苏州大学模电选择填空题汇编要点

1、2014/3/8 仲济磊内部资料2014年苏州学院模电复习试题-仲济磊命制、填空题（本大题共10小题，每空1分，共10分）请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。1 .变容二极管是利用 pn结的势垒电容而制成的，应工作在反偏 状态。2 .晶体三极管的三个电极对地电位分别为va=-2v ,vb=-2.2v , vc=-6v ,则该管的管型是_pnp型错管_。3 .负反馈放大电路产生自激振荡的条件是af=-1_。 4 .mos管作为开关应用时，其工作状态应在非饱和区和_截止区之间转换。5 .晶体管的高频参数ft是指3 （a ）下降到 0_db时所对应的频率。6 .集成运算放大器最大输出电

2、压为土vom,若该运放工作在开环或正反馈状态，其输出电压是正负vom_。7 .在放大电路中，要稳定车出电压，应引入_电压一负反馈。8 .在差分放大器中，已知 vi1=15mv, vi2=10mv,则输入差模电压 vid=_5mv=vi1-vi2_ 。9 .理想集成运放的共模抑制比为正无穷大，因此具有很强的抑制共模信号的能力。10 .场效应管工作在饱和区时，其漏极电流id和栅源电压vgs之间呈_平方.关系。二、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分）在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。1 .二极管的伏安方程是（a

3、）a.id=is（错误！未找到引用源。-1）c.i d=-i s2 .晶体三极管工作在饱和状态时，其两个a.发射结正偏，集电结正偏c.发射结反偏，集电结正偏3 .场效应管共漏极放大电路的信号是从a.栅极输入，漏极输出c.栅极输入，源极输出b.id=isd.id=is错误！未找到引用源。pn结的偏置状态是（a ）b.发射结正偏，集电结反偏d.发射结反偏，集电结反偏（c ）b.源极输入，漏极输出d.漏极输入，源极输出4 .设计一运算电路实现三角波一一方波的变换，应选用 实现。（d ）a.同相比例电路b.反相比例电路c.积分电路d.微分电路5 .当集成运放工作在线性放大状态时，可运用 两个重要的概念

4、。（b ）a.开环和闭环b.虚短和虚断c.虚短和虚地d.线性和非线性6 .要增大放大器的输出电阻及减小输入电阻，可采用放大电路。（a ）a.电流并联负反馈b.电压并联负反馈c.电流串联负反馈d.电压串联负反馈7 .由运算放大器构成的电压比较器，抗干扰能力最强的是a.单限电压比较器8 .过零电压比较器c.迟滞电压比较器d.窗口电压比较器8 .负反馈放大电路的开环增益是a,反馈系数为kf,则闭环增益 af的表达式是（aa.错误！未找到引用源。9 .错误！未找到引用源。c.akfd.1+akf10 设计一负反馈放大器，实现电压一一电流的变换，应引入a.电压串联负反馈b.电压并联负反馈c.电流串联负反

5、馈d.电流并联负反馈11 .放大电路在信号的高频段时，放大倍数下降的原因是a.耦合电容和旁路电路的存在b.晶体管极间电容和分布电容的存在c.晶体管非线性的影响d.放大电路的静态工作点设置不合理11.放大器产生零点漂移的主要原因是b.环境温度变化a.电压增益太大c.采用直接耦合方式d.采用阻容耦合方式12.由npn管组成的单级共发射电路,当集电极电阻rc增大时，工作点 q的icq和v ceq 的17变化是（c ）a.i cq 增大、vceq增大b.icq增大、vceq减小c.i cq 不变、v ceq 减小d.i cq不变、vceq不变13.随着温度的升高，晶体三极管的.将减小。（ba. 3d.

6、iceo14.集成运算放大电路的输入级通常采用电路。（ca.共集电极放大b.共发射极放大c.差分放大d.极放大b.vbe(on)c.icbo电路。（15.设计一单级晶体管放大器，要求输入电阻大，输出电阻小，应选择a.共发射极放大b.极放大c.共源极放大d.共集电极放大（11）一、填空题（本大题共10小题，每小题1分，共10分）请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。1 .在n型半导体中，掺入_+5价杂质元素。2 .半导体中有自由电子和空穴两种载流子。3 .晶体三极管工作在放大状态时，其发射结应正偏，集电结应反偏。4 .pnp型晶体三极管处于放大状态时，三个电极中_发射极电位最高。5

7、.n沟道mo密，vgs越向正值方向增大，id越_大。6 .mos场效应管按栅极开路时有无导电沟道分为增强型和_耗尽型两种类型。7 .与共发、共集组态相比较，共基组态的输入电阻较小_。8 .晶体管放大电路的非线性失真分为饱和和_截止两种。9 .希望增大放大电路的输入电阻并稳定输出电流，应引入电流串联负反馈。10 .某一放大电路，其信号源内阻很大，应引入并联负反馈电路，才能使反馈更加有效。、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分）在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。1 .当pn结外加正向电压时，阻挡层的宽度将（b ）

8、b.减小a.增大c.不变d.近似不变2 .当pn结反向工作时，其结电容主要是 （a ）a.势垒电容c.平面电容3 .晶体三极管工作在饱和区时，要求（a.发射结正偏，集电结反偏c.发射结反偏，集电结反偏4 .三极管的i ceo大，说明其（d ）a.工作电流大c.寿命长5 .结型场效应管的基本工作原理是（ba.改变导电沟道中的载流子浓度c.改变导电沟道中的有效长度6 .衡量场效应管控制能力的主要参数是b.扩散电容d.势垒和扩散电容并存b ）b.发射结正偏，集电结正偏d.发射结反偏，集电结正偏b.击穿电压高d.热稳定性差）b.改变导电沟道中的横截面积d.改变导电沟道中的体积（c ）a.电流放大倍数b

9、.电压放大倍数c.跨导d.转移电阻7 .有两个放大电路i和h ,其 |av|都为100,它们分别与具有相同内阻的电压源连接后，测得v0i=4.85v,v 02=4.95v ,由此得知电路h比i好，因为它的（b ）a.放大倍数大b.输入电阻高c.输出电阻小d.频带宽8 .在差动放大电路中，共模输入彳t号等于两个输入信号的（d ）a.和值b.差值c.迭加d.平均值9 .已知某一放大器的 a=100,现要求引入负反馈后，增益a=10,问反馈系数kf应为多少？（ c）a.0.01b.0.05c.0.09d.0.1010 .反馈量是指（b ）a.反馈网络从放大电路输出回路中取出的信号b.反馈到输入回路的

10、信号c.前面两信号之比d.前面两信号之差11 .稳压二极管正常工作时，它处在状态。（b ）a.截止b.击穿c.导通d.不定12 .已知三极管的icq=1ma则在常温下跨导 gm为（b ）a.19.2msb.38.5msc.77msd.154ms13 .已知场效应管的入=0.01,i dc=1m/a则 也为（c ）a.10k qb.50k qc.100k qd.200k q14 .下列哪个答案不是共集电极电路的特点？（ d ）a.输入电阻很高b.电压增益约为1c.输出电阻很低d.输入输出电压反相15 .某放大电路的增益为105,则折算成db数为（c ）a.60dbb.80dbc.100dbd.1

11、20db(iii )一、填空题（本大题共 10小题，每小题1分，共10分）请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。1 .温度升高，对二极管的各种参数将发生影响，其中反向饱和电流将_变大。2 .半导体有两种导电方式：在外加电场作用下将形成漂移_电流。3 .晶体三极管iceo的中文含义是_基极开路时集射极之间穿过的电流 。4 .晶体三极管工作在放大区时具有 _电流放大_作用。5 .mos管作开关应用时，其工作状态应在截止区和非饱和区之间转换。6 .场效应管的非饱和区又称变阻区，它是沟道未被夹断的工作区。7 .三种基本组态晶体管放大电路中，_共基组态输入电阻最低。8 .在单级放大电路中，若

12、输入电压为正弦波形，用示波器观察v0和vi的波形，当放大电路为共射电路时，则 vo和vi的相位相反_。9 .某一放大电路，要使输出电压稳定，应引入_电压负反馈电路。10 .已知放大电路输入信号电压为1mv,输出电压为1v,加入负反馈后，为达到同样输出时需要的输入信号为 10mv,该电路的反馈系数 f为_0.009_。、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分）在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。1 .pn结击穿后，它的反向电流将（ d ）a.急剧减小b.减小c.几乎不变d.急剧增大2 .pn结反向工作时，流过的电流

13、主要是（ b ）a.扩散电流b.漂移电流c.传导电流d.扩散和漂移电流并存3 .工作在放大状态的某 npn晶体三极管，各电极电位关系为（ b ）a.v cv bv bv ec.vcv ev ev b4 .以下晶体管的参数中，不属于管子的极限参数的是（ d ）a.v br （ceo）b.i cmc.pcmd. 35 .场效应管工作在饱和区时具有 的转移特性。（c ）a.线性b.指数律c.平方律d.对数律6 .场效应管是一种（ a ）a.电压控制器件b.电流控制器件c.双极型器件d.少子工作的器件7 .某放大电路在负载开路时的输出电压为4v,接入12k的负载电阻后，输出电压降为3v,这说明放大电路

14、的输出电阻为（a.10k qb.2k qc.4kqd.3k q8.设单级共射放大电路 avsm=100dbfh=105hz,当输入信号频率f=106hz时，该电路的电压放大倍数约为（ c ）b.90dbd.70dba.100dbc.80db9 .反馈放大电路的含义是（a.输出与输入之间有信号通路b.电路中存在反向传输的信号通路c.除放大电路以外还有信号通路d.电路中存在使输入信号削弱的反向传输通路10 .负反馈放大电路产生自激的条件是（ b ）a.t（jco。）=1b.t（jco。）=-1c.t（jco。）111 .在纯净的半导体中加入少量的+5价元素，形成（ b ）a.本征半导体b.n型半导

15、体c.p型半导体d.杂质半导体12 .温度减少时，晶体三极管的 将增加。（a ）a.v be（ on）b. 3c.icbod.i ceo13 .p沟道增强型 mos管工作在饱和区的条件是（ b ）a.vgsvgs （th） ,vdsvgs-vgs （th）b.vgsvgs （th） ,vdsvgs-vgs （th）c.vgsvgs-vgs （th）d.vgsvgs （th） ,vdsfd. i f10 .希望放大器具有高的输入电阻和稳定的输出电压，应引入 负反馈（ a ）a.电压串联b.电压并联c.电流串联d.电流并联11 . p型半导体中的多数载流子是指（ b ）a.自由电子b.空穴c.自由

16、电子一空穴对d.等离子12 .若测得放大电路中某三极管三个管脚电位分别为5v, 5.3v和10v,则该管一定是（）a.硅材料npn管c.错材料npn管13 .下列哪种情况不是场效应管的正常工作区？a.饱和区c.截止区14 .下列哪种情况不是集成运算放大器的特点？a.电压增益无穷大c.输出电阻无穷大15 .已知某负反馈放大电路的rf=0.01 , af=1b.硅材料pnp管d.错材料pnp管（d ）b.非饱和区d.击穿区（c ）b.输入电阻无穷大d.共模抑制比无穷大0,则可断定该电路的 a约为（a ）a.10b.11c.12d.13（v）一、填空题（本大题共10小题，每小题1分，共10分）请在每

17、小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。1 .在p型半导体中，导电时以 空穴为主。2 .在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于杂质的浓度_。3 .晶体三极管工作在放大区时，ic=_ 3 _ib。4 .晶体三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置和_集电_结反向偏置。5 .场效应管工作在非饱和区时，其id和vds之间呈平方率_关系。6 .通常将开始形成反型层所需的vgs值称为一开启_电压。7 .三种晶体三极管基本组态放大电路中，_共基_组态输入电阻最小。8 .已知某晶体三极管的高频参数ft、3 ,则共基截止频率 九约为_hbft/3_。9 .需要一个阻抗变换电路，其输入电阻小，应引入

18、 并联负反馈电路。10 .为充分提高负反馈的效果，串联负反馈要求信号源内阻_小_。二、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分）在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。1 .半导体中的载流子是指（d ）a.自由电子b.空穴c.离子d.自由电子和空穴2 .稳压二极管在稳压状态时，它的pn结处在 状态。（ b ）a.反向截止b.反向击穿c.正向导通d.零偏3 .测得三极管ib=30a时，ic=2.4ma ,而ib=40科a时，ic=3ma ,则该管的交流电流放大倍数为（ b ）a.80b.60c.75d.1004 .晶体三

19、极管的输出特性曲线分为四个区， 请问哪个区具有基区宽度调制效应？ （ ca.饱和区b.截止区c.放大区d.击穿区5.根据场效应管的转移特性，可知场效应管是一种器件。（c ）b.电流控制电压源a.电压控制电压源c.电压控制电流源d.电流控制电流源6.某场效应管的idss为6ma,而idq自源极流出，大小为 8ma,则该管是（a.p沟道耗尽型mos管b.n沟道耗尽型 mos管c.p沟道增强型mos管d.n沟道增强型 mos管7.共集电极放大电路的特点之一是a.输入电阻高b.电压增益大c.输入输出反相d.输出电阻高8 .集成运算放大器实质上是一种（a.交流放大器b.高增益的交流放大器c.高增益的直接

20、耦合放大器d.高增益的高频放大器9 .负反馈可以改善放大器的性能，问关于放大器下述哪种说法不正确？（a.减少放大器的增益b.改变输入电阻c.改变输出电阻d.改善信号源的噪声系数10 .某放大电路的电压增益为40db,而加入负反馈后变为6db,它的反馈深度a.30dbb.34dbc.46dbd.50db11 .温度增加时，在id不变的情况下，晶体二极管的vd（on）w （ ba.增大b.减小c.不变d.未知12 .已知某晶体三极管的 3 =99,则该管的共基电流放大系数”为（ c ）a.1.00b.0.995c.0.99d.0.98513 .当场效应管的vgsvbveb.vcvevbc.vcvb

21、ved.vcvevb15 .反馈放大器工作在开环状态是指（a.考虑信号源作用b.接入反馈网络d.考虑负载作用c.断开反馈网络(vi)一、填空题（本大题共 10小题，每空1分，共10分） 请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。1 .当pn结外加正向电压时，耗尽层的宽度将变窄_。2 .在比例运算电路中， 同相_比例运算电路的闭环增益大于等于1。3 .理想集成运放的输出电阻为 零_,因此具有很强的带负载能力。4 .晶体三极管的三种基本组态放大电路中，共射极放大电路 具有倒相作用。5 .负反馈放大电路的开环放大倍数为100,而闭环放大倍数为10,则该电路的反馈深度为_10=a/a f。6

22、.在差分放大电路中，常用 共模抑制比来表示抑制共模信号的能力，希望它越大越好。7 .晶体三极管工作在饱和区时，发射结正偏，集电结_正偏。8 .根据栅一源电压为零时，导电沟道是否存在，将场效应管分为_增强型_和耗尽型。9 .反馈放大器是一个由基本放大器和_反馈网络构成的闭合环路。10 .在差分放大器中，已知 vi1=20mv, vi2=10mv ,则共模电压 vic=_15mv_。1单项选择题（本大题共 15小题，每小题2分，共30分）is和vd（on）的变化是（a ）在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的 括号内。错选、多选或未选均无分。b.is上升，vd（

23、on）上升 d.is下降，vd（on）上升b ）b.基极输入，发射极输出d.集电极输入，发射极输出1 .半导体二极管是温度的敏感器件，当温度升高时，参数a.is上升,vd（on）下降c.is下降,vd（on）下降2 .晶体管共集电极放大电路的信号是从（a.基极输入，集电极输出c.发射极输入，集电极输出3 .二极管的小信号模型是（ d ）c. 0rd4.放大器电路在负载开路时的输出电压为d. -ii4v,接入12k 的负载电阻后，输出电压降为3v,这说明放大电路的输出电阻为（d ）b.2k qa.10k qc.3k qd.4k q5 .对放大电路，要求增大输入电阻，加i定输出电流，应选择（a ）

24、a.电流串联负反馈b.电压并联负反馈c.电流并联负反馈d.电压串联负反馈6 .与工作在运算电路中的运放不同，电压比较器中的运放通常工作在（b ）a.深度负反馈状态b.开环或正反馈状态c.放大状态d.线性工作状态7 .典型差动放大电路的公共射极电阻 ree,对 抑制作用。（b ）a.差模信号有b.共模信号有c.差模与共模信号均有d.差模与共模信号均没有9 .同相比例电路中引入的负反馈是（a.电压串联负反馈a ）b.电压并联负反馈c.电流串联负反馈10 .负反馈放大电路的开环增益是d.电流并联负反馈a,反馈系数为kf,则环路增益的表达式是（a.1 akfb.-ak fc.akfd.1+ak f11

25、 .场效应管用作放大交流小信号时，应工作在（ a ）a.饱和区b.非饱和区c.截止区12 .对放大电路，闭环是指电路（a.考虑交流信号源内阻c.存在反馈通路d.击穿区c ）b.接入直流电源d.接入负载13 .当信号频率等于截止频率时，放大倍数的值约为中频放大倍数的a.0.1b.0.5倍。（c ）c.0.707d.0.914 .判别负反馈放大电路的反馈极性所用的方法通常称为（ b ）a.方框图法b.瞬时极性法c.短路法15.集成运算放大器实质上是一种（a.交流放大器c.高增益的高频放大器d.开路法d ）b.高电压增益的交流放大器d.高电压增益的直接耦合放大器（vii ）、填空题（本大题共10小题

26、，每小题1分，共10分）请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。1 .pn结的反向击穿有雪崩和_齐纳两种击穿。2 .杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的，少数载流子是由本征激发产生的。3 .衡量双极型三极管放大能力的参数是电流放大系数3_。4 .已知某晶体三极管的 ft和3 ,则f产_ft/3。5 .根据外加电压的不同，场效应管的输出特性曲线族可划分为非饱和区区、饱和区、截止区和击穿区。6 .mos场效应管按导电沟道划分为n和_p两大类。7 .对放大器偏置电路的要求有两个：一是合适，二是_稳定_。8 .放大电路的失真按失真机理分为线性失真和非线性失真两大类。9 .若引入反馈使放大器的增益 变小,这样的反馈称为负反馈。10 .放大电路中，为稳定静态工作点，应引入一直流负 反馈。二、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分）在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，