广工EDA电子技术实训报告

1、实训报告课程名称 EDA电子技术实训 学 院 自动化学院 专 业 年级班别 学 号 学生姓名 指导教师 2015年 10月5日目录第一阶段：SOPC技术运用1Task 1：Task 1 Nios_II_Exercises1Task 2：驱动1602液晶显示4Task 3：DE2VGA5Task 4：基于DE2 的uClinux 移植及应用开发6第二阶段：Synopsys IC设计软件入门7Lab 1-1:Basic Synthesis Design Flow7Lab 2-1:Block Level Design (UMC90)10Lab 2-2:Leakage Power .Opt.by Mu

2、lti-Vt (UMC90)16Lab 2-3:DC-Topographical(UMC90)18Lab 3-1:Top-level Synthesis19Lab 3-2:CHIP-level Synthesis21第三阶段：Multisim工具的使用与实验23Multisim Lab1：单级放大电路23Multisim Lab2：射极跟随器27Multisim Lab3：负反馈放大电路29Multisim Lab4：MultiSIM电路仿真实验32Multisim Lab5：串联型晶体管稳压电路36Multisim Lab6：OTL功率放大器39Multisim Lab7：集成运算放大器运用

3、的测量42Multisim Lab8：波形发生器应用的测量45Multisim Lab9：二阶低通滤波器51两周实训总结：54第一阶段：SOPC技术运用Task 1：Task 1 Nios_II_Exercises基本流程：(一). 创建 Nios II 系统步骤：1. 打开工程文件；2. 器件族的选择和管脚分配；3. 新建嵌入式系统：Tools = SOPC Builder；4. 系统设置：语言设置系统命名器件选择时钟设置；5. 根据系统需求，逐一添加组件：一般一个完整的系统，组件包括处理器、存储器、总线、系统时钟、I/O口等；6. 设置基地址；7. 设置主从关系；至此，例图如下：8. 建立

4、CPU的复位和异常地址：点击Nios II More “cpu” Settings方格；9. 核对Simulation的检验盒；10. 生成参数化处理器系统：点击Generate；11. 回到quartus II工程文件添加新建系统组件(注意管脚要整齐排列布置)；至此，例图如下：12. 编译工程(编译前保存原理图)；(二). 软件设计步骤：1. 下载工程(下载之前要为.sof文件标记Program/Configure检测盒)；2. 从SOPC Builder中启动Nios II IDE；3. 在Nios II IDE工作平台上，新建C/C+ Application工程；4. 选择工程模板；5.

5、 为C/C+应用工程添加源代码；6. 设置系统库格式7. 编译C/C+应用工程；8. 调试代码：Debug As- Nios II Hardware；至此，例图如下：9. 设置适当的断点；10. 查看变量内容和变量的值；11. 改变外部硬件变量值，再次编译调试程序；12. 验证程序功能；13. 终止进程，保存文件；Task 2：驱动1602液晶显示(一).1602驱动原理 LCD1602控制芯片HD44780内部嵌入了字符液晶模块YM1602C，通过LCD的引脚，以高低电平组合构成HD44780指令，实现对LCD字符液晶显示的控制。LCD1602有一个业界认可的标准字符集，通过相关的指令组合，

6、按照我们的需求，可以显示字符集中包含的字符。除了片内自带的系统字符，LCD1602还可以通过用户的软件编程，实现自定义字符的显示，如显示汉字。(二).基本流程13. 打开quartus软件；14. 新建工程，选择开发板类型；15. 输入程序源代码(硬件描述语言选择自己熟悉的语言)；至此，例程如图(仅给出修改成我的名字的代码部分：ZENG LAN WEI GUANG GONG)：16. 编译程序；17. 开发板连接到电脑；18. 下载程序；19. 验证功能；Task 3：DE2VGA(一).VGA显示原理 VGA显示到屏幕上主要依靠显示缓冲区、控制电路和BIOS程序组成。其中控制电路主要完成时序

7、发生、显示缓冲区数据操作、主时钟选择和D/A转换等功能;显示缓冲区提供显示数据缓存空间;视频BIOS作为控制程序固化在显示卡的ROM中。(二).基本设计方法20. 打开编译环境，例如quartus ii；21. 建立工程，选择目标器件、语言种类；22. 输入工程源代码；23. 编译工程；至此，可以看一下电路原理图，例图如下：24. 开发板连接到电脑；25. 下载程序；26. 验证功能；至此，验证的功能图如下：Task 4：基于DE2 的uClinux 移植及应用开发(一).Nios II 硬件定制27. 添加 SOPC 组件 在 Quartus II 新建工程“NiosLinux”； 选择目标

8、器件EP2C35F672C6； 启动SOPC Builder； 添加cpu_0 (Nios II)； 添加uart_0 串口组件； 添加epcs_controller EPCS16 控制器； 添加timer_0 定时器； 添加Flash 存储器； 添加sdram_0 存储器； 添加jtag_uart_0调试组件； 添加led_green 绿LED 灯； 添加button_pio 4 位输入PIO； 添加DM9000 以太网控制器；至此，完成的Nios II硬件平台例图如下；28. 自动设置基地址：System-Auto Assign Base Addresses；29. 自动设置中断优先级：击

9、System-Auto Assign IRQs；30. 生成系统；31. 生成PTF系统文；32. 添加复位延时控制：Reset_Delay.v；33. 补充锁相环PLL：SDRAM_PLL.v；34. 保存.sof 配置文件和生成.v 软核verilog HDL 文件；35. 全编译：Processing - Start Compilation；36. 把代码下载到DE2开发板上第二阶段：Synopsys IC设计软件入门Lab 1-1:Basic Synthesis Design Flow一启动前准备右键打开终端，输入 bashsource my_bashrccd SYNOPSYScd l

10、ab1design_vision随后会启动一个design_vision界面二基本流程(一).查错与改错1.读入文件：读入“lab1.v”:使用主菜单“File/Read”读取“Lab1.v”,存在什么问题？-Errror Message: ver-9522.查找错误：在dc_shell-xg-g（dv命令行）里输入(注意井号前有一个空格)：man #error_no3，修改错误：（你可以使用vi编辑器打开或者其他的文件编辑器）在“output 8:0 z;”之后多加一行“reg 8:0 z;”或者“output reg 8:0 z;”4.再次打开：“lab1.v”看看是否还有error或者w

11、arning，如果有，是什么error或者warning?-Warning Message: ELAB-2925.再次改错：-修改“always (a or b or c)begin”这行改成“always (a or b or c or sel) begin”（二）.编译与综合1.编译设计：点击dv菜单栏Design-Compile Design 综合之后，看看顶层视图，有什么发生？为什么“lab1_DW01_add_0”会出现？-因为合成之后DC会将RTL Code内的“+”，用实际的DesignWare Library取代之。2.创建原理图看看综合后的结果。有多少个加法器在综合后被使用？

12、由图知有1个(因为有用到Resource Sharing技巧)。3.查看加法器结构：选中“lab1_DO01_add_0”后点击“Create Design Schematic”按钮看看这个加法器的结构。这个被综合的加法器是什么种类的？cla或者ripple或者其他形式？-由图观测可猜测是Ripple adder类型。（三）.生成报告1.生成结构报告：选中“lab1”后再点击Design-Report Design Resources，看看编译后的加法器是什么种类的？由图知，的确是rpl类型。2生成面积报告：点击dv菜单Design-Report Area3生成时间报告：点击dv菜单Timin

13、g-Report Timing由图知，面积是321um平方，时间是1.194ns。（四）.设定约束(本实验为时间约束)1.选择端口：在元件视图中，选择所有的输入输出端口2.设定约束：点击Attributes-Optimization Constraaints-Timing Constraints，设置最大延迟为1然后重做9-13步，对比设定约束前后变化。(五).修改元件类型1原理图对比：点击“Create Design Schematic”，看看加了约束后的加法器结构。2.加法器结构对比：加法器被综合成cla还是ripple还是bk还是pprach还是其它形式？-由图知，加法器被综合成了ppa

14、rch类型了。3.分析原因：什么原因导致这个？-因为我们刚刚有针对Combination电路设定Timing Constraints ,Tool随意帮我们挑选一个可以满足1ns以内完成计算的加法器。4.那我们如何把这个加法器的结构改为cla类型呢？在dv命令行输入：set implementation cla r2965.结构报告对比：.点击Design-Report Design Resources，看看加法器被DC定义为什么？-由图知，加法器被综合成cla类型了6.面积报告对比：点击Design - Report Area和Timing - Report Timing，看看跟上面有什么不同

15、？-由图知,面积是413um。7.时间报告对比：-由图知,时间是1.0000ns。Lab 2-1:Block Level Design (UMC90)一. 工程简介(一).介绍微波炉时间控制系统顶层设计包括三个块：microwave，timer和display。microwave包括一个状态机：micro_st.，用以产生控制信号；和一个loader，用以设定我们想加热的时间；cook_time15:0是对应timer的。timer在每个周期都会递减cook_timer，时间会在7段数码管显示出来。随着时间减少到0，LEDS将会显示“done”，以提醒加热的完成。(二).微波炉时间控制系统规格

16、顶层设计的输入和输出描述如下：clk同步时钟reser 复位microwave timer的端口。如果reset为低电平，那么设计将会复位到IDLE状态，知道它改变到高电平，timer此时重新开始工作。cook_time就是我们想加热的时间set_cook用以设定加热时间。当set_cook为高电平的时候，cook_time 就会被置入timer。start_cook 标示加热的开始。当start_cook跳变为高电平的时候，加热开始，此时加热时间将会以每秒减1显示。min_msb_led,min_lsb_led,sec_msb_led和sec_lab_led是7段数码管的输出，他们控制数码管

17、的显示。二.基本流程(一).开始准备1.进入目录：unix% cd SYNOPSYS/lab2/lab2-1unix%l ls -al2.检查.synopsys_dc.setup的内容：unix% more .synopsys_dc.setup3.设定Design Vision为XG模式：unix% dv4.检查库：检查search path，link library,targer library和symbol library。我们使用的是fsd0a_a_generic_core_wc.db.db & fod0a_b33_generic_io_wc.db作为link library和targe

18、r library,generic.sdb作为symbol library。-先点击File-setup，如果已经修改好了，就按cancel。对比.synopsys_dc_setup的内容：more .synopsys_dc.setup5读入设计文件：.点击File Read，文件种类选All Files(.*)，点击converter.pla，点打开。切记：副档名格式不一样的档案，在DC读取档案时，不可以一起读取！相同格式的档案如Verilog可以全部一起读取！没有个数限制。6.读入Verilog文件：点击File - Analyze Add，按住control键选中loader.v, mi

19、crowave.v, micro_st.v, timer.v, top.v，最后select。在以下窗口的work library输入“COOK_TEMP”，在点OK。点击File - Elaborate，在库里面选择“COOK_TEMP”在设计里面选择“top(verilog)”，点OK。注意：第六步做完后，请在dv 命令行里输入“link”指令看看有没有错。link指令可以帮忙检查file&lib是否正确！(二).设定条件1.设定操作条件：set_operating_conditions max WCCON min BCCON小插曲：输入命令的小技巧，直接在脚本了复制就行了，如下：先找到脚

20、本所在的文件再选中要复制的命令：2.设定线：点击Attributes - Operating Environment - Wire Load，选中G5K,点OK。再在dv命令行输入：set_wire_load_mode top3.设定时钟clk：在dv命令行输入：create_clock name clk period 4 get_ports clkset_dont_touch_neiwork get_clocks clkset_fix_hold get_clocks clkset_clk_uncertainty 0.1get_clocks clkset_clock_latency 1get_

21、clock clk4.查看顶层设计的视图：5.设定时钟端口的输入驱动长度：set_driving_cell library fsd0a_a_generic_core_wc -lib_cell BUFX4 pin O get_ports clk6.设定除了时钟之外的所有输入端口的驱动长度：set_driving_cell library fsd0a_a_generic_core_wc -lib_cell DFFX1 pin Q remove_from_collection all_inputs get_ports clk7设定输出使能端：通过左键选中所有输出端口，然后点击Attribute -

22、Operating Environment - Load，输入load_of”fsd0a_generic_core_wc/DFFX1/D”.8.设定输入延迟：先选中所有输入端口，然后点击Attributes - Operating Environment - Input Delay，Relative To Clock设为clk，Max Rise & Fall设为1，Min Rise & Fall设为0.1，再点OK。9.设定输出延迟：先选择所有的输出端口，然后点击Attributes - Operating Environment - Output Delay，Relative To Cloc

23、k设为clk，Max Rise & Fall设为1，Min Rise & Fall设为0.1，再点OK。10.设定面积约束和设计规则约束在dv命令行输入：set_max_area 0set_max_fanout 2 all_inputsset_max_transition 0.3 all_inputs11.检查设计：check_design multiple_designs由图知，出现了警告。12.修改警告：把以上warning修改过来，先选中top，在点击Hierarchy - Uniquify - Hierarchy，再点OK。(三).编译前报告点击Design - Report Desi

24、gn端口报告：点击Design - Report Port (click on verbose)始终报告：点击Design - Report Clocks (四).编译设计1.编译设计：点击Design - Compile Design，把Map/Area Effort设定为high。（或者在dv命令行里输入：compile bou map_effort high area_effort high）看一下，哪个设计被优化了？-从Design最上层top开始一直到其最下层所有block全部都会被合成与最优化。2.创建电路原理图：点击“Create Design Schematic”按钮，看看综合

25、后的结果。(五).生成报告和关键路径1.生成报告选中top，再点击：面积报告：Design -Report Area，由图知：设计的单元面积为1520um2.时间报告：Timing - Report Timing约束报告：Design -Report Constraints(click on verbose)看看是否所有约束都体现了？-没有(面积约束没有出现)哪个是关键路径?-Start Point:test - End Point:timer/sec lsb next reg0/D2.测试关键路径：点击“Create Design Schematic”按钮，将会弹出顶层电路原理图的视图。如图

26、：点击“Timing - Timing Anaysis Drive”，看第一行，这就是关键路径，如图：3.报告乘法器的时间路径：时间报告：点击“Timing - Report Timing”，Max paths per group设为10，Path type设为end，再点OK，如图：看看是否只有一条关键路径？-最长的Path Delay(Critical Path)确实只有一条，但是从Report Timing不难发现，仍有相当多条的Path，其Delay相当逼近Critical Path。标准报告：点击“Design Report Design Hierarchy”层次报告：点击“Desi

27、gn - Report Reference”(六).动态功率优化与报告1.在功率优化之前，你可以先看看时间、面积、功率。如下：cell Area=1520um2，timing=4.74ns，powe dynamic=71.8746uW，leakage power=3.6718.如图：2.设定功率约束和门级功率优化：set_max_total_power 0 uwcompileinc3.优化后报告：面积报告：由图知，cell area=1547um2.时间报告：由图知，timing=4.8013ns功率报告：由图知，powe dynamic=66.7653uW，Leakgeg Power=2.6

28、156uW.Dynamic Power Improve Capability(%)=22%.时间约束是否还奏效？-是（Power改善许多，Timing/Area仍不太受影响）Lab 2-2:Leakage Power .Opt.by Multi-Vt (UMC90)通过乘法减少功率损耗1.进入路径：unix% cd SYNOPSYS/lab2/lab2-22.查看文件：查看.synopsys_dc.setup文件，然后再通过以下命令启动Design Vision：unix% more .synopsys_dc.setupunix% dv3.执行脚本：读入设计：design_vision-xg-

29、tsource script.tcl4.功率优化前报告：面积报告：cell area=1516um2时间报告：timing=4.7529ns功率报告：Dynamic Power=100.3712uW，Leakage Power=17.1634uW.5.设定功率约束和门级功率损耗优化：set_max_total_power 0 nwcompileinc6.功率优化后报告：面积报告：cell area=1545um2时间报告：timing=4.739ns功率报告：Dynamic Power=57.3657uW，Leakage Power=2.0613uW.动态功率提升百分比：100%，功率损耗百分

30、比：88%时间有没有体现？-有（功率损耗大幅改善，面积/时间仍然差不多！）注：从本实验可以看出，如果你有多重Vt的Lib，就尽量用，然后交给DC去合成，可以省下很多Power.Lab 2-3:DC-Topographical(UMC90)DC-topographical1.进入路径：unix% cd SYNOPSYS/lab2/lab2-32.查看文件：unix% more .synopsys_dc.setupunix% dv如图：跟实验2-1和2-2的脚本对比，有什么不同？-在 .synopsys_dc.setup里多了一行设定：set_tcu_plus_files max_tluplus

31、lib/tluplus/u90.tluplus tech2itf_map lib/tlup在script.tcl里多了一行设定：create_mw_lib COOK_MW technology lib/umc_90nm_1p9m126_CIC.tf open -mw_referce_library “lib/FSD0A_A_GENERIC_CORE lib/FOD0A_B33_T33_GENERIC_IO”另外，在合成的地方改成用compile_ultra no_auto当作合成指令，而不是compile（-no_auto表示不要做auto_ungroup功能）。3.进入DV opo 模式：u

32、nix% dv -topo4.执行脚本：创建Milkway，以及读入设计、设定约束、综合：design_vision-toposource script.tcl5.综合后报告面积报告：cell area=1448um2时间报告：timing=4.74ns功率报告：Dynamic Power=68.8490uW，Leakage Power=3.0136uW.综合的结果跟实验2-1和2-2有什么不同？-本实验做出来的数据表示，如果你是用Synopsys APR(ex：IC Compiler/Astro)软体画Layout，当Layout完成后，在Timing方便其效能也能达到约3.36ns之等效能

33、！我们从实验2-1可知，使用不准的WLM 来做设计，实在太过悲观，Net Delay计算过大，这回照成你在做设计时，往往会误以为自己做的结果太差，无法达到预期效能而重做或花时间再修改架构，而造成无谓的时间浪费！另外，使用DC-T Flow也会使Power分析出来的结果较为正确！相比之下，WLM所估的Power完全没有参考依据。Lab 3-1:Top-level Synthesis一前期工作1.进入目录：unix% cd SYNOPSYS/lab3/lab3-12.查看实验：unix% cd designunix% vi CS.vunix% vi CHIP.v3.改变目录到syn_dc和查看所有

34、的tcl文件unix% cd SYNOPSYS/lab3/lab3-1/syn_dcunix% vi 00_run.tcl (运行所有script 文件)unix% vi 01_import.tcl (输入所有设计和核级约束)unix% vi 02_compile.tcl (变异设计和在XG模式下DFT约束)unix% vi 03_output (保存所有script文件)二运行脚本完成综合1.改变目录到综合运行目录：unix% cd run2.执行所有脚本文件完成实验：unix% dv -f ./00_run.tcl | tee run.logdc_shell-xg-t f./00_run.

35、tcl | tee run.log注：如果机器太慢，建议直接读取cs_syn.ddc档案，然后继续第六步！方法：点击File - Read，选择cs_syn.ddc，点open。3.检查面积、时间检查面积：Design - Report Area，如图，cell area=.um2检查时间：Timing - Report Timing，如图，CHIP Timing=19.88ns，CORE Timing=19.90ns注：如果CORE Timing 跟CHIP Timing相差比较大，表示CHIP Boundary Constraint需再加强。这样才能将此CHIP_dc.tcl档案交给APR

36、 Tool,当作APR时要给的Constraint档案。三时许仿真(模拟)1.改变目录到Pre-Sim目录：unix% cd synopsys/lab3/lab3-1/tbench/presim2.链接综合输出结果s_syn.vg 和chip.sdf 到pre-layout模拟：unix% ln s ././syn_dc/run/cs_syn.vg .unix% ln s ././syn_dc/run/chip.sdf .3.查看tench文件和sdf文件：initial $sdf_annotate(chip.sdf,chip);4.开始模拟综合结果。函数是否能通过？unix% ncveril

37、og testfixture.v cs_syn.vg v ./tpz973g.v +access+rLab 3-2:CHIP-level Synthesis一前期工作1.进入目录：unix% cd SYNOPSYS/lab3/lab3-22.写芯片模块unix% cd syn_dcunix% vi CHIP.v在这个例程中有什么输入输出pad单元被使用？-Input Pad Cell:PDIDGZ，Output Pad Cell:PD008CDG在这个历程中有什么输入输出pad单元名字？-Input Cell Name:ipad_clk,ipad_reset,ipad_si,ipad_se,i

38、pad_x7ipad_x10; Output Cell Name:opad_Y9opad_Y0,opad_so3.调用Design Vision的XG模式：unix% cd rununix% dv4.查看01_import.tcl脚本文件，如图：跟实验3-1的01_import.tcl文件有什么不同？-lab3-1是切换到top-level（CS），准备给予Top-level constraints (CORE_dc.tcl) lab3-2是切换到chip-level(CHIP),准备给予CHIP-level constraints(CHIP_dc.tcl)5.查看02_compile.tcl

39、脚本文本，如图：跟实验3-1的02_compile.tcl文件有什么不同？-第一点： lab3-1是切换到top-level（CS），准备从top-level作Synthesis lab3-2是切换到chip-leves(CHIP)，准备从chip-leves作Synthesis第二点： lab3-2比lab3-1多了下列几行：set_dont_touch get_cells ipad*set_dont_touch get_cells opad* (因为本范例的CHIP.v所有Input/output pad Cell Name分别是用ipad/opad开头，因此不用下太多行的set_dont

40、_touch指令！此乃技巧处！)6.查看03_output.tcl脚本文件，如图：跟实验3-1的03_output.tcl文件有什么不同？-lab3-1是做Top-level Synthesis，所以Chip-level存档还要再还给Chip-level Constraint(CHIP_dc.tcl)，否则Chip-level而言是没有任何的Constraints,sdf存档时就会有问题！二运行所有的脚本文件来结束综合1.执行所有的脚本文件结束实验：dc_shell-xg-tsource ./00_run.tcl注：如果机器太慢，建议直接读取cs_syn.ddc档案，然后继续第八步。方法：点击

41、File - Read，点选cs_syn.ddc，点open。2.芯片级综合检查面积：Design - Report Area，如图，cell area=.um2检查时间：Timing - Report Timing，如图，timing slack=0.01ns，也即CHIP Timing=19.90ns.综合的结果是否跟实验3-1相同？-是，面积小一些，Timing一样是meet的！但唯一不同的是Chip-level比较方便又简单，可以不用写Top-leves constraints（例如CORE_dc.tcl）.3.“cs_syn.ddc”、“cs_syn.vg”、“chip.sdf”、“

42、chip_syn.spf”是否还存在？如果它们还存在，你可以退出设计编译。三时许仿真1.改变目录到Pre-Sim目录：unix% cd SYNOPSYS/lab3/lab3-2/tbench/presim2.在pre-layout仿真中，把综合输出结果链接到s_syn.vg和chip.sdf：unix% ln s ././syn_dc/run/cs_syn.vg .unix% ln s ././syn_dc/run/chip.sdf .3.查看bench文件和sdf文件：initial $sdf_annotate(chip.sdf,chip);4.开始仿真综合结果。函数是否通过？unix% v

43、cs R testfixture.v cs_syn.vg v ./tsmc18.v v ./tpz973g.v第三阶段：Multisim工具的使用与实验Multisim Lab1：单级放大电路一、实验目的1、熟悉Multisim9软件的使用方法。2、掌握放大器静态工作点的仿真方法及其对放大器性能的影响。3、学习放大器静态工作点、电压放大倍数、输入电阻、输出电阻的仿真方法，了解共射极电路特性。二、虚礼实验仪器及器材双踪示波器信号发生器交流毫伏表数字万用表三、实验步骤1.电路原理图25.静态数据仿真仿真数据（对地数据）单位：V计算数据单位：V基极集电极发射极VbeVceRp2.843986.087

44、492.213100.630883.8743911k26.动态仿真一波形：相位区别： 红色线(输出电压)幅度比较大，青色线(输入电压)幅度比较小。27.动态仿真二(1). RL为无穷数据记录：仿真数据（单位：mV）计算Vi有效值V0有效值Av9.993368.100136.836波形：(2). RL为5.1 k和330数据记录：仿真数据（单位：mV）计算RLViV0Av5.1K9.9737184.68218.5173309.99822.5202.252波形图：(3).V0变化(以RL=330为例，滑动变阻器调节前其波形图见上右图)VbVcVe画出波形Rp增大1.43742V(减小)9.7734

45、1V(增大)833.30070mV(减小)Rp减小2.40513V(增大)7.24332V(减小)1.78037V(减小)28.动态仿真三(1). 测量输入电阻Ri仿真数据（单位：mV）计算信号发生器有效电压值万用表的有效数据Ri9.9746.63410.130K(2). 测量输出电阻R0仿真数据（单位：mV）计算VLV0R0130.852259.8975.030 K29.思考题(1).电路图：(2).去掉R7之前输出波形(200mV/Div)： 去掉R7之后输出波形(100mV/Div)： (3). 这是虚拟电阻（都带有_VIRTUAL），因为只有虚拟电阻才能更改其阻值！同样，电容，电感，三

46、极管等等元件，只有虚拟元件才能更改其参数。Multisim Lab2：射极跟随器一、实验目的1、熟悉Multisim9软件的使用方法。2、掌握放大器静态工作点的仿真方法及其对放大器性能的影响。3、学习放大器静态工作点、电压放大倍数、输入电阻、输出电阻的仿真方法，了解共射极电路特性。4、学习Multisim9参数扫描方法5、学会开关元件的使用二、虚礼实验仪器及器材双踪示波器信号发生器交流毫伏表数字万用表三、实验步骤1.电路原理图12.静态工作点仿真(Re=1.8K)VbVcVeIe=Ve/Re9.00664V12.00000V8.33900V4.6328mA14.测量电压放大倍数Vi(单位：V)

47、VO(单位：V)Av=VO/Vi3.0002.9240.974715.测量输入电阻VsViRi=Vi*Rs/(Vs-Vi)3.000V2.802V72.2K16.测量输出电阻VO(就是开关打开时)VL(就是开关闭合时)RO=（VO-VL）*RL/VL1.9931.985V7.217.思考与练习1.电路图：输入(下面)输出(上面)波形：2. 射极跟随器的性能和特点(1).性能：可以起到隔离前后电路的作用；(2).特点：它是一个电压串联负反馈放大电路，它具有输入阻抗高，输出阻抗低，输出电压能够在较大范围内跟随输入电压作线性变化以及输入输出信号同相等特点。Multisim Lab3：负反馈放大电路一

48、、实验目的1、熟悉Multisim9软件的使用方法。2、掌握负反馈放大电路对放大器性能的影响。3、学习负反馈放大器静态工作点、电压放大倍数、输入电阻、输出电阻的开环和闭环仿真方法。4、学习掌握Multisim9交流分析5、学会开关元件的使用二、虚礼实验仪器及器材双踪示波器信号发生器交流毫伏表数字万用表三、实验步骤1.电路原理图2.当信号发生器V2=3mV时，输出波形刚好不失真3.直流工作点分析(1).空载三极管Q1三极管Q2VbVcVeVbVcVe3.716297.164603.076823.413894.502642.76222(2).有载三极管Q1三极管Q2VbVcVeVbVcVe3.71

49、6297.164603.076823.413894.502642.762224.交流测试RL（图中R11）Vi(有效值)V0(有效值)Av开环RL=无穷（S2打开）2.980mV0.975V327.215RL=1.5k（S2闭合）2.999mV327.526mV109.212闭环RL=无穷（S2打开）2.999mV61.519mV20.513RL=1.5k（S2闭合）2.999mV54.909mV18.3095.负反馈对失真的改善在开环情况下适当加大Vi的大小，使其输出失真，记录波形闭合开关S1，并记录波形波形6.测试放大频率特性开环闭环图形图形fLfHfLfH215.4435Hz348.07

50、01kHz169.7521Hz1.7276MHz7.思考题(1).输出波形(2).幅频特性(3).上限截止频率(由图知fH=1.3991MHz)Multisim Lab4：MultiSIM电路仿真实验一、实验目的1、了解MultiSIM电路仿真的一般步骤2、仿真RC电路和迟滞电压比较器电路3、仿真计数器和数码管显示电路4、运用MultiSIM的交互式仿真手段，模拟实际按键操作二、实验环境MultiSIM v9.0、Windows 2000 professional、PC机三、实验内容1. 设计原理图3.(1).计算R、C 值经计算，为了最小复位高电平（4.5V）持续时间250ns，所需的R=1

51、0K，C=1uF.(2).电容充放电特性(瞬态分析图形)(3).切换J2状态时(上电复位)数码管归零4.(1).迟滞比较器输入输出特性由图可知，两个门限电压约是-UT=-1.5V，+UT=+1.5V。(2).切换J1(即选择迟滞比较器的输出作为计数器的触发源)数码管变化(缓慢的加法计数，但比V2要快)5.(1).移去上述正弦信号源，移去电容C2 数码管(开关J3合上一次，数码管就计1)：示波器(开关J3合上时低电平，打开时高电平)：(2).移去上述正弦信号源，连接电容C2数码管(开关J3合上一次，数码管就计1，但合上之前的打开状态要足够长)：示波器(合上J3时低电平，打开时高电品，但下降即放电快，上升即充电满)：(2).比较两种方法，得出如下结论：切断C2时波形变化类似方波，高低电平是立即发生的，不能消除按键抖动；连接C2时波形变化有一定倾斜，说明电容起到了延迟的作用，能够消除按键抖动，但两种方法的输出都是矩形波。6.思考题(1).修改计数器电路，使得不显示高位的零：利用灭零输出电路(2).如图：示波器：数码管：由图知，切断R3后输入电压同样是倾斜上升的，有延迟作用，能起到消除按键抖动的作用。Multisim Lab