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会计学1 MOSFET常见失效的机理讨论常见失效的机理讨论PPT课件课件 第1页/共27页 第2页/共27页 第3页/共27页 第4页/共27页 产生应力裂纹，裂纹扩展 大电流冲 击 芯片发生 EOS 总结 第5页/共27页 第6页/共27页 第7页/共27页 第8页/共27页 第9页/共27页 第10页/共27页 第11页/共27页 第12页/共27页 第13页/共27页 第14页/共27页 第15页/共27页 第16页/共27页 第17页/共27页 N-ch MOSFET的工作原理 第18页/共27页 Id-Vds curve 第19页/共27页 第20页/共27页 第21页/共27页 第22页/共27页 无法直接测得芯片的Rg, 因为C点在芯片的内 部，而只能通过测GS之间的电阻间接获得。 第23页/共27页 Gate与source之间是一个 含有电阻、电容和电感的 series network，LCR表测 得其净阻抗Z和相位角， 随后计算Rg=Zcos， 1/Ciss=Zsin。 如果Rg(1/Ciss), 即接近90度，此时值的微小误差就会导致 Rg的很大偏差。采用高频（），或较大的示波器信号强度都有利 于获得更加精确的值，从而能够获得更精确的Rg。然而在高频下 由于电感和电容效应，Z()函数可能会发生改变，甚至会得到负的 Rg值。

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