第四章光电式传感器

1、第四章第四章 光电式传感器光电式传感器 第一节第一节 概述概述 第二节第二节 外光电效应器件外光电效应器件 第三节第三节 内光电效应器件内光电效应器件 第四节第四节 新型光电传感器新型光电传感器 第五节第五节 光敏传感器的应用举例光敏传感器的应用举例 光电传感器是各种光电检测系统中实现光电转 换的关键元件，它是把光信号（红外、可见及 紫外光辐射）转变成为电信号的器件。 一、光谱一、光谱 光波：波长为10106nm的电磁波 可见光：波长380780nm 紫外线：波长10380nm， 波长300380nm称为近紫外线 波长200300nm称为远紫外线 波长10200nm称为极远紫外线， 红外线：波

2、长780106nm 波长3m（即3000nm）以下的称近红外线 波长超过3m 的红外线称为远红外线。 光谱分布如图所示。 第一节第一节 概概 述述 远紫外 近紫外 可见光近红外远红外极远紫外 0.010.1110 0.050.55 波长/m 波数/cm-1 频率/Hz 光子能量/eV 106105104103 510551045103 1015 51014 1014 51013 100101 5050.5 51015 1016 31018 光的波长与频率的关系由光速确定，真空中的光速 c=2.997931010cm/s，通常c31010cm/s。光的波长 和频率的关系为 的单位为Hz，的单位为

3、cm。 =31010cm / s 二、光源（发光器件）二、光源（发光器件） 1 1、钨丝白炽灯、钨丝白炽灯 用钨丝通电加热作为光辐射源最为普通，一般白炽 灯的辐射光谱是连续的 发光范围发光范围：可见光外、大量红外线和紫外线，所以任何 光敏元件都能和它配合接收到光信号。 特点特点：寿命短而且发热大、效率低、动态特性差，但对 接收光敏元件的光谱特性要求不高，是可取之处。 在普通白炽灯基础上制作的发光器件有溴钨灯和碘 钨灯，其体积较小，光效高，寿命也较长。 2 2、气体放电灯、气体放电灯 定义：利用电流通过气体产生发光现象制成的灯。 气体放电灯的光谱是不连续不连续的，光谱与气体的种类及 放电条件有关

4、。改变气体的成分、压力、阴极材料和 放电电流大小，可得到主要在某一光谱范围的辐射。 低压汞灯、氢灯、钠灯、镉灯、氦灯是光谱仪器 中常用的光源，统称为光谱灯。例如低压汞灯的辐射 波长为254nm，钠灯的辐射波长为589nm，它们经常用 作光电检测仪器的单色光源单色光源。如果光谱灯涂以荧光剂， 由于光线与涂层材料的作用，荧光剂可以将气体放电 谱线转化为更长的波长，目前荧光剂的选择范围很广， 通过对荧光剂的选择可以使气体放电发出某一范围的 波长，如，照明日光灯。 气体放电灯消耗的能量仅为白炽灯1/21/3。 3 3、发光二极管、发光二极管LED（Light Emitting Diode） 由半导体P

5、N结构成，其工作电压低、响应速度快、寿 命长、体积小、重量轻，因此获得了广泛的应用。 在半导体PN结中，P区的空穴由于扩散而移动到N 区，N区的电子则扩散到P区，在PN结处形成势垒，从 而抑制了空穴和电子的继续扩散。当PN结上加有正向 电压时，势垒降低，电子由N区注入到P区，空穴则由P 区注入到N区，称为少数载流子注入。所注入到P区里 的电子和P区里的空穴复合，注入到N区里的空穴和N区 里的电子复合，这种复合同时伴随着以光子形式放出能 量，因而有发光现象。 电子和空穴复合，所释放的能量Eg等于PN结的禁 带宽度（即能量间隙）。所放出的光子能量用h表示， h为普朗克常数，为光的频率。则 g E

6、hc g E c h g Eh 普朗克常数h=6.610-34J.s；光速c=3108m/s； Eg的单位为电子伏（eV），1eV=1.610-19J。 hc=19.810-26mWs=12.410-7meV。 可见光的波长近似地认为在710-7m以下，所以制 作发光二极管的材料，其禁带宽度至少应大于 h c /=1.8 eV 普通二极管是用锗或硅制造的，这两种材料的禁带宽 度Eg分别为0.67eV和1.12eV，显然不能使用。 通常用的砷化镓和磷化镓两种材料固溶体，写作 GaAs1-xPx，x代表磷化镓的比例，当x0.35时，可得到 Eg1.8eV的材料。改变x值还可以决定发光波长，使 在5

7、50900nm间变化，它已经进入红外区。 与此相似的可供制作发光二极管的材料见下表。 材料波长/nm材料波长/nm ZnS340CuSe-ZnSe400630 SiC480ZnxCd1-xTe590830 GaP565,680GaAs1-xPx550900 GaAs900InPxAs1-x9103150 InP920InxGa1-xAs8501350 表4.1-1 LED材料 发光二极管的伏安特性与普通二极管相似，但随 材料禁带宽度的不同，开启（点燃）电压略有差异。 图为砷磷化镓发光二极管的伏安曲线，红色约为1.7V 开启，绿色约为2.2V。 U/V I/mA 注意，图上的横坐标正负值刻度比例

8、不同。一般 而言，发光二极管的反向击穿电压大于5V，为了安全 起见，使用时反向电压应在5V以下。 -10 -5 0 12 GaAsP(红) GaAsP(绿) 发光二极管的光谱特性如图所示。图中砷磷化镓的 曲线有两根，这是因为其材质成分稍有差异而得到不同 的峰值波长p 。除峰值波长p决定发光颜色之外，峰的 宽度（用描述）决定光的色彩纯度，越小，其光色 越纯。 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 0 6007008009001000 GaAsP p=670nm p=655nm GaAsP p=565nm GaP p=950nm GaAs 发光二极管的光谱特性 /nm 相对灵敏度 4 4、激光器

9、、激光器 激光是20世纪60年代出现的最重大科技成就之 一，具有高方向性、高单色性和高亮度三个重 要特性。激光波长从0.24m到远红外整个光频 波段范围。 激光器种类繁多，按工作物质分类： u固体激光器（如红宝石激光器） u气体激光器（如氦-氖气体激光器、二氧化碳 激光器） u半导体激光器（如砷化镓激光器） u液体激光器。 （1）固体激光器 典型实例是红宝石激光器，是1960年人类发明 的第一台激光器。它的工作物质是固体。 种类：红宝石激光器、掺钕的钇铝榴石激光器 （简称YAG激光器）和钕玻璃激光器等。 特点：小而坚固、功率高，钕玻璃激光器是目 前脉冲输出功率最高的器件，已达到几十太瓦。 固体

10、激光器在光谱吸收测量方面有一些应 用。利用阿波罗登月留下的反射镜，红宝石激光器 还曾成功地用于地球到月球的距离测量。 （2）气体激光器 工作物质是气体。 种类：各种原子、离子、金属蒸汽、气体分子 激光器。常用的有氦氖激光器、氩离子激光器、 氪离子激光器，以及二氧化碳激光器、准分子 激光器等，其形状像普通的放电管一样，能连 续工作，单色性好。它们的波长覆盖了从紫外 到远红外的频谱区域。 （3）半导体激光器 与前两种相比出现较晚，其成熟产品是砷化镓 激光器。特点：效率高、体积小、重量轻、结 构简单，适宜在飞机、军舰、坦克上应用以及 步兵随身携带，如在飞机上作测距仪来瞄准敌 机。其缺点是输出功率较小

11、。目前半导体激光 器可选择的波长主要局限在红光和红外区域。 （4）液体激光器 种类：螯合物激光器、无机液体激光器和有机染 料激光器，其中较为重要的是有机染料激光器。 它的最大特点是发出的激光波长可在一段范围内 调节，而且效率也不会降低，因而它能起着其他 激光器不能起的作用。 三、光电效应三、光电效应 是指物体吸收了光能后转换为该物体中某些电子的能 量，从而产生的电效应。光电传感器的工作原理基于 光电效应。光电效应分为外光电效应和内光电效应两 大类 1 1、外光电效应、外光电效应 在光线的作用下，物体内的电子逸出物体表面向外 发射的现象称为外光电效应。向外发射的电子叫做光 电子。基于外光电效应的

12、光电器件有光电管、光电倍 增管等。 光子是具有能量的粒子，每个光子的能量： E=h h普朗克常数，6.62610-34Js；光的频率（s-1） 根据爱因斯坦假设，一个电子只能接受一个光子 的能量，所以要使一个电子从物体表面逸出，必 须使光子的能量大于该物体的表面逸出功，超过 部分的能量表现为逸出电子的动能。外光电效应 多发生于金属和金属氧化物，从光开始照射至金 属释放电子所需时间不超过10-9s。 根据能量守恒定理 式中 m电子质量；v0电子逸出速度。 0 2 0 2 1 Amh 该方程称为爱因斯坦光电效应方程。 n光电子能否产生，取决于光电子的能量是否大于该物 体的表面电子逸出功A0。不同的

13、物质具有不同的逸出功， 即每一个物体都有一个对应的光频阈值，称为红限频率 或波长限。光线频率低于红限频率，光子能量不足以使 物体内的电子逸出，因而小于红限频率的入射光，光强 再大也不会产生光电子发射；反之，入射光频率高于红 限频率，即使光线微弱，也会有光电子射出。 n当入射光的频谱成分不变时，产生的光电流与光强成 正比。即光强愈大，意味着入射光子数目越多，逸出的 电子数也就越多。 n光电子逸出物体表面具有初始动能mv02 /2 ，因此外光 电效应器件（如光电管）即使没有加阳极电压，也会有 光电子产生。为了使光电流为零，必须加负的截止电压， 而且截止电压与入射光的频率成正比。 当光照射在物体上，

14、使物体的电阻率发生 变化，或产生光生电动势的现象叫做内光电效应， 它多发生于半导体内。根据工作原理的不同，内 光电效应分为光电导效应和光生伏特效应两类： （1） 光电导效应 在光线作用，电子吸收光子能量从键合状态 过渡到自由状态，而引起材料电导率的变化，这 种现象被称为光电导效应。基于这种效应的光电 器件有光敏电阻。 2、内光电效应 过程：过程：当光照射到半导体材料上时，价带中的电子受 到能量大于或等于禁带宽度的光子轰击，并使其由价 带越过禁带跃入导带，如图，使材料中导带内的电子 和价带内的空穴浓度增加，从而使电导率变大。 导带 价带 禁带 自由电子所占能带 不存在电子所占能带 价电子所占能带

15、 Eg 材料的光导性能决定于禁带宽度，对于一种光 电导材料，总存在一个照射光波长限0，只有 波长小于0的光照射在光电导体上，才能产生 电子能级间的跃进，从而使光电导体的电导率 增加。 式中、分别为入射光的频率和波长。 Eg 24. 1 hc h 为了实现能级的跃迁，入射光的能量必须大于光电导 材料的禁带宽度Eg，即 （2） 光生伏特效应 在光线作用下能够使物体产生一定方向的 电动势的现象叫做光生伏特效应。 基于该效应的光电器件有光电池和光敏二极管、 三极管。 势垒效应（结光电效应）。 接触的半导体和PN结中，当光线照射其接 触区域时，便引起光电动势，这就是结光电效应。 以PN结为例，光线照射P

16、N结时，设光子能量大于禁 带宽度Eg，使价带中的电子跃迁到导带，而产生电子 空穴对，在阻挡层内电场的作用下，被光激发的电子 移向N区外侧，被光激发的空穴移向P区外侧，从而 使P区带正电，N区带负电，形成光电动势。 侧向光电效应。 当半导体光电器件受光照不均匀时，有载 流子浓度梯度将会产生侧向光电效应。当光照 部分吸收入射光子的能量产生电子空穴对时， 光照部分载流子浓度比未受光照部分的载流子 浓度大，就出现了载流子浓度梯度，因而载流 子就要扩散。如果电子迁移率比空穴大，那么 空穴的扩散不明显，则电子向未被光照部分扩 散，就造成光照射的部分带正电，未被光照射 部分带负电，光照部分与未被光照部分产生

17、光 电动势。基于该效应的光电器件如半导体光电 位置敏感器件（PSD）。 利用物质在光的照射下发射电子的外光电效应而制 成的光电器件，一般都是真空的或充气的光电器件， 如光电管和光电倍增管。 一、光电管及其基本特性一、光电管及其基本特性 光电管的结构示意图 光 阳极 光电阴极 光窗 1. 结构与工作原理 光电管有真空光电管和充气 光电管或称电子光电管和离子光 电管两类。两者结构相似，如图。 它们由一个阴极和一个阳极构成， 并且密封在一只真空玻璃管内。 阴极装在玻璃管内壁上，其上涂 有光电发射材料。阳极通常用金 属丝弯曲成矩形或圆形，置于玻 璃管的中央。 第二节第二节 外光电效应器件外光电效应器件

18、 光电器件的性能主要由伏安特性、光照特性、光谱 特性、响应时间、峰值探测率和温度特性来描述。 （1） 光电管的伏安特性 2. 2. 主要性能主要性能 在一定的光照射 下，对光电器件的阴 极所加电压与阳极所 产生的电流之间的关 系称为光电管的伏安 特性。光电管的伏安 特性如图所示。它是 应用光电传感器参数 的主要依据。 图4.2-2 光电管的伏安特性 50 20lm 40lm 60lm 80lm 100lm 120lm 1001502000 2 4 6 8 10 12 阳极与末级倍增极间的电压/V IA/ A （2） 光电管的光照特性 通常指当光电管的阳极和阴极之间所加电压一定 时，光通量与光电

19、流之间的关系为光电管的光照特性。 其特性曲线如图所示。曲线1表示氧铯阴极氧铯阴极光电 管的光照特性，光电 流I与光通量成线性关 系。曲线2为锑铯阴极锑铯阴极 的光电管光照特性， 它成非线性关系。光 照特性曲线的斜率 （光电流与入射光光 通量之间比）称为光 电管的灵敏度。 光电管的光照特性 25 50 75 100 2 00.51.5 2.0 /1m IA/ A 1.02.5 1 （3）光电管光谱特性 由于光阴极对光谱有选择性，因此光电管 对光谱也有选择性。保持光通量和阴极电压不 变，阳极电流与光波长之间的关系叫光电管的 光谱特性。一般对于光电阴极材料不同的光电管， 它们有不同的红限频率0，因此

20、它们可用于不同的光 谱范围。除此之外，即使照射在阴极上的入射光的频 率高于红限频率0，并且强度相同，随着入射光频率 的不同，阴极发射的光电子的数量还会不同，即同一 光电管对于不同频率的光的灵敏度不同，这就是光电 管的光谱特性。所以，对各种不同波长区域的光，应 选用不同材料的光电阴极。 国产GD-4型的光电管，阴极是用锑铯材料制成的。 其红限0=7000，它对可见光范围的入射光灵敏度比较 高，转换效率：25%30%。它适用于白光光源白光光源，因而被 广泛地应用于各种光电式自动检测仪表中。对红外光源红外光源， 常用银氧铯阴极，构成红外传感器。对紫外光源紫外光源，常用 锑铯阴极和镁镉阴极。另外，锑钾

21、钠铯阴极的光谱范围 较宽，为30008500，灵敏度也较高，与人的视觉光谱 特性很接近，是一种新型的光电阴极；但也有些光电管 的光谱特性和人的视觉光谱特性有很大差异，因而在测 量和控制技术中，这些光电管可以担负人眼所不能胜任 的工作，如坦克和装甲车的夜视镜等。 一般充气光电管当入射光频率大于8000Hz时，光电 流将有下降趋势，频率愈高，下降得愈多。 二、光电倍增管及其基本特性 当入射光很微弱时，普通光电管产生的光电流很小， 只有零点几A，很不容易探测。这时常用光电倍增管对 电流进行放大，下图为其内部结构示意图。 1. 1. 结构和工作原理结构和工作原理 由光阴极、次阴极(倍增电极)以及阳极三

22、部分组成。光阴极是由半 导体光电材料锑铯做成；次阴极是在镍或铜-铍的衬底上涂上锑铯 材料而形成的，次阴极多的可达30级；阳极是最后用来收集电子 入射光 光电阴极 第一倍增极 阳极 第三倍增极 的，收集到的电子数是阴极 发射电子数的105106倍。即 光电倍增管的放大倍数可达 几万倍到几百万倍。光电倍 增管的灵敏度就比普通光电 管高几万倍到几百万倍。因 此在很微弱的光照时，它就 能产生很大的光电流。 （1）倍增系数M 倍增系数M等于n个倍增电极的二 次电子发射系数的乘积。如果n个倍增电极的都相同， 则M= 因此，阳极电流 I 为 I = i i 光电阴极的光电流 光电倍增管的电流放大倍数为 =

23、I / i = M与所加电压有关，M在105108之间，稳定性为1左 右，加速电压稳定性要在0.1以内。如果有波动，倍 增系数也要波动，因此M具有一定的统计涨落。一般 阳极和阴极之间的电压为10002500V，两个相邻的倍 增电极的电位差为50100V。对所加电压越稳越好，这 样可以减小统计涨落，从而减小测量误差。 2. 2. 主要参数主要参数 n i n i n i 103 104 105 106 255075100125 极间电压/V 放大倍数 光电倍增管的特性曲线 （2）光电阴极灵敏度和光电倍增管总灵敏度 一个光子在阴极上能够打出的平均电子数 叫做光电倍增管的阴极灵敏度阴极灵敏度。而一个

24、光子在 阳极上产生的平均电子数叫做光电倍增管的总总 灵敏度灵敏度。 光电倍增管的最大灵敏度可达10A/lm，极 间电压越高，灵敏度越高；但极间电压也不能 太高，太高反而会使阳极电流不稳。 另外，由于光电倍增管的灵敏度很高，所 以不能受强光照射，否则将会损坏。 （3）暗电流和本底脉冲 一般在使用光电倍增管时，必须把管子放 在暗室里避光使用，使其只对入射光起作用； 但是由于环境温度、热辐射和其它因素的影响， 即使没有光信号输入，加上电压后阳极仍有电 流，这种电流称为暗电流暗电流，这是热发射所致或 场致发射造成的，这种暗电流通常可以用补偿 电路消除。 如果光电倍增管与闪烁体放在一处，在完全蔽 光情况

25、下，出现的电流称为本底电流本底电流，其值大 于暗电流。增加的部分是宇宙射线对闪烁体的 照射而使其激发，被激发的闪烁体照射在光电 倍增管上而造成的，本底电流本底电流具有脉冲形式脉冲形式。 光电 倍增 管的 光照 特性 与直线最大 偏离是3% 1013 1010 109 107 105 103 101 在45mA 处饱和 10141010106 102 光通量/1m 阳 极 电 流 / A （4）光电倍增管的光谱特性 光谱特性反应了光电倍增管的阳极输出电流与照射 在光电阴极上的光通量之间的函数关系。对于较好的 管子，在很宽的光通量范围之内，这个关系是线性的， 即入射光通量小于10-4lm时，有较好

26、的线性关系。光通 量大，开始出现非线性，如图所示。 利用物质在光的照射下电导性能改变或产生电动 势的光电器件称内光电效应器件，常见的有光敏 电阻光电池和光敏晶体管等。 一、光敏电阻 光敏电阻又称光导管，为纯电阻元件，其工 作原理是基于光电导效应，其阻值随光照增强而 减小。 优点：灵敏度高，光谱响应范围宽，体积小、重 量轻、机械强度高，耐冲击、耐振动、抗过载能 力强和寿命长等。 不足：需要外部电源，有电流时会发热。 第三节第三节 内光电效应器件内光电效应器件 1. 1. 光敏电阻的工作原理和结构光敏电阻的工作原理和结构 当光照射到光电导体上时，若光电导体为本征半导 体材料，而且光辐射能量又足够强

27、，光导材料价带上的 电子将激发到导带上去，从而使导带的电子和价带的空 穴增加，致使光导体的电导率变大。为实现能级的跃迁， 入射光的能量必须大于光导体材料的禁带宽度Eg，即 h= = Eg(eV) 式中和入射光的频率和波长。 一种光电导体，存在一个照射光的波长限C，只有 波长小于C的光照射在光电导体上，才能产生电子在能 级间的跃迁，从而使光电导体电导率增加。 ch 24.1 光敏电阻的结构如图所示。管芯是一块安装在绝缘 衬底上带有两个欧姆接触电极的光电导体。光导体吸收 光子而产生的光电效应，只限于光照的表面薄层，虽然 产生的载流子也有少数扩散到内部去，但扩散深度有 A 金属封装的硫化镉光敏电阻结

28、构图 光导电材料 绝缘衬低 引线 电极 引线 光电导体 限，因此光电导体一 般都做成薄层。为了 获得高的灵敏度，光 敏电阻的电极一般采 用硫状图案，结构见 下图。 1-光导层; 2-玻璃窗口; 3-金属外壳; 4-电极; 5-陶瓷基座; 6-黑色绝缘玻璃; 7-电阻引线。 RG 123 4 5 6 7 (a)结构 (b)电极 (c)符号 它是在一定的掩模下向光电导薄膜上蒸镀金或 铟等金属形成的。这种硫状电极，由于在间距 很近的电极之间有可能采用大的灵敏面积，所 以提高了光敏电阻的灵敏度。图（c）是光敏电 阻的代表符号。 CdS光敏电阻的结构和符号 光敏电阻的灵敏度易受湿度的影响，因此要将导 光

29、电导体严密封装在玻璃壳体中。如果把光敏电阻连 接到外电路中，在外加电压的作用下，用光照射就能 改变电路中电流的大小，其连线电路如图所示。 光敏电阻具有很高的灵敏度，很好的光谱特性， 光谱响应可从紫外区到红外区范围内。而且体积小、 重量轻、性能稳定、价格便宜，因此应用比较广泛。 RG RL E I 2. 2. 光敏电阻的主要参数和基本特性光敏电阻的主要参数和基本特性 （1 1）暗电阻、亮电阻、光电流）暗电阻、亮电阻、光电流 暗电流：光敏电阻在室温条件下，全暗（无光照射） 后经过一定时间测量的电阻值，称为暗电阻。此时在 给定电压下流过的电流。 亮电流：光敏电阻在某一光照下的阻值，称为该光照 下的亮

30、电阻。此时流过的电流。 光电流：亮电流与暗电流之差。 光敏电阻的暗电阻越大，而亮电阻越小则性能越好。 也就是说，暗电流越小，光电流越大，这样的光敏电阻 的灵敏度越高。 实用的光敏电阻的暗电阻往往超过1M,甚至高达 100M，而亮电阻则在几k以下，暗电阻与亮电阻之 比在102106之间，可见光敏电阻的灵敏度很高。 （2 2）光照特性）光照特性 下图表示CdS光敏电阻的光照特性。在一定外加电压下， 光敏电阻的光电流和光通量之间的关系。不同类型光 敏电阻光照特性不同，但光照特性曲线均呈非线性。 因此它不宜作定量检测元件，这是光敏电阻的不足之 处。一般在自动控制系统中用作光电开关。 0 1 2 3 4

31、 5 I/mA L/lx 10002000 （3 3）光谱特性）光谱特性 光谱特性与光敏电阻的材料有关。从图中可知，硫化 铅光敏电阻在较宽的光谱范围内均有较高的灵敏度，峰 值在红外区域；硫化镉、硒化镉的峰值在可见光区域。 因此，在选用光敏电阻时，应把光敏电阻的材料和光源 的种类结合起来考虑，才能获得满意的效果。 20 40 60 80 100 4080120160200240 /m 312相 对 灵 敏 度 1硫化镉 2硒化镉 3硫化铅 （4） 伏安特性 在一定照度下，加在光敏电阻两端的电压与电流之 间的关系称为伏安特性。图中曲线1、2分别表示照度 为零零及照度为某值某值时的伏安特性。由曲线可

32、知，在给 定偏压下,光照度较大，光电流也越大。在一定的光照 度下，所加的电压越大，光电流越大，而且无饱和现 50 100 150 200 1 2 U/V 0 2040 象。但是电压不能无限地 增大，因为任何光敏电阻 都受额定功率、最高工作 电压和额定电流的限制。 超过最高工作电压和最大 额定电流，可能导致光敏 电阻永久性损坏。 I/ A （5）频率特性 当光敏电阻受到脉冲光照射时，光电流要经过一段时间 才能达到稳定值，而在停止光照后，光电流也不立刻为 零，这就是光敏电阻的时延特性。由于不同材料的光敏， 20 40 60 80 100 I / % f / Hz 0 10102103104 电阻时

33、延特性不同，所以 它们的频率特性也不同， 如图。硫化铅的使用频率 比硫化镉高得多，但多数 光敏电阻的时延都比较大， 所以，它不能用在要求快 速响应的场合。 硫化铅 硫化镉 （6）稳定性 图中曲线1、2分别表示两种型号CdS光敏电阻的稳 定性。初制成的光敏电阻，由于体内机构工作不稳定体内机构工作不稳定， 以及电阻体与其介质的作用还没有达到平衡电阻体与其介质的作用还没有达到平衡，所以性 能是不够稳定的。但在人为地加温、光照及加负载情 况下，经一至二周的老化，性能可达稳定。光敏电阻 在开始一段时间的老化过程中，有些样品阻值上 I / % 40 80 120 160 2 1 T/h 0400 800

34、1200 1600 升，有些样品阻值下降，但 最后达到一个稳定值后就不 再变了。这就是光敏电阻的 主要优点。 光敏电阻的使用寿命在 密封良好、使用合理的情况 下，几乎是无限长无限长的。 （7）温度特性 其性能(灵敏度、暗电阻)受温度的影响较大。随着温 度的升高，其暗电阻和灵敏度下降，光谱特性曲线的 峰值向波长短的方向移动。硫化镉的光电流I和温度T 的关系如图所示。有时为了提高灵敏度，或为了能够 接收较长波段的辐射，将元件降温使用。例如，可利 用制冷器使光敏电阻的温度降低。 I / A 100 150 200 -50-1030 5010-30T / C 20 40 60 80 100 01.02

35、.03.04.0 /m I/mA +20 C -20 C 二、光电池二、光电池 光电池是利用光生伏特效应把光直接转变成电能的光电池是利用光生伏特效应把光直接转变成电能的 器件器件。由于它可把太阳能直接变电能，因此又称为太阳 能电池。它是基于光生伏特效应制成的，是发电式有源 元件。它有较大面积的PN结，当光照射在PN结上时， 在结的两端出现电动势。 命名方式：命名方式：把光电池的半导体材料的名称冠于光电池(或太阳能电 池)之前。如，硒光电池、砷化镓光电池、硅光电池等。目前,应 用最广、最有发展前途的是硅光电池。 l硅光电池价格便宜，转换效率高，寿命长，适于接受红外光转换效率高，寿命长，适于接受红

36、外光。 l硒光电池光电转换效率低(0.02)、寿命短，适于接收可见光(响 应峰值波长0.56m)，最适宜制造照度计。 l砷化镓光电池转换效率比硅光电池稍高，光谱响应特性则与太 阳光谱最吻合。且工作温度最高，更耐受宇宙射线的辐射。因此， 它在宇宙飞船、卫星、太空探测器等电源方面的应用是有发展前 途的。 光电池的示意图 硅光电池的结构如图所示。它是在一块N型硅片上用扩 散的办法掺入一些P型杂质(如硼)形成PN结。当光照到当光照到 PN结区时，如果光子能量足够大，将在结区附近激发结区时，如果光子能量足够大，将在结区附近激发 出电子出电子- -空穴对，在空穴对，在N区聚积负电荷，区聚积负电荷，P区聚积

37、正电荷，区聚积正电荷， 这样这样N区和区和P区之间出现电位差区之间出现电位差。若将PN结两端用导线 连起来，电路中有电流流过，电流的方向由P区流经外 电路至N区。若将外电路断开，就可测出光生电动势。 1. 1. 光电池的结构和工作原理光电池的结构和工作原理 + 光 P N SiO2 RL (a) 光电池的结构图 I 光 (b) 光电池的工作原理示意图 P N 光电池的表示符号、基本电路及等效电路如图所示。 I U Id U I RL I (a)(b)(c) 图4.3-17 光电池符号和基本工作电路 L/klx L/klx 5 4 3 2 1 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 2468

38、10 开路电压 Uoc /V 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.3 0.1 012345 Uoc/V Isc /mAIsc/mA (a) 硅光电池(b)硒光电池 （1 1）光照特性）光照特性 开路电压曲线：光生电动势与照度之间的特性曲线， 当照度为2000lx时趋向饱和。 短路电流曲线：光电流与照度之间的特性曲线 2. 基本特性 开路电压 短路电流短路电流 短路电流，指外接负载相对于光电池内阻而言是 很小的。光电池在不同照度下，其内阻也不同， 因而应选取适当的外接负载近似地满足“短路” 条件。 下图表示硒光电池在不同负载电阻时的光 照特性。从图中可以看出，负载电阻RL越小，光 电流与

39、强度的线性关系越好，且线性范围越宽。 0246810 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 I/mA L/klx 50 100 1000 5000 RL=0 20 40 60 80 100 0.40.60.81.01.20.2 I / % 12 /m (2) (2) 光谱特性光谱特性 光电池的光谱特性决定于材料。从曲线可看出， 硒光电池在可见光谱范围内有较高的灵敏度，峰值波 长在540nm附近，适宜测可见光。硅光电池应用的范 围400nm1100nm，峰值波长在850nm附近，因此硅 光电池可以在很宽的范围内应用。 1硒光电池 2硅光电池 (3) (3) 频率特性频率特性 光电池作为测量、计

40、数、接收元件时常用调制光 输入。光电池的频率响应就是指输出电流随调制光频 率变化的关系。由于光电池PN结面积较大，极间电 容大，故频率特性较差。图示为光电池的频率响应曲 线。由图可知，硅光电池具有较高的频率响应，如曲 线2，而硒光电池则较差，如曲线1。 20 40 60 80 100 0 I / % 12345 1 2 f / kHz 1硒光电池 2硅光电池 （4 4）温度特性）温度特性 光电池的温度特性是指开路电压和短路电流随温度 变化的关系。由图可见，开路电压与短路电流均随温度 而变化，它将关系到应用光电池的仪器设备的温度漂移 ，影响到测量或控制精度等主要指标，因此，当光电池 作为测量元件

41、时，最好能保持温度恒定，或采取温度补 偿措施。 20 0406090 40 60 UOC/ mV T / C ISCUOC ISC / A 600 400 200 UOC开路电压 ISC 短路电流 硅光电池在1000lx照 度下的温度特性曲线 三、光敏二极管和光敏三极管三、光敏二极管和光敏三极管 光电二极管和光电池一样，其基本结构也是一个基本结构也是一个PN 结结。它和光电池相比，重要的不同点是结面积小，因 此它的频率特性特别好。光生电势与光电池相同，但光生电势与光电池相同，但 输出电流普遍比光电池小，一般为几输出电流普遍比光电池小，一般为几A到几十到几十A。按 材料分，光电二极管有硅、砷化镓

42、、锑化铟光电二极 管等许多种。按结构分，有同质结与异质结之分。其 中最典型的是同质结硅光电二极管。 国产硅光电二极管按衬底材料的导电类型不同，分 为2CU和2DU两种系列。2CU系列以N-Si为衬底，2DU 系列以P-Si为衬底。2CU系列的光电二极管只有两条引 线，而2DU系列光电二极管有三条引线。 1. 光敏二极管 光敏二极管符号如图。锗光敏二极管有A，B，C，D四 类；硅光敏二极管有2CU1AD系列、2DU14系列。 光敏二极管的结构与一般二极管相似、它装在透明 玻璃外壳中，其PN结装在管顶，可直接受到光照射。 光敏二极管在电路中一般是处于反向工作状态反向工作状态，如图 所示。 PN 光

43、 光敏二极管符号 RL 光 PN 光敏二极管接线 光敏二极管在没有光照射时，反向电阻很大，反向 电流很小。反向电流也叫做暗电流当光照射时，光敏 二极管的工作原理与光电池的工作原理很相似。当光不 照射时，光敏二极管处于载止状态，这时只有少数载流 子在反向偏压的作用下，渡越阻挡层形成微小的反向电 流即暗电流；受光照射时，受光照射时，PN结附近受光子轰击，吸结附近受光子轰击，吸 收其能量而产生电子收其能量而产生电子- -空穴对，从而使空穴对，从而使P区和区和N区的少数区的少数 载流子浓度大大增加，因此在外加反向偏压和内电场的载流子浓度大大增加，因此在外加反向偏压和内电场的 作用下，作用下， P区的少

44、数载流子渡越阻挡层进入区的少数载流子渡越阻挡层进入N区，区， N区区 的少数载流子渡越阻挡层进入的少数载流子渡越阻挡层进入P区，从而使通过区，从而使通过PN结的结的 反向电流大为增加，这就形成了光电流反向电流大为增加，这就形成了光电流。光敏二极管的 光电流 I 与照度之间呈线性关系。光敏二极管的光照特 性是线性的，所以适合检测等方面的应用。 （1 1） PINPIN管结光电二极管管结光电二极管 PIN管是光电二极管中的一种。它的结构特点是， 在P型半导体和N型半导体之间夹着一层（相对）很厚的 本征半导体。这样，PN结的内电场就基本上全集中于 I 层中，从而使PN结双电层的间距加宽，结电容变小。

45、 由式 = CjRL与 f = 1/2知，Cj小，则小，频带将变 宽。 P-Si N-Si I-Si PIN管结构示意图 最大特点：频带宽，可达10GHz。另一个特点 是，因为I层很厚，在反偏压下运用可承受较 高的反向电压，线性输出范围宽。由耗尽层宽 度与外加电压的关系可知，增加反向偏压会使 耗尽层宽度增加，从而结电容要进一步减小， 使频带宽度变宽。 不足：I层电阻很大，管子的输出电流小，一 般多为零点几微安至数微安。目前有将PIN管 与前置运算放大器集成在同一硅片上并封装于 一个管壳内的商品出售。 （2 2） 雪崩光电二极管雪崩光电二极管(APD)(APD) 雪崩光电二极管是利用PN结在高反

46、向电压下产生的 雪崩效应来工作的一种二极管。 这种管子工作电压很高，约100200V，接近于反向 击穿电压。结区内电场极强，光生电子在这种强电场中 可得到极大的加速，同时与晶格碰撞而产生电离雪崩反 应。因此，这种管子有很高的内增益，可达到几百。当 电压等于反向击穿电压时，电流增益可达106，即产生 所谓的雪崩。这种管子响应速度特别快，带宽可达 100GHz，是目前响应速度最快的一种光电二极管。 噪声大是这种管子目前的一个主要缺点。由于雪崩反 应是随机的，所以它的噪声较大，特别是工作电压接近 或等于反向击穿电压时，噪声可增大到放大器的噪声水 平，以至无法使用。但由于APD的响应时间极短，灵敏 度

47、很高，它在光通信中应用前景广阔。 2. 光敏三极管 光敏三极管有PNP型和NPN型两种，如图。其结构与一般 三极管很相似，具有电流增益,只是它的发射极一边做的 很大,以扩大光的照射面积,且其基极不接引线。当集电极 加上正电压,基极开路时,集电极处于反向偏置状态。当光 线照射在集电结的基区时,会产生电子-空穴对,在内电场的 作用下,光生电子被拉到集电极,基区留下空穴,使基极与发 射极间的电压升高,这样便有大量的电子流向集电极,形成 输出电流,且集电极电流为光电流的倍。 PPN NNP e b b c RL E ec 光敏三极管的主要特性： 光敏三极管存在一个最佳灵敏度的峰值波长。当入射 光的波长

48、增加时，相对灵敏度要下降。因为光子能量 太小，不足以激发电子空穴对。当入射光的波长缩短 时，相对灵敏度也下降，这是由于光子在半导体表面 附近就被吸收，并且在表面激发的电子空穴对不能到 达PN结，因而使相对灵敏度下降。 （1 1）光谱特性）光谱特性 相对灵敏度/% 硅 锗 入射光 / 400080001200016000 100 80 60 40 20 0 硅的峰值波长为9000， 锗的峰值波长为15000。 由于锗管的暗电流比硅管 大，因此锗管的性能较差。 故在可见光或探测赤热状 态物体时，一般选用硅管； 但对红外线进行探测时,则 采用锗管较合适。 0 500lx 1000lx 1500lx

49、2000lx 2500lx I/mA 2 4 6 20406080 光敏晶体管的伏安特性 （2 2）伏安特性）伏安特性 光敏三极管的伏安特性曲线如图所示。光敏三极 管在不同的照度下的伏安特性，就像一般晶体管在不 同的基极电流时的输出特性一样。因此，只要将入射 光照在发射极e与基极b之间的PN结附近，所产生的光 电流看作基极电流，就可将光敏三极管看作一般的晶 体管。光敏三极管能把光信号变成电信号，而且输出 的电信号较大。 U/V 光敏晶体管的光照特性 I / A L/lx 2004006008001000 0 1.0 2.0 3.0 （3 3）光照特性）光照特性 光敏三极管的光照特性如图所示。它

50、给出了光 敏三极管的输出电流 I 和照度之间的关系。它们 之间呈现了近似线性关系。当光照足够大(几klx) 时，会出现饱和现象，从而使光敏三极管既可作 线性转换元件，也可作开关元件。 暗电流/mA 光电流/mA 10 20 30 40 50 60 70 T /C 25 0 50 100 0 200 300 400 1020 30 4050 60 70 80 T/C 光敏晶体管的温度特性 （4 4）温度特性）温度特性 光敏三极管的温度特性曲线反映的是光敏三 极管的暗电流及光电流与温度的关系。从特性曲 线可以看出，温度变化对光电流的影响很小，而 对暗电流的影响很大所以电子线路中应该对暗 电流进行温

51、度补偿，否则将会导致输出误差。 （5 5）光敏三极管的频率特性）光敏三极管的频率特性 光敏三极管的频率特性曲线如图所示。光敏三极管的 频率特性受负载电阻的影响，减小负载电阻可以提高频 率响应。一般来说，光敏三极管的频率响应比光敏二极 管差。对于锗管，入射光的调制频率要求在5kHz以下。 硅管的频率响应要比锗管好。 01001000500500010000 20 40 60 100 80 RL=1k RL=10k RL=100k 入射光调制频率 / HZ 相 对 灵 敏 度 /% 图4.3-15光敏晶体管的频率特性 第四节第四节 其它光电传感器其它光电传感器 一、色敏光电传感器 P+ N P S

52、iO2 电极1 电极2 电极3 1 2 3 色敏光电传感器和等效电路 色敏光电传感器实际上是光电传感器的一种特殊 类型。它是两只结深不同的的光电二极管组合体，其结 构和工作原理的等效电路如图所示。 双结光电二极管的P+- -N结为浅结结为浅结，N- -P结为深结结为深结。当光 照射时，P+，N，P三个区域及其间的势垒区均有光子吸 收，但是吸收的效率不同。紫外光部分吸收系数大，经 过很短距离就被吸收完毕；因此，浅结对紫外光有较高 灵敏度。而红外光部分吸收系数小，光子主要在深结处 被吸收；因此，深结对红外光有较高的灵敏度。即半导 体中不同的区域对不同波长分别具有不同灵敏度。这一 特性为识别颜色提供

53、了可能性。利用不同结深二极管的 组合，即可构成测定波长的半导体色敏传感器。 具体使用时，首先对该色敏器件进行标定，也就是测 定在不同波长光照射下，深结的短路电流ISD2与浅结的 短路电流ISD1的比值 ISD2 / ISD1 。 ISD2在长波区较大， ISD1在短波区较大；因而 ISD2 / ISD1与入射单色光波长的 关系就可以确定。根据标定曲线，实测出某一单色光 的短路电流比值，即可确定该单色光的波长。 二、光固态图象传感器 光固态图象传感器由光敏元件阵列光敏元件阵列和电荷转移器件电荷转移器件 集合而成。它的核心是电荷转移器件电荷转移器件CTD(Charge Transfer Devic

54、e),最常用的是电荷耦合器件CCD(Charge Coupled Device)。CCD自1970年问世以后，由于它的低 噪声等特点，CCD图象传感器广泛的被应用在微光电视 摄像、信息存储和信息处理等方面。 1 1CCDCCD的结构和基本原理的结构和基本原理 P型Si 耗尽区 电荷转移方向 1 2 3 输出栅 输入栅 输入二极管输出二极管 SiO2 CCD的MOS结构 CCD是由若干个电荷耦合单元组成，该单 元的结构如图所示。CCD的最小单元是在P型 （或N型）硅衬底上生长一层厚度约为120nm的 SiO 2，再在SiO2层上依次沉积铝电极而构成 MOS的电容式转移器。将MOS阵列加上输入、

55、输出端，便构成了CCD。 当向SiO2表面的电极加正偏压时，P型硅衬 底中形成耗尽区（势阱），耗尽区的深度随正 偏压升高而加大。其中的少数载流子（电子） 被吸收到最高正偏压电极下的区域内（如图中 1极下），形成电荷包（势阱）。对于N型硅 衬底的CCD器件，电极加正偏压时，少数载流 子为空穴。 如何实现电荷定向转移呢？电荷转移的控制方法， 非常类似于步进电极的步进控制方式。也有二相、三相 等控制方式之分。下面以三相控制方式为例说明控制电 荷定向转移的过程。见图 P1 P1 P2 P2 P3 P3 P1 P1 P2 P2 P3 P3 P1 P1 P2 P2 P3 P3 P1P1P2P2P3P3 (

56、a) 1 2 3 t0t1t2t3 t (b) 电荷转移过程 t=t0 t=t1 t=t2 t=t3 0 三相控制是在线阵列的每一个像素上有三个金属电 极P1,P2,P3,依次在其上施加三个相位不同的控制脉冲1， 2，3，见图（b）。CCD电荷的注入通常有光注入、 电注入和热注入等方式。图(b)采用电注入方式。当P1极 施加高电压时，在P1下方产生电荷包（t=t0）；当P2极加 上同样的电压时，由于两电势下面势阱间的耦合，原来 在P1下的电荷将在P1、P2两电极下分布（t=t1）；当P1回 到低电位时，电荷包全部流入P2下的势阱中（t=t2）。然 后，p3的电位升高，P2回到低电位，电荷包从P

57、2下转到 P3下的势阱（t=t3），以此控制，使P1下的电荷转移到P3 下。随着控制脉冲的分配，少数载流子便从CCD的一端 转移到最终端。终端的输出二极管搜集了少数载流子， 送入放大器处理，便实现电荷移动。 2 2线型线型CCDCCD图像传感器图像传感器 线型CCD图像传感器由一列光敏元件与一列CCD并行 且对应的构成一个主体,在它们之间设有一个转移控制栅, 如图4.4-4(a)所示。在每一个光敏元件上都有一个梳状公 共电极,由一个P型沟阻使其在电气上隔开。当入射光照 射在光敏元件阵列上,梳状电极施加高电压时,光敏元件聚 集光电荷,进行光积分,光电荷与光照强度和光积分时间成 正比。在光积分时间

58、结束时,转移栅上的电压提高(平时 低电压),与CCD对应的电极也同时处于高电压状态。然 后,降低梳状电极电压，各光敏元件中所积累的光电电荷 并行地转移到移位寄存器中。当转移完毕,转移栅电压降 低,梳妆电极电压回复原来的高电压状态,准备下一次光积 分周期。同时,在电荷耦合移位寄存器上加上时钟脉冲,将 存储的电荷从CCD中转移,由输出端输出。这个过程重复 地进行就得到相继的行输出,从而读出电荷图形。 目前，实用的线型CCD图像传感器为双行结构，如 图（b）所示。单、双数光敏元件中的信号电荷分别转移 到上、下方的移位寄存器中，然后，在控制脉冲的作用 下，自左向右移动，在输出端交替合并输出，这样就形

59、成了原来光敏信号电荷的顺序。 转移栅 光积分单元 不透光的电荷转移结构 光积分区 输出 转移栅 (a) (b) 线型CCD图像传感器 输出 3 3面型面型CCDCCD图像传感器图像传感器 面型CCD图像传感器由感光区、信号存储区 和输出转移部分组成。目前存在三种典型结构 形式，如图所示。 图(a)所示结构由行扫描电路、垂直输出寄 存器、感光区和输出二极管组成。行扫描电路 将光敏元件内的信息转移到水平（行）方向上 ，由垂直方向的寄存器将信息转移到输出二极 管，输出信号由信号处理电路转换为视频图像 信号。这种结构易于引起图像模糊。 二相驱动视频输出 行 扫 描 发 生 器 输 出 寄 存 器 检波

60、二极管 二相驱动 感光区 沟阻 P1 P2 P3 P1 P2 P3 P1 P2 P3 感光区 存储区 析像单元 视频输出 输出栅 串行读出 面型CCD图像传感器结构 (a)(b) 图（b）所示结构增加了具有公共水平方向 电极的不透光的信息存储区。在正常垂直回扫周 期内，具有公共水平方向电极的感光区所积累的 电荷同样迅速下移到信息存储区。在垂直回扫结 束后，感光区回复到积光状态。在水平消隐周期 内，存储区的整个电荷图像向下移动，每次总是 将存储区最底部一行的电荷信号移到水平读出器， 该行电荷在读出移位寄存器中向右移动以视频信 号输出。当整帧视频信号自存储移出后，就开始 下一帧信号的形成。该CCD