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文档简介
1、陶瓷烧结过程,1,陶瓷的烧结过程,陶瓷成形体(素坯)是由陶瓷粉体聚合而成的多孔体,气孔率一般为35-60%。 在高温条件下(熔点的0.5-0.7),由于物质迁移,素坯体积收缩,气孔排除,形成致密的多晶陶瓷体烧结 烧结伴随气孔形状变化、气孔率下降、密度提高(致密陶瓷相对密度98%)、晶粒长大,陶瓷烧结过程,2,烧结的驱动力,粉体表面能与界面能的差 传质过程 扩散传质 溶解析出传质 蒸发凝聚传质 粘性流动,陶瓷烧结过程,3,烧结过程,粉体颗粒间的粘接、致密化 晶粒长大 晶界相 影响烧结的因素 温度、气氛、压力 粉体活性 烧结助剂,陶瓷烧结过程,4,烧结方法,常压烧结 热压烧结 热等静压烧结 电弧等
2、离子放电烧结 微波烧结 自蔓延烧结,陶瓷烧结过程,5,常压烧结,在大气环境下,仅通过加热使陶瓷烧结的方法。 用于制备氧化物陶瓷 烧成制度:各阶段温度点、升温速度、保温时间、降温速度 裸烧、匣钵,陶瓷烧结过程,6,窑炉类型,间歇式: 箱式电炉 钟罩窑、梭式窑 连续式: 推板窑、辊道窑 隧道窑,陶瓷烧结过程,7,电炉发热体,马弗炉:金属合金丝(1100C) 硅碳棒,SiC(1400C) 硅钼棒,MoSi2(1700C) 氧化锆,(2000C,陶瓷烧结过程,8,钟罩窑、梭式窑,陶瓷烧结过程,9,辊道窑、推板窑,陶瓷烧结过程,10,隧道窑,陶瓷烧结过程,11,促进烧结的方法,高密度、高均匀性的成形体
3、烧结助剂 产生低温液相 形成固溶体 钉扎界面,抑制晶粒生长,陶瓷烧结过程,12,真空烧结、气氛烧结,真空电阻炉:钨丝或石墨发热体(2000、2300C、可高真空、可通惰性保护气体N2、Ar) 管式气氛炉:电热丝、硅碳、硅钼 非氧化物陶瓷烧结,陶瓷烧结过程,13,氮化硅陶瓷的无压烧结,氮化硅无熔点、高温分解(1900C) 能形成液相的氧化物烧结助剂(Y2O3-Al2O3, MgO-Al2O3-SiO2) 采用氮化硅为原料,1420C相变为相,有利烧结,且该相为柱状晶,力学性能好。 埋粉(Si3N4:BN:MgO=5:4:1)抑制氮化硅分解,陶瓷烧结过程,14,氮化硅的气压烧结(Gas Press
4、ure Sintering GPS,为了抑制氮化物分解,在N2气压力1-10MPa高压下烧成。 对于氮化硅常压烧成温度要低于1800C,而气压烧结温度可提高到2100-2390C,陶瓷烧结过程,15,热压烧结(Hot Pressing, HP,加热的同时施加机械压力,增加烧结驱动力,促进烧结 粘性流动 塑性变形 晶界滑移 颗粒重排 一般采用石墨模具,表面涂覆氮化硼,防止反应,陶瓷烧结过程,16,热等静压(Hot Isostatic Pressing, HIP,以高压气体作为压力介质作用于陶瓷材料(包封的粉体和素坯,或烧结体),使其在高温环境下受到等静压而达到高致密化 一般用玻璃封装 HIP的特
5、点: 降低烧成温度、缩短烧成时间 减少或不用烧结助剂 提高陶瓷性能及可靠性 便于制造复杂形状产品,陶瓷烧结过程,17,微波烧结,利用微波与材料的相互作用,其介电损耗导致陶瓷坯体自身发热而烧结 加热快 整体均匀加热 无热惯性,烧成周期短 可实现局部加热修复等 能效高 无热源污染,陶瓷烧结过程,18,材料与微波的相互作用,微波透过材料(无吸收):石英玻璃、云母、聚四氟乙烯 微波反射材料:金属 微波吸收材料(损耗介质): 低温吸收小,高于某温度急剧增加:Al2O3、MgO、ZrO2、Si3N4等 室温就高吸收:CaCO3、Fe2O3、Cr2O3、SiC等,陶瓷烧结过程,19,材料与微波的相互作用,吸收功率: 穿透深度: 升温速率,陶瓷烧结过程,20,放电等离子烧结(Spark Plasma Sintering, SPS,对模具或样品直接施加大脉冲电流,通过热效应或其他场效应,使试样烧结 压力500t,脉冲电流25kA 数分钟完成陶瓷烧结,陶瓷烧结过程,21,
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