模拟电子技术习题

1、习题第一章 半导体器件基础习题1、PN结加正向电压时，空间电荷区将_A_。A、变窄 B、基本不变 C、变宽 D、不能确定2、如下图，二极管D是理想的，R=2K，流过电阻的电流I=_A_。A、5mA B、0mA C、10mA D、不能确定3、三极管的发射结和集电结均处于正偏的情况下，则属于：、死区 、截止区、放大区 、饱和区4、温度升高时，三极管的放大系数：A.增大 B.减小C.不变 D.无法判断5、工作在放大区的某三极管，当IB从20uA增大到40uA时，IC从1mA变成2mA，则它的值为：A10 B.50C.100 D.5006、某三极管的发射极电流等于1mA，基极电流等于20uA，则集电极

2、电流等于（）.0.98 mA .1.02 mA.0.8 mA .1.2 mA7、半导体中，参与导电的载流子有_C_。 A、电子 B、空穴 C、电子和空穴 D、不能确定8、_C_能将电信号转换为光信号。A、稳压二极管 B、阻尼二极管 C、发光二极管 D、整流二极管9、本征半导体中，自由电子的浓度_C_空穴的浓度。 A、大于 B、小于 C、等于 D、不能确定10、太阳能电池是利用半导体的 B 。A、热敏性 B、光敏性 C、参杂性 D、以上都是11、N型半导体带电性为 C 。A、正电 B、负电 C、中性 D、无法确定12、N型半导体中的多数载流子是：A电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子13、本征

3、半导体中掺入五价元素后成为：A本征半导体 B.N型半导体CP型半导体 D.无法确定14、PN结未加外部电压时，扩散电流（）漂移电流。A.大于 B.小于C等于 D.无法判断15、硅二极管的导通电压为：A0.7V B.0.1VC0.3V D.0.5V16、稳压二极管稳压时，其工作在：A死区 B.正向导通区C. 反向截止区 D.反向击穿区17、三极管电流放大作用的外部条件是： 、发射结加反向电压，集电结加反向电压、发射结加正向电压，集电结加反向电压、发射结加正向电压，集电结加正向电压、发射结加反向电压，集电结加正向电压18、半导体三极管是一种（ ）器件。A、电流控制电流 B、电流控制电压 C、电压控

4、制电压 D、电压控制电流19、 杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ ）。A、电压 B、温度 C、输入 D、杂质浓度20、 PN结反向偏置时，空间电荷区（ ）。A、不变 B、变窄 C、变宽 D、不能确定21、二极管的最高反向工作电压是75V，则它的击穿电压是_。A、50V B、100V C、150V D、200V22、 在本征半导体中，自由电子浓度_空穴浓度。A、大于 B、小于 C、等于 D、不等于23、 PN结的主要特性（ ）。A、单向导电性 B、双向导电 C、正偏 D、反偏24、稳压管的稳压区是其工作在 C 。A、正向导通 B、反向截止 C、反向击穿 D、无法确定25、下面不属于模拟

5、信号的是 D ？A、压力 B、温度 C、流量 D、人数26、某放大电路中，晶体管三个电极的电流如下图所示，测出I1=1.8mA，I2=0.03mA，I3=1.83mA，由此可知对应电极是_A_。A、发射极 B、基极 C、集电极 D、不能确定27、双极型晶体管BJT具有放大作用的外部条件是_D_。A、发射结正偏，集电结正偏 B、发射结反偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏 D、发射结正偏，集电结反偏28、NPN型双极型晶体管工作在放大状态时，各极电位关系为UC_UB_UE。A A、 B、 C、= D、29、当双极型晶体管发射结和集电结都正偏时，双极型晶体管处于_B_。A、截止状态 B、饱和状

6、态 C、放大状态 D、无法确定30、IB、IC、IE分别表示晶体管三个极的电流，这三个电流之间的关系是_C_。A、IB=IC+IE B、IC=IB+IE C、IE=IB+IC D、无法确定31、测量放大电路某三极管BJT的各电极电位为6V、11.3V、12V，则此三极管为_B_。A、PNP 锗三极管 B、PNP 硅三极管 C、NPN 锗三极管 D、NPN 硅三极管32、二极管两端反向偏置电压增高时，在达到_D_电压以前，通过的电流很小。A、死区 B、最大 C、短路 D、击穿33、杂质半导体中，少子的浓度与_D_有关。A、晶体缺陷 B、掺杂工艺 C、杂质浓度 D、温度34、如图所示电路中，二极管

7、D所处的状态是_C_。A、击穿状态 B、截止状态 C、导通状态 D、无法确定35、测量三极管三个电极对地电位如图所示，则三极管的工作状态为_C_。 A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 D、击穿状态 36、工作在放大区的三极管，当IB从20A增大至40A时，IC从1mA变为2mA，其值约为_A_。 A、50 B、100 C、500 D、100037、如图2所示电路中，二极管D所处的状态是（ ）。图2A、击穿状态 B、截止状态 C、导通状态 D、无法确定38、由理想二级管组成的电路如图所示，其A、B两端的电压为（ ）。A、-12V B、+6V C、-6V D、+12V39、PNP型双极型晶体

8、管工作在放大状态时，各极电位关系为UC_UB_UE。 A、 B、 C、= D、40、两个稳压二极管的稳压值分别为7V和9V，将它们组成如图所示电路，设输入电压 U1值是20V，则输出电压 U0为 。A、7V B、9V C、0V D、8V41. 使用万用表直流电压挡，测的电路中晶体管各极相对于某一参考点的电位如图3所示，则该晶体管工作在_。A、饱和状态 B、放大状态 C、截止状态 D、倒置状态图342、 在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（ ）。ANPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C. PNP 型硅管 D.PNP 型锗管如下图所示

9、，已知三极管工作在放大状态，回答题43-441XYZ+3V+3.6V+9V图443、该管脚Y为：A.发射极 B.基极 C.集电极 D.无法判断44、该管子的类型为A.PNP锗管 B.PNP硅管 C.NPN锗管 D.NPN硅管已知如图5所示，回答题45-46.45.三极管剩下的管脚的电流为：A.3.9mA，方向向下 B.3.9mA，方向向上C.4.1mA，方向向下 D.4.1mA，方向向上46.最左边的管脚是：A.基极 B.发射极 C.集电极 D.不一定 图547、PN结的主要特性是_A_。A、单向导电性 B、双向导电 C、正偏 D、反偏48、下图所示各晶体管处于放大工作状态，已知各电极直流电位

10、如图所示，则该晶体管的类型为_A_。 A、NPN 硅管 B、NPN 锗管C、PNP 硅管 D、PNP 锗管49、上题中，x、y、z 代表的电极分别为 A 。A、b、c、e B、b、e、c C、e、b、c D、c、e、b 50、NPN三极管放大工作状态时，电流的方向是_D_。A、IE和IB流入、IC流出 B、IE流入、IB和IC流出C、IC流入、IE和IB流出 D、IB和IC流入、IE流出51、某晶体三极管集电极电流为1mA，基极电流为20A，则发射极电流为_B_mA。 A、0.98 B、1.02 C、0.8 D、1.2 52、半导体三极管是一种_A_器件。A、电流控制电流 B、电流控制电压 C

11、、电压控制电压 D、电压控制电流53、测得双极型晶体管三个电极的静态电流分别为0.08mA，4.8mA和4.88mA，则该管的为_D_。 A、40 B、50 C、80 D、6054、两个稳压二极管的稳压值分别为8V和10V，将它们组成如图所示电路，设输入电压U1值是12V，则输出电压U0为_D_。A、10V B、12V C、9V D、8V55、P型半导体中多数载流子是_，少数载流子是_。A、自由电子 正离子 B、空穴 负离子 C、空穴 自由电子 D、自由电子 空穴56、半导体三极管是一种 器件。A、电流控制电流 B、电流控制电压 C、电压控制电压 D、电压控制电流57、当二极管两端正向偏置电压

12、大于 时，二极管才能导通。A、反向击穿电压 B、饱和电压 C、正向导通压降 D、门坎电压58、二极管电路如图所示，设二极管导通电压UD0.7V ，则输出电压值为 。A、2V B、0V C、1.3V D、-1.3V59、杂质半导体中，多子的浓度与 有关。A、晶体缺陷 B、掺杂工艺 C、杂质浓度 D、温度60、某放大电路中,晶体管三个电极的电流如图所示，测出，由此可知对应电极是 。A、发射极 B、基极 C、集电极 D、不能确定61、测量三极管三个电极对地电位如图所示，则三极管的工作状态为 。A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 D、击穿状态62、发射结正偏，集电结正偏，则晶体管工作在_。A、放

13、大区 B、截止区 C、饱和区 D、以上都不对63、测量放大电路某三极管的各电极电位为6V、11.3V、12V，则此三极管为_。A、PNP 锗三极管 B、PNP 硅三极管 C、NPN 锗三极管 D、NPN 硅三极管64、某放大电路晶体管发射极电流为1mA，基极电流为20A，则集电极电流为 mA。A、0.98 B、1.02 C、0.8 D、1.265、二极管两端反向偏置电压增高时，在达到 电压以前，通过的电流很小A、死区 B、最大 C、短路 D、击穿66、PN结反向偏置时，空间电荷区_。A、变宽 B、变窄 C、基本不变 D、不能确定67、二极管的最高反向工作电压是50V，则它的击穿电压是 。A、5

14、0V B、100V C、150V D、200V68、下面不属于模拟信号的是 A、温度 B、人数 C、流量 D、压力 69、稳压管的稳压区是其工作在 A、正向导通B、反向截止C、反向击穿D、无法确定 70、下图所示各晶体管处于放大工作状态，已知各电极直流电位如图所示，则该晶体管的类型为_。 A、NPN 硅管 B、NPN 锗管 C、PNP 硅管 D、PNP 锗管71、上题中，x，y，z代表的电极分别为 A、b、c、e B、b、e、c C、e、b、c D、c、e、b72、在N型半导体中，多数载流子为_B_。A、空穴 B、自由电子 C、正离子 D、负离子73、在本征半导体中加入 C 元素可以获得P型半

15、导体。A、五价 B、四价 C、三价 D、任何杂质74、本征半导体中，自由电子的浓度_C_空穴的浓度。 A、大于 B、小于 C、等于 D、不能确定75、稳压二极管通常工作在_A_状态下，能够稳定电压。A、反向击穿区 B、正向导通区 C、反向截止区 D、正向截止区76、当PN结反向加电时（反偏），下列结论正确的是_A_。A、外电场加强内电场，耗尽层变宽 B、外电场加强内电场，耗尽层变窄C、外电场削弱内电场，耗尽层变窄 D、外电场削弱内电场，耗尽层变宽77、半导体二极管的最主要特性是_A_。A、单向导电性 B、温度特性 C、击穿特性D、导通后管压降不变特性78、NPN型晶体管工作在放大状态时，各极电

16、位关系为UE _UB_ UC。（B）A、 ， B、 ， C、 UCUE B、UEUBUC C、UCUBUE D、UCUEUB97.电路中晶体管各极相对于某一参考点的电位如下图所示，则该晶体管工作在_。A、饱和状态 B、放大状态 C、截止状态 D、倒置状态98、某设备中二极管的反向最高工作电压为200V，它的反向击穿电压要求为_。A、50V B、100V C、200V D、400V99、工作在放大区的三极管，测得IE=3.06mA，IB=60uA，其值为( )。A.50 B.51 C.500 D.510第二章 基本放大电路 习题1、某一NPN管组成的单管共射放大电路，输入电压为正弦波时，输出电压

17、波形如下图示，该输出电压波形属于_B_。A、截止失真 B、饱和失真 C、频率失真 D、交越失真2、关于放大B电路交流通路的画法，下列说法正的是_B_。A、电容视为短路，电源视为开路 B、电容视为短路，电源视为短路C、电容视为开路，电源视为开路 D、电容视为开路，电源视为短路3、NPN管共射基本放大电路，当静态工作点设置的过高，输出电压正弦波形会产生_，可以通过_基极电阻RB改善静态工作点。CA、顶部失真 增大 B、顶部失真 减小 C、底部失真 增大 D、底部失真 减小4、在单级共集放大电路中，若输入电压为正弦波，则输出电压与输入电压的相位_A_ 。 A、同相 B、相差90度 C、相差180度

18、D、相差270度5、对于电压放大电路，为获得较高的输出电压信号，我们希望_A_。A、输入电阻Ri越大越好，输出电阻Ro越小越好； B、输入电阻Ri越小越好，输出电阻Ro越小越好；C、输入电阻Ri越大越好，输出电阻Ro越大越好；D、输入电阻Ri越小越好，输出电阻Ro越大越好；6、关于共集放大电路，下列说法错误是的_A_。A、电压增益较大 B、输入电阻较大C、输出电阻较小 D、输入输出同相7、下列电路名称中，_D_与其他不同。A、共集放大电路 B、射极输出器 C、电压跟随器 D、电流跟随器8、引起放大电路输出波形饱和失真的主要原因是_C_ 。 A、输入电阻太小 B、静态工作点过低C、静态工作点过高

19、 D、输出电阻太大9、在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波，则输出与输入电压的相位_C_ 。 A、同相 B、相差90度 C、反相 D、相差270度10、引起放大电路静态工作点不稳定的主要因素是_C_ 。 A、元器件参数老化 B、电源电压波动 C、温度变化 D、以上都不是11、某放大电路的输出电阻RO为2K，测得负载开路时输出电压为3V，当接上2K的负载后，输出电压为_D_ 。A、0 B、2V C、3V D、1.5V12、关于电压放大电路交流通路的画法，下列说法正确的是_B_。 A、电容C视为短路，直流电源VCC视为开路；B、电容C视为短路，直流电源VCC视为短路； C、电容C视为开路，直流

20、电源VCC视为开路； D、电容C视为开路，直流电源VCC视为短路；13、 以下关于射极输出器的特点描述错误的是 。A、具有电压放大作用 B、具有电流放大作用C、输入电阻高 D、输出电阻低14、对于电压放大电路，为获得较高的输出电压信号，我们希望_。A、输入电阻Ri越大越好，输出电阻Ro越小越好； B、输入电阻Ri越小越好，输出电阻Ro越小越好；C、输入电阻Ri越大越好，输出电阻Ro越大越好；D、输入电阻Ri越小越好，输出电阻Ro越大越好；15、饱和失真是由于静态工作点设置过_而产生的；截止失真是由于静态工作点设置过_A_而产生的。A、高 低 B、低 高 C、高 高 D、低 低16、共射极放大电

21、路的输出信号加在 _D_之间。A基极和集电极 B射极 C基极和射极 D射极和集电极17、共射极放大电路的输出信号加在 _D_之间。A、基极和集电极 B、发射极 C、基极和发射极 D、发射极和集电极18、在单管放大电路中，若ui接至b极，uo接至c极，则该放大电路为（ A ）组态。A、共射极 B、共集电极 C、共基极19、NPN管共射基本放大电路，当静态工作点设置的过低，会产生_，可以通过_基极电阻RB改善静态工作点。 D A、饱和失真 增大 B、饱和失真 减小 C、截止失真 增大 D、截止失真 减小20、如下图所示基本共射电路，当=50时，IB=20A，IC=1mA, 若只更换=100的晶体管

22、，而其他参数不变时，则IB和IC分别是_B_ 。A、10A, 1mA B、20A, 2mA C、30A, 3mA D、40A, 4mA21.在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波，则输出与输入电压的相位A.同相 B.正交 C.反相 D.不一定已知如图1所示，若减小RP，完成题目22-27。 图122.基极电流IBQ将：A.增大 B.减小 C.不变 D.无法判断23. 管压降UCEQ将：A.增大 B.减小 C.不变 D. 无法判断24.Q点将沿直流负载线：A.上移 B.下移 C.不变 D. 无法判断25.三极管输入电阻rbe将：A.增大 B.减小 C.不变 D. 无法判断26.输出电阻Ro将：

23、A.增大 B.减小 C.不变 D. 无法判断27.当RP减小到一定程度时，电路有可能：A.产生饱和失真 B.产生截止失真C.不受影响 D.以上都有可能28、饱和失真是由于静态工作点设置过 而产生的；截止失真是由于静态工作点设置过_而产生的。A、高 高 B、低 高 C、高 低 D、低 低29、某一NPN管组成的单管共射放大电路，输入电压为正弦波时，输出电压波形如图所示，该输出电压波形属于 。A、截止失真 B、饱和失真 C、频率失真 D、交越失真30、在三种组态的放大电路中既能够放大电流，又能够放大电压的是 。A、共基极放大电路 B、共集电极放大电路 C、共发射极放大电路 D、射极输出器31、放大

24、器的输出电阻 负载电阻。A、不包含 B、包含 32、若在输出特性曲线上做出直流负载线MN如第二大题计算题图中数据所示，则M点和N点的值分别为 。A、9mA 6V B、12V 3mA C、6V 9mA D、3mA 12V33、直流负载线MN的斜率是 。A、 B、 C、 D、34、若在输出特性曲线上做出交流负载线，则其斜率应为 。A、 B、 C、 D、35、若增大基极偏置电阻Rb，则输出信号会出现 。A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、线性失真三极管放大电路如图所示，请选择3638题答案。36、该三极管放大电路的名称，以下说法不正确的是 。A、共集电极放大电路 B、射极输出器 C、电压跟

25、随器 D、共发射极放大电路37、该放大电路的电压放大倍数和输入输出相位关系，正确的说法是 。A、电压放大倍数为，且输出信号与输入信号相位相反B、电压放大倍数为，且输出信号与输入信号同相位C、电压放大倍数约为1，且输出信号与输入信号同相位D、电压放大倍数约为-1，且输出信号与输入信号相位相反38、该放大电路的输入电阻 ，输出电阻_，多用于输入级、输出级或缓冲级。A、高 高 B、高 低 C、低 高 D、低 低39、某一NPN管组成的单管共射放大电路，输入电压为正弦波时，输出电压波形如下图所示，该输出电压波形属于_B_。A、截止失真 B、饱和失真 C、频率失真 D、交越失真如图所示晶体三极管放大电路

26、，设晶体管=37.5，UBE忽略不计，完成第4045题选择答案。 40、该放大电路属于_A_。 A、共发射极放大电路 B、共集电极放大电路 C、共基极放大电路 D、分压式偏置放大电路 41、静态工作点IBQ_B_。 A、20A B、40A C、60A D、80A 42、静态工作点ICQ_C_。 A、0.5mA B、1mA C、1.5mA D、2mA 43、静态工作点UCEQ_C_。 A、12V B、9V C、6V D、3V 44、三极管动态输入电阻rbe_D_。 A、400 B、650 C、1.2K D、950 45、该电路的电压放大倍数Au_B_。 A、-70 B、-79 C、-158 D、

27、-169 46、对于电压放大电路，为获得较高的输出电压信号，我们希望_A_。A、输入电阻Ri越大越好，输出电阻Ro越小越好； B、输入电阻Ri越小越好，输出电阻Ro越小越好；C、输入电阻Ri越大越好，输出电阻Ro越大越好；D、输入电阻Ri越小越好，输出电阻Ro越大越好；47、共发射极基本放大电路中，集电极电阻Rc的作用是_B_。A、限制集电极电流的大小B、将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量C、防止信号源被短路D、保护直流电源48、基本共射放大电路最常用的调整静态工作点的方法是调节_B_。A、RC B、Rb C、UCC D、 图6已知如图6所示，UCC=12V，Rc=2K,=50，要使US

28、=0时，UCE=4V，完成题目49-51.49.此时，IC=_A.6mA B.3mA C.2mA D.4mA50.IB=_A.0.08mA B.1mA C.1.5mA D.0.04mA51.Rb=_A.100k B.150K C.120k D.80k52.若用示波器观察到的u0的波形如图7，则表示：图7A.输出波形正常 B. 出现了截止失真 C.出现了饱和失真 D.既有饱和失真也有截止失真53.如果想调整图7输出波形，可以将Rb:A.增大 B.减小 C.保持不变 D.去掉图8已知如图8所示，=80,完成题目54-56。54.放大电路的输入电阻Ri=_A. 1K B.1.6K C.600K D.

29、3 K55. 放大电路的输出电阻Ro=_A.1.5 K B.6 K C.3 K D.600 K56.放大倍数Au=_A.-240 B.-40 C.-150 D.-75如图所示晶体管放大电路，设 =100 ，RB=300K，RC=2K，RL=2K，VCC=12V，忽略不计，完成第5766题选择答案。57、静态工作点I BQ_B_。A、20A B、40AC、60A D、80A58、静态工作点I CQ_D_。A、6mA B、8mAC、2mA D、4mA59、静态工作点UCEQ_C_。A、0V B、2V C、4V D、8V60、三极管动态输入电阻rbe约为_D_。A、730 B、625 C、1.6K

30、D、95061、该电路的电压放大倍数Au_C_。A、-160 B、-62.5 C、-105 D、-13762、输入电阻Ri_A_。A、950 B、730 C、300 K D、1.6 K63、输出电阻Ro_B_。A、950 B、2K C、1K D、300 K64、若在输出特性曲线上做出直流负载线，则其斜率是_C_。A、 B、C、 D、65、若输出电压波形如下图，_A_基极偏置电阻Rb，可以消除失真。A、增大 B、减小 C、无法确定66、该放大电路属于_A_。A、共发射极放大电路 B、共集电极放大电路 C、共基极放大电路 D、分压式偏置放大电路67、 某放大电路的输出电阻为2 K，测得未接负载时输

31、出电压为5V，当接上2 K的负载时，输出电压为 V。A、0 B、2.5 C、3 D、568、某放大电路的电压增益为80 dB，它的电压放大倍数为（）。A.100 B. 1000 C. 10000 D 如图所示晶体管放大电路，设 =100 ，RB=400K，RC=2K，RL=2K，VCC=12V，忽略不计，完成第6976题选择答案。69、静态工作点I BQ_。A、10A B、20AC、30A D、40A70、静态工作点I CQ_。A、6mA B、8mAC、2mA D、4mA71、静态工作点UCEQ_。A、0V B、2V C、4V D、6V72、三极管动态输入电阻rbe约为_。A、730 B、62

32、5 C、1.17K D、95073、该电路的电压放大倍数Au_。A、-79 B、-86 C、-103 D、-12074、输入电阻Ri_。A、950 B、730 C、400 K D、1.17 K75、输出电阻Ro_。A、950 B、1.5K C、1K D、3 K76、若输出电压波形如下图， 基极偏置电阻Rb，可以消除失真。A、增大 B、减小 C、无法确定77、关于放大电路交流通路的画法，下列说法正确的是_。A、电容视为短路，电源视为开路B、电容视为短路，电源视为短路C、电容视为开路，电源视为开路D、电容视为开路，电源视为短路78、基本共射放大电路最常用的调整静态工作点的方法是调节（）。A、Rc

33、B、RB C、UCC第三章 多级放大和功率放大电路 习题1、组成多级放大器的主要目的是_C_。A、提高输入电阻 B、提高输出电阻 C、提高放大能力 D、展宽频带2、关于多级放大电路，下列说法错误的是_D_。A、多级放大电路的前一级输出信号，可以看成是后一级的输入信号B、多级放大电路的输入电阻为从第一级看进去的输入电阻C、后一级的输入电阻是前一级的负载电阻D、多级放大电路的输入电阻为第一的输入电阻，肯定与最终负载无关3、要想使多级放大电路的各级电路的静态工作点稳定、相互独立，应该选择_A_方式。A、阻容耦合 B、直接耦合 C、变压器耦合 D、无法确定4、 要求放大直流信号或者变化缓慢的信号，应该

34、选用_B_耦合方式。A. 阻容 B. 直接 C. 变压器 D.变压器或阻容5.多级直接耦合放大器中，影响零点漂移最严重的是_。 、第一、二级 、中间级、输出级 、第三极6.一个两级放大电路，测得第一级的电压增益为25dB,第二级的电压增益为30dB,则总的电压增益为：A.750Db B.55dB C.5dB D.不确定7.两级放大电路，Au1=-30，Au2=-50，若输入电压U1=5mv，则输出电压Uo为_A.0.4V B.-0.4VC.7.5V D.-7.5V8.阻容耦合放大电路能放大：A.直流信号 B.交流信号 C.交直流信号 D.以上都不能9.多级放大电路级数越多，则_：A.放大倍数越

35、大，通频带越宽B.放大倍数越小，通频带越宽C.放大倍数越小，通频带越窄D.放大倍数越大，通频带越窄10.产生零点漂移的原因，最重要的是：A.温度 B.放大电路的放大倍数C.电源电压的波动 D.通频带11、两个相同的单级共射放大电路，空载时电压放大倍数均为30，现将它们连成一个两级放大电路，则总的电压放大倍数为_C_。A、等于60 B、等于900 C、小于900 D、大于90012、一个三级放大电路，测得第一级的电压增益为0dB，第二级的电压增益为40dB，第三级的电压增益为20dB，则总的电压增益为_B_。 A、0dB B、60dB C、80dB D、800dB 13、组成多级放大器的主要目的

36、是_C_。A、提高输入电阻 B、提高输出电阻C、提高放大能力 D、展宽频带14、要想使多级放大电路的各级电路的静态工作点稳定、相互独立，应该选择_A_方式。A、阻容耦合 B、直接耦合 C、变压器耦合 D、无法确定15、集成运放的耦合方式是_C_。A、阻容耦合 B、变压器耦合 C、直接耦合 D、光电耦合16、 在相同条件下，多级阻容耦合放大电路在输出端的零点漂移与直接耦合电路相比_B_A. 大 B. 小 C. 相同 D.无法确定17、关于差动放大器的描述哪种说法错误? CA、差动放大器可以克服零点漂移B、差动放大器要求电路两边完全对称C、差动放大器差模输出为0D、差动放大器共模输出为018、关于

37、差动放大器的描述哪种说法错误? CA、差动放大器可以克服零点漂移B、差动放大器要求电路两边完全对称C、差动放大器差模输出为0D、差动放大器共模输出为019、两个相同的单级共射放大电路，空载时电压放大倍数均为30，现将它们连成一个两级放大电路，则总的电压放大倍数为_C_。A、等于60 B、等于900 C、小于900 D、大于90020、在相同条件下，多级阻容耦合放大电路在输出端的零点漂移与直接耦合电路相比_B_A. 大 B. 小 C. 相同 D.无法确定21、一个三级放大电路，测得第一级的电压增益为0dB，第二级的电压增益为40dB，第三级的电压增益为20dB，则总的电压增益为 。A、0dB B

38、、60dB C、80dB D、800dB22、为了克服零点漂移，通常采用下列哪种电路？ A、共基极放大电路 B、共集电极放大电路 C、共发射极放大电路 D、差动放大电路23、多级放大器的输出电阻等于 。A、各级放大器输出电阻的串联 B、各级放大器输入电阻的串联C、第一级放大器的输出电阻 D、最末一级放大器的输出电阻24、关于多极放大电路的耦合方式错误的是（）。A、阻容耦合 B、直接耦合 C、变压器耦合 D、二极管耦合25、 制作集成电路需采用（）的多级放大电路。A、阻容耦合 B、直接耦合 C、变压器耦合 D、二极管耦合26、多级放大电路产生零点飘移最大的因素是（）。A. 电源波动B. 外部干扰

39、信号 C. 信号失真 D. 温度27、关于差动放大电路的特点，描述错误的是（）。A、能够抑制零点漂移B、适合放在放大电路的中间级C、具有差模信号放大作用D、具有共模信号抑制作用28、直接耦合多级放大电路的特点描述错误的是（）。A. 适合做集成电路B. 可以放大直流信号 C. 零点漂移大 D. 各级静态工作点互不影响29、一个两级放大电路，测得两级电压增益分别为60dB和40dB，则总的电压增益为（ ）A、20dB B、60dB C、100dB D、2400 dB30、 放大电路低频区放大倍数降低的原因是（ ）。A.输入输出端的耦合电容B.三极管的极间分布电容C.放大电路输入电阻太大 D.无法确

40、定31、 在相同条件下，多级阻容耦合放大电路在输出端的零点漂移与直接耦合电路相比（ ）A. 大 B. 小 C. 相同 D.无法确定第四章 放大电路中的反馈 习题1、放大电路为稳定静态工作点，应引入_A_。A、直流负反馈 B、交流负反馈 C、交流正反馈 D、直流正反馈2、放大电路为稳定增益，应引入_A_。A、交流负反馈 B、直流负反馈 C、交流正反馈 D、直流正反馈3.对于放大电路，所谓开环是指 。 A无信号源 B无反馈通路 C无电源 D无负载4. 在输入量不变的情况下，若引入反馈后 ，则说明引入的反馈是负反馈。A输入电阻增大B输出量增大 C净输入量增大D.净输入量减小5. 欲得到电流电压转换电

41、路，应在放大电路中引入 A电压串联负反馈 B电压并联负反馈C电流串联负反馈 D电流并联负反馈6. 交流负反馈是指 。A阻容耦合放大电路中所引入的负反馈B只有放大交流信号时才有的负反馈 C在交流通路中的负反馈D. 在直流通路中的负反馈7. 为了稳定静态工作点，应引入 A直流负反馈 B交流负反馈 C直流正反馈 D交流正反馈8. 为了稳定放大倍数，应引入 A直流负反馈 B交流负反馈 C直流正反馈 D交流正反馈9. 为了稳定放大电路的输出电压，应引入 负反馈A电压 B电流 C串联 D并联10.若反馈深度|1+AF|1,则放大电路工作于：A.正反馈 B.负反馈 C.自激振荡 D无反馈.11.引入深度负反馈可使运算放大器进入：A.饱和区 B.非线性区 C.线性区 D.截止区12、某负反馈放大电路，输出端接地时，电路中的反馈量仍存在，则表明该反馈是_A_反馈。A、电流 B、电压 C、串联 D、并联13、若反馈深度1+FA1，则放