北京半导体器件项目投资计划书_第1页
北京半导体器件项目投资计划书_第2页
北京半导体器件项目投资计划书_第3页
北京半导体器件项目投资计划书_第4页
北京半导体器件项目投资计划书_第5页
已阅读5页,还剩89页未读 继续免费阅读

下载本文档

版权说明:本文档由用户提供并上传,收益归属内容提供方,若内容存在侵权,请进行举报或认领

文档简介

1、泓域咨询/北京半导体器件项目可行性研究报告北京半导体器件项目投资计划书泓域咨询机构 报告说明半导体芯片是指在半导体片材上进行浸蚀、布线、制成的能实现某种功能的半导体器件,通常也可称为集成电路。不只是硅芯片,常见的还包括砷化镓、氮化镓、碳化硅等半导体材料。半导体制造的过程就是“点石成金”的过程,主要是对硅晶圆的一系列处理,简单来说就是通过外延生长、光刻、刻蚀、掺杂和抛光,在硅片上形成所需要的电路,将硅片变成芯片。该半导体芯片项目计划总投资7352.03万元,其中:固定资产投资5447.57万元,占项目总投资的74.10%;流动资金1904.46万元,占项目总投资的25.90%。达产年营业收入13

2、389.00万元,总成本费用10273.62万元,税金及附加130.80万元,利润总额3115.38万元,利税总额3675.89万元,税后净利润2336.53万元,达产年纳税总额1339.36万元;达产年投资利润率42.37%,投资利税率50.00%,投资回报率31.78%,全部投资回收期4.65年,提供就业职位238个。半导体芯片是科技创新的硬件基础,站在5G+AI这新一轮全球科技创新周期的起点,半导体芯片将是科技创新发展确定的方向之一,全球的半导体指数表现优异。目录第一章 项目概况第二章 投资单位说明第三章 建设必要性分析第四章 市场研究分析第五章 产品规划方案第六章 项目选址第七章 土建

3、工程第八章 工艺先进性第九章 环境保护、清洁生产第十章 企业卫生第十一章 项目风险评估第十二章 项目节能第十三章 进度说明第十四章 投资情况说明第十五章 经济收益第十六章 总结及建议第十七章 项目招投标方案第一章 项目概况一、项目提出的理由庞大信息社会的根基是一枚枚小巧的集成电路,通常被人们称为“芯片”。别看芯片“身材小”,他们“喂养”着现代工业,手机、电脑、家电、高铁、电动车、机器人、医疗仪器等离开他们根本无法运转。半导体已经发展成为全球经济增长的支柱性产业,随着技术的不断突破,越来越多的国家开始重视相关技术的发展。在全球半导体技术发展和应用里,北美、欧洲和亚太地区成为全球三大半导体产业的发

4、源地和主要消费市场。二、项目概况(一)项目名称北京半导体器件项目(二)项目选址某经开区北京,简称京,古称燕京、北平,是中华人民共和国首都、省级行政区、直辖市、国家中心城市、超大城市,国务院批复确定的中国政治中心、文化中心、国际交往中心、科技创新中心。截至2018年,全市下辖16个区,总面积16410.54平方千米,建成区面积1485平方千米,2019年末,常住人口2153.6万人,城镇人口1865万人,城镇化率86.6%。北京地处中国北部、华北平原北部,东与天津毗连,其余均与河北相邻,中心位置东经11620、北纬3956,是世界著名古都和现代化国际城市,也是中国共产党中央委员会、中华人民共和国

5、中央人民政府和全国人民代表大会常务委员会的办公所在地。北京地势西北高、东南低。西部、北部和东北部三面环山,东南部是一片缓缓向渤海倾斜的平原。境内流经的主要河流有:永定河、潮白河、北运河、拒马河等,多由西北部山地发源,穿过崇山峻岭,向东南蜿蜒流经平原地区,最后分别汇入渤海。北京的气候为典型的暖温带半湿润大陆性季风气候,夏季高温多雨,冬季寒冷干燥,春、秋短促。北京被世界权威机构GaWC评为世界一线城市。联合国报告指出北京人类发展指数居中国城市第二位。2019年,北京市实现地区生产总值35371.3亿元,按可比价格计算,比上年增长6.1%。投资项目对其生产工艺流程、设施布置等都有较为严格的标准化要求

6、,为了更好地发挥其经济效益并综合考虑环境等多方面的因素,根据项目选址的一般原则和项目建设地的实际情况,该项目选址应遵循以下基本原则的要求。场址应靠近交通运输主干道,具备便利的交通条件,有利于原料和产成品的运输,同时,通讯便捷有利于及时反馈产品市场信息。(三)项目用地规模项目总用地面积19809.90平方米(折合约29.70亩)。(四)项目用地控制指标该工程规划建筑系数62.18%,建筑容积率1.21,建设区域绿化覆盖率7.28%,固定资产投资强度183.42万元/亩。(五)土建工程指标项目净用地面积19809.90平方米,建筑物基底占地面积12317.80平方米,总建筑面积23969.98平方

7、米,其中:规划建设主体工程18029.35平方米,项目规划绿化面积1745.83平方米。(六)设备选型方案项目计划购置设备共计111台(套),设备购置费1788.21万元。(七)节能分析1、项目年用电量618951.16千瓦时,折合76.07吨标准煤。2、项目年总用水量7068.40立方米,折合0.60吨标准煤。3、“北京半导体器件项目投资建设项目”,年用电量618951.16千瓦时,年总用水量7068.40立方米,项目年综合总耗能量(当量值)76.67吨标准煤/年。达产年综合节能量26.94吨标准煤/年,项目总节能率21.75%,能源利用效果良好。(八)环境保护项目符合某经开区发展规划,符合

8、某经开区产业结构调整规划和国家的产业发展政策;对产生的各类污染物都采取了切实可行的治理措施,严格控制在国家规定的排放标准内,项目建设不会对区域生态环境产生明显的影响。(九)项目总投资及资金构成项目预计总投资7352.03万元,其中:固定资产投资5447.57万元,占项目总投资的74.10%;流动资金1904.46万元,占项目总投资的25.90%。(十)资金筹措该项目现阶段投资均由企业自筹。(十一)项目预期经济效益规划目标预期达产年营业收入13389.00万元,总成本费用10273.62万元,税金及附加130.80万元,利润总额3115.38万元,利税总额3675.89万元,税后净利润2336.

9、53万元,达产年纳税总额1339.36万元;达产年投资利润率42.37%,投资利税率50.00%,投资回报率31.78%,全部投资回收期4.65年,提供就业职位238个。(十二)进度规划本期工程项目建设期限规划12个月。对于难以预见的因素导致施工进度赶不上计划要求时及时研究,项目建设单位要认真制定和安排赶工计划并及时付诸实施。三、项目评价1、本期工程项目符合国家产业发展政策和规划要求,符合某经开区及某经开区半导体芯片行业布局和结构调整政策;项目的建设对促进某经开区半导体芯片产业结构、技术结构、组织结构、产品结构的调整优化有着积极的推动意义。2、xxx有限责任公司为适应国内外市场需求,拟建“北京

10、半导体器件项目”,本期工程项目的建设能够有力促进某经开区经济发展,为社会提供就业职位238个,达产年纳税总额1339.36万元,可以促进某经开区区域经济的繁荣发展和社会稳定,为地方财政收入做出积极的贡献。3、项目达产年投资利润率42.37%,投资利税率50.00%,全部投资回报率31.78%,全部投资回收期4.65年,固定资产投资回收期4.65年(含建设期),项目具有较强的盈利能力和抗风险能力。国家发改委出台关于鼓励和引导民营企业发展战略性新兴产业的实施意见,对各地、各部门在鼓励和引导民营企业发展战略性新兴产业方面提出了十条要求,包括清理规范现有针对民营企业和民间资本的准入条件、战略性新兴产业

11、扶持资金等公共资源对民营企业同等对待、支持民营企业充分利用新型金融工具,等等。这一系列的措施,目的是鼓励和引导民营企业在节能环保、新一代信息技术、生物、高端装备制造、新能源、新材料、新能源汽车等战略性新兴产业领域形成一批具有国际竞争力的优势企业。改革开放以来,我国非公有制经济发展迅速,在支撑增长、促进就业、扩大创新、增加税收,推动社会主义市场经济制度完善等方面发挥了重要作用,已成为我国经济社会发展的重要基础。但部分民营企业经营管理方式和发展模式粗放,管理方式、管理理念落后,风险防范机制不健全,先进管理模式和管理手段应用不够广泛,企业文化和社会责任缺乏,难以适应我国经济社会发展的新常态和新要求。

12、公有制为主体、多种所有制经济共同发展,是我国的基本经济制度;毫不动摇巩固和发展公有制经济,毫不动摇鼓励、支持和引导非公有制经济发展,是党和国家的大政方针。今天,我们对民营经济的包容与支持始终如一,人们在市场经济中创造未来的激情也澎湃如昨。经过多年的积累,我省制造业已具有了相当规模和产业特色,现代产业体系逐步建立,传统产业转型升级成效显著,特色优势产业实力显著提升,发展内生动力持续增强,为下一步制造业转型升级奠定了良好基础。省委省政府把以制造业为主的产业转型升级,作为稳增长、促转调、提质效的重中之重,强力推进。省委第十届十二次全委会以全力打好稳增长调结构主动仗为主要内容,提出要更加自觉、更加有力

13、地推动稳增长调结构,为走在前列奠定坚实的经济基础。省政府出台实施了工业转型升级行动计划和22个实施方案,为制造业转型升级做好了顶层设计和路线规划。完备的产业体系和省委省政府的坚强领导,为我省制造业转型升级提供了坚实的发展基础和政策保障。四、主要经济指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积平方米19809.9029.70亩1.1容积率1.211.2建筑系数62.18%1.3投资强度万元/亩183.421.4基底面积平方米12317.801.5总建筑面积平方米23969.981.6绿化面积平方米1745.83绿化率7.28%2总投资万元7352.032.1固定资产投资万元5447.57

14、2.1.1土建工程投资万元2100.762.1.1.1土建工程投资占比万元28.57%2.1.2设备投资万元1788.212.1.2.1设备投资占比24.32%2.1.3其它投资万元1558.602.1.3.1其它投资占比21.20%2.1.4固定资产投资占比74.10%2.2流动资金万元1904.462.2.1流动资金占比25.90%3收入万元13389.004总成本万元10273.625利润总额万元3115.386净利润万元2336.537所得税万元1.218增值税万元429.719税金及附加万元130.8010纳税总额万元1339.3611利税总额万元3675.8912投资利润率42.3

15、7%13投资利税率50.00%14投资回报率31.78%15回收期年4.6516设备数量台(套)11117年用电量千瓦时618951.1618年用水量立方米7068.4019总能耗吨标准煤76.6720节能率21.75%21节能量吨标准煤26.9422员工数量人238 第二章 投资单位说明一、项目承办单位基本情况(一)公司名称xxx(集团)有限公司(二)公司简介公司坚持诚信为本、铸就品牌,优质服务、赢得市场的经营理念,秉承以人为本,宾客至上服务理念,将一整套针对用户使用过程中完善的服务方案。公司秉承以市场的为导向,坚持自主创新、合作共赢。同时,以产业经营为主体,以技术研究和资本经营为两翼,形成

16、“产业+技术+资本”相生互动、良性循环的业务生态效应。公司致力于创新求发展,近年来不断加大研发投入,建立企业技术研发中心,并与国内多所大专院校、科研院所长期合作,产学研相结合,不断提高公司产品的技术水平,同时,为客户提供可靠的技术后盾和保障,在新产品开发能力、生产技术水平方面,已处于国内同行业领先水平。二、公司经济效益分析上一年度,xxx有限责任公司实现营业收入7924.87万元,同比增长26.12%(1641.24万元)。其中,主营业业务半导体芯片生产及销售收入为6655.93万元,占营业总收入的83.99%。上年度营收情况一览表序号项目第一季度第二季度第三季度第四季度合计1营业收入1664

17、.222218.962060.471981.227924.872主营业务收入1397.751863.661730.541663.986655.932.1半导体芯片(A)461.26615.01571.08549.112196.462.2半导体芯片(B)321.48428.64398.02382.721530.862.3半导体芯片(C)237.62316.82294.19282.881131.512.4半导体芯片(D)167.73223.64207.67199.68798.712.5半导体芯片(E)111.82149.09138.44133.12532.472.6半导体芯片(F)69.8993.

18、1886.5383.20332.802.7半导体芯片(.)27.9537.2734.6133.28133.123其他业务收入266.48355.30329.92317.231268.94根据初步统计测算,公司实现利润总额2196.38万元,较去年同期相比增长501.38万元,增长率29.58%;实现净利润1647.29万元,较去年同期相比增长163.75万元,增长率11.04%。上年度主要经济指标项目单位指标完成营业收入万元7924.87完成主营业务收入万元6655.93主营业务收入占比83.99%营业收入增长率(同比)26.12%营业收入增长量(同比)万元1641.24利润总额万元2196.

19、38利润总额增长率29.58%利润总额增长量万元501.38净利润万元1647.29净利润增长率11.04%净利润增长量万元163.75投资利润率46.61%投资回报率34.96%财务内部收益率29.19%企业总资产万元12357.00流动资产总额占比万元27.93%流动资产总额万元3450.85资产负债率22.23% 第三章 建设必要性分析一、半导体芯片项目背景分析半导体芯片是指在半导体片材上进行浸蚀、布线、制成的能实现某种功能的半导体器件,通常也可称为集成电路。不只是硅芯片,常见的还包括砷化镓、氮化镓、碳化硅等半导体材料。半导体制造的过程就是“点石成金”的过程,主要是对硅晶圆的一系列处理,

20、简单来说就是通过外延生长、光刻、刻蚀、掺杂和抛光,在硅片上形成所需要的电路,将硅片变成芯片。从20世纪90年代初开始,国际半导体巨头纷纷来华创办独资或合资企业,转移生产能力。跨国公司向我国本土转移生产线,更贴近中国市场,市场反应更加灵敏和迅速,同时利用国内廉价的原材料和劳动力资源,增强了自身的竞争能力。跨国公司再凭借其先进的技术、雄厚的资本以及灵活的经营方式,确立了市场领先地位,在竞争中处于较为有利的地位。目前,中国芯片企业在封装领域已具备一定的市场与技术核心竞争能力。在中低端芯片器件封装领域,中国芯片封装企业的市场占有率较高;在高端芯片器件封装领域,部分中国企业有较大突破,形成了一大批具有一

21、定规模的封装企业,如深圳雷曼光电、厦门华联、佛山国星等,这些企业已打入高端显示屏、背光源、照明器件等门槛较高领域,避开同低端厂商的价格战,依靠提供稳定可靠、品质更高的产品和服务获得较高的品牌溢价。2017全年中国集成电路产量达到1564.9亿块,与2016年的1329亿块相比增长17.8%。在一系列政策措施扶持下,中国集成电路行业保持快速发展的势头,产业规模持续扩大,技术水平显着提升,预计2018年中国集成电路产量将进一步增长,达到1813.5亿块,同比增长率为15.9%。数据显示,2017年中国集成电路产业全年产业规模达到5430.2亿元,同比增长20.2%。预计2018年中国集成电路产业规

22、模将超6000亿元,达到6489.1亿元,同比增长19.5%。近年来,在国家和产业的大力投入下,我国集成电路制造业得到了快速发展,2016年产值首度超过1000亿元,达到1126.9亿元。2017年我国集成电路制造业继续保持良好成长势头,产业规模达到1415.4亿元。从近几年的发展情况来看,我国半导体芯片行业的发展整个处于上升态势,行业的毛利率一直维持在20%左右的水平,以华微电子的为例,2014-2017年,华微电子的毛利率一直维持在20%左右的水平,净利润则是处于缓慢增长状态,并于2017年实现了高速增长。二、半导体芯片项目建设必要性分析庞大信息社会的根基是一枚枚小巧的集成电路,通常被人们

23、称为“芯片”。别看芯片“身材小”,他们“喂养”着现代工业,手机、电脑、家电、高铁、电动车、机器人、医疗仪器等离开他们根本无法运转。西方发达国家一直对出口到中国的集成电路制造装备和材料以及工艺技术严格审查和限制。这对我国集成电路产业发展构成了严重制约,问题日益凸显。与此同时,随着我国国民经济的快速发展尤其是信息化进程的加快,对集成电路产品的需求持续快速增长,从2006年开始,集成电路产品超过石油成为我国最大宗进口产品,2013年至今,每年进口额均超过2000亿美元,逐年递增。2008年,我国启动实施“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”国家科技重大专项(简称集成电路装备专项)。10年来,集成电路

24、高端制造装备和材料从无到有填补产业链空白,制造工艺与封装集成由弱渐强、走向世界参与国际竞争,集成电路产业开始驶入自主创新发展的快车道。鉴于下游IC设计业快速成长带来晶圆代工刚需,大陆代工厂产能规模及本地化优势依旧稳固,光大证券认为:大陆晶圆代工厂通过把握现有制程市场仍能实现快速成长,预计未来三年大陆晶圆代工业复合增速在15%以上。俗称“芯片”行业的集成电路产业,其重要性可以用“工业粮食”来形容。然而,集成电路(芯片)行业是我国发展的痛点之一,是我国进口额最大的商品,连续四年进口额超2000亿美元。没有自己的“中国芯”,也是国家安全的重大隐患。因此,国家多年来在税收、资金补贴等政策扶持该产业发展

25、。尽管当前产业技术实现多点突破,产业链各方面得到全面提升,但仍然存在整体技术水平不高、核心产品创新不力、严重依赖进口等问题。尽管我国是半导体消费大国,但长期以来相关产品严重依赖进口,进口额逐年攀升。而比巨额进口费更令人担忧的是芯片严重依赖西方发达国家带来的国家信息安全和国家战略压力。作为国家的“工业粮食”,芯片几乎是所有设备的“心脏”。如果一味依赖外国的产品,不能在芯片上实现独立自主,国家信息安全必将时刻处于威胁之下。随着外部贸易环境恶化,对于关乎国民经济和国家安全的战略型产业,半导体领域的进口替代迫在眉睫。国内集成电路产业销售增长迅速。在设备领域,中国电子专用设备工业协会副秘书长金存忠指出,

26、2018年-2020年国产集成电路设备销售的年均增长率将超过15%。到2020年销售额将达到50亿元左右。2018年1月中国半导体销售额增长18.3%,并有持续增长趋势。根据中国制造2025规划,到2025年中国集成电路自给率提升到70%。但目前我国上游相关电子材料自给率低,国产化替代空间巨大。这对集成电路产业来说无疑是利好的,但中国该产业尚处于起步阶段,通过海外并购是实现迭代升级的重要途径,而愈演愈烈的贸易保护主义限制了相关领域的技术转让等,如果这些领域完全靠自主研发,势必将使得我国快速突破核心技术的难度成倍增加。因此,此次税收政策是鼓励企业向更高制程与更先进工艺的集成电路产业投资,重点扶持

27、优质半导体产业资产。通过鼓励与引导国内集成电路理性投资,进而推动集成电路产业健康有序发展。减免税收政策增厚公司盈利空间,反哺公司资金再投入带来的技术提升与盈利能力增长,从而缩短我国半导体产业和国外先进产业之间的差距。国家集成电路产业投资基金是由国开金融、中国烟草总公司、中国移动、上海国盛等知名股东共同出资设立,重点投资集成电路芯片制造业,兼顾芯片设计、封装测试、设备和材料等产业,实施市场化运作、专业化管理。截至2017年底,大基金首期募集资金1387亿元已基本投资完毕,累计有效决策投资67个项目,涉及上市公司23家。目前大基金的投资覆盖了集成电路制造、封装测试、设计、设备、材料、生态建设以及第

28、三代半导体、传感器等领域,实现了产业链上的完整布局。 第四章 市场研究分析一、半导体芯片行业分析半导体芯片是科技创新的硬件基础,站在5G+AI这新一轮全球科技创新周期的起点,半导体芯片将是科技创新发展确定的方向之一,全球的半导体指数表现优异。2019年12月份全球半导体销售额为361.0亿美金,同比下滑5.5%,同比增速大幅改善。分地区来看,中国的销售额恢复较快,2019年12月份销售额同比已经实现0.8%的正增长,亚太(除中国、日本外)、欧洲、日本和美洲均有所下降,分别降低了7.5%、7.8%、8.4%和10.5%,较前几个月的同比数据来看正处于改善过程中。半导体设备与材料则从上游源头反射行

29、业景气度的变化趋势。北美半导体设备制造商月度出货数据自2018年11月起同比增速为负,2019年10月份出货同比增速首度转正为3.9%,2020年1月份出货额同比增长23.6%;日本半导体设备制造商月度出货数据自2019年2月开始双位数下滑,2020年1月同比增速达到3.1%,行业先行指标快速恢复增长预示行业未来景气度高。当前台积电最先进的工艺为7nm制程,主要用于生产手机处理器、基带芯片、高性能运算等对性能及功耗要求均非常高的产品,客户主要包括华为、苹果、高通、AMD和MTK。由于苹果iPhone11系列销售情况优于预期,A13应用处理器委由台积电以7纳米制程量产,而苹果早就预订了台积电大部

30、分7纳米产能,目前仍然维持计划投片,导致华为海思、赛灵思(Xilinx)、超微(AMD)、联发科等大厂都拿不到足够的7纳米产能,目前交期已经超过100天,2019Q4的营收占比达到35%,预期2020Q1高端制程的产能仍然紧张。5G手机芯片、人工智能(AI)、高效能运算(HPC)处理器、网络处理器、IOT芯片等在内的需求强劲,将拉动半导体行业快速复苏。2019年全球半导体营收超过4100亿美元,其中中国地区销售额占比为35%,是占比最高的国家和地区。根据海关数据,2019年中国集成电路进口额为3050亿美元。功率器件是分立器件的重要组成部分,典型的功率半导体处理功能包括变频、变压、变流、功率放

31、大和功率管理等。功率半导体几乎用于所有的电子制造业,包括计算机、网络通信、消费电子、汽车电子、工业控制等一系列电子领域。由于功率半导体在电源或者电能转换模块中必不可少,所以称之为电子产品的必需品。在小功率(几W至几千W)领域,从计算机、电视机、洗衣机、冰箱、空调等电器的电源中均有使用;在中等功率范围(10000W到几兆瓦),功率器件向机车、工业驱动、冶炼炉等设备中的电机提供电能;在吉瓦的大功率范围内,高压直流输电系统中需要超高电压功率半导体器件。IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor的缩写,即绝缘栅双极型晶体管。它是由BJT和MOSFET组成的复合功率半导体器件

32、,既有MOSFET的开关速度高、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点,又有BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点,在高压、大电流、高速等方面是其他功率器件不能比拟的,因而是电力电子领域较为理想的开关器件,是未来应用发展的主要方向。IGBT芯片经历了6代升级,从平面穿通型(PT)到沟槽型电场截止型(FS-Trench),芯片面积、工艺线宽、通态饱和压降、关断时间、功率损耗等各项指标经历了不断的优化,断态电压也从600V提高到6500V以上。IGBT是新能源汽车和高铁等轨道交通车辆动力系统“核心中的核心”,为业界公认发展最为迅速的新型功率器件品种。新能源汽车及其配套设施快速增

33、长将为IGBT等高端功率半导体市场规模的加速扩张提供有力的保障。预计,电动汽车用IGBT市场到2022年将占整个IGBT市场的40左右。目前国内外IGBT市场仍主要由外国企业占据,虽然我国IGBT市场需求增长迅速,但由于国内相关人才缺乏,工艺基础薄弱,国内企业产业化起步较晚。预计2022年全球IGBT市场将超过55亿美元,主要增长来自电动汽车IGBT功率模块;预计2018年国内IGBT市场达到153亿元。从市场格局来看,由于国内IGBT产业链基础薄弱,目前只有少数企业能够参与竞争,国内百亿的IGBT市场主要被外资品牌所占据。从国内IGBT的供需情况来看,2018年国内IGBT产量仅占需求的约1

34、4%,即86%左右的需求依赖对外资品牌的采购。随着国内相关企业在IGBT领域的持续突破,IGBT国产化比率逐年提高,从2014年的9%提升至2018年的15%,虽然由于技术差距较大导致整体国产化比率仍然偏低,但是未来国产化趋势比较明确。一方面,IGBT属于工业核心零部件并且具备关键技术,在“自主可控”的大背景下,预计有望得到国家层面的持续重点支持,目前国网、中车等集团也在不断投入研发;另一方面,国内企业具备成本、服务优势,若未来技术差距缩小,存在一定的替代可行性。未来随着国产化的不断提升,国内自主品牌所面临的IGBT行业需求将保持持续较快增长。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等第三代半导体因

35、禁带宽度和击穿电压高,未来在功率半导体领域有很大的应用潜力,这一领域可以说是传统硅基功率半导体的全方位升级。目前第三代半导体功率器件发展方向主要有SiC和GaN两大方向,SiC拥有更高的热导率和更成熟的技术,而GaN高电子迁移率和饱和电子速率、成本更低的优点,两者的不同优势决定了应用范围上的差异,GaN的市场应用偏向高频小电力领域,集中在600V以下;而SiC适用于1200V以上的高温大电力领域。碳化硅器件比硅器件具备更高的电流密度,在功率等级相同的条件下,采用碳化硅器件可将电体积缩小化,满足功率密度更高、设计更紧凑的需求。未来5-10年在汽车中使用SiC功率器件将推动行业的快速发展,SiC在

36、汽车中的应用包括主逆变器、车载充电器及DC/DC转换器等。据Yole统计,截至2018年,有超过20家汽车厂商已经准备好将在车载充电器中应用SiC肖特基二极管或者SiCMOSFET。SiC的出现符合未来能源效率提升的趋势,也是产业链努力的结果,未来市场空间必将越来越大。GaN功率器件的定位为小体积、成本敏感、功率要求低的电源领域,如轻量化的消费电子电源适配器、无人机用超轻电源、无线充电设备等。对于充电器,一个很重要的功能是将220V的市电变为设备可接受的电压,220V交流电整流后先经过开关管(一个速度很快的开关)然后才到变压器,由于开关管的高频开启和关闭,所以输入电压是高频变动的。如果提高开关

37、的频率,则意味着每次电磁变化转换的能量一样的情况下可以使单位时间内能量转换的次数增加,所以导致转换功率增加。反过来说就是总功率一定时,频率越高,变压器的体积可以更小。氮化镓充电器小的关键原因是继续提高了开关频率,对比传统硅开关,GaN的开关速度可高100倍。GaN固有的较低栅极和输出电容支持以兆赫兹级的开关频率运行,同时降低栅极和开关损耗,从而提高效率。不同于硅,GaN不需要体二极管,因而消除了反向恢复损耗,并进一步提高了效率、减少了开关节点振铃和EMI。开关损耗会随着开关管大小的增大而增加,导通损耗会随着开关管大小(体积V)的增大而减小,两者曲线的交叉点就是传统MOSFET的功率损耗,在功率

38、损耗一致的情况下GaN开关的体积要比传统MOSFET要小。GaN充电器相比传统快充充电器,其最大的优势便是在同等功率的情况下重量、体积、价格上均有优势,对于消费电子充电器品类有着较强的渗透能力,未来100-200元区间的GaN充电器将进一步对现有传统充电器乃至传统快充充电器进行替代,全面利好产业链。存储器构筑了智能大时代的数据基石。随着5G技术的逐渐落地,人工智能应用的场景化多点开花,工业智造+家居智能+社会智理的全面智联时代即将拉开帷幕,这其中支撑智能时代的不仅是人工智能的大脑算法&高效能运算芯片,感知器官传感器,血管筋络传输网络,还有一切智能产生的根基与开端数据&存储器。存储器是计算机系统

39、中用来存储程序和各种数据的记忆设,计算机中的全部信息,包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。存储器主要有SRAM、DRAM和FLASHMEMORY。SRAM的一个存储单元需要较多的晶体管,价格昂贵,容量不大,多用于制造CPU内部的Cache;DRAM即我们通常所说的内存大小,用于我们通常的数据存取;FLASHMEMORY寿命长、体积小、功耗低、抗振性强,并具有在线非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)等优点,为嵌入式系统中典型的存储设备,多用于数码相机、手机、平板电脑、MP3等。FLASHMEMORY又分为NORFLASH和NANDFLASH,N

40、ORFLASH的传输效率高,容量小,程序可以在芯片内部执行,价格较昂贵,因此适合频繁随机读写的场合;NANDFLASH生产过程简单,容量大,价格较低,因此主要用来存储资料。存储器竞争以海外龙头为主,三星、东芝、西部数据、SK海力士、镁光等拥有先发优势的行业龙头掌握了绝大多数的存储器市场。未来,随着半导体产业链的逐步转移,我国如合肥长鑫、长江存储等存储器企业的技术及产能的不断推进,叠加国内智能手机、物联网、车载系统等需求释放在即,未来存储器国产化机遇十分充足。二、半导体芯片市场分析预测半导体已经发展成为全球经济增长的支柱性产业,随着技术的不断突破,越来越多的国家开始重视相关技术的发展。在全球半导

41、体技术发展和应用里,北美、欧洲和亚太地区成为全球三大半导体产业的发源地和主要消费市场。美国作为全球半导体技术最发达的国家,它称霸这个产业数十年,2018年,美国在最先进的芯片制造工艺7nm上首次落后台积电,但是美国半导体产业依旧亮点十足。2018年7月,英特尔宣布收购eASIC,加速FPGA,降低对CPU业务的依赖,eASIC位于英特尔公司总部所在地美国加利福尼亚州圣克拉拉,是一家生产可定制eASIC芯片的无晶圆厂半导体公司(IC设计商),其芯片可用于无线和云环境。近日,英特尔全球最大的FPGA创新中心落户重庆,为英特尔的FPGA在中国落地开路。英特尔公司和加州大学伯克利分校的研究者发表了他们

42、研究的新型半导体器件,适用于逻辑门电路和存储电路,这是一种具有创新意义的半导体器件,甚至有望取代CMOS成为应用最广泛的半导体器件。近年来,中国的半导体技术发展迅速,2018年7月,华为发布昇腾310芯片,这是一款高能效、灵活可编程的人工智能处理器,突破人工智能芯片设计的功耗、算力等约束,大幅提升了能效比,为自动驾驶、云业务和智能制造等应用场景提供全新的解决方案。前不久,国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收,该光刻机完全由中国自主研制,分辨率达到了22纳米,未来还能用于制造10纳米级别的芯片,这是中国在芯片生产上的重大突破。高端芯片一直是“中国芯”的痛点,2018年5月,中国

43、科学家不断努力,终于研制出了一款不逊于大国重器的产品中国“魂芯二号A”芯片。据OFweek电子工程网编辑了解到,“魂芯二号A”是中国电科38所纯自主设计研制的高端电子芯片,该芯片整体水平绝对领先于国际上同类产品很多倍,它可以与高速ADC、DAC直接互连,也能在1秒内完成千亿次浮点的操作运算,成功实现P波段射频直采软件的无线电处理形态。 第五章 产品规划方案一、产品规划项目主要产品为半导体芯片,根据市场情况,预计年产值13389.00万元。通过对国内外市场需求预测可以看出,我国项目产品将以内销为主并扩大外销,随着产品宣传力度的加大,产品价格的降低,产品质量的提高和产品的多样化,项目产品必将更受欢

44、迎;通过对市场需求预测分析,国内外市场对项目产品的需求量均呈逐年增加的趋势,市场销售前景非常看好。二、建设规模(一)用地规模该项目总征地面积19809.90平方米(折合约29.70亩),其中:净用地面积19809.90平方米(红线范围折合约29.70亩)。项目规划总建筑面积23969.98平方米,其中:规划建设主体工程18029.35平方米,计容建筑面积23969.98平方米;预计建筑工程投资2100.76万元。(二)设备购置项目计划购置设备共计111台(套),设备购置费1788.21万元。(三)产能规模项目计划总投资7352.03万元;预计年实现营业收入13389.00万元。 第六章 项目选

45、址一、项目选址该项目选址位于某经开区。北京,简称京,古称燕京、北平,是中华人民共和国首都、省级行政区、直辖市、国家中心城市、超大城市,国务院批复确定的中国政治中心、文化中心、国际交往中心、科技创新中心。截至2018年,全市下辖16个区,总面积16410.54平方千米,建成区面积1485平方千米,2019年末,常住人口2153.6万人,城镇人口1865万人,城镇化率86.6%。北京地处中国北部、华北平原北部,东与天津毗连,其余均与河北相邻,中心位置东经11620、北纬3956,是世界著名古都和现代化国际城市,也是中国共产党中央委员会、中华人民共和国中央人民政府和全国人民代表大会常务委员会的办公所

46、在地。北京地势西北高、东南低。西部、北部和东北部三面环山,东南部是一片缓缓向渤海倾斜的平原。境内流经的主要河流有:永定河、潮白河、北运河、拒马河等,多由西北部山地发源,穿过崇山峻岭,向东南蜿蜒流经平原地区,最后分别汇入渤海。北京的气候为典型的暖温带半湿润大陆性季风气候,夏季高温多雨,冬季寒冷干燥,春、秋短促。北京被世界权威机构GaWC评为世界一线城市。联合国报告指出北京人类发展指数居中国城市第二位。2019年,北京市实现地区生产总值35371.3亿元,按可比价格计算,比上年增长6.1%。“十二五”时期,面对经济发展新常态,全市上下坚持科学发展,以转型发展、可持续发展为引领,突出改善民生,强化改

47、革创新驱动,推进法治政府建设,确保社会和谐稳定,经济社会总体保持了平稳发展。经济发展步入新常态。通过几年发展,我市装备制造业规模不断扩大、产品种类逐步增多、产品档次不断提升,初步形成了以乘用车、重型汽车、专用车及零部件为主的汽车制造,以煤炭综采设备为主的煤矿及矿用设备制造,以风机整机组装及叶片、塔筒等零部件制造为主的风力发电设备制造和以压力容器为主的化工设备制造的装备制造产业体系。园区是1994年经省人民政府批准成立,并于2006年3月经国家发改委审核通过的省级经济园区。园区地处全国区域经济增长最具潜力的长江三角洲地区。核定规划面积60平方公里。园区按照“布局集中、用地集约、产业集聚、平安和谐

48、”的总体要求,坚持“高起点规划、高标准建设、高效能管理、高效益经营”开发建设理念,经过近20年的开发建设,规模从小到大,功能逐渐增强,服务不断升级,设施不断完善,配套日益齐全。投资项目对其生产工艺流程、设施布置等都有较为严格的标准化要求,为了更好地发挥其经济效益并综合考虑环境等多方面的因素,根据项目选址的一般原则和项目建设地的实际情况,该项目选址应遵循以下基本原则的要求。场址应靠近交通运输主干道,具备便利的交通条件,有利于原料和产成品的运输,同时,通讯便捷有利于及时反馈产品市场信息。近年来,项目承办单位培养了一大批精通各个工艺流程的优秀技术工人;企业的人才培养和建设始终走在当地相关行业的前列,

49、具有显著的人才优势;项目承办单位还与多家科研院所建立了长期的紧密合作关系,并建立了向科研开发倾斜的奖励机制,每年都拿出一定数量的专项资金用于对重点产品及关键工艺开发的奖励。二、用地控制指标建设项目平面布置符合行业厂房建设和单位面积产能设计规定标准,达到工业项目建设用地控制指标(国土资发【2008】24号)文件规定的具体要求。该项目均按照项目建设地建设用地规划许可证及建设用地规划设计要求进行设计,同时,严格按照项目建设地建设规划部门与国土资源管理部门提供的界址点坐标及用地方案图布置场区总平面图。三、地总体要求本期工程项目建设规划建筑系数62.18%,建筑容积率1.21,建设区域绿化覆盖率7.28

50、%,固定资产投资强度183.42万元/亩。土建工程投资一览表序号项目单位指标备注1占地面积平方米19809.9029.70亩2基底面积平方米12317.803建筑面积平方米23969.982100.76万元4容积率1.215建筑系数62.18%6主体工程平方米18029.357绿化面积平方米1745.838绿化率7.28%9投资强度万元/亩183.42四、节约用地措施投资项目建设认真贯彻执行专业化生产的原则,除了主要生产过程和关键工序由项目承办单位实施外,其他附属商品采取外协(外购)的方式,从而减少重复建设,节约了资金、能源和土地资源。在项目建设过程中,项目承办单位根据项目建设地的总体规划以及

51、项目建设地对投资项目地块的控制性指标,本着“经济适宜、综合利用”的原则进行科学规划、合理布局,最大限度地提高土地综合利用率。五、总图布置方案1、达到工艺流程(经营程序)顺畅、原材料与各种物料的输送线路最短、货物人流分道、生产调度方便的标准要求。按照建(构)筑物的生产性质和使用功能,项目总体设计根据物流关系将场区划分为生产区、办公生活区、公用设施区等三个功能区,要求功能分区明确,人流、物流便捷流畅,生产工艺流程顺畅简捷;这样布置既能充分利用现有场地,有利于生产设施的联系,又有利于外部水、电、气等能源的接入,管线敷设短捷,相互联系方便。同时考虑用地少、施工费用节约等要求,沿围墙、路边和可利用场地种

52、植花卉、树木、草坪及常绿植物,改善和美化生产环境。应与场外道路衔接顺畅,便于企业运输车辆直接进入国道、高速公路等国家级道路网络,场区道路应与总平面布置、管线、绿化等协调一致。2、场区绿化设计要达到“营造严谨开放的交流环境,催人奋进的工作环境,舒适宜人的休闲环境,和谐统一的生态环境”之目的。场区绿化设计要达到“营造严谨开放的交流环境,催人奋进的工作环境,舒适宜人的休闲环境,和谐统一的生态环境”之目的。场区植物配置以本地区树种为主,绿化设计的树木花草配置应依据项目建设区域的总体布置、竖向、道路及管线综合布置等要求,并适合当地气象、土壤、生态习性与防护性能,疏密适当高低错落,形成一定的层次感。场内供

53、水采用生活供水系统、消防供水系统、生产补给水系统,消防供水系统在场区内形成供水管网。投资项目采用雨、污分流制排水系统,分别汇集后排入项目建设区不同污水管网。3、投资项目生产给水的对象主要是各类清洗设备,其余辅助设备、空压机及厂房内水冷制冷机组等均采取冷却循环用水。供电回路及电压等级确定:配电系统采用TN-C-S制,供电电压为380V/220V,电压波动不超过额定电压的10.00%,电源频率为50.000.50Hz。投资项目供电电源由项目建设地变电站专线供给,供电电源电压为10KV,架空线引入场区后由电缆引入高压变配电室内,由场区配电屏分流到主体工程内,配电电压为380V/220V;场区电缆埋地

54、敷设,车间内电缆架空敷设,该地区的供电电源可靠且电压稳定,完全能够满足投资项目的用电需求。低压配电系统采用TN接地型式;车间配电室采用TN-S型三相五线制,变压器中性点直接接地,所有电气设备外壳及外露可导电的金属部分必须与PE线可靠连接为一体;保护接地、过电压保护接地和防雷接地共用,构成共用接地系统,所有接地电阻R1.00欧姆。4、场内运输主要为原材料的卸车进库;生产过程中原材料、半成品和成品的转运,以及成品的装车外运;场内运输由装载机、叉车及胶轮车承担,其费用记入主车间设备配套费中,投资项目资源配置可满足场内运输的需求。外部运输应尽量依托社会运输力量,从而减少固定资产投资;主要产成品、大宗原

55、材料的运输,应避免多次倒运,从而降低运输成本且提高运输效率。厂房内部散发较大热量的生产设备区域,采用局部封闭进行机械送、排风;当排出废气不能达到排放标准时必须设置空气净化设备。六、选址综合评价场址周围没有自然保护区、风景名胜区、生活饮用水水源地等环境敏感目标,无粉尘、有害气体、放射性物质和其他扩散性污染源,自然环境条件良好;拟建工程地势开阔,有利于大气污染物的扩散,区域大气环境质量良好。项目承办单位通过对可供选择的建设地区进行缜密比选后,充分考虑了项目拟建区域的交通条件、土地取得成本及职工交通便利条件,项目经营期所需的内外部条件:距原料产地的远近、企业劳动力成本、生产成本以及拟建区域产业配套情况、基础设施条件等,通过建设条件比选最终选定的项目最佳建设地点项目建设地,投资项目建设区域供电、供水、道路、照明、供汽、供气、通讯网络、施工环境等条件均较好,可保证项目的建设和正常经营,所选区域完善的基础设施和配套的生活设施为项目建设提供了良好的投资环境。投资项目选址符合国家相关供地政策及规划要求,其建筑系数、建筑容积率、建设区域绿化覆盖率、办公及生活服务用地比例、投资强度等各项用地指标,均符合工业项目建设用地控制指标(2008版)中的相关规定要求。 第七章 土建工程一、建筑工程设计

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等,如果需要附件,请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸,网页内容里面会有图纸预览,若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑,并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容,请与我们联系,我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

评论

0/150

提交评论