第5章 硅片制造中的沾污控制ppt课件

.,第五章,硅片制造中的沾污控制,.,引言,随着器件关键尺寸越来越小，对沾污的控制要求变的越来越严格。本章中将介绍硅片制造中各种类型的沾污、它们的来源以及怎样有效控制沾污等内容，以制造包含最小沾污诱生缺陷的高性能产品。为了控制制造过程中不能接受的沾污，半导体产业开发了净化间。净化间以超净空气把芯片制造与外界的沾污环境隔离开来，包括化学品、人员和常规的工作环境。一个硅片表面有多少个芯片，每个芯片差不多有数以百万计的器件和互联线路，它们对沾污非常敏感。随着芯片的特征尺寸为适应更高性能和更高集成度的要求而缩小，控制表面沾污变得越来越关键。,.,学习目标,1.说明5种不同类型的净化间污染，并讨论与每种污染相关的问题；2.列举净化间的7种沾污源，并描述每一种是怎样影响硅片的洁净；3.解释并使用净化级别来表征净化间的空气质量；4.说明两种湿法清洗的化学原理，解释每一种分别去除那种污染。,.,Figure5.1硅片污染,.,污染的类型,沾污是指半导体制造过程中引入半导体硅片的任何危害微芯片成品率及电学性能的不希望有的物质。这里将主要集中于芯片制造工序中引入的各种类型的表面沾污。沾污经常导致有缺陷的芯片，而致命缺陷又是导致硅片上的芯片无法通过电学测试的原因。据估计80的芯片电学失效是由沾污带来的缺陷引起的。净化间沾污分为五类：颗粒金属杂质有机物沾污自然氧化层静电释放（ESD）,.,颗粒颗粒是指能沾污在硅片表面的小物体。悬浮在空气中传播的颗粒被称为浮质。从鹅卵石到原子的各种颗粒的相对尺寸分布如下图所示。,Figure5.2颗粒的相对尺寸,.,MicrographcourtesyofAMD,particleunderneathphotoresistpattern,Photo5.2微粒引起的缺陷,.,Figure5.3人类头发对0.18mm颗粒的相对尺寸,.,硅片表面的颗粒密度代表了特定面积内的颗粒数，颗粒密度越大，产生致命缺陷的机会就越大。一道工序引入到硅片中超过某一关键尺寸的颗粒数，用术语可表示为每步每片上的颗粒数(PWP)。颗粒的检测最简单的方法是通过显微镜观察，先进的检查已经被激光束扫描硅片表面所取代。,Figure5.4每硅片每通道看来数,.,金属杂质硅片加工厂的污染也可能来自金属化合物。危害半导体工艺的典型金属杂质是减金属，它们在普通化学品和工艺中都很常见(如下表所示)。,.,金属杂质带来的问题,Figure5.5可动离子沾污改变阈值电压,.,有机物沾污有机物沾污是指那些包含碳的物质，几乎总是同碳自身及氢结合在一起，有时也和其它元素结合在一起。有机物沾污的一些来源包括细菌、润滑剂、蒸汽、清洁剂、溶剂和潮气等。现在用于硅片加工的设备使用不需要润滑剂的组件来设计。在特定工艺条件下，微量有机物沾污能降低栅氧化层材料的致密性。工艺过程中有机材料给半导体表面带来的另一个问题是表面的清洗不彻底，这种情况使得诸如金属杂质之类的沾污在清洗之后仍完整保留在硅片表面。,.,自然氧化层硅片如果暴露在室温下的空气或者含溶解氧的去离子水中，硅片表面将被氧化。自然氧化层同样是一种沾污，是硅片制造不可接受的，因为它将妨碍其它工艺步骤，如硅片上单晶薄膜的生长和超薄氧化层的生长。增加金属导体和器件有源区的接触电阻。,Figure5.6,.,静电释放静电释放(ESD)也是一种形式的沾污，因为它是静电荷从一个物体向另一个物体未经控制地转移，可能损坏微芯片。ESD产生于两种不同静电势的材料接触或摩察。带过剩负电荷的原子被相邻的带正电荷的原子吸引。这种由吸引产生的电流泄放电压可以高达几万伏。微芯片制造中特别容易静电释放，因为芯片加工通常保持在较低的湿度(典型条件为4010)中，这种条件容易使较高级别的静电荷生成。虽然增加相对湿度可以减少静电荷生成，但也会增加浸湿带来的污染，因而这种方法并不实用。,.,静电释放带来的问题,尽管ESD发生时转移的静电总量通常很小(钠库伦级别)，然而放电的能量积累在芯片上很小的一个区域内。发生在几钠秒内的静电释放能产生超过1A的峰值电流，从而达到蒸发金属连线和穿透氧化层，成为栅氧化层击穿的原因。下图是带电硅片吸引颗粒的一个例子。,Figure5.7,.,污染源与控制,硅片生产厂房地7种污染源为:空气人厂房水工艺用的化学品工艺用的气体生产设备,Table6.1,.,空气,净化间最基本的概念是硅片加工厂空气中颗粒的控制。我们通常所呼吸的空气是不能用于半导体制造的，因为它包含了太多的漂浮沾污。这些微小的浮质在空气中漂浮并停留很长时间，淀积在硅片表面引起沾污并带来致命缺陷。净化级别标定了净化间的空气质量级别，由净化室空气中的颗粒尺寸和密度来表征。这一数字描绘了要怎样控制颗粒以减小颗粒污染。净化级别起源于美国联邦标准209，经过多次修改形成了最终的209E版本。表6.2展示了不同净化级别每立方英尺可以接受的颗粒数和颗粒尺寸。,.,美国联邦标准209E中各净化间级别对空气漂浮颗粒的限制,Table5.2,.,人类活动释放的颗粒,Table5.3,人是颗粒的产生者。人员持续不断地进出净化间，是净化间沾污的最大来源。颗粒主要来自于头发和头发用品、衣物纤微屑、皮屑等。,.,Photo5.3穿超净服的技术人员,超净服超净服系统的目标是满足以下职能标准：对身体产生的颗粒和浮质的总体抑制；超净服系统颗粒零释放；对ESD的零静电积累；无化学和生物残余物的释放。,.,硅片制造厂中的水,在芯片生产整个过程中，要经过多次的化学刻蚀与清洗，每步刻蚀与清洗后都要经过清水冲洗。由于半导体器件非常容易受到污染，所以所有工艺用水必须经过严格处理，达到非常严格洁净度的要求。普通城市用的水中包含大量洁净室不能接受的污染物，主要有：溶解的矿物颗粒细菌溶解氧二氧化碳有机物普通水中的矿物来自盐分，盐分在水中分解为离子。例如食盐会分解为钠离子和氯离子。每个离子都是污染物。,.,通常采用反渗透和离子交换系统去除水中的离子。去除离子后的水通常称为去离子水。去离子水在25时的电阻是18000000cm，也就是一般称为18M。在VLSI制造中，工艺水的目标是18M。水中的细菌是通过紫外线去除。超纯去离子水中不允许的沾污有：溶解离子有机材料颗粒细菌硅土溶解氧,.,Figure5.14水中的各种颗粒的相对尺寸,.,Figure5.21硅片表面的颗粒数与工艺步骤数之间的函数关系,.,微环境,净化间的概念持续不断地被重新评估，主要是因为更严格控制沾污的需要以及建设净化间需要的巨大成本。在工作台所处的具体位置控制沾污，采用微环境来加工硅片，已经引起越来越大的兴趣。微环境是指在硅片和净化间环境不位于同一工艺室时，通过一个屏蔽来隔离开它们所创造出来的局部环境(见图6.25)。这一概念也被称为硅片隔离技术。微环境净化区域可以包括用来支撑硅片的片架、硅片工艺室、装载通道和储藏区域。微环境通常被控制到极端洁净的净化级别(0.1mm的0.1级)，而净化间本身可以是一个较高的级别，如10级。,.,.,硅片湿法清洗,尽管整个工艺过程严格控制硅片的沾污，但沾污总是不可避免的。一旦硅片表面被沾污，沾污物就必须通过清洗而去除。硅片清洗的目标是去除所有表面沾污：包括颗粒、有机物、金属和自然氧化层。因为每一个工艺步骤都会在硅片上造成沾污，所以通过清洗去除新的沾污是非常必要的。占统治地位的硅片清洗方法是湿法化学清洗，尽管20世纪80年代出现了干法清洗，但它仍然没有完全取代湿法清洗，湿法清洗正在改进以期获得更有效的表面清洗。,.,硅片湿法清洗化学品,Table5.5,.,RCA清洗,RCA清洗(工业标准湿法清洗工艺，由美国无线电公司“RCA”于20世纪60年代提出)由一系列有序的浸入两种不同的化学溶液组成：1号标准清洗液(SC-1)2号标准清洗液(SC-2)SC-1清洗液是碱性溶液，通过氧化或电学排斥起作用去除颗粒和有机物质。SC-2清洗液用于去除硅片表面的金属，去除机理是用高氧化能力和低PH值的溶液。在这种溶液中金属成为离子并容于具有强氧化效应的酸液中。清洗液就能从金属和有机沾污中俘获电子并氧化它们。电离的金属溶于溶液中，而有机杂质被分解。,.,Figure5.26颗粒在SC-1中的氧化和溶解,.,Figure5.27颗粒通过负电荷排斥而去除,.,典型的硅片湿法清洗顺序,Table6.6,.,小结,硅片制造在净化间进行。净