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文档简介

1、1,芯片生产工艺流程（课件,2,单晶拉制,1,3,单晶拉制,2,4,单晶拉制,3,5,单晶拉制,4,6,单晶拉制,5,7,环境和着装,8,单项工艺,扩散,1,卧式,4,炉管扩散,氧化炉,扩散,氧化进炉实景图,9,单项工艺,扩散,2,立式扩散,氧化炉,扩散,氧化进炉实景图,10,单项工艺,扩散,3,扩散工序作业现场,11,单项工艺,光刻,1,先进光刻曝光设备,12,单项工艺,光刻,2,现场用光刻曝光设备,13,单项工艺,光刻,3,检查用显微镜,14,单项工艺,光刻,4,清,洗,淀积,生长隔离层,匀,胶,SiO,2,Si,3,N,4,金属,HMDS,喷淋（增加,Si,的粘性,匀光刻胶,15,单项工

2、艺,光刻,5,前,烘,对,版,匀,胶,对每个圆片必须按要求对版,用弧光灯将光刻版上的图案转,移到光刻胶上,增加黏附作用,促进有机溶剂挥发,16,单项工艺,光刻,6,显影,漂洗,坚,膜,腐,蚀,硬化光刻胶,增加与硅片的附着性,将圆片进行显影,漂洗，不需要的,的光刻胶溶解到有机溶剂,去,胶,干法腐蚀,湿法腐蚀,17,单项工艺,光刻,7,光刻工艺过程,18,单项工艺,CVD,1,19,单项工艺,CVD,2,初级离子气体被吸收到硅片表面,20,单项工艺,CVD,3,初级离子气体在硅片表面分解,21,单项工艺,CVD,4,玻,璃,的,解,吸,22,单项工艺,CVD,5,23,单相工艺,离子注入,1,24

3、,单相工艺,离子注入,2,25,单相工艺,离子注入,3,26,单相工艺,蒸发,1,蒸发原理示意图,27,单相工艺,蒸发,2,溅射原理示意图,28,单相工艺,蒸发,3,29,单相工艺,清洗,30,基础认知,31,衬底材料,扩散层,外延层,32,一次氧化,33,基区光刻,34,干氧氧化,35,离子注入,36,基区扩散,37,发射区光刻,38,发射区预淀积,39,发射区扩散,40,发射区低温氧化,41,氢气处理,42,N,光刻（适用于,P,型片,43,N,淀积扩散（适用,P,型片,44,N,低温氧化（适用,P,型片,45,氢气处理（适用,P,型片,46,3B,光刻,47,铝蒸发,48,四次光刻,49,氮氢合金,50,AL,上,CVD,2,51,氮气烘焙（适用,N,型片,2,52,五次光刻,2,53,中测抽测,2,测试系统,54,减薄、抛光,2,减薄和抛光部分,55,蒸金,银,2,56,背金合金,

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