实验三直流分析

1、实验三 直流扫描分析一、实验目的1、掌握直流扫描分析的各种设置和方法。二、实验内容1、绘出下面电路图，利用直流扫描（DC Sweep）来验证二极管的V-I特性曲线。步骤：（1）、作出电路图，进行直流扫描扫描分析。设置主扫描变量为电压源Vi,由-110V开始扫描到10V，每隔0.01V记录一点；查看二极管流过的电流曲线I（D1）。（2）、现在调整横轴与纵轴坐标以便观察门坎电压值。请选PlotAxis Settings.功能选项或直接X轴坐标刻度上双击左键来打开Axis Settings对话框。请把X Axis页内Data Ranges栏下的User Defined值设为0-2V，请把Y Axis

2、页内Data Rangs栏下的User Defined值设为0-5A。查看二极管电流I（D1）。（3）、再如上面的操作将X轴坐标刻度值设为-101V到-99V，将纵坐标调整为-5A到1A，查看二极管电流I（D1），可见其雪崩电压约为100V。2、绘出下面电路图，利用直流扫描分析(DC Sweep)的来验证晶体三极管的Vce-Ib 输出特性曲线。 步骤：1）电压源V1和电流源I1的元件属性默认都为0。以下扫描类型均为Linear扫描。 2）设置主扫描参数。在Options栏内勾选Primary Sweep选项，设置主扫描变量为电压源Vi,由0V开始扫描到4V，每隔0.01V记录一点。3）设置副扫

3、描参数 在Options栏内勾选Secondary Sweep选项，设置副扫描变量为电流源I1,由0A开始扫描到0.5mA,每隔0.1mA记录一点。或者在Value List 中设置为0 0.1m 0.2m 0.3m 0.4m 0.5m 也可。 4）进行仿真分析，查看集电极电流IC（Q1）。 5）启动光标来测量坐标值。由曲线上，大致可以看出在放大区内三极管放大系数为（ 150.06 ）。（）元件名称元件库说明VDCLibrary/Pspice/Sourse.olb直流电压源IDCLibrary/Pspice/Sourse.olb直流电流源Q2N2222Library/Pspice/Bipola

4、r.olb三极管3、一BJT互阻放大电路如图所示。设NPN型硅管2N3904的放大系数b=100，电路参数为：RC=500W，R f =10kW， VCC=12V。分析：1） 当温度在-30C到+50C 的情况下，如果反馈电阻Rf从10 kW到50 kW之间变化时，每隔10K记录一点，三极管集电极电流 IC 的变化情况如何。步骤：进入仿真环境中，绘出所示电路，并设置好参数。特别是要选择参数元件(PARAMETERS)，设置自定义变量rr。（1）、在直流扫描分析中设置对温度的扫描，同时在参数扫描中设置变量rr不同的取值，仿真后得集电极电流IC。由图中看到温度在-30C到+50C 的情况下，Rf取

5、不同值时，集电极电流IC 的变化情况。4、共射极放大电路如下图所示。设BJT的型号为2N3904（b=50）。试用PSPICE程序作如下的分析：（1）求Q点；（2）作温度特性分析，观察当温度在-30度+70度范围内变化时，BJT的集电极电流IC的变化范围。 步骤：进入Schematics主窗口，绘出图所示电路。将Bf的值改为50。（1）设置直流工作点分析(Bias Point Detail)，仿真后在输出文件中得到静态工作点：IB= （3.31E-02） mA，IC = （1.40） mA，VCE= （5.52 ） V。（2）设置直流扫描分析(DC Sweep),对温度进行-30+70的线性扫

6、描。在Probe窗口中得到IC随温度变化的曲线所示。由图中看出温度在-30+70变化时，集电极电流由（1.2726 ）mA变到（1.4861） mA。5、电路图如下图所示，三极管参数为Is=5A, ，= 100 W，。要求：（1）、若其它参数不变，为使得，应调节?。（2）、若其它参数不变，为使得，应调节?。（3）、若其它参数不变，为使得电阻Rb上功率为 21uW，调节 Rb=?（4）、若其它参数不变,为使得，应调节?步骤：1、绘制电路图。对电源Vb直流扫描，仿真后，显示波形，启动标尺，在 时，( 0.79)mV。2、其它参数不变，对电阻Rb直流扫描，仿真后，显示波形，启动标尺，在 时，电阻Rb =( 14.16)k。3、其它参数不变，对电阻Rb直流扫描，仿真后，显示Rb功率波形，启动标尺，在Rb功率为 21uW 时，电阻Rb =(8.72) k。（Rb功率表达式是I(Rb)(V(Rb:1)-V( Rb:2)）。4、其它参数不变，对电阻