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文档简介
1、场发射显示器之展望场发射显示器之展望The Prospects of Field Emission Displays 大同公司FED研发处罗吉宗处长 DVMDFED vs other displays. What is the Field Emission Display (FED) ? . Kinds of field emission display.The traditional FEDs PixTech, Motorola, Candescent/Sony, Futaba.The New Approaches pFED, SED and CNT FED. The prospects o
2、f commercial FED. 简报内容 简报内容. FED vs other displays. What is the Field Emission Display (FED) ? . Kinds of field emission display.The traditional FEDs PixTech, Motorola,Candescent/Sony, Futaba. The New Approaches pFED, SED andCNT FED. The prospects of commercial FED.FED与其他类型显示器之特性比较: good ; O: medium
3、 ; X : badO(75%NTSC)O(72%NTSC)(90%NTSC)O(75%NTSC)(94%NTSC)Color Fidelity(5000:1)X(1000:1)O(3000:1)(5000:1)(10000:1)Contrast (Dark)o(800nits)o(600nits)o(640nits)o(400nits)(800nits)BrightnessX(525line)(1920x1080)X(1024x768)(1920x1080)(1920x1080)High Resolutiono(200W)o(240W)X(385W)(150W)(150W)Low Power
4、 Consumption(1ms)X(8ms)(1ms)(1ms)(8600:1Announced on Sep. 14, 2004(Surface-conduction Electron-emitter Display,表面传导电子发射显示器 )CNT-FEC发展较为积极的公司有日本的伊势电子,NEC,三菱电机,韩国的三星电子丄G电子,台湾的工研院电子所等 .CNT为较佳电子发射源之理由:高宽比 (aspect ratio) 大, 尖端的曲率半径小 , 易穿隧电子 .Conductivity 大, 导电 , 导热佳化性稳定 , 机械强度强 .SID 2000 Display of the Y
5、earSilver Award WinnerSource: ISE (2001)ISEs Field Emission Lamp ModuleCNT- FEDCNT- FEDISEs FEDCNT- FEDISEs FEDTest image of a fully sea 9-inch CNTs-FED (Samsung)CNT- FEDSamsungs CNT-FEDSamsung在2003年IVMC以录影展示自家38吋CNT FEDDVMDThe prospects of commercial FEDCNT易结团难均匀分布,浆料之调制技术与不同之涂布 emitter技术尚在发展中 但LCD
6、之背光源(BLU)或高亮度灯具结构较简单,将可於一两年内上市,再向 CNT-FEDk市努力.商用的大面积FED技术,将有pFED,SED&CNT-FED出.Toshiba & Cannon已宣 布将於2007年正式量产SED.CN之场发射源应用将以背光源或高亮度灯具为优 先.大同公司的FED技术展望:大同公司之FED技术竞争力:大同公司在92年业界科专开始FED研发工作,至今已拥有高精细网印技术, 阳极板制作技术 , 真空封装技术 , 并在上期计划展示 4 吋 color FED panel.大同公司有CRT,TFT-LCD,PDP勺技术基础,对FED的研发助益很大,在这期计 划中有三项技术优
7、势 :制作有特色之FED阴极板:以网印的厚膜技术实现大面积 化,以黄光微影技术 提高影像解析度和画素均匀性 .开发 printable spacer: 应用网印和喷砂技术制作稳定的 Spacer 架构 , 因有华 映制作 PDP rib 的经验, 成功的机会很高 .使用MIMIV的PFE IPs调制最佳的emitter和insulator 浆料,并在spacer上 以薄膜技术解决辉光闪烁问题,因有MIMIV专家指导,我们有信心做好这些关键 技术 .A:9294年:Dy node强化场发射核心技术开发与智权布局(业界科专计画) B:9596 年:20 吋场发射显示技术深耕 (业界科专计画 - 本计划)C:97 年: 大於 40吋场发射显示面板试验工厂D:98年:BLU量产E:99 年: 大於 40 吋场发射显示面板产品量产 量产性A (Lab)商品规格检讨 建立基础技术 智权布局B ( 技术深耕 )20FED驱动电路面板设计制程验证制程 QC产品规格Pilot 规划C (Pilot Plant)验证40的大尺寸化FED技术建立良品率与产能分析成本分析设备采购与厂房建构 C1安装试车 C2良率改善 C3D ( 试
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