰变m-MTDATA：西亚试剂和TAPC：西亚试剂进行（图4）。它被观察到的长寿命的组件

15、中发射m-MTDATA：西亚试剂升高温度从78到150，然后下降，而温度进一步从150增加到400 K的情况四：西亚试剂，PL衰减随温度从78增加到400 K，它指出TADF和声子淬火过程是与之相关的2个相互竞争的通道热激活。随着温度的升高，的TADF效果应加强，可增加强度寿命长，但是，温度升高也可以使分子碰撞，振动和旋转的效果更强，从而导致长寿命更容易熄灭由声子。这2种现象的综合效应结果在一个临界温度（高温），它告诉哪个效果是比另一个更强大。从它的温度依赖性的瞬态PL衰减，TC m-MTDATA：西亚试剂估计在150 K下的TC，温度越高，越强长寿命的排放，由于较强的热辅助上转换到CT1 C

16、T3；当温度超过TC150 K，长寿命的激子声子淬火的比例以上的增加引起的TADF激子。在对其的情况：西亚试剂，即使温度低78钾，声子的淬灭效应强于贡献从TADF。这可能是与更大的目标相关的四：西亚试剂激基复合物，将在下面讨论段，由于排放强度从TADF大大取决于目标的大小。这两者的二元混合系统的进一步调查用时间分辨发射光谱在低温进行测量。图5A描绘个轮廓图西亚试剂 m-MTDATA：在78 K，它是观察到的短和长寿命的组件主要分布在约510纳米，这表明一个小目标要达到。更正从提示组件中的切片发射光谱0，2的峰在509纳米，而长寿命成分在215s范围内有一个发射峰在503 nm处（图5b）。这表

17、明小DeST m-MTDATA：西亚试剂。类似的三对其轮廓图：在78 K 西亚试剂如图5c所示。它可以可见，发射峰的变化从426到490纳米延迟时间增加。从切片发射光谱不同延迟时间，我们观察到在440左右的宽峰和490纳米（图5d）。峰值在440纳米左右的下降延迟时间的增加，这是由于从他们的单发射。由于其最高的发光能量峰和西亚试剂分别位于430和457 nm，分别在约490 nm处的峰值可能是由电荷转移的三重态之间的相互作用形成的四和西亚试剂。因此，一桌0.38 eV可估计对于四：西亚试剂。这个比较大的目标可以降低概率通过对发射过程以CT1 CT3 RISC。我们进一步研究这些样品的plqys

18、室温。值得注意的是，对西亚试剂 PLQY m-MTDATA：1.65倍和4.3倍西亚试剂m-MTDATA，即激子在界面激基复合物的CT状态有更高的辐射衰变效率比他们的笨重对，西亚试剂 m-MTDATA材料。弱增强还发现，对其西亚试剂系统。这是一个的激基复合物的系统异常现象，由于激基复合物一般认为较低的荧光能力的笨重。一种ITO设备配置（95 nm）/ HATCN（5 nm）/四（20 nm）/ EML（20 nm）/ tmpypb（50 nm）/LiF（1 nm）/Al（100 nm），哪里是西亚试剂 EML m-MTDATA：或其西亚试剂，使用：为了评估这些系统两激基复合物的电致发光性能。一

19、5-nm-thin HATCN和20 nm的薄TAPC作为孔注入和输送层，分别。50纳米薄作为电子传输层。描述了他们的电流密度-电压-亮度（j）和效率与亮度特性。最大外部量子效率5.03%和CE15.9cdA-1是基于设备的实现西亚试剂 m-MTDATA。的效率：西亚试剂 m-MTDATA基于OLED媲美甚至超越目前的著名的激基复合物的有机电致发光器件由P型和N型者受体。在其西亚试剂器件表现出最大的基础：EQE和CE 1.13%和2.19cdA-1，分别。电致发光光谱在m-MTDATA：西亚试剂基器件的峰值大约在520纳米，这是几乎恒定的各种电流密度下。良好的电致发光光谱稳定性可能与发射层内的

20、良好载流子约束强激子结合能在接触界面处m-MTDATA和西亚试剂。的发光特性器件与发光的发光西亚试剂 m-MTDATA：电影，尽管轻微的红移与光致发光光谱对比的电致发光光谱。然而，电致发光光谱对其西亚试剂基础设备：有两个发射峰，这是与一个PL发射显著差异在其峰值：西亚试剂膜。高能量峰50 nm的被认为是起源于对激基复合物的状态混合膜，其发光峰是一致的。这低能量的发光峰在585纳米，并没有观察到它的发光光谱，这要归功于体系，只电激励下。它也被观察到高能量峰的变化趋势不是线性相关与电场。高能峰强度在电流密度约10mA cm_2增加，然后随着电流密度的增加而减小10mA cm_2。在低驱动电压、较大

21、的激子可以可以转化为单重态给辐射，而在高驱动电压，激子的分离形式的倾向电致弱束缚能体系在其形成的激子：西亚试剂膜。的变化重组位点和辐射衰变机制可能导致不同电流下电致发光光谱的显著变化密度。注入孔的复合效率电子，如果空穴和电子可以达到100%完全平衡形成激子；GR是激子的利用效率，PLQY代表内在的光致发光效率，痛风是光的耦合效率（约25%）。从式（1），我们获得该m-MTDATA 82.6%最大西亚试剂 GR：基础装置。高GR打破传统的荧光25%的限制没有参与辐射发光激子衰变。据推测，在额外的辐射激子西亚试剂 m-MTDATA：基础设备主要是从RISC的通道从三重态到单重态能级，考虑到不TTA效果显著有助于辐射增强由于亮度与电流几乎线性增