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文档简介
1、第一章半导体二极管一. 半导体的基础知识1. 半导体 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、错Ge)。2. 特性 光敏、热敏和掺杂特性。3. 本征半导体-纯净的具有单晶体结构的半导体。4. 两种载流子-带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5. 杂质半导体-在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)*N 型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。*体电阻通常把杂质半导体自身的电阻
2、称为体电阻。*转型 通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。7. PN 结* PN 结的接触电位差 硅材料约为0.60.8V,错材料约为 0.20.3V。* PN 结的单向导电性-正偏导通,反偏截止。8. PN结的伏安特性jL WmA托向特性c r反向特性% mfTTh/uA二. 半导体二极管*单向导电性正向导通,反向截止。*二极管伏安特性-同PN结。* 正向导通压降 硅管0.60.7V,错管0.20.3V*死区电压 硅管0.5V,错管0.1V。3. 分析方法将二极管断开,分析二极管两端电位的高低若V阳V阴(正偏),二极管导通(短路);若V阳V阴(反偏),二极管截止(开路
3、)。1)图解分析法1盘该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。6R4立仞二极管电路2) 等效电路法?直流等效电路法*总的解题手段-将二极管断开,分析二极管两端电位的高低 若V阳V阴(正偏),二极管导通(短路); 若V阳V阴(反偏),二极管截止(开路)。*三种模型t9U? 微变等效电路法if(d)小信号複型三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性正常工作时处在 PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连第二章三极管及其基本放大电路一. 三极管的结构、类型及特点1. 类型-分为NPN和PNP两种。2. 特点基区很薄,且掺杂浓度最低;发射区掺杂浓度很高,与基区接触面积较小;集电区掺杂浓
4、度较高,与基区接触面积较大。二. 三极管的工作原理1. 三极管的三种基本组态丄VTVIe-書LK闰只发射极织念kUL#极纽态2. 三极管内各极电流的分配/C=/CN+/CBO 4 = /b + /ct = /b + /c/h- /c bo*共发射极电流放大系数 (表明三极管是电流控制器件P /BN+ (!+ )/:bo =/b+/cn式子门/小z称为穿透电流。3. 共射电路的特性曲线*输入特性曲线-同二极管。A.2?测试电跆M材化的H務教等效电HI*输出特性曲线(饱和管压降,用 UCes表示放大区 发射结正偏,集电结反偏。截止区 发射结反偏,集电结反偏。4. 温度影响温度升高,输入特性曲线向左
5、移动。温度升高I CB6 | CEO、 IC以及B均增加三. 低频小信号等效模型(简化)hie输岀端交流短路时的输入电阻,常用r be表示;hfe 输岀端交流短路时的正向电流传输比,常用B表示;四. 基本放大电路组成及其原则1. VT、 V、 Rb、 R、C、G的作用。2. 组成原则-能放大、不失真、能传输。五. 放大电路的图解分析法1. 直流通路与静态分析* 概念直流电流通的回路。* 画法电容视为开路。*作用确定静态工作点*直流负载线-由VxIcR+Lce确定的直线。*电路参数对静态工作点的影响1 )改变R : Q点将沿直流负载线上下移动。2 )改变R : Q点在I bq所在的那条输岀特性曲
6、线上移动。3 )改变Vcc:直流负载线平移,Q点发生移动。2. 交流通路与动态分析*概念 交流电流流通的回路*画法 电容视为短路,理想直流电压源视为短路。*作用分析信号被放大的过程。*交流负载线 连接Q点和V cc点 V CC = UCeq+I cQR l的 直线。3.静态工作点与非线性失真(嵋入箝希閘解秋(1) 截止失真*产生原因Q点设置过低*失真现象-NPN管削顶,PNP管削底。*消除方法减小Fb,提高Q。(2) 饱和失真*产生原因Q点设置过高*失真现象-NPN管削底,PNP管削顶。*消除方法 增大R、减小FC、增大Vcc。4. 放大器的动态范围(1) UOpp-是指放大器最大不失真输岀电
7、压的峰峰值。(2) 范围* 当(UcEQ UCeS)( Vcc UcEQ )时,受截止失真限制,LOpF=2LOmA=2I CqR.(1)惋入持忡曲斛认六tCECD0A0B5右严nc n ft.KVT瓦他5MUVT踰脸迖i(a)直流通路RB B Rc。2. 放大电路的动态分析*放大倍数*输入电阻1.静态分析3)交流通路Ch)微变等效电路=7?b/rbc*输出电阻(U=EQ U=ES)V( Vcc UCEQ )时,受饱和失真限制,LOpF=2LOmA=2 ( U=EQ gs)(U:EC U:ES) = ( Vcc一 UcEQ ),放大器将有最大的不失真输岀电压。放大电路的等效电路法o+Kcc-o
8、+Kcc(b)直流通路A K 丄厂厂稳罡工作点放大器*当*当(1)静态工作点的近似估算f;CFQ = J CC * Gq%(2) Q点在放大区的条件欲使 Q点不进入饱和区,应满足(小 菇本共射放大电路七.分压式稳定工作点共射放大电路的等效电路法1 静态分析23r f B BEQaa2 动态分析*电压放大倍数在Re两端并一电解电容 ce后输入电阻1气 h+ Ui 爲j)= 微变等效电路I ee - f 心+(1 + “尺卍7CQ 忌 /bq气=心1心2lf赴+(1十)尽J在Re两端并一电解电容 ce后R =*输出电阻八.共集电极基本放大电路1 静态分析f rCEQ 矽 r CC CQ2 动态分析
9、*电压放大倍数;U+厮 I ii士f;i rbe +(1 + )| *输入电阻*输出电阻帶3. 电路特点*电压放大倍数为正,且略小于1,称为射极跟随器,简称射随器。* 输入电阻高,输岀电阻低。第三章场效应管及其基本放大电路结型场效应管(JFET )1. 结构示意图和电路符号2. 输出特性曲线(可变电阻区、放大区、截止区、击穿区)二.绝缘栅型场效应管(MOSFET分为增强型(EMOS和耗尽型(DMOS两种 结构示意图和电路符号三.场效应管的主要参数1. 漏极饱和电流IDSS2. 夹断电压U3. 开启电压UTf=OV-1PI-5V_o hK Uyh-ii UM e“V辂出特件4. 直流输入电阻FG
10、s5. 低频跨导gm (表明场效应管是电压控制器件GSDIS =常数第四章多级放大电路级间耦合方式1. 阻容耦合-各级静态工作点彼此独立;能有效地传 流信号;体积小,成本低。但不便于集成,低频特性差。2. 变压器耦合-各级静态工作点彼此独立,可以实现输交阻抗变换。体积大,成本高,无法采用集成工艺;不利于传输低频和高频信号。3.直接耦合-低频特性好,便于集成。各级静态工作点不独立,互相有影响。存在“零点漂 移”现象。* 零点漂移-当温度变化或电源电压改变时,静态工作点也随之变化,致使 值“零点”而作随机变动。二.单级放大电路的频率响应uo偏离初始1 中频段(f LW f fH)usm2 低频段(
11、f f H)-* +JU .Ak血-JY(a)高離屜出倍r毎数著致电齡血叶讪01O-Oi/iU-/L A Wl 丄uu斤41*I -10dB/dec 了4 完整的基本共射放大电路的频率特性-5.71*-45(一曲冷 -PU*I - 457dar /U rJ 1A Aiiyi, u.i11O-1/h .6|0/m护 (F-WT L55* -1KLF -225fi -27IJ*亢博的建本趺財放人电样的频响曲线Nmiflfxj -UMIl _ JJ J J . l加+恥)(l + m)g伽)三.分压式稳定工作点电路的频率1 下限频率的估算响应丘麻龟沁2上限频率的估算人1J-DHHI a臥8分从成从时
12、电路低帧啓海合打專数霁效电略分斥弍冀财申跻橋频段混合*莠数等效电路四.多级放大电路的频率响应1. 频响表达式201引如| + 2盹应|4几工| +十则?|鶴|卩二列+毋+- + Pn二工麻k-12. 波特图2险 |Au|/dB f 3dBMg|Z6dB3dE ;201锐|两级忖40证/血单级gX-JMB/decN /n; ;A f j/w 说31 斤 Q cjimce功咸电挤的1作狀态? 甲乙类双电源互补对称功率放大器 置电压。动态指标按乙类状态估算。? 甲乙类单电源互补对称功率放大器 功放中的负电源-Me。动态指标按乙类状态估算,只是用四.复合管的组成及特点第五章功率放大电路一. 功率放大电
13、路的三种工作状态1. 甲类工作状态导通角为360 , Icq大,管耗大,效率低。2. 乙类工作状态lea 0 ,导通角为180,效率咼,失真大。3. 甲乙类工作状态导通角为180360,效率较高,失真较大。二. 乙类功放电路的指标估算1. 工作状态? 任意状态:Ubma Uim?尽限状态:Ubm=V=e- UCes?理想状态:Ubma V2.输出功率3. 直流电源提供的平均功率d 1 t _ j *cc omArr - 1 皂CJ(AX/) -Jum4. 管耗Pcin=0.2Pm1 :f 山 r,1 15. 效率:kHwn战用牡J理想时为78.5%三. 甲乙类互补对称功率放大电路1. 问题的提
14、出在两管交替时出现波形失真交越失真(本质上是截止失真)2. 解决办法OCL-利用二极管、三极管和电阻上的压降产生偏OTL-电容C2上静态电压为 Vx/2,并且取代了 OCLV/2代替。1. 前一个管子c-e极跨接在后一个管子的 b-c极间2. 类型取决于第一只管子的类型。3.3 = 312第六章集成运算放大电路一. 集成运放电路的基本组成1. 输入级-采用差放电路,以减小零漂。2. 中间级-多采用共射(或共源)放大电路,以提高放大倍数。3. 输出级-多采用互补对称电路以提高带负载能力。4. 偏置电路-多采用电流源电路,为各级提供合适的静态电流。二. 长尾差放电路的原理与特点1. 抑制零点漂移的
15、过程 -当 T fl i C1、 i C2 fl i E1、 i E2 fl Ue fl UBE1、 UbE2i B1、i B2i C1、i C2 JR e对温度漂移及各种共模信号有强烈的抑制作用,被称为“共模反馈电阻”。2静态分析1)计算差放电路I C设 UB 0,贝U UE= 0.7V,rEE -0,7Rt/22RC2)计算差放电路UCe? 双端输出时? CEI = fCE2【E =& -十山 了? 单端输岀时(设VT1集电极接R)对于VT1:C 1 =+* r0时,A f下降,这种反馈称为负反馈。2当AF=0时,表明反馈效果为零。3当AFV0时,A f升高,这种反馈称为正反馈。4当AF=
16、- 1时,Afis。放大器处于“自激振荡”状态。反馈的形式和判断1.反馈的范围-本级或级间2. 反馈的性质-交流、直流或交直流。直流通路中存在反馈则为直流反馈,交流通路中存在反馈则为交流反馈,交、直流通路中都存在反馈 则为交、直流反馈。3. 反馈的取样-电压反馈:反馈量取样于输岀电压;具有稳定输岀电压的作用 (输出短路时反馈消失)电流反馈:反馈量取样于输岀电流。具有稳定输岀电流的作用。(输出短路时反馈不消失)4.反馈的方式-并联反馈:反馈量与原输入量在输入电路中以电串联反馈:流形式相叠加。FS越大反馈效果越好。 反馈信号反馈到输入端)反馈量与原输入量在输入电路中以电压的形式相叠加。FS越小反馈
17、效果越好。反馈信号反馈到非输入端)5.反馈极性-瞬时极性法:(1)假定某输入信号在某瞬时的极性为正(用+表示),并设信号的频率在中频段。(2)根据该极性,逐级推断岀放大电路中各相关点的瞬时极性(升高用+表示,降低用一表示)。(3)确定反馈信号的极性。(4) 根据X与X f的极性,确定净输入信号的大小。Xd减小为负反馈;Xid增大为正反馈。三.反馈形式的描述方法某反馈元件引入级间(本级)直流负反馈和交流电压(电流)串 联(并联)负反馈。四.负反馈对放大电路性能的影响1.提高放大倍数的稳定性dL4f1dA2.Aj 1 + AF A3.扩展频带4.减小非线性失真及抑制干扰和噪声5.改变放大电路的输入
18、、输岀电阻*串联负反馈使输入电阻增加1+AF 倍*并联负反馈使输入电阻减小1+AF 倍*电压负反馈使输出电阻减小1+AF 倍*电流负反馈使输岀电阻增加1+AF 倍五.自激振荡产生的原因和条件1. 产生自激振荡的原因附加相移将负反馈转化为正反馈2. 产生自激振荡的条件若表示为幅值和相位的条件则为:玖F沖儿十牺=士2+1)畀5为幣数)第八章 分析依据-“虚断”和“虚短”一. 基本运算电路1.反相比例运算电路R2 = Ri Rf2. 同相比例运算电路R2= R Rf3. 反相求和运算电路信号的运算与处理(a)用麻瞎式R4=Ri R2/ R3/ Rf4. 同相求和运算电路Ri R/ R 皆Rf R51. 11和込邸m弗=(1 +啓)(字站11+字屿* + 字旳古)耳叫 Ji2 吗5.加减运算电路Ri R/ R=F3 R R申运诙如睡话熬电陆二.积分和微分运算电路1.积分运算2.微分运算。=flcir茅本积分远轩必蹄A第九章信号发生电路正弦波振荡电路的基本概念1.产生正弦波振荡的条件(人为的直接引入正反馈)自激振荡的平衡条件即幅值平衡条件:相位平衡条件:力严2帧(冋,I,2)2. 起振条件幅值条件:L|A1相位条件:0AF3. 正弦波振荡器的组成、分类正弦波振荡器的组成与放大电路共
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