第八章电工学

1、(1-1) 电子技术电子技术 第一章 半导体器件 模拟电路部分模拟电路部分 (1-2) 第一章第一章 半导体器件半导体器件 1.1 半导体的基本知识半导体的基本知识 1.2 PN 结及半导体二极管结及半导体二极管 1.3 特殊二极管特殊二极管 1.4 半导体三极管半导体三极管 (1-3) 1.1.1 导体、半导体和绝缘体导体、半导体和绝缘体 导体：导体：自然界中很容易导电的物质称为自然界中很容易导电的物质称为导体导体，金属，金属 一般都是导体。一般都是导体。 绝缘体：绝缘体：有的物质几乎不导电，称为有的物质几乎不导电，称为绝缘体绝缘体，如橡，如橡 皮、陶瓷、塑料和石英。皮、陶瓷、塑料和石英。

2、半导体：半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘 体之间，称为体之间，称为半导体半导体，如锗、硅、砷化镓，如锗、硅、砷化镓 和一些硫化物、氧化物等。和一些硫化物、氧化物等。 1.1 半导体的基本知识半导体的基本知识 (1-4) 半导体半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有的导电机理不同于其它物质，所以它具有 不同于其它物质的特点。例如：不同于其它物质的特点。例如： 当受外界热和光的作用时，它的导电能当受外界热和光的作用时，它的导电能 力明显变化。力明显变化。 往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使 它的导电能力明显改变。

3、它的导电能力明显改变。 (1-5) 1.1.2 本征半导体本征半导体 一、本征半导体的结构特点一、本征半导体的结构特点 Ge Si 通过一定的工艺过程，可以将半导体制成通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体晶体。 现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们 的最外层电子（价电子）都是四个。的最外层电子（价电子）都是四个。 (1-6) 本征半导体：本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。完全纯净的、结构完整的半导体晶体。 在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成 晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，晶体点阵

4、，每个原子都处在正四面体的中心， 而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子 与其相临的原子之间形成与其相临的原子之间形成共价键共价键，共用一对价，共用一对价 电子。电子。 硅和锗的晶硅和锗的晶 体结构：体结构： (1-7) 硅和锗的共价键结构硅和锗的共价键结构 共价键共共价键共 用电子对用电子对 +4+4 +4+4 +4+4表示除表示除 去价电子去价电子 后的原子后的原子 (1-8) 共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为 束缚电子束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为，常温下束缚电子很难脱离共价键成

5、为自自 由电子由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以，因此本征半导体中的自由电子很少，所以 本征半导体的导电能力很弱。本征半导体的导电能力很弱。 形成共价键后，每个原子的最外层电子是形成共价键后，每个原子的最外层电子是 八个，构成稳定结构。八个，构成稳定结构。 共价键有很强的结合力，使原子规共价键有很强的结合力，使原子规 则排列，形成晶体。则排列，形成晶体。 +4+4 +4+4 (1-9) 二、本征半导体的导电机理二、本征半导体的导电机理 在绝对在绝对0度度（T=0K）和没有外界激发时和没有外界激发时, ,价价 电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有电子完全被共价键束缚着，本征半导体中

6、没有 可以运动的带电粒子（即可以运动的带电粒子（即载流子载流子），它的导电），它的导电 能力为能力为 0，相当于绝缘体。，相当于绝缘体。 在常温下，由于热激发，使一些价电子获在常温下，由于热激发，使一些价电子获 得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由自由 电子电子，同时共价键上留下一个空位，称为，同时共价键上留下一个空位，称为空穴空穴。 1.1.载流子、自由电子和空穴载流子、自由电子和空穴 (1-10) +4+4 +4+4 自由电子自由电子 空穴空穴 束缚电子束缚电子 (1-11) 2.本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理 +4+4 +4+4 在其它力

7、的作用下，在其它力的作用下， 空穴吸引附近的电子空穴吸引附近的电子 来填补，这样的结果来填补，这样的结果 相当于空穴的迁移，相当于空穴的迁移， 而空穴的迁移相当于而空穴的迁移相当于 正电荷的移动，因此正电荷的移动，因此 可以认为空穴是载流可以认为空穴是载流 子。子。 本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即 自由电子自由电子和和空穴空穴。 (1-12) 温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半 导体的导电能力越强，温度是影响半导体性导体的导电能力越强，温度是影响半导体性 能的一个重要的外部因素，这是半导体的一能的一个重

8、要的外部因素，这是半导体的一 大特点。大特点。 本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。 本征半导体中电流由两部分组成：本征半导体中电流由两部分组成： 1. 自由电子移动产生的电流。自由电子移动产生的电流。 2. 空穴移动产生的电流。空穴移动产生的电流。 (1-13) 1.1.3 杂质半导体杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会 使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺 杂半导体的某种载流子浓度大大增加。杂半导体的某种载流子浓度大大增加。 P 型半导体：型半导体

9、：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也空穴浓度大大增加的杂质半导体，也 称为（空穴半导体）。称为（空穴半导体）。 N 型半导体：型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体，自由电子浓度大大增加的杂质半导体， 也称为（电子半导体）。也称为（电子半导体）。 (1-14) 一、一、N 型半导体型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷 （或锑），晶体点阵中的某些半导体原子被（或锑），晶体点阵中的某些半导体原子被 杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子，杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子， 其中四个与相邻的半导体原子形成共价键，其中四个与相邻的半导体原子形成共价键， 必

10、定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚，必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚， 很容易被激发而成为自由电子，这样磷原子很容易被激发而成为自由电子，这样磷原子 就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原 子给出一个电子，称为子给出一个电子，称为施主原子施主原子。 (1-15) +4+4 +5+4 多余多余 电子电子 磷原子磷原子 N 型半导体中型半导体中 的载流子是什的载流子是什 么？么？ 1.1.由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同。由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同。 2.2.本征半导体中成对产生的电子和空穴。本征半导体中成对产生的电子和空穴。 掺

11、杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自 由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流多数载流 子子（多子多子），空穴称为），空穴称为少数载流子少数载流子（少子少子）。）。 (1-16) 二、二、P 型半导体型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼 （或铟），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质（或铟），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质 取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的 半导体原子形成共价键时，半导体原子形成共价

12、键时， 产生一个空穴。这个空穴产生一个空穴。这个空穴 可能吸引束缚电子来填补，可能吸引束缚电子来填补， 使得硼原子成为不能移动使得硼原子成为不能移动 的带负电的离子。由于硼的带负电的离子。由于硼 原子接受电子，所以称为原子接受电子，所以称为 受主原子受主原子。 +4+4 +3+4 空穴空穴 硼原子硼原子 P 型半导体中空穴是多子，电子是少子型半导体中空穴是多子，电子是少子。 (1-17) 三、杂质半导体的示意表示法三、杂质半导体的示意表示法 P 型半导体型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + N 型半导体型半导体 杂质杂质型半导

13、体多子和少子的移动都能形成电流。型半导体多子和少子的移动都能形成电流。 但由于数量的关系，起导电作用的主要是多子但由于数量的关系，起导电作用的主要是多子。 近似认为多子与杂质浓度相等。近似认为多子与杂质浓度相等。 (1-18) 2.1.1 PN 结的形成结的形成 在同一片半导体基片上，分别制造在同一片半导体基片上，分别制造P 型半导型半导 体和体和N 型半导体，经过载流子的扩散，在它们的型半导体，经过载流子的扩散，在它们的 交界面处就形成了交界面处就形成了PN 结。结。 1.2 PN结及半导体二极管结及半导体二极管 (1-19) P型半导体型半导体 N型半导体型半导体 + + + + + +

14、+ + + + + + + + + + + + + + + + + + 扩散运动扩散运动 内电场内电场E 漂移运动漂移运动 扩散的结果是使空间电扩散的结果是使空间电 荷区逐渐加宽，空间电荷区逐渐加宽，空间电 荷区越宽。荷区越宽。 内电场越强，就使漂移内电场越强，就使漂移 运动越强，而漂移使空运动越强，而漂移使空 间电荷区变薄。间电荷区变薄。 空间电荷区，空间电荷区， 也称耗尽层。也称耗尽层。 (1-20) 漂移运动漂移运动 P型半导体型半导体 N型半导体型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 扩散运动扩散运动 内电场内电场E 所

15、以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡，所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡， 相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚 度固定不变。度固定不变。 (1-21) + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 空间空间 电荷电荷 区区 N型区型区P型区型区 电位电位V V0 (1-22) 1.1.空间电荷区中没有载流子。空间电荷区中没有载流子。 2.2.空间电荷区中内电场阻碍空间电荷区中内电场阻碍P P中的空穴中的空穴. .N区区 中的电子（中的电子（都是多子都是多子）向对方运动（）向对方运

16、动（扩散扩散 运动运动）。）。 3.3.P 区中的电子和区中的电子和 N区中的空穴（区中的空穴（都是少都是少），）， 数量有限，因此由它们形成的电流很小。数量有限，因此由它们形成的电流很小。 注意注意: : (1-23) 2.1.2 PN结的单向导电性结的单向导电性 PN 结结加上正向电压加上正向电压、正向偏置正向偏置的意思都是的意思都是： P 区区 加正、加正、N 区加负电压。区加负电压。 PN 结结加上反向电压加上反向电压、反向偏置反向偏置的意思都是：的意思都是： P区区 加负、加负、N 区加正电压。区加正电压。 (1-24) + + + + RE 一、一、PN 结正向偏置结正向偏置 内电

17、场内电场 外电场外电场 变薄变薄 PN + _ 内电场被削弱，多子内电场被削弱，多子 的扩散加强能够形成的扩散加强能够形成 较大的扩散电流。较大的扩散电流。 (1-25) 二、二、PN 结反向偏置结反向偏置 + + + + 内电场内电场 外电场外电场 变厚变厚 NP + _ 内电场被被加强，多子内电场被被加强，多子 的扩散受抑制。少子漂的扩散受抑制。少子漂 移加强，但少子数量有移加强，但少子数量有 限，只能形成较小的反限，只能形成较小的反 向电流。向电流。 RE (1-26) 2.1.3 半导体二极管半导体二极管 一、基本结构一、基本结构 PN 结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。结加上管壳

18、和引线，就成为半导体二极管。 引线引线 外壳线外壳线 触丝线触丝线 基片基片 点接触型点接触型 PN结结 面接触型面接触型 PN 二极管的电路符号：二极管的电路符号： (1-27) 二、伏安特性二、伏安特性 U I 死区电压死区电压 硅管硅管 0.6V,锗管锗管0.2V。 导通压降导通压降: : 硅硅 管管0.60.7V,锗锗 管管0.20.3V。 反向击穿反向击穿 电压电压UBR (1-28) 三、主要参数三、主要参数 1. 最大整流电流最大整流电流 IOM 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大二极管长期使用时，允许流过二极管的最大 正向平均电流。正向平均电流。 2. 反向击穿电压反向击穿

19、电压UBR 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电 流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至 过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电 压压UWRM一般是一般是UBR的一半。的一半。 (1-29) 3. 反向电流反向电流 IR 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电指二极管加反向峰值工作电压时的反向电 流。反向电流大，说明管子的单向导电性流。反向电流大，说明管子的单向导电性 差，因此反向电流越小越好。反向电流受差，因此反向电流越小越好。反向电流受 温度的影响，温度越高反向电流越大。硅温度

20、的影响，温度越高反向电流越大。硅 管的反向电流较小，锗管的反向电流要比管的反向电流较小，锗管的反向电流要比 硅管大几十到几百倍。硅管大几十到几百倍。 以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是 主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、 保护等等。下面介绍两个交流参数。保护等等。下面介绍两个交流参数。 (1-30) 4. 微变电阻微变电阻 rD iD uD ID UD Q iD uD rD 是二极管特性曲线上工是二极管特性曲线上工 作点作点Q 附近电压的变化与附近电压的变化与 电流的变化之比：电流的变化之比

21、： D D D i u r 显然，显然，rD是对是对Q附近的微小附近的微小 变化区域内的电阻。变化区域内的电阻。 (1-31) 5. 二极管的极间电容二极管的极间电容 二极管的两极之间有电容，此电容由两部分组成：二极管的两极之间有电容，此电容由两部分组成： 势垒电容势垒电容CB和和扩散电容扩散电容CD。 势垒电容：势垒电容：势垒区是积累空间电荷的区域，当电压变化时，势垒区是积累空间电荷的区域，当电压变化时， 就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化，这样所表现出就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化，这样所表现出 的电容是的电容是势垒电容势垒电容。 扩散电容：扩散电容：为了形成正向电流为了形成正向电

22、流 （扩散电流），注入（扩散电流），注入P 区的少子区的少子 （电子）在（电子）在P 区有浓度差，越靠区有浓度差，越靠 近近PN结浓度越大，即在结浓度越大，即在P 区有电区有电 子的积累。同理，在子的积累。同理，在N区有空穴的区有空穴的 积累。正向电流大，积累的电荷积累。正向电流大，积累的电荷 多。这样所产生的电容就是扩散多。这样所产生的电容就是扩散 电容电容CD。 P +- N (1-32) CB在正向和反向偏置时均不能忽略。而反向偏置在正向和反向偏置时均不能忽略。而反向偏置 时，由于载流子数目很少，扩散电容可忽略。时，由于载流子数目很少，扩散电容可忽略。 PN结高频小信号时的等效电路：结高

23、频小信号时的等效电路： 势垒电容和扩散电势垒电容和扩散电 容的综合效应容的综合效应 rd (1-33) 二极管：二极管：死区电压死区电压=0 .5V，正向压降，正向压降 0.7V(硅二极管硅二极管) 理想二极管：理想二极管：死区电压死区电压=0 ，正向压降，正向压降=0 RL uiuo ui uo t t 二极管的应用举例二极管的应用举例1：二极管半波整流二极管半波整流 (1-34) 二极管的应用举例二极管的应用举例2： t t t ui uR uo RRL uiuR uo (1-35) 1.3.1 稳压二极管稳压二极管 U I IZ IZmax UZ IZ 稳压稳压 误差误差 曲线越陡，曲线

24、越陡， 电压越稳电压越稳 定。定。 + - UZ 动态电阻：动态电阻： Z Z I U Z r rz越小，稳越小，稳 压性能越好。压性能越好。 1.3 特殊二极管特殊二极管 (1-36) （4）稳定电流稳定电流IZ、 、最大、最小稳定电流 最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。 （5）最大允许功耗）最大允许功耗 maxZZZM IUP 稳压二极管的参数稳压二极管的参数: （1）稳定电压稳定电压 UZ （2）电压温度系数电压温度系数 U（%/） 稳压值受温度变化影响的的系数。稳压值受温度变化影响的的系数。 （3）动态电阻）动态电阻 Z Z I U Z r (1-37) 负载电阻负载电阻 。要

25、求 要求当输入电压由正常值发当输入电压由正常值发 生生 20%波动时，负载电压基本不变。波动时，负载电压基本不变。 稳压二极管的应用举例稳压二极管的应用举例 uo iZDZ R iL i ui RL 5mA 20mA, V,10 min max z zzW I IU 稳压管的技术参数稳压管的技术参数: k2 L R 解：令输入电压达到上限时，流过稳压管的电解：令输入电压达到上限时，流过稳压管的电 流为流为Izmax 。 求：求：电阻电阻R和输入电压和输入电压 ui 的正常值。的正常值。 mA25 max L ZW z R U Ii 102521RUiRu. zWi 方程方程1 (1-38) 令

26、输入电压降到下限令输入电压降到下限 时，流过稳压管的电时，流过稳压管的电 流为流为Izmin 。 mA10 min L ZW z R U Ii 101080RUiRu. zWi 方程方程2 uo iZDZ R iL i ui RL 联立方程联立方程1、2，可解得：，可解得： k50V7518.R,.ui (1-39) 1.3.2 光电二极管光电二极管 反向电流随光照强度的增加而上升。反向电流随光照强度的增加而上升。 I U 照度增加照度增加 (1-40) 1.3.3 发光二极管发光二极管 有正向电流流过有正向电流流过 时，发出一定波长时，发出一定波长 范围的光，目前的范围的光，目前的 发光管可

27、以发出从发光管可以发出从 红外到可见波段的红外到可见波段的 光，它的电特性与光，它的电特性与 一般二极管类似。一般二极管类似。 (1-41) 1.4.1 基本结构基本结构 B E C N N P 基极基极 发射极发射极 集电极集电极 NPN型型 P N P 集电极集电极 基极基极 发射极发射极 B C E PNP型型 1.4 半导体三极管半导体三极管 (1-42) B E C N N P 基极基极 发射极发射极 集电极集电极 基区：较薄，基区：较薄， 掺杂浓度低掺杂浓度低 集电区：集电区： 面积较大面积较大 发射区：掺发射区：掺 杂浓度较高杂浓度较高 (1-43) B E C N N P 基极

28、基极 发射极发射极 集电极集电极 发射结发射结 集电结集电结 (1-44) 1.4.2 电流放大原理电流放大原理 B E C N N P EB RB EC IE 基区空穴基区空穴 向发射区向发射区 的扩散可的扩散可 忽略。忽略。 IBE 进入进入P区的电子区的电子 少部分与基区的少部分与基区的 空穴复合，形成空穴复合，形成 电流电流IBE ，多数，多数 扩散到集电结。扩散到集电结。 发射结正发射结正 偏，发射偏，发射 区电子不区电子不 断向基区断向基区 扩散，形扩散，形 成发射极成发射极 电流电流IE。 (1-45) B E C N N P EB RB EC IE 集电结反偏，集电结反偏， 有

29、少子形成的有少子形成的 反向电流反向电流ICBO。 ICBO IC=ICE+ICBO ICE IBE ICE 从基区扩从基区扩 散来的电散来的电 子作为集子作为集 电结的少电结的少 子，漂移子，漂移 进入集电进入集电 结而被收结而被收 集，形成集，形成 ICE。 (1-46) IB=IBE-ICBO IBE IB B E C N N P EB RB EC IE ICBO ICE IC=ICE+ICBO ICE IBE (1-47) ICE与与IBE之比称为电流放大倍数之比称为电流放大倍数 要使三极管能放大电流，必须使发射结正要使三极管能放大电流，必须使发射结正 偏，集电结反偏。偏，集电结反偏。

30、 B C CBOB CBOC BE CE I I II II I I (1-48) B E C IB IE IC NPN型三极管型三极管 B E C IB IE IC PNP型三极管型三极管 (1-49) 1.4.3 特性曲线特性曲线 IC mA A VVUCEUBE RB IB EC EB 实验线路实验线路 (1-50) 一、一、输入特性输入特性 UCE 1V IB( A) UBE(V) 20 40 60 80 0.40.8 工作压降：工作压降： 硅管硅管 UBE 0.60.7V,锗锗 管管UBE 0.20.3V。 UCE=0V UCE =0.5V 死区电死区电 压，硅管压，硅管 0.5V，

31、锗，锗 管管0.2V。 (1-51) 二、二、输出特性输出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V)3 6912 IB=0 20 A 40 A 60 A 80 A 100 A 此区域满此区域满 足足IC= IB 称为线性称为线性 区（放大区（放大 区）。区）。 当当UCE大于一大于一 定的数值时，定的数值时， IC只与只与IB有关，有关， IC= IB。 (1-52) IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V)3 6912 IB=0 20 A 40 A 60 A 80 A 100 A 此区域中此区域中UCE UBE, 集电结正偏，集电结正偏， IBIC， ，UCE 0.3V 称为饱和

32、区。称为饱和区。 (1-53) IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V)3 6912 IB=0 20 A 40 A 60 A 80 A 100 A 此区域中此区域中 : IB=0,IC=ICEO, UBEIC，UCE 0.3V (3) 截止区：截止区： UBE 死区电压，死区电压， IB=0 ， IC=ICEO 0 (1-55) 例：例： =50， USC =12V， RB =70k ， RC =6k 当当USB = -2V，2V，5V时，时， 晶体管的静态工作点晶体管的静态工作点Q位位 于哪个区？于哪个区？ 当当USB =-2V时：时： IC UCE IB USC RB USB C B

33、E RC UBE mA2 6 12 max C SC C R U I IB=0 ， IC=0 IC最大饱和电流：最大饱和电流： Q位于截止区位于截止区 (1-56) 例：例： =50， USC =12V， RB =70k ， RC =6k 当当USB = -2V，2V，5V时，时， 晶体管的静态工作点晶体管的静态工作点Q位位 于哪个区？于哪个区？ IC ICmax (=2mA) ， Q位于放大区位于放大区。 IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE USB =2V时：时： 9mA010 70 702 . . R UU I B BESB B 0.95mA9mA01050

34、.II BC (1-57) USB =5V时时: 例：例： =50， USC =12V， RB =70k ， RC =6k 当当USB = -2V，2V，5V时，时， 晶体管的静态工作点晶体管的静态工作点Q位位 于哪个区？于哪个区？ IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE Q 位于饱和区，此时位于饱和区，此时IC 和和IB 已不是已不是 倍的关系。倍的关系。 mA0610 70 705 . . R UU I B BESB B cmaxB I.I5m03mA061050 mA2 cmaxc II (1-58) 三、主要参数三、主要参数 前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的 公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共 集接法。集接法。共射共射直流电流放大倍数直流电流放大倍数： B C I I _ 工作于动态的