半导体二极管和三极管教材

1、第15章半导体二极管、三极管1. N型半导体的多数载流子是电子，因此它应（）。（a）带负电 （b）带正电 （c）不带电2当温度升高时，半导体的导电能力将（）。（a）增强 （b）减弱 （c）不变3在PN结中形成空间电荷区的正、负离子都带电，所 以空间电荷区的电阻率（）。（a）很高（b）很低（c）等于N型或P型半导体的电阻率 4半导体二极管的主 要特点是具有（）。（a）电流放大作用（b）单向导电性（c）电压放大作用5理想二极管的正向电阻为（c）约几千欧（a）零（b）无穷大电位如图所示,则二极管工作状态为（）。(a)导通(b)截止V aDb V626二极管接在电路中,若测得a、b两端（c）击穿7如果

2、把一个小功率二极管直接同一个电源电压为 1.5V、内阻为零的电池实行正向连接，电路如图所示， 则后果是该管（）。（a）击穿（b）电流为零（c） 电流正 常（d）电流过大使管子烧坏（严7D8电路如图所示，二极管D为理想元件，Us=5V，则电 压 Uo=()。(c)零(a) Us(b) Us/ 2D9电路如图所示，所有二极管均为理想元件，则D2、D3的工作状态为()。(a) D i导通，D 2、D 3截止(b) D1、D2截止，D3导通(c) D1、D3截止，D2导通(d) Di、D2、D3 均截止 +12VDi门RH咽VOV 楓|DaD2+6V-*10电路如图所示，二极管Di、D2为理想元件，判

3、断Di、D2的工作状态为()。(a)Di导通，D2截止(b)D1导通,D2导通(c)Di截止，D2导通(d)Di截止，D2截止15VDid2-12V11型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降 约为()。(a) 1V (b) 0.2 V(c)0.6 V12电路如图所示，二极管为同一型号的理想元件，电阻R = 4 k，电位Ua=1V， Ub =3V，则电位Uf等于()。(a) 1 V(b)3 V(c)12 VO+12VDJLJD1F1RUaUFUB13电路如图所示，二极管为理想元 件，u=6sin t V, U=3V，当-t=2瞬间,输出电压Uo等于(a) 0 V(b) 6 VD(c)3

4、VUiUoOui14035电路如图所示，D为理想二极管,Ui = 6si nt V，则输出电压的最大值UOM =() O(a) 6 V(b)3 V(c) 3 VUiUo3V15039电路如图1所示， 图2,二极管正向导通已知 U = 6V, u =18sin tV,时的压降可忽略不计，管两端电压ud的波形为图3中()uVd+Ud-_-16040电路如图1所U =3V, u =6sin tV ,则示，二极管D为理想元件， 输出电压Uo的波形为图2中R17047电路如图1所示，二极管D为理想元件，当输入电 压Ui为矩形脉冲信号如图2所示，且RCTp时，输 出电压uO的波形为图3中（）。18050电

5、路如图所示，Di ,D2均为硅管（正向压降0.7V）, D为锗管（正向压降0.3V）, U = 6V，忽略二极管的反向 电流，则流过Di、D2的电流分别为（）。（a） 2mA, 2mA（b）0 , 2mA （c） 2mA, 0理想二极管，当输入信号ui = 6 sin 3 tV时，输出电压uO的最大值为(a)+1V(b)+4V(c) +6V20057电路女口图所示，D为硅二极管，根据所给出的电路参数判断该管为()。(a) 正偏(b) 反偏(c)零偏?州2V11DI7115k120k.110k.】15k1.121060稳压管反向击穿后，其后果为(a)永久性损坏(b) 只要流过稳压管电流不超过规定

6、值允许范围, 管子无损(c)由于击穿而导致性能下降22061温度稳定性最好的稳压管是 (a) 稳定电压Uz = 6 V的管子(b) 稳定电压Uz 6 V的管子(c) 稳定电压Uz 6 V的管子 23064稳压管的动态电阻rz是指(a) 稳定电压Uz与相应电流lz之比(b) 稳压管端电压变化量:Uz与相应电流变化量.：|z的比值(c) 稳压管正向压降与相应正向电流的比值24065动态电阻rz是表示稳压管的一个重要参数，它 的大小对稳压性能的影响是 ()。(a) rz小则稳压性能差(b) rz小则稳压性能好(c) rz的大小不影响稳压性能25067电路如图所示，稳压管的稳定电压Uz =10V，稳压

7、 管的最大稳定电流Izmax = 20 mA，输入直流电压Ui =20V，限流电阻R最小应选()。(a) 0.1k(b) 0.5k(c) 0.15k1oo-+U|o-26068电路如图所示，直流电压Ui =10 V，稳压管的稳定 电压Uz = 6 V， 则限流电阻R上的压降Ur为()。(a)10V(b) 6V (c) 4V (d)-4V+UrUiDz7Uo27070图1所示电路中,极管D 为理想元件，设Ui=10sin tV,稳压管Dz的稳定电压为5V,正向压降不计，则输出电压UO的波为图2中(DOUo/V(a)，t图228071电路如图所示，稳压管Dz正向压降视为零，它的 稳定电压为7V，则

8、回路中的电流等于 ()。(a)0(b) 10mA (c) 25mA(d)5.75mADzi的稳定电压为6 V, Dz2定电压为12 V,设稳压管的正向压降为0.7 V,则输出电压Uo等于（(a)18V(b)6.7V(c) 30V(d)12.7V管是由（）。（a）一个PN结组成（b）二个PN结组成（c）三个PN结组成31079测得电路中工作在放大区的某 晶体管三个极 的电位分别为0V、-0.7V和-4.7V，则该管为 （）。（a） NPN 型锗管（b） PNP 型锗管（c） NPN型硅管（d） PNP型硅管32080已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为 Ve = -1.7V，Vb= -1.4

9、V，Vc = 5V，则该管 类型为（）。（a） NPN 型锗管（b） PNP 型锗管（c） NPN型硅管（d） PNP型硅管33083图示的三极管接在放大电路中，该管工作正常， 测得Ube = -0.3V，则此管的类型为（ ）。（a） PNP 型锗管（b） NPN型锗管（c） PNP型硅管（d） NPN 型硅管34084晶体管的主要特点是具有（）。（a）单向导电性（b）电流放大作用 （c）稳压作用 35086如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由 正偏导通改为反偏，则集电极电流（ ）。（a）反向 （b）近似等于零(c)不变(d)增1大36088晶体管处于截止状态时，集电结和发射结的偏置情况为

10、（）。（a）发射结反偏，集电结正偏(b)发射结、集电结均反偏（c）发射结、集电结均正偏(d)发射结正偏，集电结反偏37090已知某晶体管处于放大状态，测得其三个极的 电位分别为6V、9V和6.3V，则6V所对应的电极为（ ）。（a）发射极 （b）集电极（c）基极38091晶体管的穿透电流I CEQ是表明（）。(a)该管温度稳疋性好坏的参数(b)该管允许通过最大电流的极限参数(c)该管放大能力的参数39093表明晶体管质量优劣的主要参数是()。(a)-1 CBO（hCEO .)(bI CM、P CM(c)U（BR) CEO,ICM40095 某晶体管的集电极的最大允许耗散功率PciM =500

11、mW，集电极最大允许电流Icm=500 mA,在实际应用线路中测得I它的勺集电极电流IC =1100mA, Uce :=6V,苴丿、后果为（）。(a)该管应过执八、而损坏(b)该管可长期安全工作(c) 该管可安全工作、但1将下降41100已知某晶体管的Iceo为2003 ,当基极电流为20 3时，集电极电流为1mA，则该管的Icbo约等于 ( )。(a) 8 mA (b) 10 mA (c)53(d) 20 342102单管放大电路的静态基极电流Ib适当增加时，晶体管的输入电阻he将(a)减小 (b)增加(c)不变43104在计算低频小功率晶体管输入电阻rbe时，有三 位同学用了三种方法，而且

12、计算结果差别很大，请指 出正确的表达式是 ()。(a)U berbe =1 B(b)rbe =(c)rbe = 300+26mVI BmA体管输出特性曲线中 放大区 (b) 饱和区44106所谓晶() (a)45108如果接在电路中某晶体管的 路，则(的线性区域是指(c) 截止区基极与发射极短(a)管子深度饱和(b)管46111截止图中已标 状态的晶出各硅体管是子截止(C)管子晶体管 电极的 电位，判断处于(工作在放大状态5.3 V 1Vo 3V好 0.5V-2.3V0.7 V10V6 6V右 QV6 0V9.7V(a)(b)(0(d)47113测得某一 PNP硅管三个极的电位是：Vb = -

13、3.2V,Ve = -2.5V, Vc = -7V,则该管工作在()。(a)线性放大状态(b)饱和工作状态(c)截止工作状态48116电路如图所示，晶体管处于()。(a) 饱和状态(b)放大状态 (c) 截止状态49118电路如图所示，静态时晶体管处于(a)饱和状态(b)放大状态 (c)截止状态12V50123某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则该场 效应管为()。(a) P沟道耗尽型MOS管(b) N沟道增强型MOS管 (c) P沟道增强型MOS管(d) N沟道耗尽型MOS管由此可判断该场效应管为(漏极特性曲线，。(a)绝缘栅N沟道耗尽型如图所示，则此场效应)栅N沟道耗尽型 栅P沟道耗尽型数GS/ V(b) 绝缘栅P沟道耗尽型(c) 绝缘栅N沟道增强型52130某场效应管的转移特性 管为(a)(b)的值。54135某绝缘栅场效应管的符号如图所示，则该绝缘 ( )。型(b) N沟道耗尽型 (c) P沟道耗尽型所示，设二极管Di，D2为理想元件，试 计算电路中电流I1， I2DiIi