靶材生产制造项目申报材料模板

1、泓域咨询/靶材生产制造项目申报材料靶材生产制造项目申报材料泓域咨询 报告说明靶材是溅射薄膜制备的源头材料，又称溅射靶材。是制备晶圆、面板、太阳能电池等表面电子薄膜的关键材料。该靶材项目计划总投资25253.14万元，其中：固定资产投资16679.48万元，占项目总投资的66.05%；流动资金8573.66万元，占项目总投资的33.95%。达产年营业收入60010.00万元，总成本费用45103.44万元，税金及附加479.78万元，利润总额14906.56万元，利税总额17442.42万元，税后净利润11179.92万元，达产年纳税总额6262.50万元；达产年投资利润率59.03%，投资利税

2、率69.07%，投资回报率44.27%，全部投资回收期3.76年，提供就业职位883个。溅射靶材是利用物理气相沉积技术制备电子薄膜材料的被轰击材料，广泛应用于半导体芯片、太阳能电池、平板显示、信息存储等领域，其中半导芯片用溅射靶材技术要求最高，具有规模化生产能力的企业数量也相对较少，主要分布在美国、日本等国家和地区。目录第一章 项目概论第二章 项目承办单位第三章 投资背景和必要性分析第四章 产业分析预测第五章 产品规划方案第六章 项目选址评价第七章 工程设计第八章 项目工艺说明第九章 项目环境影响分析第十章 企业安全保护第十一章 项目风险评价第十二章 节能第十三章 进度方案第十四章 投资方案计

3、划第十五章 经济收益分析第十六章 评价及建议第十七章 项目招投标方案第一章 项目概论一、项目提出的理由超大规模集成电路制造过程中要反复用到的溅射（Sputtering）工艺属于物理气相沉积（PVD）技术的一种，是制备电子薄膜材料的主要技术之一，它利用离子源产生的离子，在高真空中经过加速聚集，而形成高速度能的离子束流，轰击固体表面，离子和固体表面原子发生动能交换，使固体表面的原子离开固体并沉积在基底表面，被轰击的固体是用溅射法沉积薄膜的原材料，称为溅射靶材。靶材材料的技术发展趋势与下游应用产业的薄膜技术发展趋势息息相关，随着应用产业在薄膜产品或元件上的技术改进，靶材技术也应随之变化。镀膜靶材是通

4、过磁控溅射、多弧离子镀或其他类型的镀膜系统在适当工艺条件下溅射在基板上形成各种功能薄膜的溅射源。简单说的话，靶材就是高速荷能粒子轰击的目标材料，用于高能激光武器中，不同功率密度、不同输出波形、不同波长的激光与不同的靶材相互作用时，会产生不同的杀伤破坏效应。例如：蒸发磁控溅射镀膜是加热蒸发镀膜、铝膜等。更换不同的靶材(如铝、铜、不锈钢、钛、镍靶等)，即可得到不同的膜系(如超硬、耐磨、防腐的合金膜等)。二、项目概况（一）项目名称靶材生产制造项目（二）项目选址xxx出口加工区项目建设区域以城市总体规划为依据，布局相对独立，便于集中开展科研、生产经营和管理活动，并且统筹考虑用地与城市发展的关系，与项目

5、建设地的建成区有较方便的联系。所选场址应避开自然保护区、风景名胜区、生活饮用水源地和其他特别需要保护的环境敏感性目标。项目建设区域地理条件较好，基础设施等配套较为完善，并且具有足够的发展潜力。（三）项目用地规模项目总用地面积58262.45平方米（折合约87.35亩）。（四）项目用地控制指标该工程规划建筑系数57.62%，建筑容积率1.57，建设区域绿化覆盖率7.27%，固定资产投资强度190.95万元/亩。（五）土建工程指标项目净用地面积58262.45平方米，建筑物基底占地面积33570.82平方米，总建筑面积91472.05平方米，其中：规划建设主体工程69859.75平方米，项目规划绿

6、化面积6652.83平方米。（六）设备选型方案项目计划购置设备共计149台（套），设备购置费5346.20万元。（七）节能分析1、项目年用电量576478.11千瓦时，折合70.85吨标准煤。2、项目年总用水量43960.22立方米，折合3.75吨标准煤。3、“靶材生产制造项目投资建设项目”，年用电量576478.11千瓦时，年总用水量43960.22立方米，项目年综合总耗能量（当量值）74.60吨标准煤/年。达产年综合节能量21.04吨标准煤/年，项目总节能率29.10%，能源利用效果良好。（八）环境保护项目符合xxx出口加工区发展规划，符合xxx出口加工区产业结构调整规划和国家的产业发展政

7、策；对产生的各类污染物都采取了切实可行的治理措施，严格控制在国家规定的排放标准内，项目建设不会对区域生态环境产生明显的影响。（九）项目总投资及资金构成项目预计总投资25253.14万元，其中：固定资产投资16679.48万元，占项目总投资的66.05%；流动资金8573.66万元，占项目总投资的33.95%。（十）资金筹措该项目现阶段投资均由企业自筹。（十一）项目预期经济效益规划目标预期达产年营业收入60010.00万元，总成本费用45103.44万元，税金及附加479.78万元，利润总额14906.56万元，利税总额17442.42万元，税后净利润11179.92万元，达产年纳税总额6262

8、.50万元；达产年投资利润率59.03%，投资利税率69.07%，投资回报率44.27%，全部投资回收期3.76年，提供就业职位883个。（十二）进度规划本期工程项目建设期限规划12个月。选派组织能力强、技术素质高、施工经验丰富、最优秀的工程技术人员和施工队伍投入本项目施工。在技术交流谈判同时，提前进行设计工作。对于制造周期长的设备，提前设计，提前定货。融资计划应比资金投入计划超前，时间及资金数量需有余地。实行动态计划管理，加强施工进度的统计和分析工作，根据实际施工进度，及时调整施工进度计划，随时掌握关键线路的变化状况。三、项目评价1、本期工程项目符合国家产业发展政策和规划要求，符合xxx出口

9、加工区及xxx出口加工区靶材行业布局和结构调整政策；项目的建设对促进xxx出口加工区靶材产业结构、技术结构、组织结构、产品结构的调整优化有着积极的推动意义。2、xxx有限责任公司为适应国内外市场需求，拟建“靶材生产制造项目”，本期工程项目的建设能够有力促进xxx出口加工区经济发展，为社会提供就业职位883个，达产年纳税总额6262.50万元，可以促进xxx出口加工区区域经济的繁荣发展和社会稳定，为地方财政收入做出积极的贡献。3、项目达产年投资利润率59.03%，投资利税率69.07%，全部投资回报率44.27%，全部投资回收期3.76年，固定资产投资回收期3.76年（含建设期），项目具有较强的

10、盈利能力和抗风险能力。提振民营经济、激发民间投资已被列入重要清单。民营经济是经济和社会发展的重要组成部分，在壮大区域经济、安排劳动就业、增加城乡居民收入、维护社会和谐稳定以及全面建成小康社会进程中起着不可替代的作用，如何做大做强民营经济，已成为当前的一项重要课题。引导民间投资参与制造业重大项目建设，国务院办公厅转发财政部发展改革委人民银行关于在公共服务领域推广政府和社会资本合作模式指导意见，要求广泛采用政府和社会资本合作（PPP）模式。为推动中国制造2025国家战略实施，中央财政在工业转型升级资金基础上整合设立了工业转型升级（中国制造2025）资金。围绕中国制造2025战略，重点解决产业发展的

11、基础、共性问题，充分发挥政府资金的引导作用，带动产业向纵深发展。重点支持制造业关键领域和薄弱环节发展，加强产业链条关键环节支持力度，为各类企业转型升级提供产业和技术支撑。立足我省省情，发挥制造业特色优势，集中力量化解过剩产能、发展新兴产业、改造传统动能，提高全要素生产率，推动制造业整体素质提升。四、主要经济指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积平方米58262.4587.35亩1.1容积率1.571.2建筑系数57.62%1.3投资强度万元/亩190.951.4基底面积平方米33570.821.5总建筑面积平方米91472.051.6绿化面积平方米6652.83绿化率7.27%2

12、总投资万元25253.142.1固定资产投资万元16679.482.1.1土建工程投资万元7841.942.1.1.1土建工程投资占比万元31.05%2.1.2设备投资万元5346.202.1.2.1设备投资占比21.17%2.1.3其它投资万元3491.342.1.3.1其它投资占比13.83%2.1.4固定资产投资占比66.05%2.2流动资金万元8573.662.2.1流动资金占比33.95%3收入万元60010.004总成本万元45103.445利润总额万元14906.566净利润万元11179.927所得税万元1.578增值税万元2056.089税金及附加万元479.7810纳税总额

13、万元6262.5011利税总额万元17442.4212投资利润率59.03%13投资利税率69.07%14投资回报率44.27%15回收期年3.7616设备数量台（套）14917年用电量千瓦时576478.1118年用水量立方米43960.2219总能耗吨标准煤74.6020节能率29.10%21节能量吨标准煤21.0422员工数量人883 第二章 项目承办单位一、项目承办单位基本情况（一）公司名称xxx公司（二）公司简介成立以来，公司秉承“诚实、信用、谨慎、有效”的信托理念，将“诚信为本、合规经营”作为企业的核心理念，不断提升公司资产管理能力和风险控制能力。公司是全球领先的产品提供商。我们在

14、续为客户创造价值，坚持围绕客户需求持续创新，加大基础研究投入，厚积薄发，合作共赢。公司能源计量是企业实现科学管理的基础性工作，没有完善而准确的计量器具配置，就不能为企业能源消费的各个环节提供可靠的数据，能源计量工作也是评价一个企业管理水平的一项重要标志；项目承办单位依据ISO10012-1标准建立了完善的计量检测体系，并通过审核认证；随后又根据国家质检总局、国家发改委关于加强能源计量工作的实施意见以及xx省质监局关于加强全省能源计量工作的通知的文件精神，依据国家用能单位能源计量器具配备和管理通则（GB17176-2006）的要求配备了计量器具并实行量化管理；项目承办单位已经建立了“能源量化管理

15、体系”并通过了当地质量技术监督局组织的评审认证，该体系的建立，进一步强化了项目承办单位对能源计量仪器（设备）的管理力度，实现了以量化管理促节能，提高了能源计量数据的真实性、准确性，凭借着不断完善的能源量化体系，实现了对各计量数据进行日统计、周分析、月汇总、年总结，通过能源计量数据的有效采集、处理、分析、控制，真实反映了项目承办单位能源消费的实际状态，为节能降耗、保护环境、提高企业的市场竞争力，做出了积极的贡献，从而大大提高了项目承办单位的能源综合管理水平。公司根据市场调研，结合国家产业发展政策，在大力发展相关产业的同时，积极实施以“节能降耗、环境保护、清洁生产”为重点的技术改造和产品升级换代，

16、取得了较好的经济效益和社会效益；企业将以全国性的销售网络、现代化的物流运作、科学的管理、良好的经济效益、与客户双赢的经营方针，努力把公司发展成为国内综合实力较强的相关行业领军企业之一。二、公司经济效益分析上一年度，xxx有限责任公司实现营业收入30787.16万元，同比增长17.75%（4641.86万元）。其中，主营业业务靶材生产及销售收入为28620.40万元，占营业总收入的92.96%。上年度营收情况一览表序号项目第一季度第二季度第三季度第四季度合计1营业收入6465.308620.408004.667696.7930787.162主营业务收入6010.288013.717441.307

17、155.1028620.402.1靶材(A)1983.392644.522455.632361.189444.732.2靶材(B)1382.371843.151711.501645.676582.692.3靶材(C)1021.751362.331265.021216.374865.472.4靶材(D)721.23961.65892.96858.613434.452.5靶材(E)480.82641.10595.30572.412289.632.6靶材(F)300.51400.69372.07357.761431.022.7靶材(.)120.21160.27148.83143.10572.413其

18、他业务收入455.02606.69563.36541.692166.76根据初步统计测算，公司实现利润总额8269.60万元，较去年同期相比增长1719.02万元，增长率26.24%；实现净利润6202.20万元，较去年同期相比增长567.54万元，增长率10.07%。上年度主要经济指标项目单位指标完成营业收入万元30787.16完成主营业务收入万元28620.40主营业务收入占比92.96%营业收入增长率（同比）17.75%营业收入增长量（同比）万元4641.86利润总额万元8269.60利润总额增长率26.24%利润总额增长量万元1719.02净利润万元6202.20净利润增长率10.07

19、%净利润增长量万元567.54投资利润率64.93%投资回报率48.70%财务内部收益率21.78%企业总资产万元50271.25流动资产总额占比万元33.11%流动资产总额万元16645.53资产负债率47.76% 第三章 投资背景和必要性分析一、靶材项目背景分析靶材是溅射薄膜制备的源头材料，又称溅射靶材。是制备晶圆、面板、太阳能电池等表面电子薄膜的关键材料。高纯度溅射靶材主要应用于电子元器件制造的物理气相沉积（PhysicalVaporDeposition，PVD）工艺。PVD镀膜目前主要有三种形式，分别是溅射镀膜、蒸发镀膜以及离子镀膜。为推动国内靶材产业发展，增强产业创新能力和国际竞争力

20、，带动传统产业改造和产品升级换代，我国制定了一系列靶材行业相关支持政策。靶材行业产业链主要包括金属提纯、靶材制造、溅射镀膜和终端应用等环节。其中，靶材制造和溅射镀膜环节是整个靶材产业链中的关键环节。靶材产业下游包括半导体、光伏电池、平板显示器等等，其中，半导体芯片行业用的金属靶材，主要种类包括：铜、钽、铝、钛、钴和钨等高纯靶材，以及镍铂、钨钛等合金类的靶材。铜靶和钽靶通常配合起来使用。靶材主要应用在平板显示、记录媒体、光伏电池、半导体等领域。其中，在靶材应用领域中，半导体芯片对靶材的金属材料纯度、内部微观结构等方面都设定了极其苛刻的标准，需要掌握生产过程中的关键技术并经过长期实践才能制成符合工

21、艺要求的产品。因此，半导体芯片对靶材的要求是最高的，价格也最为昂贵。半导体芯片行业是金属溅射靶材的主要应用领域之一，也是对靶材的成分、组织和性能要求最高的领域。目前晶圆的制造正朝着更小的制程方向发展，铜导线工艺的应用量在逐步增大，因此，铜和钽靶材的需求将有望持续增长。铝靶和钛靶通常配合起来使用。目前，在汽车电子芯片等需要110nm以上技术节点来保证其稳定性和抗干扰性的领域，仍需大量使用铝、钛靶材。目前，全球的靶材制造行业，特别是高纯度的靶材市场，呈现寡头垄断格局，主要由几家美日大企业把持，如日本的三井矿业、日矿金属、日本东曹、住友化学、日本爱发科，以及美国霍尼韦尔、普莱克斯等。日矿金属是全球最

22、大的靶材供应商，靶材销售额约占全球市场的30%，霍尼韦尔在并购JohnsonMattey、整合高纯铝、钛等原材料生产厂后，占到全球市约20%的份额，此外，东曹和普莱克斯分别占20%和10%。目前，国内靶材厂商主要聚焦在低端产品领域，在半导体、平板显示器和太阳能电池等市场还无法与国际巨头全面竞争。但是，依靠国内的巨大市场潜力和利好的产业政策，以及产品价格优势，它们已经在国内市场占有一定的市场份额，并逐步在个别细分领域抢占了部分国际大厂的市场空间。近年来，我国政府制定了一系列产业政策，如863计划、02专项基金等来加速溅射靶材供应的本土化进程，推动国产靶材在多个应用领域实现从无到有的跨越。这些都从

23、国家战略高度扶植并推动着溅射靶材产业的发展壮大。二、靶材项目建设必要性分析超大规模集成电路制造过程中要反复用到的溅射（Sputtering）工艺属于物理气相沉积（PVD）技术的一种，是制备电子薄膜材料的主要技术之一，它利用离子源产生的离子，在高真空中经过加速聚集，而形成高速度能的离子束流，轰击固体表面，离子和固体表面原子发生动能交换，使固体表面的原子离开固体并沉积在基底表面，被轰击的固体是用溅射法沉积薄膜的原材料，称为溅射靶材。一般来说，溅射靶材主要由靶坯、背板等部分构成，其中，靶坯是高速离子束流轰击的目标材料，属于溅射靶材的核心部分，在溅射镀膜过程中，靶坯被离子撞击后，其表面原子被溅射飞散出

24、来并沉积于基板上制成电子薄膜；由于高纯度金属强度较低，而溅射靶材需要安装在专用的机台内完成溅射过程，机台内部为高电压、高真空环境，因此，超高纯金属的溅射靶坯需要与背板通过不同的焊接工艺进行接合，背板起到主要起到固定溅射靶材的作用，且需要具备良好的导电、导热性能。在溅射靶材应用领域中，半导体芯片对溅射靶材的金属材料纯度、内部微观结构等方面都设定了极其苛刻的标准，需要掌握生产过程中的关键技术并经过长期实践才能制成符合工艺要求的产品，因此，半导体芯片对溅射靶材的要求是最高的，价格也最为昂贵；相较于半导体芯片，平面显示器、太阳能电池对于溅射靶材的纯度和技术要求略低一筹，但随着靶材尺寸的增大，对溅射靶材

25、的焊接结合率、平整度等指标提出了更高的要求。此外，溅射靶材需要安装在溅射机台内完成溅射过程，溅射机台专用性强，对溅射靶材的形状、尺寸和精度也设定了诸多限制。高纯度乃至超高纯度的金属材料是生产高纯溅射靶材的基础，以半导体芯片用溅射靶材为例，若溅射靶材杂质含量过高，则形成的薄膜无法达到使用所要求的电性能，并且在溅射过程中易在晶圆上形成微粒，导致电路短路或损坏，严重影响薄膜的性能。通常情况下，高纯金属提纯分为化学提纯和物理提纯，为了获得更高纯度的金属材料，最大限度地去除杂质，需要将化学提纯和物理提纯结合使用。在将金属提纯到相当高的纯度后，往往还需配比其他金属元素才能投入使用，在这个过程中，需要经过熔

26、炼、合金化和铸造等步骤：通过精炼高纯金属，去除氧气、氮气等多余气体；再加入少量合金元素，使其与高纯金属充分结合并均匀分布；最后将其铸造成没有缺陷的锭材，满足生产加工过程中对金属成份、尺寸大小的要求。溅射靶材制造环节首先需要根据下游应用领域的性能需求进行工艺设计，然后进行反复的塑性变形、热处理，需要精确地控制晶粒、晶向等关键指标，再经过焊接、机械加工、清洗干燥、真空包装等工序。溅射靶材制造所涉及的工序精细且繁多，工序流程管理及制造工艺水平将直接影响到溅射靶材的质量和良品率。溅射镀膜是指物体被离子撞击时，被溅射飞散出，因被溅射飞散的物体附着于目标基板上而制成薄膜的过程，溅射靶材就是高速荷能粒子轰击

27、的目标材料。此环节是在溅射靶材产业链条中对生产设备及技术工艺要求最高的环节，溅射薄膜的品质对下游产品的质量具有重要影响。在溅射镀膜过程中，溅射靶材需要安装在机台中完成溅射反应，溅射机台专用性强、精密度高，市场长期被美国、日本跨国集团垄断，主要设备提供商包括AMAT（美国）、ULVAC（日本）、ANELVA（日本）、Varian（美国）等行业内知名企业。终端应用是针对各类市场需求利用封装好的元器件制成面向最终用户的产品，包括汽车电子、智能手机、平板电脑、家用电器等终端消费电子产品。通常情况下，在半导体靶材溅射镀膜后，需要将镀膜硅片切割并进行芯片封装。封装是指将电路用导线连接到外部接头处，以便与其

28、他器件连接的工序，不仅能够起到保护芯片的作用，还将芯片与外界隔离，防止空气中的杂质对芯片电路造成腐蚀而损害导电性能。此外，终端应用也包括制备太阳能电池、光学镀膜、工具改性、高档装饰用品等，此环节技术面较宽，呈现多样化特征。全球范围内，溅射靶材产业链各环节参与企业数量基本呈金字塔型分布，高纯溅射靶材制造环节技术门槛高、设备投资大，具有规模化生产能力的企业数量相对较少，主要分布在美国、日本等国家和地区，其中，部分企业同时开展金属提纯业务，将产业链延伸到上游领域；部分企业只拥有溅射靶材生产能力，高纯度金属需要上游企业供应。溅射靶材最高端的应用是在超大规模集成电路芯片制造领域，这个领域只有美国和日本的

29、少数公司（日矿金属、霍尼韦尔、东曹、普莱克斯等）从事相关业务，是一个被跨国公司垄断的行业。作为溅射靶材客户端的溅射镀膜环节具有规模化生产能力的企业数量相对较多，但质量参差不齐，美国、欧洲、日本、韩国等知名企业居于技术领先地位，品牌知名度高、市场影响力大，通常会将产业链扩展至下游应用领域，利用技术先导优势和高端品牌迅速占领终端消费市场，如IBM、飞利浦、东芝、三星等。终端应用环节是整个产业链中规模最大的领域，其产品的开发与生产分散在各个行业领域，同时，此环节具有突出的劳动密集性特点，参与企业数量最多，机器设备投资一般，主要分布在日本、中国台湾和中国大陆等，并逐渐将生产工厂向人力成本低的国家和地区

30、转移。溅射靶材产业分布具有一定的区域性特征，美国、日本跨国集团产业链完整，囊括金属提纯、靶材制造、溅射镀膜和终端应用各个环节，具备规模化生产能力，在掌握先进技术以后实施垄断和封锁，主导着技术革新和产业发展；韩国、新加坡及中国台湾地区在磁记录及光学薄膜领域有所特长。另外由于上述地区芯片及液晶面板产业发展较早，促使服务分工明确，可以为产业链下游的品牌企业提供如焊接、清洗、包装等专业代工服务，将上游基础材料和下游终端应用对接，起到承上启下的作用，并在一定程度上推动上游溅射靶材的产品开发和市场扩展。但是上述地区的靶材服务厂商缺少核心技术及装备，不能够在金属的提纯、组织的控制等核心技术领域形成竞争力溅射

31、靶材的材料即靶坯依然依赖美国和日本的进口。超高纯金属材料及溅射靶材在我国还属于较新的行业，以芯片制造厂商、液晶面板制造企业为代表的下游溅射镀膜和终端用户正在加大力度扩展产能。从全球来看，芯片及液晶面板行业制造向中国大陆转移趋势愈演愈烈，中国正在迎来这一领域的投资高峰。为此高端溅射靶材的应用市场需求正在快速增长。由于溅射镀膜工艺起源于国外，所需要的溅射靶材产品性能要求高、专业应用性强，因此，长期以来全球溅射靶材研制和生产主要集中在美国、日本少数几家公司，产业集中度相当高。以霍尼韦尔（美国）、日矿金属（日本）、东曹（日本）等跨国集团为代表的溅射靶材生产商较早涉足该领域，经过几十年的技术积淀，凭借其

32、雄厚的技术力量、精细的生产控制和过硬的产品质量居于全球溅射靶材市场的主导地位，占据绝大部分市场份额。这些企业在掌握溅射靶材生产的核心技术以后，实施极其严格的保密措施，限制技术扩散，同时不断进行横向扩张和垂直整合，将业务触角积极扩展到溅射镀膜的各个应用领域，牢牢把握着全球溅射靶材市场的主动权，并引领着全球溅射靶材行业的技术进步。受到发展历史和技术限制的影响，溅射靶材行业在我国起步较晚，目前仍然属于一个较新的行业。与国际知名企业生产的溅射靶材相比，我国溅射靶材研发生产技术还存在一定差距，市场影响力相对有限，尤其在半导体芯片、平板显示器、太阳能电池等领域，全球高纯溅射靶材市场依然被美国、日本的溅射靶

33、材生产厂商所控制或垄断。随着溅射靶材朝着更高纯度、更大尺寸的方向发展，我国溅射靶材生产企业只有不断进行研发创新，具备较强的产品开发能力，研制出适用不同应用领域的溅射靶材产品，才能在全球溅射靶材市场中占得一席之地。半导体芯片、平板显示器、太阳能电池等下游工业对产品的品质和稳定性等方面有较高的要求，为了严格控制产品质量，下游客户尤其是全球知名厂商在选择供应商时，供应商资格认证壁垒较高，且认证周期较长。我国高纯溅射靶材企业要进入国际市场，首先要通过部分国际组织和行业协会为高纯溅射靶材设置的行业性质量管理体系标准，例如，应用于汽车电子的半导体厂商普遍要求上游溅射靶材供应商能够通过ISO/TS16949

34、质量管理体系认证，应用于电器设备的溅射靶材生产商需要满足欧盟制定的RoHS强制性标准；其次，半导体芯片、平板显示器、太阳能电池等下游知名客户均建立了十分完善的客户认证体系，在高纯溅射靶材供应商满足行业性质量管理体系认证的基础上，下游客户往往还会根据自身的质量管理要求再对供应商进行合格供应商认证。认证过程主要包括技术评审、产品报价、样品检测、小批量试用、批量生产等几个阶段，认证过程相当苛刻，从新产品开发到实现大批量供货，整个过程一般需要2-3年时间。为了降低供应商开发与维护成本，保证产品质量的持续性，溅射靶材供应商在通过下游客户的资格认证后，下游客户会与溅射靶材供应商保持长期稳定的合作关系，不会

35、轻易更换供应商，并在技术合作、供货份额等方面向优质供应商倾斜。近年来，受益于国家从战略高度持续地支持电子材料行业的发展及应用推广，我国国内开始出现不少专业从事高纯溅射靶材研发和生产的企业，并成功开发出一批能适应高端应用领域的溅射靶材，为高纯溅射靶材大规模产业化提供了良好的研发基础和市场化条件。通过将溅射靶材研发成果产业化，积极参与溅射靶材的国际化市场竞争，我国溅射靶材生产企业在技术和市场方面都取得了长足的进步，改变了高纯溅射靶材长期依赖进口的不利局面。目前，包括长沙鑫康在内的一些国内企业已经掌握了高纯溅射靶材生产的关键技术，积累了较为丰富的产业经验，拥有了一定的市场知名度，获得了全球知名客户的

36、认可。 第四章 产业分析预测一、靶材行业分析溅射靶材是利用物理气相沉积技术制备电子薄膜材料的被轰击材料，广泛应用于半导体芯片、太阳能电池、平板显示、信息存储等领域，其中半导芯片用溅射靶材技术要求最高，具有规模化生产能力的企业数量也相对较少，主要分布在美国、日本等国家和地区。中国溅射靶材行业起步较晚，目前仍然属于一个较新的行业，受益于国家战略的支持，已经开始出现少量专业从事高纯溅射靶材研发和生产的企业(如江丰电子，有研新材等)，并成功开发出一批高端应用领域的溅射靶材，为高纯溅射靶材大规模产业化提供了良好的研发基础和市场化条件。靶材全球市场预计16-19复合增速13%。2016年全球溅射靶材市场容

37、量达113.6亿美元，相比于2015年的94.8亿美元增长20%。预测2016-2019年均复合增长率达13%，到2019年全球高纯溅射靶材市场规模将超过163亿美元。2016年全球靶材市场的下游结构中，半导体占比10%、平板显示占34%、太阳能电池占21%、记录媒体占29%，靶材性能要求依次降低。市场集中度高，日、美占据80%高端靶材市场。溅射靶材由于其高技术、高投资、高客户壁垒，具有规模化生产能力企业较少，以霍尼韦尔、日矿金属、东曹、普莱克斯等为代表的靶材龙头企业2017年占据全球约80%靶材市场。美、日等跨国企业产业链较为完整，囊括金属提纯、靶材制造、溅射镀膜和终端应用各个环节，主导高端

38、的半导体靶材市场；韩国、新加坡及中国台湾地区擅长磁记录及光学薄膜领域，原料多从国外进口；中国靶材产业正处于起步阶段，逐步切入以原料以进口为主的全球主流半导体、显示、光伏等龙头企业客户。预计2018-2020年国内显示靶材需求增速维持20-25%增速。中国大陆从上世纪80年代开始进入液晶显示领域，在政府政策导向和产业扶植下，我国大陆液晶显示产业快速发展，成为平板显示行业发展速度最快的地区。2016年中国平板显示器件产业整体规模达到1500亿元，同比增长25.99%；2012-2016年国内平板显示增速基本保持在25%以上。此外考虑到国内LCD国产替代进程加速、再加上OLED渗透率有望快速提升，预

39、计2018-2020年国内平板显示产业增速将至少维持在20-25%；对应到国内显示靶材的需求也将相应增加。靶材应用的战略高地17-20年全球半导体增速有望超预期，17年国内半导体增速24.81%。半导体靶材性能要求位居各类应用之首。半导体行业所需溅射靶材主要用于晶圆制造材料和封装测试材料。芯片制造对溅射靶材纯度要求很高，通常需达99.9995%（5N5）甚至99.9999%（6N）以上。2017全球半导体产业超预期增速21.62%，从下游需求结构看，17年增长主要源于半导体的主要应用是集成电路中的存储器，增速达到61.49%，增量来源于人工智能、大数据、汽车电子等领域对高性能芯片需求快速提升。

40、从15年开始国内半导体产业维持20%左右增速，渐成常态。半导体产业从台湾向国内转移的趋势比较确定，国内政策、资金、税收等各方面也在扶持半导体产业。国家集成电路产业基金第一期规模1,387亿元。，至少带动省市地方基金共4,651亿元，拉动国内企业内生增长和海外并购。未来第二期基金计划启动，也将持续拉动国内半导体产业增长。2011-2016全球半导体用靶材年复合增长率3.17%，预计2018-2020国内半导体靶材需求增速在20%左右。国际半导体产业协会(SEMI)全球半导体用溅射靶材销售额从2011年的10.1亿美元到2016年为11.7亿美元，年均复合增长率为3.17%，其中晶圆制造用溅射靶材

41、年均复合增长率为2.07%，封装测试用溅射靶材年均复合增长率为4.65%。2016年我国集成电路用溅射靶材市场规模约14亿元，年增速达20%。供给端，随着国产溅射靶材技术成熟，尤其是国产溅射靶材具备一定性价比优势，并且符合溅射靶材国产化的政策导向；需求端，半导体产业向国内转移的趋势已基本确立，国内半导体产业崛起将推动国内半导体靶材需求的提升。预计2018-2020年我国溅射靶材的市场规模有望持续扩大，复合增速将维持在2016年20%左右增速水平。2011-2016全球太阳能用靶材增速保持20%以上。太阳能光伏产业的快速发展给太阳能电池用溅射靶材市场带来了可观的成长空间，2016年全球太阳能电池

42、用溅射靶材市场规模23.4亿美元，在全球靶材市场中占比约21%。2011-2016年全球太阳能靶材规模增速一直保持在20%以上。国内靶材需求和供给反差悬殊，国产替代进程加速。2015国内靶材需求全球占比近25%，年速约20%；但国内靶材企业市场份额不到2%，供需比例反差明显。随着国内溅射靶材技术的成熟和高纯铝生产技术的提高，我国靶材生产成本优势明显，靶材原料之一高纯铝的国内进出口量差距也在逐步缩小。随着2019年国家进口靶材免税期结束，国内靶材企业优势更加突出。预计2018-2020年国内靶材需求将维持20%以上高速增长，市场份额有望进一步扩大。二、靶材市场分析预测靶材材料的技术发展趋势与下游

43、应用产业的薄膜技术发展趋势息息相关，随着应用产业在薄膜产品或元件上的技术改进，靶材技术也应随之变化。镀膜靶材是通过磁控溅射、多弧离子镀或其他类型的镀膜系统在适当工艺条件下溅射在基板上形成各种功能薄膜的溅射源。简单说的话，靶材就是高速荷能粒子轰击的目标材料，用于高能激光武器中，不同功率密度、不同输出波形、不同波长的激光与不同的靶材相互作用时，会产生不同的杀伤破坏效应。例如：蒸发磁控溅射镀膜是加热蒸发镀膜、铝膜等。更换不同的靶材(如铝、铜、不锈钢、钛、镍靶等)，即可得到不同的膜系(如超硬、耐磨、防腐的合金膜等)。各种类型的溅射薄膜材料在半导体集成电路(VLSI)、光碟、平面显示器以及工件的表面涂层

44、等方面都得到了广泛的应用。20世纪90年代以来，溅射靶材及溅射技术的同步发展，极大地满足了各种新型电子元器件发展的需求。例如，在半导体集成电路制造过程中，以电阻率较低的铜导体薄膜代替铝膜布线：在平面显示器产业中，各种显示技术(如LCD、PDP、OLED及FED等)的同步发展，有的已经用于电脑及计算机的显示器制造;在信息存储产业中，磁性存储器的存储容量不断增加，新的磁光记录材料不断推陈出新这些都对所需溅射靶材的质量提出了越来越高的要求，需求数量也逐年增加。日本。就美国而言.约有50家中小规模的靶材制造商及经销商，其中最大的公司员工大约有几百人。不过为了能更接近使用者，以便提供更完善的售后服务，全

45、球主要靶材制造商通常会在客户所在地设立分公司。近段时间，亚洲的一些国家和地区，如台湾.韩国和新加坡，就建立了越来越多制造薄膜元件或产品的工厂，如IC、液晶显示器及光碟制造厂。对靶材厂商而言，这是相当重要的新兴市场。中国靶材产业发展也是与日俱增，不断的扩大自己的规模和生产技术，国内一线生产制造靶材的品牌已经达到国外最顶尖的技术水平。2010年，日本三菱公司就在中国台湾地区建立了光碟埘靶材的生产基地，可以满足台湾50%的靶材需要。BCC(BusinessCommunicationsCompany，商业咨询公司)最新的统计报告指出，全球靶材市场将以8.8%的年平均增长率(AAGR)在今后的5年内持续

46、增长，估计销售额将从1999年的7.2亿美元增加到2004年的11亿美元。靶材是一种具有高附加价值的特种电子材料，主要使用在微电子，显示器，存储器以及光学镀膜等产业上，用以溅射用于尖端技术的各种薄膜材料。BCC的报告显示：全球的上述产业在1999年使用了2.88百万公斤靶材。换算为面积，则溅射了363百万平方米的薄膜。而若以单位靶材来计算，全球在1999年则大约使用了37400单位的靶材。这里所要指出的是，随着应用产业的不同，靶材的形状与大小也有所差异，其直径从15Gm到3m都有，而上述的统计资料，则是平均化后的结果。在所有应用产业中，半导体产业对靶材溅射薄膜的品质要求是最苛刻的。如今12英寸

47、(300衄口)的硅晶片已制造出来.而互连线的宽度却在减小。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒，这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响薄膜沉积率的关键因素。另外，薄膜的纯度与靶材的纯度关系极大，过去99.995%(4N5)纯度的铜靶，或许能够满足半导体厂商0.35pm工艺的需求，但是却无法满足如今0.25um的工艺要求，而未米的0.18um艺甚至0.13m工艺，所需要的靶材纯度将要求达到5甚至6N以上。平面显示器(FPD)这些年来大幅冲击以阴极射线管(CRT)为主的电脑显示器及电视机市场，亦将带动ITO靶材的技术与市场需求。如今的iT

48、O靶材有两种.一种是采用纳米状态的氧化铟和氧化锡粉混合后烧结，一种是采用铟锡合金靶材。铟锡合金靶材可以采用直流反应溅射制造ITO薄膜，但是靶表面会氧化而影响溅射率，并且不易得到大尺寸的台金靶材。如今一般采取第一种方法生产ITO靶材，利用LIRF反应溅射镀膜.靶材具有沉积速度快.且能精确控制膜厚，电导率高，薄膜的一致性好，与基板的附着力强等优点l。但是靶材制作困难，这是因为氧化铟和氧化锡不容易烧结在一起。一般采用ZrO2、Bi2O3、CeO等作为烧结添加剂，能够获得密度为理论值的93%98%的靶材，这种方式形成的ITO薄膜的性能与添加剂的关系极大。在储存技术方面，高密度、大容量硬盘的发展，需要大

49、量的巨磁阻薄膜材料，CoFCu多层复合膜是如今应用广泛的巨磁阻薄膜结构。磁光盘需要的TbFeCo合金靶材还在进一步发展，用它制造的磁光盘具有存储容量大，寿命长，可反复无接触擦写的特点。如今开发出来的磁光盘，具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的层复合膜结构，TbFeCo/AI结构的Kerr旋转角达到58，而TbFeCofFa则可以接近0.8。经过研究发现，低磁导率的靶材高交流局部放电电压l抗电强度。基于锗锑碲化物的相变存储器(PCM)显示出显著的商业化潜力,是NOR型闪存和部分DRAM市场的一项替代性存储器技术，不过,在实现更快速地按比例缩小的道路上存在的挑战之一,便是缺乏能够生产可进一

50、步调低复位电流的完全密闭单元。降低复位电流可降低存储器的耗电量,延长电池寿命和提高数据带宽,这对于当前以数据为中心的、高度便携式的消费设备来说都是很重要的特征。 第五章 产品规划方案一、产品规划项目主要产品为靶材，根据市场情况，预计年产值60010.00万元。项目承办单位应建立良好的营销队伍，利用多媒体、广告、连锁等模式，不断拓展项目产品良好的营销渠道，提高企业的经济效益。二、建设规模（一）用地规模该项目总征地面积58262.45平方米（折合约87.35亩），其中：净用地面积58262.45平方米（红线范围折合约87.35亩）。项目规划总建筑面积91472.05平方米，其中：规划建设主体工程6

51、9859.75平方米，计容建筑面积91472.05平方米；预计建筑工程投资7841.94万元。（二）设备购置项目计划购置设备共计149台（套），设备购置费5346.20万元。（三）产能规模项目计划总投资25253.14万元；预计年实现营业收入60010.00万元。 第六章 项目选址评价一、项目选址该项目选址位于xxx出口加工区。振兴发展基础夯实，成功创建国家级高新区，省级产业园工业增加值、税收占比分别提升26个、23.5个百分点；中心城区建成面积增至70万平方公里，常住人口城镇化率达到48.6%，提高1.1个百分点。今后五年，当地坚持创新、协调、绿色、开放、共享发展理念，着力深化供给侧结构性改

52、革，紧紧围绕“在全面建成小康社会进程中走在前列”这一目标，牢牢把握转型升级和经济文化融合发展“两大高地”战略定位，着力推动创新、开放、生态“三大跨越”，加快构建现代产业、新型城镇、社会治理和民生保障“四个体系”，干在当下，成在实处，努力打造自然生态、宜居宜业的新环境。经济保持中高速增长，在提高发展平衡性、包容性、可持续性的基础上，提前实现经济总量和居民人均收入比2010年翻一番，比全国提前两年实现贫困人口全面脱贫，与全省同步全面建成小康社会。2000年园区通过验收，正式晋升为市级园区，区位优势明显。自2008年园区累计投入近3亿元打造硬件环境。几年来，园区通过不断加强产业发展规划和功能定位研究

53、，确定以高端制造业为园区主导产业，重点打造高端生物医药、高端装备制造和汽车零部件基地“两园一基地”发展格局。项目建设区域以城市总体规划为依据，布局相对独立，便于集中开展科研、生产经营和管理活动，并且统筹考虑用地与城市发展的关系，与项目建设地的建成区有较方便的联系。所选场址应避开自然保护区、风景名胜区、生活饮用水源地和其他特别需要保护的环境敏感性目标。项目建设区域地理条件较好，基础设施等配套较为完善，并且具有足够的发展潜力。项目建设得到了当地人民政府和主管部门的高度重视，土地管理部门、规划管理部门、建设管理部门等提出了具体的实施方案与保障措施，并给予充分的肯定；其二，项目建设区域水、电、气等资源

54、供给充足，可满足项目实施后正常生产之要求；其三，投资项目可依托项目建设地成熟的公用工程、辅助工程、储运设施等富余资源及丰富的劳动力资源、完善的社会化服务体系，从而加快项目建设进度，降低建设成本，节约项目投资，提高项目承办单位综合经济效益。项目承办单位自成立以来始终坚持“自主创新、自主研发”的理念，始终把提升创新能力作为企业竞争的最重要手段，因此，积累了一定的项目产品技术优势。项目承办单位在项目产品开发、设计、制造、检测等方面形成了一套完整的质量保证和管理体系，通过了ISO9000质量体系认证，赢得了用户的信赖和认可。二、用地控制指标根据测算，投资项目建筑容积率符合国土资源部发布的工业项目建设用

55、地控制指标（国土资发【2008】24号）中规定的产品制造行业建筑容积率0.80的规定；同时，满足项目建设地确定的“建筑容积率1.50”的具体要求。根据测算，投资项目固定资产投资强度完全符合国土资源部发布的工业项目建设用地控制指标（国土资发【2008】24号）中规定的产品制造行业固定资产投资强度1259.00万元/公顷的规定；同时，满足项目建设地确定的“固定资产投资强度4500.00万元/公顷”的具体要求。投资项目占地产出收益率完全符合国土资源部发布的工业项目建设用地控制指标（国土资发【2008】24号）中规定的行业产品制造行业占地产出收益率5000.00万元/公顷的规定；同时，满足项目建设地确定的“占地产出收益率6000.00万元/公顷”的具体要求。三、地总体要求本期工程项目建设规划建筑系数57.62%，建筑容积率1.57，建设区域绿化覆盖率7.27%，固定资产投资强度190.95万元/亩。土建工程投资一览表序号项目单位指标备注1占地面积平方米58262.4587.35亩2基底面积平方米33570.823建筑面积平方米91472.057841.94万元4容积率1.575建筑系数57.62%6主体工程平方米69859.757绿化面积平方米6652.838绿化率7.27%9投资强度万元/亩190.95四、节约用地措施土地既是人类