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文档简介
1、,5.1概述,5.2谐振功率放大器的工作原理,5.3晶体管谐振功率放大器的 折线近似分析法,5.4晶体管功率放大器的高频特性,5.5高频功率放大器的电路组成,Chapter5 谐振功率放大器,5.10 晶体管倍频器,5.6丁类功率放大器,5.8宽带高频功率放大器,5.9功率合成器,2、功率信号放大器使用中需要解决的两个问题: 高效率输出高功率输出 联想对比: 谐振功率放大器与高频小信号谐振放大器; 谐振功率放大器与低频功率放大器;,5.1概述,1、使用谐振功率放大器的目的放大高频大信号使发射机末级获得足够大的发射功率。,3、谐振功率放大器与小信号谐振放大器的异同之处,相同之处:它们放大的信号均
2、为高频信号,而且放大器的负 载均为谐振回路。,不同之处:激励信号幅度大小不同; 放大器工作点不同; 晶体管动态范围不同。,谐振功率放大器 波形图,小信号谐振放大器 波形图,小信号谐振放大器 波形图,2c是在一周期内的集电极电流流通角,因此,c可称为半流通角或截止角(意即t=c时,电流被截止)。为方便起见,以后将c简称为通角,2c,谐振功率放大器 波形图,2c,共同之处:都要求输出功率大和效率高。 功率放大器实质上是一个能量转换器,把电源供给的直流能量转化为交流能量,能量转换的能力即为功率放大器的效率。 功率放大器的主要技术指标是输出功率与效率,4、高频功率放大器与低频功率放大器的异同之处,不同
3、之处:工作频率与相对频宽不同; 放大器的负载不同; 放大器的工作状态不同。,5、工作状态:,功率放大器一般分为甲类、乙类、甲乙类、丙类等工作方式,为了进一步提高工作效率还提出了丁类与戊类放大器。,谐振功率放大器通常工作于丙类工作状态,属于非线性电路,谐振功率放大器通常用来放大窄带高频信号,其工作状态通常选为丙类工作状态(c90),为了不失真的放大信号,它的负载必须是谐振回路。 非谐振功率放大器可分为低频功率放大器和宽带高频功率放大器。低频功率放大器的负载为无调谐负载,工作在甲类或乙类工作状态;宽带高频功率放大器以宽带传输线为负载。 谐振功率放大器的分析方法:图解法,解析法,1、原理电路,谐振功
4、率放大器的基本电路,(1)晶体管的作用是在将供电电源的直流能量转变为交流能量的过程中起开关控制作用。,(2)谐振回路LC是晶体管的负载,(3)电路工作在丙类工作状态,外部电路关系式:,晶体管的内部特性:,5.2谐振功率放大器的工作原理,根据晶体管的转移特性曲线可得:,谐振功率放大器转移特性曲线,故得:,必须强调指出: 集电极电流ic虽然是脉冲状,但由于谐振回路的这种滤波作用,仍然能得到正弦波形的输出。,11,谐振功率放大器中各部分 电压与电流的关系,(a),2、电流与电压波形:,(,b),1.iC与vBE同相,与vCE反相;,2.iC脉冲最大时,vCE最小;,3.导通角和vCEmin越小,Pc
5、越小;,高频功率放大器中各部分电压与电流的关系,LC回路能量转换过程,回路的这种滤波作用也可从能量的观点来解释。,回路是由L、C二个储能元件组成。,当晶体管由截止转入导电时,由于回路中电感L的电流不能突变,因此,输出脉冲电流的大部分流过电容C,即使C充电。充电电压的方向是下正上负。这时直流电源VCC给出的能量储存在电容C之中。过了一段时间,当电容两端的电压增大到一定程度(接近电源电压),晶体管截止,电容通过电感放电,下一周期到来重复以上过程。,由于这种周期性的能量补充,所以振荡回路能维持振荡。当补充的能量与消耗的能量相等时,电路中就建立起动态平衡,因而维持了等幅的正弦波振荡。,3、LC回路的能
6、量转换过程,4、谐振功率放大器的功率关系和效率,功率放大器的作用原理是利用输入到基极的信号来控制集电极的直流电源所供给的直流功率,使之转变为交流信号功率输出去。,有一部分功率以热能的形式消耗在集电极上,成为集电极耗散功率。为了表示晶体管放大器的转换能力引入集电极效率c,P=直流电源供给的直流功率; Po=交流输出信号功率; Pc=集电极耗散功率;,根据能量守衡定理:,故集电极效率:,由上式可以得出以下两点结论:,如果维持晶体管的集电极耗散功率Pc不超过规定值,那么提高集电极效率c,将使交流输出功率Po大为增加。谐振功率放大器就是从这方面入手,来提高输出功率与效率的。,1) 设法尽量降低集电极耗
7、散功率Pc,则集电极效率c自然会提高。这样,在给定P=时,晶体管的交流输出功率Po就会增大;,如何减小集电极耗散功率Pc,可见使ic在vCE最低的时候才能通过,那么,集电极耗散功率自然会大为减小。,晶体管集电极平均耗散功率:,故:要想获得高的集电极效率,谐振功率放大器的集电极电流应该是脉冲状。导通角小于180,处于丙类工作状态。,谐振功率放大器工作在丙类工作状态时c90,集电极余弦电流脉冲可分解为傅里叶级数:,直流功率:,输出交流功率:,Vcm - 回路两端的基频电压 Icm1 - 基频电流 Rp - 回路的谐振阻抗,放大器的集电极效率:,集电极电压利用系数:,为通角c的函数;c越小g1(c)
8、越大,波形系数:,越大(即Vcm越大或vcEmin越小)c越小,效率c越高。因此,丙类谐振功率放大器提高效率c的途径为: 1、减小c角; 2、使LC回路谐振在信号的基频上, 即ic的最大值应对应vcE的最小值。,放大高频大信号, 属于非线性工作状态; 基极偏置为负值,半通角c90, 即丙类工作状态; 电流脉冲是尖顶余弦脉冲; 负载为LC谐振回路。,故谐振功率放大器的工作特点:,5.3.1折线法,所谓折线法是将电子器件的特性曲线理想化,用一组折线代替晶体管静态特性曲线后进行分析和计算的方法。 工程上都采用近似估算和实验调整相结合的方法对高频功率放大器进行分析和计算。折线法就是常用的一种分析法。
9、对谐振功率放大器进行分析计算,关键在于求出电流的直流分量Ic0和基频分量Icm1。,5.3谐振功率放大器的折线近似分析法,折线分析法的主要步骤:,1、测出晶体管的转移特性曲线ic vBE及输出特性曲线ic vCE, 并将这两组曲线作理想折线化处理。 2、作出动态特性曲线。 3、根据激励电压vb的大小在已知理想特性曲线上画出对应电流脉冲ic和输出电压vc的波形。 4、求出ic的各次谐波分量Ic0、Ic1、Ic2由给定的负载谐振阻抗的大小,即可求得放大器的输出电压、输出功率、直流供给功率、效率等指标。,晶体管实际特性和理想折线,根据理想化原理晶体管的静态转移特性可用交横轴于VBZ的一条直线来表示(
10、VBZ为截止偏压)。,由上图可见,根据理想化原理,在放大区,集电极电流只受基极电压的控制,与集电极电压无关; 在饱和区,集电极电流只受集电极电压的控制,而与基极电压无关。,5.3.2晶体管特性曲线的理想化及其特性曲线,则临界线方程可写为 ic=gcrvCE (2) gcr为临界线的斜率,则转移特性方程可写为 ic =gc(vBEVBZ) (vBEVBZ) (1),gc-转移特性方程的斜率,式(1)和(2)是折线近似法的基础,应很好地掌握。,在非线性谐振功率放大器中,常常根据集电极是否进入饱和区,将放大区的工作状态分为三种:,1)欠压工作状态: 集电极最大点电流在临界线的右方, 交流输出电压较低
11、且变化较大。,2)过压工作状态: 集电极最大点电流进入临界线之左的饱和区, 交流输出电压较高且变化不大。,3)临界工作状态: 是欠压和过压状态的分界点, 集电极最大点电流正好落在临界线上。,当晶体管特性曲线理想化后,丙类工作状态的集电极电流脉冲是尖顶余弦脉冲。这适用于欠压或临界状态。,尖顶余弦脉冲,晶体管的内部特性为:,它的外部电路关系式,ic=gc(vBEVBZ) (1),vBE= VBB+Vbmcost (2),vCE= VCCVcmcost (3),将式(2)代入式(1),得 ic = gc(VBB+VbmcostVBZ)(4) 当t=c时,ic=0,代入上式得 0 = gc(VBB+V
12、bmcoscVBZ) (5) 即,5.3.3集电极余弦电流脉冲的分解,( 6 ),因此,知道了Vbm、VBB与VBZ各值,c的值便完全确定。 将式(4)与式(5)相减,即得 ic = gcVbm(costcosc) (7)当t=0时,ic= ic max,因此 ic max= gcVbm(1cos c) (8),将式(7)与式(8)相除,即得,或,式(9)即为尖顶余弦脉冲的解析式, 它完全取决于脉冲高度ic max与通角c。,(9),若将尖顶脉冲分解为傅里叶级数,由傅里叶级数的求系数法得,其中:,尖顶脉冲的分解系数,尖顶脉冲的分解系数,当c120时,Icm1/icmax 达到最大值。在Ic m
13、ax与 负载阻抗Rp为某定值的 情况下,输出功率将达 到最大值。这样看来, 取c=120应该是最佳通 角了。但此时放大器处 于甲级工作状态效率太 低。,右图可见:,尖顶脉冲的分解系数,:,波形系数,由曲线可知: 极端情况c=0时,,此时=1,c可达100%,因此,为了兼顾功率与效率,最佳通角取70左右。,由于,分析可知, 增大和g1的值是提高效率的两个措施, 增大1是增大输出功率的措施。然而增大g1与增大1是互相矛盾的。导通角越小, g1越大, 效率越高, 但1却越小, 输出功率也就越小。所以要兼顾效率和输出功率两个方面, 选取合适的导通角。若取=70, 此时的集电极效率可达到85.9%, 而
14、=120时的集电极效率仅为64%左右。因此, 一般以70作为最佳导通角, 可以兼顾效率和输出功率两个重要指标。 例3.1在图3.2.3中, 若Uon=0.6 V, g=10mAV, ICm=20mA, 又VCC=12V, 求当分别为180, 90和60时的输出功率和相应的基极偏压VBB, 以及为60时的集电极效率。(忽略集电极饱和压降),解: 由图3.2.4可知: 0(60)=0.22,1(180)=1(90)=0.5, 1(60)=0.39 因为 Ucm=VCC=12V 所以, 当甲类工作时(=180), 根据式(3.2.11), (3.2.4), Ic1m=0.520=10mA,Po= 1
15、012=60 mW VBB=0.6+ =1.6 V (Ubm= ICm(1-cos) g) ,当乙类工作时(=90), Ic1m=0.520=10mA, Po= 1012=60mW VBB=0.6V,当丙类工作时(=60), Ic1m=0.3920=7.8mA,Po= 7.812=46.8mW IC0=0.2220=4.4mA, = ,由式(3.2.9)可知: Ubm= ICm(1-cos) g 所以可求得: VBB=Uon-Ubmcos=Uon- =0.6- =-1.4 V,1. 谐振功率放大器的动态特性,晶体管的静态特性是在集电极电路内没有负载阻抗的条件下获得的。如,维持基极电压vBE不变
16、,改变集电极电压vCE ,就可求出icvCE静态特性曲线族。如果集电极电路有负载阻抗,则当改变vBE使ic变化时,由于负载上有电压降,就必然同时引起vCE的变化。,5.3.4谐振功率放大器的动态特性与负载特性,高频放大器的工作状态是由负载阻抗Rp、激励电压vb、供电电压VCC、VBB等4个参量决定的。 如果VCC、VBB、vb 3个参变量不变,则放大器的工作状态就由负载电阻Rp决定。此时,放大器的电流、输出电压、功率、效率等随Rp而变化的特性,就叫做放大器的负载特性。,所谓动态特性是和静态特性相对应而言的,在考虑了负载的反作用后,所获得的vCE、vBE与ic的关系曲线就叫做动态特性。,当放大器
17、工作于谐振状态时,它的外部电路关系式为,vBE= VBB+Vbmcost,vCE= VCCVcmcost,消去cost可得,,vBE= VBB+Vbm,另一方面,晶体管的折线化方程为,ic = gc(vBEVBZ),得出在icvCE坐标平面上的动态特性曲线(负载线或工作路)方程:,= gd(vCE V0),图中示出动态特性曲线的斜率为负值,它的物理意义是:,从负载方面看来,放大器相当于一个负电阻,亦即它相当于交流电能发生器,可以输出电能至负载。,用类似的方法,可得出在ic vBE坐标平面的动态特性曲线。,根据上式可作出功放的动态特性曲线如图所示:,ic = gd(vCE V0),动态线作法:A
18、B为动态特性曲线,也称为工作路。 取B点,作斜率为gd的直线; 取Q、A两点,连成直线。,特殊点说明 A点 : 0,vBE达到最大,vCE达到最小,iC达到最大;,Q点: 90, vCEVCC, 虚拟电流IQgc(VBBVBZ),ic vCE坐标平面上的动态特性曲线的作法与相应的ic波形,vCE= VCCVcmcost,vBE= VBB+Vbmcost,vBE= VBB,ic = gd(vCE V0),2. 功率放大器的负载特性,在 VCC、VBB、vb为一定,只变化放大器的负载电阻而引起的放大器输出电压、输出功率、效率的变化特性称为负载特性。,电压、电流随负载变化波形,1) 在负载电阻RP由
19、小至大变化时,负载线的斜率由小变大,如图中123。不同的负载,放大器的工作状态是不同的,所得的ic波形、输出交流电压幅值、功率、效率也是不一样的。,2) 欠压、过压、临界三种工作状态, 欠压状态: B点以右的区域。在欠压区至临界点 的范围内,根据Vc=RpIc1,放大器的交流输出电压在欠压区内必随负载电阻RP的增大而增大,其输出功率、效率的变化也将如此。, 临界状态: 负载线和vb max正好相交于临界线的拐点。放大器工作在临界状态时,输出功率大,管子损耗小,放大器的效率也就较大。,根据Rp与VBEmax相交在不同区域,可分为三种工作状态:, 过压状态,电压、电流随负载变化波形,过压状态放大器
20、的负载较大,如动态线3就是这种情况。动态线穿过临界点C后,电流沿临界线下降,因此集电极电流ic呈下凹顶状,过压愈重,则ic波顶下凹愈厉害,严重时,ic波形可分裂为两部分。根据傅里叶级数对ic波形分解可知,波形下凹的ic,其基波分量Ic1会下降,下凹愈深,则Ic0、Ic1的下降也就愈激烈因此放大器的输出功率和效率也要减小。,根据上述分析,可以画出谐振功率放大器的负载特性曲线,负载特性曲线,欠压状态的功率和效率都比较低,集电极耗散功率也较大,输出电压随负载阻抗变化而变化,因此较少采用。但晶体管基极调幅,需采用这种工作状态。,过压状态的优点是,当负载阻抗变化时,输出电压比较平 稳且幅值较大,在弱过压
21、时,效率可达最高,但输出功率 有所下降,发射机的中间级、集电极调幅级常采用这种状 态。,负载特性曲线,临界状态的特点是输出功率最大,效率也较高,比最大效 率差不了许多,可以说是最佳工作状态,发射机的末级常 设计成这种状态,在计算谐振功率放大器时,也常以此状 态为例。,负载特性曲线,掌握负载特性,对分析集电极调幅电路、基极调幅电路的工作原理,对实际调整谐振功率放大器的工作状态和指标是很有帮助的。,1. 导通角c的调整,由,若保持Vb不变增大偏置VBB;或保持VBB不变增大激励电压振幅Vb;或同时增大VBB和Vb,这三种情况均可使导通角c增大,若相反,则可使c减小。但是采取上述三种方法中的任一个方
22、法,当c增大时,ic脉冲电流的振幅Im会加大,输出功率Po当然也会加大,而当c减小时,Im和Po均将减小。有时希望增大c,但要保持Im不变,则应在增加VBB的同时,适当减小激励Vb。,5.3.5放大器工作状态及导通角的调整,2. 欠压、临界、过压工作状态的调整,调整欠压、临界、过压三种工作状态,大致有以下几种方法: 改变集电极负载Rp; 改变供电电压VCC; 改变偏压VBB; 改变激励Vb。,改变VBE,(1) 改变Rp,但Vb、VCC、VBB不变 当负载电阻Rp由小至大变化时,放大器的工作状态由欠压经临界转入过压。在临界状态时输出功率最大。,负载特性曲线,VCC变化时对工作状态的影响,在欠压
23、区内,输出电流的 振幅基本上不随VCC变化 而变化,故输出功率基本 不变;而在过压区,输出 电流的振幅将随VCC的减 小而下降,故输出功率也 随之下降。,(2) 改变VCC,但Rp、Vb、VBB不变当集电极供电电压VCC由小至大变化时,放大器的工作状态由过压经临界转入欠压。,改变VCC对工作状态的影响,(3) Vbm变化,但VCC、VBB、Rp不变或VBB变化,但VCC、Vb、Rp不变 这两种情况所引起放大器工作状态的变化是相同的。因为无论是Vbm还是VBB的变化,其结果都是引起vBE的变化。,由 vBE = -VBB+Vbmcost vBEmax= - VBB+Vbm,当VBB或Vbm由小到
24、大变化时, 放大器的工作状态由欠压经临 界转入过压。,在过压区中输出电压随VCC改变而变化的特性为集电极调幅的实现提供依据;因为在集电极调幅电路中是依靠改变VCC来实现调幅过程的。改变VCC时,其工作状态和电流、功率的变化如上图所示。,1. 改变VCC对工作状态的影响,各极电压对工作状态的影响,VCC由小大时,对应工作状态由过压临界欠压。,Vbm变化时电流、功率的变化,2. 改变vb m对工作状态的影响,当vb m由小到大变化时,放大器的工作状态由欠压临界过压。,例4-1 谐振功率放大器输出功率Po已测出,在电路参数不变时,为提高Po采用提高Vbm的办法。但效果不明显,试分析原因,并指出为了达
25、到Po明显提高的目的,可采用什么措施?,负载特性曲线,采用提高Vbm提高Po效果不明显说明放大器工作在过压工作状态,为了达到Po明显提高的目的可以减小Rp或增加Vcc。,谐振功率放大器的主要指标是功率和效率。 以临界状态为例:,1) 首先要求得集电极电流脉冲的两个主要参量ic max和c,导通角c,集电极电流脉冲幅值Icm,4.3.6谐振功率放大器的计算,2) 电流余弦脉冲的各谐波分量系数0(c)、1(c)、 n(c)可查表求得,并求得个分量的实际值。,3) 谐振功率放大器的功率和效率,直流功率:,P=Ic0 VCC,交流输出功率:,集电极效率:,4) 根据,可求得最佳负载电阻:,在临界工作时
26、,接近于1,作为工作估算,可设定=1。 “最佳”的含义在于采用这一负载值时,调谐功率放大器的效率较高,输出功率较大。 可以证明,放大器所要求的最佳负载是随导通角c改变而变化的。c小,Rp大。要提高放大器的效率,就要求放大器具有大的最佳负载电阻值。 在实际电路中,放大器所要求的最佳电阻需要通过匹配网络和终端负载(如天线等)相匹配。,2) 根据,求得Vb,3) 根据ic max=gcVb(1cosc)求得ic max、Ic1、Ic0,c=70,cos70=0.342,,Ic1=ic max1(70)=20.436=0.872A Ic0=i c max0(70)=20.253=0.506A,1) 根
27、据图可求得转移特性的斜率gc,例5-1 某谐振功率放大器的转移特性如图所示。已知该放大器采用晶体管的参数为:fT150MHz,功率增益Ap13dB,管子允许通过的最大电流IcM=3A,最大集电极功耗为Pc max=5W。管子的VBZ=0.6V,放大器的负偏置VBB=1.4V,c=70,VCC=24V,= 0.9,试计算放大器的各参数。,4) 求交流电压振幅: Vcm=VCC=240.9=21.6V 对应功率、效率。 P=VCC IC0=240.506=12W Po=,Pc =P=-Po = 2.6WPc max (安全工作),则,5) 激励功率 因为Ap=13dB,即,动态线表达式: iC=-
28、gd(uCE-V0),其中,斜率值gd的另一种形式: gd=,因为 Ic1m=ICm1(), R=,所以Rd= (3.2.14) ,例5.2某高频功放工作在临界状态, 已知VCC=18V, gcr=0.6 AV, =60, R=100, 求输出功率Po、直流功率PD和集电极效率。 ,ICm=gcr(VCC-Ucm)=gdUcm(1-cos ) 故 所以 Po = ,解: 由式(3.2.14)可求得: Rd=1(60)(1-cos 60)100=19 所以 gd=1/19 ,5.4.1概述,用折线法分析高频功率放大器时要引入相当的误差,低频时误差还是允许的。但随着工作频率的提高,由于晶体管的高频
29、特性及大信号的注入效应而引入的误差将更大,严重时,使放大器无法工作。 一方面应该考虑晶体管基区少数载流子的渡越时间、晶体管的体电阻(特别是rbb的影响)。饱和压降及引线电感等因素的影响;另一方面,功率放大管基本工作在大信号,即大注入条件下,必须考虑大注入所引起的基极电流和饱和压降增加的影响。上述的这些影响都会使放大器的功率增益、最大输出功率及效率的急骤下降。,*5.4晶体管功率放大器的高频效应,在高频小信号工作时,渡越角是以扩散电容的形式来表示基区渡越时间的影响的,由于信号的幅度小结电容可等效成线性的。而在大信号高频工作时,必须考虑其非线性特性。,通过实验,可以用示波器观察功率放大器放大管各极
30、电流波形随工作频率变化而变化的情况。,高频情况下功放管 各电极电流波形,5.4.2基区渡越时间的影响,在工作频率很高, 渡越角在0=1020时,功放管各电极电流的变化情况:,(1) 发射极电流ie :随着工作频率提高,存贮在基区中的载 流子由于输入信号vb迅速向负极性变化而返回发射极, 因而ie出现反向脉冲,管子的导通角加大,工作频率越 高,ie反向脉冲的宽度就越大,幅值也越高,导通角也 越扩展。,(2) 集电极电流ic : ic 的峰值 滞后于ie 的峰值,二者 差一渡越角0,ic的导 通角也由低频时的c增 大到:c+20,高频情况下功放管各电极电流波形,(3) 基极电流ib :由于ie出现
31、反 向脉冲,根据ib= ie ic,所以 ib也出现反向电流脉冲,且其最大值比vBE的最大值提前,可以看出其基波分量加大,且比vBE超前,Ib1的增加将提高了对激励功率的要求。,上述分析表明,ic的导通角加大,将使功率管的效率大大降低;Ib1的加大将使激励功率增加,这会使放大器的功率增益降低,这种现象将随工作频率升高而加剧。,高频情况下功放管 各电极电流波形,当频率增高时,已经证明基极电流的基波振值Ib1是迅速增加的,这表明be间呈现的交流阻抗显著减小,因此rbb的影响便相对增加,要求的激励功率将更大,这会使功率增益进一步减小。,5.4.3晶体管基极体电阻rbb的影响,4.4.4饱和压降Vce
32、s,大信号注入时,功率管的饱和压降将增大,在高频工作时,集电极体电阻也要提高,致使饱和压降进一步增加。,例如: 当f=30MHz时,实测某管的Vces=1.5V, 当f=200MHz时,Vces则可大到3.5V。,Vces的增加,会使功率放大器的输出功率、效率、功率增益均减少。,在更高频率工作时,要考虑管子各电极引线电感的影响,其中以发射极的引线电感影响最严重,因为它能使输出输入电路之间产生寄生耦合。 一般长度为10mm的引线,其电感约为103H,在工作频率为300MHz时,感抗值约为1.9,若通过1A高频电流,则会在此感抗上产生约1.9V的负反馈电压。这种负反馈当然会使输出功率及功率增益下降
33、,并使激励增加。,5.4.5引线电感的影响,5.4.1直流馈电电路,5.4.2输出回路和级间耦合回路,集电极馈电电路,基极馈电电路,级间耦合网络,输出匹配网络,5.4高频功率放大器的电路组成,1. 集电极馈电电路,根据直流电源连接方式的不同,集电极馈电电路又分为串联馈电和并联馈电两种。,5.4.1直流馈电电路,(1) 串馈电路 指直流电源VCC、负载回路(匹配网络)、功 率管三者首尾相接的一种直流馈电电路。C1、LC为低通 滤波电路,A点为高频地电位,既阻止电源VCC中的高频 成分影响放大器的工作,又避免高频信号在LC负载回路 以外不必要的损耗。C1、LC的选取原则为 LC 10 回路阻抗 1
34、 / c1 1/10回路阻抗,(2) 并馈电路 指直流电源VCC、负载回路(匹配网络)、功 率管三者为并联连接的一种馈电电路。如图LC为高频扼 流圈,C1为高频旁路电容,C2为隔直流通高频电容, LC、C1、C2的选取原则与串馈电路基本相同。,馈电线路的基本组成原则,1)其直流通路应如图(a)所示。,2)其基波分量的交流通路应 如图(b)所示。,如原理图所示:,3)其谐波分量的交流通路应 如图(c)所示。,输出回路为例,集电极电路对各频率成分电流的等效电路,无论是串馈还是并馈都必须满足外部电路方程:,输出回路满足 : vcE= VCCVcmcost,(3) 串并馈直流供电路的优缺点 优点:在并
35、馈电路中,信号回路两端均处于直流地电位,即零电位。对高频而言,回路的一端又直接接地,因此回路安装比较方便,调谐电容C上无高压,安全可靠; 缺点:在并馈电路中,LC处于高频高电位上,它对地的分布电容较大,将会直接影响回路谐振频率的稳定性;串联电路的特点正好与并馈电路相反。,2. 基极馈电电路,基极馈电电路也分串馈和并馈两种。 基极偏置电压VBB可以单独由稳压电源供给,也可以由集电极电源VCC分压供给。在功放级输出功率大于1W时,基极偏置常采用自给偏置电路。 利用发射极直流电流在发射极偏置电阻上产生所需的偏置的方法,称为自偏置。这种方法具有在输入信号幅度变化时自动稳定输出电压的作用。,3.输入回路
36、的馈电线路,1)串联馈电如图(a)所示。,基极电路两种馈电形式,2)并联馈电如图(b)所示。,vBE= VBB+Vbmcost,输入回路满足 :,3)偏置电路中的自生反偏压,图(b)CB2和RB 、CB1、LB产生稳定的IB0, IB0 RB自生反偏压;,CB2,图(c)主要由CE和RE产生稳定的IE0, IE0 RB自生反偏压;,图(d)CB和LB产生稳定的IB0, IB0在LB损耗电阻自生反偏压;,1. 级间耦合网络,对于中间级而言,最主要的是应该保证它的电压输出稳定,以供给下级功放稳定的激励电压,而效率则降为次要问题。 多级功放中间级的一个很大问题是后级放大器的输入阻抗是变化的,是随激励
37、电压的大小及管子本身的工作状态变化而变化的。 这个变化反映到前级回路,会使前级放大器的工作状态发生变化。此时,若前级原来工作在欠压状态,则由于负载的变化,其输出电压将不稳定。,5.4.2输出回路和级间耦合回路,对于中间级应采取如下措施:,1) 使中间级放大器工作于过压状态,使它近似为一个恒压源。 2)降低级间耦合回路的效率。回路效率降低后,其本身 的损耗加大。这样下级输入阻抗的变化相对于回路本身的损耗而言就不显得重要了。中间级耦合回路的效率一般为k=0.1-0.5,平均在0.3上下。也就是说,中间级的输出功率应为后一级所需激励功率的3-10倍。,2. 输出匹配网络,输出匹配网络常常是指设备中末
38、级功放与天线或其他负载间的网络,这种匹配网络有L型、型、T型网络及由它们组成的多级网络,也有用双调谐耦合回路的。 输出匹配网络的主要功能与要求是匹配、滤波、隔离和高效率。 高频调谐功率放大器的阻抗匹配就是在给定的电路条件下,改变负载回路的可调元件,将负载阻抗ZL转换成放大管所要求的最佳负载阻抗Rp,使管子送出的功率P0能尽可能多的馈至负载。这就叫做达到了匹配状态,或简称匹配。,最常见的输出回路是复合输出回路,如图所示。,图中,介于电子器件与天线回 路之间的L1C1回路就叫做中介 回路;RACA分别代表天线的辐 射电阻与等效电容;Ln、cn为 天线回路的调谐元件,它们的 作用是使天线回路处于串联
39、谐 振状态,以获得最大的天线回 路电流iA,亦即使天线辐射功 率达到最大。,复合输出回路(为了简化电路,省略了 直流电源及辅助元件L、C、C等),这种电路是将天线(负载)回路通过互感或其他形式与集电 极调谐回路相耦合。,1)复合输出回路,可以看到:从晶体管集电极向右方看去,等效为一个并联谐振回路,如图所示。,等效电路,由耦合电路的理论可知,当天线回路调 谐到串联谐振状态时,它反映到L1C1中 介回路的等效电阻为,因而等效回路的谐振阻抗为,改变M就可以在不影响回路调谐的情况下,调整中介回路的等效阻抗,以达到阻抗匹配的目的。,耦合越紧,即互感M越大,则反映等效电阻越大,回路的等效阻抗也就下降越多。
40、,为了使器件的输出功率绝大部分能送到负载RA上就希望 反射电阻r回路损耗电阻r1,衡量回路传输能力优劣的标准,通常以输出至负载的有效功率与输入到回路的总交流功率之比来代表。这比值叫做中介回路的传输效率k,简称中介回路效率。,从回路传输效率高的观点来看,应使QL尽可能地小。但从要求回路滤波作用良好来考虑,则QL值又应该足够大。从兼顾这两方面出发,QL值一般不应小于10。在功率很大的放大器中,QL也有低到10以下的。,故有:,M变化对工作状态的影响,负载特性曲线,反射电阻,初级回路Q值,次级回路Q值,临界耦合系数,因此中介回路效率可用耦合系数表示:,在考虑天线回路后,中介回路的谐振电阻为,其对工作
41、状态的影响如图 所示,其中PA为天线功率。,PA在微欠压时获得最大输出功率,复合输出回路,PA-天线功率,Po集电极输出功率功率,P=-电源供给功率,k -中介回路效率,c -集电极效率,总效率,2) 形匹配网络,下图是两种形网络是其中的形式之一(也可以用T型网络)。图中R2代表终端(负载)电阻,R1代表由R2折合到左端的等效电阻,故接线用虚线表示。,下图是两种形网络其中的形式之一(也可以用T型网络)。图中R2代表终端(负载)电阻,R1代表由R2折合到左端的等效电阻,故接线用虚线表示。,某谐振功率放大器的中介回路与天线回路均已调好,转移特性如图所示,已知VBB=1.5V,VBZ=0.6V,c=
42、70,VCC=24V,= 0.9,中介回路Q0=100,QL=10,cos70=0.34,1(70)=0.436,试计算集电极的输出功率Po和天线功率PA。,例题:,求得ic max、Ic1、Ic0, icmax=gcVb(1cosc),Icm1=ic max1(70)=20.436=0.872A Ic0=i c max0(70)=20.253=0.506A,W,1. 160MHz,13W谐振功率放大电路 放大器的功率增益达9dB,可向50负载供出13W功率,电路如图所示。,基极采用自给偏置电路,Ib0在Lb的直流电阻上产生很小的负向偏置电压, C1、C2、L1构成T型匹配网络,调节C1和C2
43、,使本级的输入阻抗等于前级放大器所要求的50匹配电阻,以传输最大的功率。 集电极采用并馈电路。LC,为高频扼流圈CC为高频旁路电容。对于交流信号,放大器的输出端采用L型匹配网络,调节C3、C4可使50的负载阻抗变换为功率放大管所要求的最佳匹配阻抗Rp。,5.5 谐振功率放大器实例,放大器的功率增益为7dB,可给50负载输出25W功率, 电路如图所示。,本电路基极部分与上图相同,集电极的馈电是串馈形式,L2不是高频扼流圈,而是网络元件,L2、L3、C3、C4构成型匹配网络。,2. 50MHz,25W调谐功率放大电路,5.6 丁类高频功率放大器 5.6.1 D类高频功率放大器 1. 电流开关型D类
44、放大器,图5-22是电流开关型D类放大器的原理线路图。,由于晶体管工作于开关状态,所以晶体管两端的电压和流过晶体管的电流取决于外电路.而外电路由线性电路构成,所以在理想情况下, 流过两个晶体管的电流ic1、ic2是方波脉冲,其波形如图5-23(a)(b)所示.,在A点脉冲电压的平均值为:,由此可得,集电极回路两端的高频电压峰值为 集电极回路两端的高频电压有效值为,由于L的作用,V1(V2)的集电极电流为振幅等于Ic0的矩形, 它的基频分量振幅等于(2/)Ic0。 V1、 V2的ic1、 ic2中的基频分量电流在集电极回路阻抗RL(考虑了负载RL的反射电阻)两端产生的基频电压振幅为,直流电源提供
45、的功率为,集电极损耗功率为 集电极效率为,2电压开关型D类放大器,图5-24为一互补电压开关型D类功放的线路。 两个同型(NPN)管串联, 集电极加有恒定的直流电压Ec。 图5-24 电压开关型D类功放的线路,线路通过高频变压器T1, 使晶体管V1、 V2获得反向的方波激励电压,由于加在两个串联的同型(NPN)晶体管输入端的电压足够大且相位相反,所以两管处于开关状态且交替导通, 电压开关型D类放大器的工作原理如图5-25所示。,图5-25 电压开关型D类功放的原理电路,图中LOCO组成高Q串联电路,回路两端的电压为方波,回路选出基波成分,所以流过互补电压开关型D类功放晶体管V1、 V2的电流i
46、c1、ic2应是半波余弦脉冲(=90),合成余弦基波电流如图5-26所示。,5.6 宽带高频功率放大电路,宽带高频功率放大电路采用非调谐宽带网络作为匹配网络, 能在很宽的频带范围内获得线性放大。常用的宽带匹配网络是传输线变压器, 它可使功放的最高频率扩展到几百兆赫甚至上千兆赫, 并能同时覆盖几个倍频程的频带宽度。 由于无选频滤波性能, 故宽带高频功放只能工作在非线性失真较小的甲类或乙类状态, 效率较低。所以, 宽带高频功放是以牺牲效率来换取工作频带的加宽。 ,5.8.1传输线变压器 1 宽频带特性 普通变压器上、下限频率的扩展方法是相互制约的。为了扩展下限频率, 就需要增大初级线圈电感量, 使
47、其在低频段也能取得较大的输入阻抗, 如采用高导磁率的高频磁芯和增加初级线圈的匝数, 但这样做将使变压器的漏感和分布电容增大, 降低了上限频率;为了扩展上限频率, 就需要减小漏感和分布电容, 减小高频功耗, 如采用低导磁率的高频磁芯和减少线圈的匝数, 但这样做又会使下限频率提高。 传输线变压器是基于传输线原理和变压器原理二者相结合而产生的一种耦合元件。它是将传输线(双绞线、带状线或同轴线等)绕在高导磁率的高频磁芯上构成的, 以传输线方式与变压器方式同时进行能量传输。 ,利用图3.3.1所示一种简单的11传输线变压器, 可以说明这种特殊变压器能同时扩展上、下限频率的原理。 在图3.3.1中, (a
48、)图是结构示意图, (b)图和(c)图分别是传输线方式和变压器方式的工作原理图, (d)图是用分布电感和分布电容表示的传输线分布参数等效电路。 在以传输线方式工作时, 信号从、 端输入, 、 端输出。如果信号的波长与传输线的长度可以相比拟, 两根导线固有的分布电感和相互间的分布电容就构成了传输线的分布参数等效电路。若传输线是无损耗的, 则传输线的特性阻抗 Z c=,其中L、C分别是单位线长的分布电感和分布电容。 当Zc与负载电阻RL相等, 则称为传输线终端匹配。 在此无耗、 匹配情况下, 若传输线长度l与工作波长相比足够小(lmin8)时, 可以认为传输线上任何位置处的电压或电流的振幅均相等,
49、 且输入阻抗Zi=Zc=RL, 故为11变压器。 可见, 此时负载上得到的功率与输入功率相等且不因频率的变化而变化。 在以变压器方式工作时, 信号从、端输入, 、端输出。由于输入、输出线圈长度相同, 从图(c)可见, 这是一个11的反相变压器。,当工作在低频段时, 由于信号波长远大于传输线长度, 分布参数很小, 可以忽略, 故变压器方式起主要作用。由于磁芯的导磁率高, 所以虽传输线较短也能获得足够大的初级电感量, 保证了传输线变压器的低频特性较好。 当工作在高频段时, 传输线方式起主要作用, 在无耗匹配的情况下, 上限频率将不受漏感、 分布电容、 高导磁率磁芯的限制。 而在实际情况下, 虽然要
50、做到严格无耗和匹配是很困难的, 但上限频率仍可以达到很高。 由以上分析可以看到, 传输线变压器具有良好的宽频带特性。 ,2 阻抗变换特性 与普通变压器一样, 传输线变压器也可以实现阻抗变换, 但由于受结构的限制, 只能实现某些特定阻抗比的变换。 图3.3.2给出了一种41传输线阻抗变换器的原理图。 在无耗且传输线长度很短的情况下, 传输线变压器输入端与输出端电压相同, 均为 U , 流过的电流均为 I。 由此可得到特性阻抗Zc和输入端输入阻抗Zi分别为: Zc= ,Zi = , 所以,当负载RL为特性阻抗Zc的 时, 此传输线变压器可以实现41的阻抗变换。故此时的终端匹配条件是RL= 。 其中
51、Zi是指、 端之间的等效阻抗。 利用传输线变压器还可以实现其它一些特定阻抗比的阻抗变换。 注意不同阻抗比时的终端匹配条件不一样。 图3.3.3给出了一个两级宽带高频功率放大电路, 其匹配网络采用了三个传输线变压器。 由图可见, 两级功放都工作在甲类状态, 并采用本级直流负反馈方式展宽频带, 改善非线性失真。 三个传输线变压器均为41阻抗变换器。 前两个级联后作为第一级功放的输出匹配网络, 总阻抗比为161, 使第二级功放的低输入阻抗与第一级功放的高输出阻抗实现匹配。第三个使第二级功放的高输出阻抗与50的负载电阻实现匹配。,5.9功率合成 利用多个功率放大电路同时对输入信号进行放大, 然后设法将
52、各个功放的输出信号相加, 这样得到的总输出功率可以远远大于单个功放电路的输出功率,这就是功率合成技术。 利用功率合成技术可以获得几百瓦甚至上千瓦的高频输出功率。 理想的功率合成器不但应具有功率合成的功能, 还必须在其输入端使与其相接的前级各率放大器互相隔离, 即当其中某一个功率放大器损坏时, 相邻的其它功率放大器的工作状态不受影响, 仅仅是功率合成器输出总功率减小一些。 图3.3.4给出了一个功率合成器原理方框图。,由图可见, 采用7个功率增益为2, 最大输出功率为10 W的高频功放, 利用功率合成技术, 可以获得40W的功率输出。 其中采用了三个一分为二的功率分配器和三个二合一的功率合成器。 功率分配器的作用在于将前级功放的输出功率平分为若干份, 然后分别提供给后级若干个功放电路。 利用传输线变压器可以组成各种类型的功率分配器和功率合成器, 且具有频带宽、 结构简单、插入损耗小等优点, 然后可进一步组成宽频带大功率高频功放电路。 ,在发射系统中常采用晶体管丙类倍频器来获得所需要的发射信号频率。 采用倍频器的原因: (1)降低主振器的频率,对频率稳定指标是有利的。 (2) 为了提高发射信号频率的稳定程度,主振器常采用石英晶体振荡器,但限于工艺,石英谐振器的频率目前
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